CN220265286U - 一种高转化率的四氯化硅合成炉 - Google Patents

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黄金成
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Abstract

本实用新型公开了一种高转化率的四氯化硅合成炉,涉及四氯化硅生产技术领域,包括炉体、门板、第一进气管、第二进气管、硅粉喷射管、第一放置板以及硅粉发射器,所述炉体侧部设有门板,所述炉体顶部左侧设有第一进气管,所述炉体顶部右侧设有第二进气管,所述炉体左侧穿插连接硅粉喷射管,所述炉体左侧固定连接第一放置板,所述第一放置板顶部放置硅粉发射器,所述硅粉发射器连接硅粉喷射管,所述炉体内部右侧底部设有风扇箱,所述风扇箱内部设有风扇,所述风扇中部的输出端连接转动轴,所述炉体外部右侧底部设有电机,所述电机的输出端连接转动轴,本实用新型所提供的一种高转化率的四氯化硅合成炉,能够避免硅粉积淀,提高了反应效率。

Description

一种高转化率的四氯化硅合成炉
技术领域
本实用新型涉及四氯化硅生产技术领域,具体为一种高转化率的四氯化硅合成炉。
背景技术
四氯化硅是重要的化工产品,四氯化硅的沸点57.6℃,熔点-70℃,为无色、有腐蚀性、不可燃液体,在空气中形成浓烟,并迅速水解生成氯化氢气体,具有令人窒息的臭味。四氯化硅可以作为微细二氧化硅、合成石英、氮化硅及其他各种有机硅化合物的合成原料来使用,如硅酸酯类、有机硅单体、有机硅油、高温绝缘漆、有机硅树脂、硅橡胶和耐热垫衬材料。高纯度四氯化硅为制造多晶硅、高纯二氧化硅、光纤预制棒、石英纤维的材料,军事工业用于制造烟幕剂,冶金工业可用于制造耐腐蚀硅铁铸造。
经检索,现有四氯化硅生产合成炉在使用过程中,由于硅粉中夹杂部分的硅粉颗粒容易发生积淀,从而不能进行充分反应,降低了四氯化硅的生产效率,为此,我们提出了一种高转化率的四氯化硅合成炉用以解决上述问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种高转化率的四氯化硅合成炉,解决了背景技术中所提出的问题。
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种高转化率的四氯化硅合成炉,包括炉体、门板、第一进气管、第二进气管、硅粉喷射管、第一放置板以及硅粉发射器,所述炉体侧部设有门板,所述炉体顶部左侧设有第一进气管,所述炉体顶部右侧设有第二进气管,所述炉体左侧穿插连接硅粉喷射管,所述炉体左侧固定连接第一放置板,所述第一放置板顶部放置硅粉发射器,所述硅粉发射器连接硅粉喷射管,所述炉体内部右侧底部设有风扇箱,所述风扇箱内部设有风扇,所述风扇中部的输出端连接转动轴,所述炉体外部右侧底部设有电机,所述电机的输出端连接转动轴。
优选的,所述炉体外部右侧底部固定连接第二放置板,所述第二放置板顶部固定连接放置台,所述放置台顶部放置电机。
优选的,所述风扇箱包括框体、通风槽、矩形块以及圆孔,所述框体前侧设有通风槽,所述框体四角固定连接矩形块,所述矩形块中部设有圆孔。
优选的,所述炉体侧部设有螺纹孔,所述圆孔与螺纹孔之间穿插连接螺丝。
优选的,所述炉体顶部左侧设有第一连接孔,所述炉体顶部右侧设有第二连接孔,所述炉体左侧设有第三连接孔,所述炉体右侧设有第四连接孔。
优选的,所述炉体内部连接导流加热装置,所述导流加热装置包括加热板、导流板以及流动孔,所述加热板两侧固定安装导流板,所述加热板上开设有横向等间距分布的流动孔,所述炉体顶部固定连接加热器,所述加热器通过炉体连接导流加热装置。
优选的,所述门板中部设有玻璃观察窗。
本实用新型提供了一种高转化率的四氯化硅合成炉。具备以下有益效果:
该一种高转化率的四氯化硅合成炉,通过在炉内安装风扇,能够将硅粉在炉内飞起,从而能够实现硅粉的充分反应,进而提高了四氯化硅的生产效率。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图1;
图2为本实用新型整体结构示意图2;
图3为本实用新型导流加热装置结构示意图;
图4为本实用新型炉体结构示意图;
图5为本实用新型风扇箱结构示意图;
图6为本实用新型风扇结构示意图。
图中,1、炉体;2、门板;3、第一进气管;4、第二进气管;5、硅粉喷射管;6、第一放置板;7、硅粉发射器;8、导流加热装置;801、加热板;802、导流板;803、流动孔;9、加热器;10、风扇箱;1001、框体;1002、通风槽;1003、矩形块;1004、圆孔;11、风扇;1101、转动轴;12、电机;13、放置台;14、第二放置板;15、螺丝;16、螺纹孔;17、第四连接孔;18、第一连接孔;19、第二连接孔;20、第三连接孔;21、玻璃观察窗。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-6,本实用新型实施例提供一种技术方案:一种高转化率的四氯化硅合成炉,包括炉体1、门板2、第一进气管3、第二进气管4、硅粉喷射管5、第一放置板6以及硅粉发射器7,所述炉体1侧部设有门板2,所述炉体1顶部左侧设有第一进气管3,所述炉体1顶部右侧设有第二进气管4,所述炉体1左侧穿插连接硅粉喷射管5,所述炉体1左侧固定连接第一放置板6,所述第一放置板6顶部放置硅粉发射器7,所述硅粉发射器7连接硅粉喷射管5,所述炉体1内部右侧底部设有风扇箱10,所述风扇箱10内部设有风扇11,所述风扇11中部的输出端连接转动轴1101,所述炉体1外部右侧底部设有电机12,所述电机12的输出端连接转动轴1101,在炉内安装散热扇,能够对硅粉进行吹动,避免硅粉出现积淀现象,从而提高了反应效率。
所述炉体1外部右侧底部固定连接第二放置板14,所述第二放置板14顶部固定连接放置台13,所述放置台13顶部放置电机12,第二放置板14以及放置台13的设置,为电机12的安装提高了保障。
所述风扇箱10包括框体1001、通风槽1002、矩形块1003以及圆孔1004,所述框体1001前侧设有通风槽1002,所述框体1001四角固定连接矩形块1003,所述矩形块1003中部设有圆孔1004,风扇箱10的设置,能够减少硅粉进入风扇11内部,能够减小风扇11发生故障的概率。
所述炉体1侧部设有螺纹孔16,所述圆孔1004与螺纹孔16之间穿插连接螺丝15,上述零部件之间配合使用,能够实现风扇箱10的固定安装。
所述炉体1顶部左侧设有第一连接孔18,所述炉体1顶部右侧设有第二连接孔19,所述炉体1左侧设有第三连接孔20,所述炉体1右侧设有第四连接孔17,第一连接孔18的设置为第一进气管3的安装提供了保障,第二连接孔19的设置为第二进气管4的安装提供了保障,第三连接孔20的设置为硅粉喷射管5的安装提供了保障,第四连接孔17的设置为转动轴1101的安装提供了保障。
所述炉体1内部连接导流加热装置8,所述导流加热装置8包括加热板801、导流板802以及流动孔803,所述加热板801两侧固定安装导流板802,所述加热板801上开设有横向等间距分布的流动孔803,所述炉体1顶部固定连接加热器9,所述加热器9通过炉体1连接导流加热装置8。其中,导流板802的设置,能够使硅粉下落时间延长,同时也延长了硅粉反应的时间,提高了硅粉利用率,流动孔803的设置,能够实现硅粉在加热板801两侧流动。
所述门板2中部设有玻璃观察窗21,玻璃观察窗21的设置,便于工作人员对炉内情况进行观察。
工作原理:使用时,打开加热器9,加热器9给导流加热装置8进行加热,加热后的导流加热装置8能够加快炉体1内部物质之间进行反应,通过硅粉喷射管5向炉内喷射硅粉,随后通过第一进气管3以及第二进气管4分别通入四氯化碳以及氯气,随后打开电机12,带动风扇11转动,在此过程中,风扇11吹动硅粉、四氯化碳以及氯气在炉内进行充分散开,从而能够充分反应,进而能够有效的提高四氯化硅的生产效率。
本实用新型的1、炉体;2、门板;3、第一进气管;4、第二进气管;5、硅粉喷射管;6、第一放置板;7、硅粉发射器;8、导流加热装置;801、加热板;802、导流板;803、流动孔;9、加热器;10、风扇箱;1001、框体;1002、通风槽;1003、矩形块;1004、圆孔;11、风扇;1101、转动轴;12、电机;13、放置台;14、第二放置板;15、螺丝;16、螺纹孔;17、第四连接孔;18、第一连接孔;19、第二连接孔;20、第三连接孔;21、玻璃观察窗,部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件,其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (9)

1.一种高转化率的四氯化硅合成炉,包括炉体(1)、门板(2)、第一进气管(3)、第二进气管(4)、硅粉喷射管(5)、第一放置板(6)以及硅粉发射器(7),所述炉体(1)侧部设有门板(2),所述炉体(1)顶部左侧设有第一进气管(3),所述炉体(1)顶部右侧设有第二进气管(4),所述炉体(1)左侧穿插连接硅粉喷射管(5),所述炉体(1)左侧固定连接第一放置板(6),所述第一放置板(6)顶部放置硅粉发射器(7),所述硅粉发射器(7)连接硅粉喷射管(5),其特征在于:所述炉体(1)内部右侧底部设有风扇箱(10),所述风扇箱(10)内部设有风扇(11),所述风扇(11)中部固定连接转动轴(1101),所述炉体(1)外部右侧底部设有电机(12),所述电机(12)固定连接转动轴(1101)。
2.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述炉体(1)外部右侧底部固定连接第二放置板(14),所述第二放置板(14)顶部固定连接放置台(13),所述放置台(13)顶部放置电机(12)。
3.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述风扇箱(10)包括框体(1001)、通风槽(1002)、矩形块(1003)以及圆孔(1004),所述框体(1001)前侧设有通风槽(1002),所述框体(1001)四角固定连接矩形块(1003),所述矩形块(1003)中部设有圆孔(1004)。
4.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述炉体(1)侧部设有螺纹孔(16)。
5.根据权利要求3所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述圆孔(1004)中部穿插螺丝(15)。
6.根据权利要求4所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述螺纹孔(16)中部穿插螺丝(15)。
7.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述炉体(1)顶部左侧设有第一连接孔(18),所述炉体(1)顶部右侧设有第二连接孔(19),所述炉体(1)左侧设有第三连接孔(20),所述炉体(1)右侧设有第四连接孔(17)。
8.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述炉体(1)内部连接导流加热模块(8),所述导流加热模块(8)包括加热板(801)、导流板(802)以及流动孔(803),所述加热板(801)两侧固定安装导流板(802),所述加热板(801)中部设有若干流动孔(803),所述炉体(1)顶部固定连接加热器(9),所述加热器(9)通过炉体(1)连接导流加热模块(8)。
9.根据权利要求1所述一种高转化率的四氯化硅合成炉,其特征在于:所述门板(2)中部设有玻璃观察窗(21)。
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