CN220041898U - 一种发光模组 - Google Patents
一种发光模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220041898U CN220041898U CN202321293436.5U CN202321293436U CN220041898U CN 220041898 U CN220041898 U CN 220041898U CN 202321293436 U CN202321293436 U CN 202321293436U CN 220041898 U CN220041898 U CN 220041898U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- utility
- model
- emitting module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 7
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 allyl compound Chemical class 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种发光模组,包含载体、发光元件、反射层以及荧光层。发光元件设置于载体之上。反射层设置于载体之上且环设于发光元件。荧光层覆设于至少部分发光元件之上。本实用新型可解决现有技术的发光角度过大以及产品照度较低的缺点,相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光模组技术领域,尤其指发光元件环设有反射层的一种发光模组。
背景技术
发光二极体(light-emitting diode,LED)为一种半导体元件,主要通过半导体化合物将电能转换为光能以达到发光效果,因其具有寿命长、稳定性高及耗电量小等优点,所以目前已被广泛地应用于照明。关于现有技术应用发光二极体的照明产品,一般采用的架构为于发光二极体外覆设有包含荧光粉的胶体材料,用以受发光二极体激发而激发辐射出特定的频谱范围。
然而,由于发光二极体除了固接于基板上的底面之外,发光二极体的其他表面皆被荧光层所覆盖,虽然可使荧光层由各个角度吸收来自发光二极体所发出的光,但也使得照明产品沿出光方向(通常是垂直于基板上的方向)的发光角度过大,以至于照度无法提升。
为此,如何设计出一种发光模组,来解决上述的技术问题,乃为本发明人所研究的重要课题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种发光模组,可解决现有技术的发光角度过大以及产品照度较低的缺点,相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的。
为了达到上述目的,本实用新型所提出的发光模组包含载体、发光元件、反射层以及荧光层。发光元件设置于载体之上。反射层设置于载体之上且环设于发光元件。荧光层覆设于至少部分发光元件之上。
在某些实施例中,发光元件包含发光二极体。
在某些实施例中,荧光层于发光元件上形成曲面或平面。
在某些实施例中,荧光层还覆设于至少部分反射层之上。
在某些实施例中,反射层的侧壁形成第一阶级面。
在某些实施例中,载体与反射层之间形成第二阶级面。
在某些实施例中,反射层与荧光层之间形成第三阶级面。
在某些实施例中,荧光层包含非均一性分布的不规则结构。
在某些实施例中,不规则结构包含具不同粒径的至少两种荧光颗粒。
在某些实施例中,不规则结构仅位于荧光层的出光面中。
综上所述,本实用新型所述的发光模组采用了可环设于发光元件的侧壁的反射层,借此可避免发光元件所输出的部分光由发光元件的侧壁逸散而造成能量浪费,反射层限缩了发光元件的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层中,使得本实用新型的发光模组的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
值得一提的是,所述反射层可包含呈白色的具高反射率的高分子材料或金属氧化物(例如,二氧化钛TiO2等)所构成的胶体,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组可解决现有技术的发光角度过大以及产品照度较低的缺点,相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的。
为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,相信本实用新型特征与特点,当可由此得到一深入且具体的了解,然而所附的附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1为本实用新型的发光模组的第一实施例的结构示意图;
图2为本实用新型的发光模组的第二实施例的结构示意图;
图3为本实用新型的发光模组的第三实施例的结构示意图;
图4为本实用新型的发光模组的第四实施例的结构示意图;
图5为本实用新型的发光模组的第五实施例的结构示意图;
图6为本实用新型的发光模组的第六实施例的结构示意图;
图7为本实用新型的发光模组的第七实施例的结构示意图;
图8为本实用新型的发光模组的第八实施例的结构示意图;以及
图9为本实用新型的发光模组的第九实施例的结构示意图。
其中,附图标记:
1~9:发光模组
10:载体
11:侧壁
20:发光元件
21:侧壁
30:反射层
31:侧壁
40:荧光层
41:侧壁
42:荧光颗粒
43:出光面
111:第二阶级面
311:第一阶级面
312:第三阶级面
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及效果。本实用新型亦可通过其他不同的具体实例加以施行或应用,本实用新型说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用在不悖离本实用新型的内容下进行各种修饰与变更。
须知,本说明书所附的附图绘示的结构、比例、大小、元件数量等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的技术人员了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的效果及所能达成的目的下,均应落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
现将有关本实用新型的技术内容及详细说明,配合附图说明如下。
图1为本实用新型发光模组1的第一实施例的结构示意图。
请参阅图1,本实用新型所提出的发光模组1包含载体10、发光元件20、反射层30以及荧光层40。
载体10可包含晶粒支架或FR-4基板制成的印刷电路板(printed circuit board,PCB)。FR-4基板包含玻璃纤维、环氧树脂以及BT树脂的至少一个。所述BT树脂为以双马来酰亚胺(bismaleimide,BMI)和三嗪为主的树脂成分,并加入环氧树脂(epoxy resins)、聚苯醚树脂(polyphenylene ether,PPE)或烯丙基化合物等作为改性组分所形成的热固性树脂,然其非限制性。
发光元件20设置于载体10之上。
在某些实施例中,发光元件20可包含发光二极体(light-emitting diode,LED),且发光二极体可包含可见光范畴的红光发光二极体(例如:铝砷化镓(AlGaAs)、砷化镓磷化物(GaAsP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、磷化镓掺杂氧化锌(GaP:ZnO))、橙光发光二极体(例如:砷化镓磷化物(GaAsP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、磷化镓掺杂X(GaP:X))、黄光发光二极体(例如:砷化镓磷化物(GaAsP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、磷化镓掺杂氮(GaP:N))、绿光发光二极体(例如:铟氮化镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、铝磷化镓(AlGaP))、蓝光发光二极体(例如:硒化锌(ZnSe)、铟氮化镓(InGaN)、碳化矽(SiC))、紫光发光二极体(例如:铟氮化镓(InGaN)),以及可包含不可见光范畴的红外光发光二极体(例如:砷化镓(GaAs)、铝砷化镓(AlGaAs))或紫外光二极体(例如:钻石(diamond)、氮化铝(AlN)、铝镓氮化物(AlGaN)、氮化铝镓铟(AlGaInN))等,且发光二极体的形式亦可包含有机发光二极体(organic light-emitting diode,OLED),然其非限制性。
反射层30设置于载体10之上且环设于发光元件20。
在某些实施例中,所述反射层30可包含呈白色的具有高反射率的高分子材料或金属氧化物(例如,二氧化钛TiO2等)所构成的胶体,然其非限制性。
在某些实施例中,反射层30环设且直接贴靠于发光元件20的整个侧壁21上,且不覆盖到发光元件20的顶面,然其非限制性。进一步而言,依据表面张力的原理,环设于发光元件20的整个侧壁21上的反射层30的顶面可形成具有略微凹陷的U形槽环,且U形槽环设于发光元件20的周缘,然其非限制性。
在某些实施例中,反射层30的侧壁31与载体10的侧壁11对齐,然其非限制性。
值得一提的是,本实用新型通过引入了所述反射层30,而相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的,然其非限制性。
荧光层40覆设于至少部分发光元件20之上。
在某些实施例中,所述荧光层40可包含均匀混合有一种至三种不等的荧光粉以及光学胶体材料,且可更进一步地混和有氟化物荧光粉以改善演色性指数(color renderingindex,CRI)或降低蓝光强度,然其非限制性。
在某些实施例中,荧光层40于整个发光元件20上形成平面,且荧光层40还覆设于整个反射层30之上,然其非限制性。
在某些实施例中,荧光层40的侧壁41与反射层30的侧壁31对齐,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组1采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组1的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
在某些实施例中,本实用新型的发光模组1相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的,然其非限制性。
图2为本实用新型发光模组2的第二实施例的结构示意图。
本实用新型的第二实施例的发光模组2与上述第一实施例的发光模组1大致相同,区别在于反射层30的侧壁31形成第一阶级面311,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组2采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组2的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图3为本实用新型发光模组3的第三实施例的结构示意图。
本实用新型的第三实施例的发光模组3与上述第一实施例的发光模组1大致相同,区别在于载体10与反射层30之间形成第二阶级面111,然其非限制性。
在某些实施例中,载体10未被反射层30所遮蔽的部分顶面形成第二阶级面111,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组3采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组3的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图4为本实用新型发光模组4的第四实施例的结构示意图。
本实用新型的第四实施例的发光模组4与上述第一实施例的发光模组1大致相同,区别在于反射层30与荧光层40之间形成第三阶级面312,然其非限制性。
在某些实施例中,反射层30未被荧光层40所遮蔽的部分顶面形成第三阶级面312,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组4采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组4的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图5为本实用新型发光模组5的第五实施例的结构示意图。
本实用新型的第五实施例的发光模组5与上述第一实施例的发光模组1大致相同,区别在于荧光层40于发光元件20上形成曲面,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组5采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组5的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图6为本实用新型发光模组6的第六实施例的结构示意图。
本实用新型的第六实施例的发光模组6与上述第四实施例的发光模组4大致相同,区别在于荧光层40于发光元件20上形成曲面,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组6采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组6的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图7为本实用新型发光模组7的第七实施例的结构示意图。
本实用新型的第七实施例的发光模组7与上述第六实施例的发光模组6大致相同,区别在于荧光层40仅覆设于整个发光元件20上,而并未覆设于反射层30上,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组7采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组7的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图8为本实用新型发光模组8的第八实施例的结构示意图。
本实用新型的第八实施例的发光模组8与上述第七实施例的发光模组7大致相同,区别在于本实用新型的第七实施例的发光模组7与前述第六实施例的发光模组6大致相同,区别在于荧光层40仅覆设于部分发光元件20上,而非覆设于整个发光元件20上,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组8采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组8的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
图9为本实用新型发光模组9的第九实施例的结构示意图。
本实用新型的第九实施例的发光模组9与上述第三实施例的发光模组3大致相同,区别在于荧光层40包含非均一性分布的不规则结构。
在某些实施例中,不规则结构包含具不同粒径的至少两种荧光颗粒42,借此使更多光线于荧光层40内进行散射(scattering),减少于出光面43的全反射(total internalreflection,TIR)现象,以增加输出于出光面43的光强度,然其非限制性。
在未图示的某些实施例中,不规则结构可仅位于荧光层40的出光面43中,而不必占满整个荧光层40,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组9采用了可环设于发光元件20的侧壁21的反射层30,借此可避免发光元件20所输出的部分光由发光元件20的侧壁21逸散而造成能量浪费,反射层30限缩了发光元件20的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层40中,使得本实用新型的发光模组9的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
且进一步而言,可一并搭配混有至少两种荧光颗粒42的荧光层40,以进一步地减少光传输至出光面43的全反射现象,可借此更强化环设发光元件20的反射层30所达到的提高出光面43的照度的目的,然其非限制性。
综上所述,本实用新型所述的发光模组采用了可环设于发光元件的侧壁的反射层,借此可避免发光元件所输出的部分光由发光元件的侧壁逸散而造成能量浪费,反射层限缩了发光元件的发光角度,且可以让更多的光进入荧光层中,使得本实用新型的发光模组的照度相较于现有技术的照明产品可具有更高的照度。
值得一提的是,所述反射层可包含呈白色的具有高反射率的高分子材料或金属氧化物(例如,二氧化钛TiO2等)所构成的胶体,然其非限制性。
在某些实施例中,可依据不同照明产品或封装尺寸的需求,调整反射层或荧光层的侧壁,而使之形成有第一阶级面、第二阶级面或第三阶级面等不同实施例,且荧光层的表面可选择地形成曲面或平面。
在某些实施例中,还可以在荧光层中混合不同粒径的至少二种荧光颗粒,借此使更多光线于荧光层内进行散射,减少于出光面的全反射(TIR)现象,以增加输出于出光面的光强度,然其非限制性。
为此,本实用新型所述的发光模组可解决现有技术的发光角度过大以及产品照度较低的缺点,相较于现有技术达成照度提高至少10%的目的。
以上所述,仅为本实用新型较佳具体实施例的详细说明与附图,本实用新型的特征并不局限于此,并非限制本实用新型,本实用新型的所有范围应以下述的申请专利范围为准,凡合于本实用新型申请专利范围的内容与其类似变化的实施例,皆应包含于本实用新型的范畴中,任何熟悉该项本领域技术人员在本实用新型的领域内,可轻易思及其变化或修饰皆可涵盖在以下本案的专利范围。
Claims (10)
1.一种发光模组,其特征在于,包含:
一载体;
一发光元件,设置于该载体上;
一反射层,设置于该载体上,且环设于该发光元件;以及
一荧光层,覆设于至少部分该发光元件上。
2.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该发光元件包含一发光二极体。
3.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该荧光层于该发光元件上形成一曲面或一平面。
4.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该荧光层还覆设于至少部分该反射层之上。
5.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该反射层的侧壁形成一第一阶级面。
6.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该载体与该反射层之间形成一第二阶级面。
7.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该反射层与该荧光层之间形成一第三阶级面。
8.根据权利要求1所述的发光模组,其特征在于,该荧光层包含非均一性分布的一不规则结构。
9.根据权利要求8所述的发光模组,其特征在于,该不规则结构包含具不同粒径的至少两种荧光颗粒。
10.根据权利要求8所述的发光模组,其特征在于,该不规则结构仅位于该荧光层的一出光面中。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111210096U TWM638213U (zh) | 2022-09-16 | 2022-09-16 | 發光模組 |
TW111210096 | 2022-09-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220041898U true CN220041898U (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=86691065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321293436.5U Active CN220041898U (zh) | 2022-09-16 | 2023-05-25 | 一种发光模组 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240097080A1 (zh) |
CN (1) | CN220041898U (zh) |
TW (1) | TWM638213U (zh) |
-
2022
- 2022-09-16 TW TW111210096U patent/TWM638213U/zh unknown
-
2023
- 2023-05-25 CN CN202321293436.5U patent/CN220041898U/zh active Active
- 2023-07-06 US US18/219,069 patent/US20240097080A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240097080A1 (en) | 2024-03-21 |
TWM638213U (zh) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7816855B2 (en) | LED device having diffuse reflective surface | |
US9012938B2 (en) | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output | |
KR100891810B1 (ko) | 백색 발광 소자 | |
US8921876B2 (en) | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements | |
US10032754B2 (en) | Light-emitting apparatus and illumination apparatus | |
EP1686630A2 (en) | Led device having diffuse reflective surface | |
US10096749B2 (en) | Illumination light source, illumination apparatus, outdoor illumination apparatus, and vehicle headlight | |
TWI500185B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
KR20190132124A (ko) | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 | |
TWM453969U (zh) | 發光裝置 | |
JP2018120959A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
TW201425820A (zh) | 光源及具有該光源的發光二極體車燈 | |
KR20150095430A (ko) | 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 발광소자 | |
US7965028B2 (en) | White light emitting device and producing method thereof | |
CN220041898U (zh) | 一种发光模组 | |
JP4709405B2 (ja) | 発光ダイオード | |
US20220260221A1 (en) | Lighting device and vehicle lamp comprising same | |
US20180062058A1 (en) | Light-emitting apparatus and illumination apparatus | |
KR102501878B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
US20170175957A1 (en) | Light-emitting device and illuminating apparatus | |
CN219180535U (zh) | 发光结构 | |
KR101655464B1 (ko) | 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템 | |
KR100592510B1 (ko) | 보레이트계 황색형광체를 이용한 백색 반도체 발광장치 | |
TWM640906U (zh) | 發光結構 | |
TWM638277U (zh) | 發光模組 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |