CN220020846U - 一种tlvr双导体电感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种TLVR双导体电感器，包括第一磁体、第二磁体、第一导电体和第二导电体；磁体为一体结构；第一导电体包括相连接的第一端部和第一连接部，顶面开设有凹槽，凹槽与内腔相连通，第一端部设置于凹槽内，第一连接部嵌设于安装槽内；第二导电体与第一导电体叠合设置，第二导电体包括相连接的第二端部和第二连接部，第二端部位于凹槽内且第二端部设置于第二磁体的顶部，第二连接部嵌设于安装槽内。本申请能够解决了现有技术中少部分磁通会从两片磁芯之间的间隙泄漏出去的问题，本申请还能避免第一端部和/或第二端部在焊接时由于偏移歪斜造成的空焊虚焊现象，从而提高电感器的可靠性。

Description

一种TLVR双导体电感器

技术领域

本实用新型涉及电感的技术领域，特别涉及一种TLVR双导体电感器。

背景技术

参考图1，现有技术的TLVR双导体电感器包括两个n型导体和磁体，两个n型导体设置于磁体内，但由于磁体是由两片磁芯粘粘组装而成，导致两片磁芯之间存在空隙，仍然会有少部分的磁通从两片磁芯之间的空隙泄漏出去，而TLVR双导体电感器通常放置于电路板上，在元件密集的电路板上，这微量漏磁通仍然会对周边元件造成电磁干扰，影响周边元器件的功能。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够降低漏磁通的TLVR双导体电感器。

一种TLVR双导体电感器，包括：

第一磁体，所述磁体为一体结构，所述第一磁体具有内腔，所述第一磁体具有顶面、底面和侧面，所述顶面和所述底面相对设置，所述侧面设置于所述顶面和所述底面之间，所述顶面开设有凹槽，所述凹槽与所述内腔相连通；

第二磁体，所述第二磁体设置于所述内腔内，所述第一磁体和所述第二磁体之间形成有安装槽；

第一导电体，所述第一导电体包括相连接的第一端部和第一连接部，所述第一端部容纳于所述凹槽内，所述第一连接部嵌设于所述安装槽内；以及

第二导电体，与所述第一导电体叠合设置，所述第二导电体包括相连接的第二端部和第二连接部，所述第二端部位于所述凹槽内且所述第二端部设置于所述第二磁体的顶部，所述第二连接部嵌设于所述安装槽内。

可选的，所述第一端部包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子设置于所述凹槽的相对两端，所述第一端子自所述第一连接部的一端沿第一方向延伸形成，所述第二端子自所述第一连接部的另一端沿与第一方向相反的第二方向延伸形成。

可选的，所述凹槽的截面形状为矩形。

可选的，所述第二端部包括第三端子和第四端子，所述第三端子和所述第四端子均位于所述凹槽内且设置于所述第二磁体的顶部，所述第三端子自所述第二连接部的一端沿第二方向延伸形成，所述第四端子自所述第二连接部的另一端沿与第二方向相反的第一方向延伸形成。

可选的，所述第一连接部包括第一侧部、第一基部和第二侧部，所述第一侧部自所述第一基部的一端垂直延伸形成，所述第二侧部自所述第一基部的另一端垂直延伸形成。

可选的，所述第二连接部包括第三侧部、第二基部和第四侧部，所述第三侧部自所述第二基部的一端垂直延伸形成，所述第四侧部自所述第二基部的另一端垂直延伸形成。

可选的，所述第一磁体为长方体结构或立方体结构。

可选的，所述第二磁体为长方体结构或立方体结构，所述第二磁体的尺寸小于所述内腔的尺寸。

可选的，所述安装槽的形状及尺寸与叠合设置的所述第一连接部和所述第二连接部的形状及尺寸相匹配。

可选的，在所述第一磁体的高度方向上，所述第一端部和所述第二端部齐平设置。

本申请通过将第一磁体设置成一体结构，使得第一磁体的侧面没有间隙，第一导电体和第二导电体上下叠合并嵌设于安装槽内后，能够使得组装后的电感器不会有微量磁通从第一磁体侧面漏出，解决了现有技术中少部分磁通会从两片磁芯之间的间隙泄漏出去的问题，从而减小或消除电感器的漏磁通，从而避免漏磁通对电路板上的周边元件造成电磁干扰，避免影响周边元件的功能。本申请还通过在第一磁体的顶面开设有凹槽，且第一端部和第二端部均设置于凹槽内，凹槽能够对第一端部和第二端部进行有效的限位，从而实现第一端部和第二端部相对于第一磁体的固定，有助于降低电感器在使用过程中第一端部和/或第二端部在外力作用下发生偏移的可能性，进一步避免第一端部和/或第二端部在焊接时由于偏移歪斜造成的空焊虚焊现象，从而提高电感器的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术的TLVR双导体电感器的整体结构示意图；

图2为一实施例中的TLVR双导体电感器的整体结构示意图；

图3为一实施例中的第一磁体的结构示意图；

图4为一实施例中的第一磁体侧视图；

图5为一实施例中的第一导电体的结构示意图；

图6为一实施例中的第二导电体的结构示意图；

图7为一实施例中的第二磁体的结构示意图。

图中零部件名称及序号：1、第一磁体；11、顶面；12、底面；13、侧面；14、内腔；15、安装槽；16、凹槽；2、第二磁体；3、第一导电体；31、第一端部；311、第一端子；312、第二端子；32、第一连接部；321、第一侧部；322、第一基部；323、第二侧部；4、第二导电体；41、第二端部；411、第三端子；412、第四端子；42、第二连接部；421、第三侧部；422、第二基部；423、第四侧部；5、第一方向；6、第二方向。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中的“和/或”包括三个方案，以A和/或B为例，包括A技术方案、B技术方案，以及A和B同时满足的技术方案；另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

参考图2至图7，本申请提供了一种TLVR双导体电感器，该TLVR双导体电感器包括第一磁体1、第二磁体2、第一导电体3和第二导电体4；磁体为一体结构，第一磁体1具有顶面11、底面12和侧面13，顶面11和底面12相对设置，侧面13设置于顶面11和底面12之间，侧面13没有间隙；第一磁体1具有内腔14，第二磁体2设置于内腔14内，第一磁体1和第二磁体2之间形成有安装槽15；第一导电体3包括相连接的第一端部31和第一连接部32，顶面11开设有凹槽16，凹槽16与内腔14相连通，第一端部31设置于凹槽16内，第一连接部32嵌设于安装槽15内；第二导电体4与第一导电体3叠合设置，第二导电体4包括相连接的第二端部41和第二连接部42，第二端部41位于凹槽16内且第二端部41设置于第二磁体2的顶部，第二连接部42嵌设于安装槽15内。

本申请通过将第一磁体1设置成一体结构，使得第一磁体1的侧面13没有间隙，第一导电体3和第二导电体4上下叠合并嵌设于安装槽15内后，能够使得组装后的电感器不会有微量磁通从第一磁体1侧面13漏出，解决了现有技术中少部分磁通会从两片磁芯之间的间隙泄漏出去的问题，从而减小或消除电感器的漏磁通，从而避免漏磁通对电路板上的周边元件造成电磁干扰，避免影响周边元件的功能。本申请还通过在第一磁体1的顶面11开设有凹槽16，且第一端部31和第二端部41均设置于凹槽16内，凹槽16能够对第一端部31和第二端部41进行有效的限位，从而实现第一端部31和第二端部41相对于第一磁体1的固定，有助于降低电感器在使用过程中第一端部31和/或第二端部41在外力作用下发生偏移的可能性，进一步避免第一端部31和/或第二端部41在焊接时由于偏移歪斜造成的空焊虚焊现象，从而提高电感器的可靠性。

具体地，第一连接部32和第二连接部42相互绝缘。

具体地，第一导电体3和第二导电体4均用于通过电流，产生磁场，从而将电能转换成磁能并储存起来。

参考图2和图5，第一连接部32包括第一侧部321、第一基部322和第二侧部323，第一侧部321自第一基部322的一端往上垂直延伸形成，第二侧部323自第一基部322的另一端往上垂直延伸形成。第一端部31包括第一端子311和第二端子312，第一端子311和第二端子312设置于凹槽16的相对两端，第一端子311自第一侧部321远离第一基部322的一端沿第一方向5延伸形成，第二端子312自第二侧部323远离第一基部322的一端沿与第一方向5相反的第二方向6延伸形成。

参考图3和图4，凹槽16的截面形状为矩形，以与第一端子311、第二端子312、第三端子411和第四端子412的形状相匹配，第一端子311、第二端子312、第三端子411和第四端子412的形状均为板状形。

具体地，第一端子311和第二端子312相对向外设置。

参考图2和图6，第二连接部42包括第三侧部421、第二基部422和第四侧部423，第三侧部421自第二基部422的一端往上垂直延伸形成，第四侧部423自第二基部422的另一端往上垂直延伸形成。第二端部41包括第三端子411和第四端子412，第三端子411和第四端子412均位于凹槽16内且设置于第二磁体2的顶部，第三端子411自第三侧部421远离第二基部422的一端沿第二方向6延伸形成，第四端子412自第四侧部423远离第二基部422的一端沿与第二方向6相反的第一方向5延伸形成。

具体地，第三端子411和第四端子412相对向内设置。

具体地，第一端子311和第三端子411相邻设置，第二端子312和第四端子412相邻设置。

参考图2和图7，第一磁体1为长方体结构或立方体结构，第二磁体2为长方体结构或立方体结构。具体地，第一磁体1包括四个侧面13，四个侧面13设置于顶面11和底面12之间，四个侧面13均没有间隙。

参考图1，安装槽15的形状及尺寸与叠合设置的第一连接部32和第二连接部42的形状及尺寸相匹配。

具体地，第二磁体2的尺寸小于内腔14，以使第一磁体1和第二磁体2之间能形成安装槽15。进一步的，第二磁体2的高度小于内腔14的高度，第二磁体2的长度小于内腔14的长度，第二磁体2的宽度可以小于、等于或者大于内腔14的宽度，更进一步的，当第二磁体2的宽度大于内腔14的宽度时，第二磁体2和内腔14为过盈配合。

参考图2，在第一磁体1的高度方向上，第一端子311、第二端子312、第三端子411和第四端子412的顶面11齐平设置，便于与电路板焊接固定，进一步减少虚焊空焊的问题，提高电感器的可靠性。

进一步的，第一端子311、第二端子312、第三端子411和第四端子412均露出于第一磁体1的顶面11设置。

以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种TLVR双导体电感器，其特征在于，包括：

第一磁体，所述磁体为一体结构，所述第一磁体具有内腔，所述第一磁体具有顶面、底面和侧面，所述顶面和所述底面相对设置，所述侧面设置于所述顶面和所述底面之间，所述顶面开设有凹槽，所述凹槽与所述内腔相连通；

第二磁体，所述第二磁体容纳于所述内腔内，所述第一磁体和所述第二磁体之间形成有安装槽；

第一导电体，所述第一导电体包括相连接的第一端部和第一连接部，所述第一端部设置于所述凹槽内，所述第一连接部嵌设于所述安装槽内；以及

第二导电体，与所述第一导电体叠合设置，所述第二导电体包括相连接的第二端部和第二连接部，所述第二端部位于所述凹槽内且所述第二端部设置于所述第二磁体的顶部，所述第二连接部嵌设于所述安装槽内。

2.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第一端部包括第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子设置于所述凹槽的相对两端，所述第一端子自所述第一连接部的一端沿第一方向延伸形成，所述第二端子自所述第一连接部的另一端沿与第一方向相反的第二方向延伸形成。

3.根据权利要求2所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述凹槽的截面形状为矩形。

4.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第二端部包括第三端子和第四端子，所述第三端子和所述第四端子均位于所述凹槽内且设置于所述第二磁体的顶部，所述第三端子自所述第二连接部的一端沿第二方向延伸形成，所述第四端子自所述第二连接部的另一端沿与第二方向相反的第一方向延伸形成。

5.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第一连接部包括第一侧部、第一基部和第二侧部，所述第一侧部自所述第一基部的一端垂直延伸形成，所述第二侧部自所述第一基部的另一端垂直延伸形成。

6.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第二连接部包括第三侧部、第二基部和第四侧部，所述第三侧部自所述第二基部的一端垂直延伸形成，所述第四侧部自所述第二基部的另一端垂直延伸形成。

7.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第一磁体为长方体结构或立方体结构。

8.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述第二磁体为长方体结构或立方体结构，所述第二磁体的尺寸小于所述内腔的尺寸。

9.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，所述安装槽的形状及尺寸与叠合设置的所述第一连接部和所述第二连接部的形状及尺寸相匹配。

10.根据权利要求1所述的TLVR双导体电感器，其特征在于，在所述第一磁体的高度方向上，所述第一端部和所述第二端部齐平设置。