CN220149714U - 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 - Google Patents

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN220149714U
CN220149714U CN202321551399.3U CN202321551399U CN220149714U CN 220149714 U CN220149714 U CN 220149714U CN 202321551399 U CN202321551399 U CN 202321551399U CN 220149714 U CN220149714 U CN 220149714U
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixedly connected
silicon carbide
chemical vapor
epitaxial growth
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321551399.3U
Other languages
English (en)
Inventor
姜佑霖
马良来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Haoshi New Material Technology Nantong Co ltd
Original Assignee
Haoshi New Material Technology Nantong Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Haoshi New Material Technology Nantong Co ltd filed Critical Haoshi New Material Technology Nantong Co ltd
Priority to CN202321551399.3U priority Critical patent/CN220149714U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN220149714U publication Critical patent/CN220149714U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,包括反应罐,所述反应罐底部的中心处固定连接有伺服电机,所述伺服电机的输出端固定连接有螺纹杆,所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹套筒,所述螺纹套筒的左右两侧自上而下均匀固定连接有承载板,所述承载板的顶部设置有沉积箱,所述沉积箱底部的四角均固定连接有销块,所述承载板顶部的四角均开设有卡槽,本实用新型通过设置反应罐和沉积箱,能够对碳化硅进行生长,通过设置伺服电机、螺纹杆、螺纹套筒和承载板,能够带动沉积箱向上移动,通过设置销块和卡槽,能够方便将沉积箱取出,通过设置以上结构,具备方便对反应后的碳化硅取出的优点。

Description

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置
技术领域
本实用新型涉及半导体材料生长技术领域,具体为一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置。
背景技术
高温化学气相沉积(HTCVD)是目前进行生长碳化硅外延材料的主流技术,在碳化硅外延生长时需要使用沉积装置来进行,现如今所使用的沉积装置出料较为不便,在反应生长后不易将碳化硅取出,使用存在一定的缺陷,为此我们提出一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,解决以上提出的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,具备方便对反应后的碳化硅取出的优点,解决了现有的沉积装置出料较为不便,在反应生长后不易将碳化硅取出,使用存在一定的缺陷的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,包括反应罐,所述反应罐底部的中心处固定连接有伺服电机,所述伺服电机的输出端固定连接有螺纹杆,所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹套筒,所述螺纹套筒的左右两侧自上而下均匀固定连接有承载板,所述承载板的顶部设置有沉积箱,所述沉积箱底部的四角均固定连接有销块,所述承载板顶部的四角均开设有卡槽,所述销块与卡槽之间插接。
作为本实用新型的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置优选的,所述螺纹套筒左右两侧的底部均固定连接有滑块,所述反应罐内腔的左右两侧均开设有配合滑块使用的滑槽,所述滑块的外表面与滑槽的内表面滑动连接。
作为本实用新型的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置优选的,所述螺纹套筒的顶部固定连接有盖板,所述盖板的底部固定连接有密封垫,所述密封垫的底部与反应罐的顶部紧密贴合。
作为本实用新型的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置优选的,所述反应罐的顶部开设有通孔,所述承载板的外表面与通孔的内表面滑动连接。
作为本实用新型的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置优选的,所述沉积箱的顶部设置有把手,所述反应罐底部的四角均固定连接有支腿。
作为本实用新型的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置优选的,所述沉积箱正面的顶部设置有显示屏,所述沉积箱正面的底部设置有控制开关。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型通过设置反应罐和沉积箱,能够对碳化硅进行生长,通过设置伺服电机、螺纹杆、螺纹套筒和承载板,能够带动沉积箱向上移动,通过设置销块和卡槽,能够方便将沉积箱取出,通过设置以上结构,具备方便对反应后的碳化硅取出的优点,解决了现有的沉积装置出料较为不便,在反应生长后不易将碳化硅取出,使用存在一定的缺陷的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型结构的剖视图;
图3为本实用新型结构图2中A处的局部放大图。
图中:1、反应罐;2、伺服电机;3、螺纹杆;4、螺纹套筒;5、承载板;6、沉积箱;7、销块;8、卡槽;9、滑块;10、滑槽;11、盖板;12、密封垫;13、通孔;14、把手;15、显示屏;16、控制开关。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,包括反应罐1,反应罐1底部的中心处固定连接有伺服电机2,伺服电机2的输出端固定连接有螺纹杆3,螺纹杆3的外表面螺纹连接有螺纹套筒4,螺纹套筒4的左右两侧自上而下均匀固定连接有承载板5,承载板5的顶部设置有沉积箱6,沉积箱6底部的四角均固定连接有销块7,承载板5顶部的四角均开设有卡槽8,销块7与卡槽8之间插接。
本实施例中:通过设置反应罐1和沉积箱6,能够对碳化硅进行生长,通过设置伺服电机2、螺纹杆3、螺纹套筒4和承载板5,能够带动沉积箱6向上移动,通过设置销块7和卡槽8,能够方便将沉积箱6取出,通过设置以上结构,具备方便对反应后的碳化硅取出的优点。
作为本实用新型的一种技术优化方案,进一步的,螺纹套筒4左右两侧的底部均固定连接有滑块9,反应罐1内腔的左右两侧均开设有配合滑块9使用的滑槽10,滑块9的外表面与滑槽10的内表面滑动连接。
本实施例中:通过设置滑块9和滑槽10,能够对螺纹套筒4的移动起到导向的作用,同时也对螺纹套筒4的移动进行限位。
作为本实用新型的一种技术优化方案,进一步的,螺纹套筒4的顶部固定连接有盖板11,盖板11的底部固定连接有密封垫12,密封垫12的底部与反应罐1的顶部紧密贴合。
本实施例中:通过设置盖板11和密封垫12,能够对反应罐1的顶部进行密封。
作为本实用新型的一种技术优化方案,进一步的,反应罐1的顶部开设有通孔13,承载板5的外表面与通孔13的内表面滑动连接。
本实施例中:通过设置通孔13,能够方便承载板5移动。
作为本实用新型的一种技术优化方案,进一步的,沉积箱6的顶部设置有把手14,反应罐1底部的四角均固定连接有支腿。
本实施例中:通过设置把手14,能够方便拿取沉积箱6。
作为本实用新型的一种技术优化方案,进一步的,沉积箱6正面的顶部设置有显示屏15,沉积箱6正面的底部设置有控制开关16。
本实施例中:通过设置显示屏15和控制开关16,能够对反应罐1进行控制。
本实施例的原理为:
使用时,将需要生长的碳化硅放入沉积箱6内进行生长,当生长结束需要取料时,启动伺服电机2的控制开关16,伺服电机2带动螺纹杆3转动,螺纹杆3带动螺纹套筒4向上移动,螺纹套筒4带动承载板5向上移动,承载板5带动沉积箱6向上移动,将沉积箱6移出,然后通过把手14将沉积箱6取下即可,通过设置以上结构,具备方便对反应后的碳化硅取出的优点。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,包括反应罐(1),其特征在于:所述反应罐(1)底部的中心处固定连接有伺服电机(2),所述伺服电机(2)的输出端固定连接有螺纹杆(3),所述螺纹杆(3)的外表面螺纹连接有螺纹套筒(4),所述螺纹套筒(4)的左右两侧自上而下均匀固定连接有承载板(5),所述承载板(5)的顶部设置有沉积箱(6),所述沉积箱(6)底部的四角均固定连接有销块(7),所述承载板(5)顶部的四角均开设有卡槽(8),所述销块(7)与卡槽(8)之间插接。
2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,其特征在于:所述螺纹套筒(4)左右两侧的底部均固定连接有滑块(9),所述反应罐(1)内腔的左右两侧均开设有配合滑块(9)使用的滑槽(10),所述滑块(9)的外表面与滑槽(10)的内表面滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,其特征在于:所述螺纹套筒(4)的顶部固定连接有盖板(11),所述盖板(11)的底部固定连接有密封垫(12),所述密封垫(12)的底部与反应罐(1)的顶部紧密贴合。
4.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,其特征在于:所述反应罐(1)的顶部开设有通孔(13),所述承载板(5)的外表面与通孔(13)的内表面滑动连接。
5.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,其特征在于:所述沉积箱(6)的顶部设置有把手(14),所述反应罐(1)底部的四角均固定连接有支腿。
6.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置,其特征在于:所述沉积箱(6)正面的顶部设置有显示屏(15),所述沉积箱(6)正面的底部设置有控制开关(16)。
CN202321551399.3U 2023-06-19 2023-06-19 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 Active CN220149714U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321551399.3U CN220149714U (zh) 2023-06-19 2023-06-19 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202321551399.3U CN220149714U (zh) 2023-06-19 2023-06-19 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220149714U true CN220149714U (zh) 2023-12-08

Family

ID=89016683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321551399.3U Active CN220149714U (zh) 2023-06-19 2023-06-19 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN220149714U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206204482U (zh) 一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置
CN106381525B (zh) 一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置
WO2008136371A1 (ja) 細胞培養装置、細胞培養システム及び細胞培養方法
CN220149714U (zh) 一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置
WO2022252544A1 (zh) 注入合成后连续lec与vgf结合制备化合物半导体晶体的方法
CN112690174B (zh) 一种菌菇栽培管理方法
CN111005062B (zh) 一种晶体生长装置
CN203080106U (zh) 一种蓝宝石生长用坩埚夹持工具
CN112111383A (zh) 一种生物细胞培养皿
CN217973393U (zh) 一种基台升降组件和生长设备
CN109590170A (zh) 一种用于制备电泳凝胶柱的自动灌胶生产线、灌胶方法及用途
CN208183108U (zh) 一种晶体生长用承重装置
CN208080787U (zh) 一种实验室全硅胶模口红打样机器
CN208717471U (zh) 一种便于移动的氧化加工设备
CN210537869U (zh) 一种食用菌母种菌培育罐
CN221254767U (zh) 一种晶体生长炉用送料装置
CN220641729U (zh) 一种化肥提升装置
CN216888744U (zh) 一种可自动摆放枪头的装置
CN213699751U (zh) 培育钻石石墨粉及辅助粉料自动配料装置
CN219294760U (zh) 发泡拭子制造装置
CN214529077U (zh) 一种具有调平功能的细胞工厂装置
CN116504686B (zh) 一种基于液态均匀温控的半导体加热盘
CN216833838U (zh) 一种石英管转运装置
CN220863867U (zh) 一种用于晶体生长炉维护的拆卸结构
CN220867577U (zh) 一种用于mpcvd金刚石生长的晶种摆放装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant