CN220012801U - 一种半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体处理设备，包括工艺外管和套设在工艺外管的内侧的工艺内管，工艺外管形成工艺腔室，半导体处理设备还包括用于向工艺腔室内供气的进气管组件；工艺内管上设有第一连接孔；进气管组件包括依次连接的第一进气管和第二进气管；第一进气管上设置有气孔；第二进气管与第一进气管可拆卸连接，其中，第一进气管的轴线与工艺内管的轴线平行，第二进气管穿过第一连接孔与第一进气管连接。本申请由于第二进气管与第一进气管为可拆卸连接，当需要对进气系统进行维护时，只需要将第一进气管从第二进气管拆下即可，不需要拆除工艺管维护区底板和锁紧结构，只需要单人操作，并且拆装简单。

Description

一种半导体处理设备

技术领域

本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种半导体处理设备。

背景技术

原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)技术亦称为原子层外延(AtomicLayer epitaxy，ALE)技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术，可用于沉积SiO₂、SiN_x、TiN、AlN等多种薄膜。在立式原子层沉积设备中，进气结构是设备的关键技术，同时也是设备安装和维护的薄弱环节，直接影响后期工艺的进行。

现有的一种进气结构的结构示意图如图1所示，包括工艺内管10a、进气管20a、工艺管维护区底板30a以及锁紧结构40a。进气管20a为L形，安装时，将进气管20a插入工艺内管10a并从工艺内管10a的侧壁上的通孔穿出，然后通过锁紧结构40a将进气管20a与工艺内管10a锁紧，最后安装工艺管维护区底板30a。当对进气管20a进行维护时，则需要依次拆卸工艺管维护区底板30a和锁紧结构40a，再将进气管20a整体取出。

现有的进气管20a装拆时涉及多个零件，需要两人协同工作，装拆不方便。

实用新型内容

针对上述技术问题，本申请提供一种半导体处理设备，可以改善现有的进气管装拆不方便的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种半导体处理设备，包括工艺外管和套设在所述工艺外管的内侧的工艺内管，所述工艺外管形成工艺腔室，所述半导体处理设备还包括用于向所述工艺腔室内供气的进气管组件；

所述工艺内管上设有第一连接孔；所述进气管组件包括依次连接的第一进气管和第二进气管；

所述第一进气管上设置有气孔；

所述第二进气管与所述第一进气管可拆卸连接，其中，所述第一进气管的轴线与所述工艺内管的轴线平行，所述第二进气管穿过所述第一连接孔与所述第一进气管连接。

可选的，所述第二进气管与所述第一进气管中，其中一个设有凸伸部，另一个设有与所述凸伸部卡接的固定槽。

可选的，所述凸伸部设置于所述第一进气管的外壁；

所述第二进气管包括：

管道本体；

筒形侧壁，套设于所述管道本体的外侧，并与所述管道本体之间形成环形凹槽，所述环形凹槽的开口朝向所述管道本体靠近所述第一进气管的一端；

所述固定槽设置于所述筒形侧壁上；

所述第一进气管与所述环形凹槽配合，以使所述凸伸部与所述固定槽卡接。

可选的，所述固定槽包括由所述筒形侧壁靠近所述第一进气管的一端沿轴向延伸的导向部，以及由所述导向部的末端沿圆周方向延伸的锁止部；

当所述第一进气管配合至所述环形凹槽中与所述第二进气管装配时，所述凸伸部能够沿所述导向部滑动至所述锁止部。

可选的，所述进气管组件还包括第一密封圈；

所述第一密封圈套设在所述管道本体的外侧并位于所述环形凹槽内，所述第一进气管与所述筒形侧壁连接后，所述第一密封圈与所述第一进气管的端面连接，以对连接处进行密封。

可选的，所述进气管组件还包括弹性件，所述弹性件套设在所述管道本体的外侧并位于所述环形凹槽内，所述弹性件的一端与所述第一密封圈连接，另一端支撑于所述环形凹槽的底壁；

当所述凸伸部位于所述锁止部时，所述弹性件处于第一压缩状态。

可选的，所述固定槽还包括由所述锁止部的末端向所述筒形侧壁靠近所述第一进气管的一端延伸的回弹部；

所述凸伸部滑动至所述锁止部的末端时，在所述弹性件的弹力作用下滑动至所述回弹部；并且当所述凸伸部位于所述回弹部时，所述弹性件处于第二压缩状态，所述第二压缩状态的压缩量小于所述第一压缩状态的压缩量。

可选的，所述固定槽沿所述筒形侧壁的周向设置有至少两个；

所述凸伸部设置有至少两个，并且与所述固定槽一一对应。

可选的，所述第二进气管包括：

第一连接管，一端从所述第一连接孔伸出，用于连接外部管道；

第二连接管，一端与所述第一连接管的另一端连接，并且所述第二连接管与所述第一连接管呈预设夹角，所述第二连接管的另一端与所述第一进气管可拆卸连接。

可选的，所述第一进气管包括第一侧围壁以及封盖在所述第一侧围壁远离所述第二进气管的一端的第一顶壁；

所述气孔设置有多个，并在所述第一侧围壁上沿轴向均匀分布。

可选的，所述气孔的轴线与所述工艺内管的轴线垂直。

可选的，所述工艺内管包括第二侧围壁以及封盖在所述第二侧围壁远离所述第二进气管的一端的第二顶壁：

所述第二侧围壁包括沿圆周方向依次连接的圆弧部和第一凸起部，所述第一凸起部相对所述圆弧部向外凸出，所述第一连接孔设置于所述第一凸起部；

所述第二顶壁包括相互连接的平面部以及第二凸起部，所述第二凸起部相对所述平面部向外凸出；所述平面部与所述圆弧部连接，所述第二凸起部与所述第一凸起部连接，以形成一向外凸出的缓冲空间；

所述第一进气管靠近所述第一凸起部设置，并且所述第一顶壁设置有正对所述缓冲空间的出气孔。

可选的，所述工艺内管上还设置有第一排气孔；

所述半导体处理设备还包括腔室安装基座，所述腔室安装基座包括第三侧围壁，以及连接于所述第三侧围壁内侧的支撑部，所述第三侧围壁上设置有第二排气孔和正对所述第一连接孔的第二连接孔；

所述工艺内管套设在所述第三侧围壁内并支撑于所述支撑部上，所述工艺外管支撑于所述第三侧围壁上，所述工艺内管分别与所述工艺外管和所述第三侧围壁之间形成环形间隙；

所述第二进气管依次穿过所述第二连接孔和所述第一连接孔与所述第一进气管连接。

如上所述本申请的进气管组件，第二进气管穿过工艺内管的第一连接孔与第一进气管连接，气体从第二进气管进入后，流入第一进气管，并从第一进气管上的气孔流出而进入工艺内管，以进行工艺。由于第二进气管20与第一进气管10为可拆卸连接，第二进气管20可以与工艺内管600的第一连接孔610固定连接，当需要对进气系统进行维护时，只需要将第一进气管10从第二进气管20上拆下即可，不需要拆除工艺管维护区底板和锁紧结构，只需要单人操作，并且拆装简单。此外，传统的一体式的L形进气管在维护时的装拆过程，进气管容易与工艺内管的内壁发生碰撞而损坏，并且锁紧结构内密封圈也需要反复拆卸，增加了材料损耗。而本实施例的进气管组件在维护时只需要装拆第一进气管，第一进气管为直管，基本不受空间的限制，也不存在密封圈的损耗，可以避免上述问题。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的一种进气结构的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种进气管组件的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的局部放大立体示意图；

图5是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的剖面结构示意图；

图6是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的俯视结构示意图；

图7是图5中A部分的放大结构示意图；

图8是图5中B部分的放大结构示意图。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。本申请使用的术语“或”、“和/或”、“包括以下至少一个”等可被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。例如，“包括以下至少一个：A、B、C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”，再如，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。

应当理解的是，术语“顶”、“底”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

为了便于描述，以下各实施例中，均是以水平面和竖直方向形成的正交空间为例进行说明，该前提条件不应理解为对本申请的限制。

请参阅图2-图4，图2是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的结构示意图，图3是本申请实施例提供的一种进气管组件的结构示意图，图4是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的局部放大立体示意图，本实施例的半导体处理设备包括工艺外管500、工艺内管600以及进气管组件。

工艺内管600套设在工艺外管500的内侧，工艺外管500形成工艺腔室，工艺内管600为进行工艺反应的空间，工艺内管600上设有第一连接孔610，进气管组件用于向工艺腔室内供气。

该进气管组件可以包括依次连接的第一进气管10和第二进气管20。第一进气管10上设置有气孔11，气孔11可以设置多个，并且均匀分布，作为一个示例，气孔11可以沿着第一进气管10的轴向在第一进气管10的侧壁等距离排列。第二进气管20与第一进气管10可拆卸连接，其中，第一进气管10的轴线与工艺内管600的轴线平行，第二进气管20穿过第一连接孔610与第一进气管10连接。

可以理解的是，第二进气管20为连接段，用于将外部气源和第一进气管10连接，因此，第二进气管20的具体结构、形状本申请实施例不作特别限定，比如可以是U形管。作为一个示例，请参阅图3，第二进气管20可以包括第一连接管21和第二连接管22，第一连接管21的一端从第一连接孔伸出，用于连接外部管道，第二连接管22一端与第一连接管21的另一端连接，并且第二连接管22与第一连接管21呈预设夹角。第二连接管22的另一端与第一进气管10可拆卸连接。作为一些示例，第一连接管21和第二连接管22可以是一体化结构，也可以是两个零件通过连接件连接而成，第一连接管21和第二连接管22可以相互垂直成L形，也可以形成其他夹角，本申请实施例不作特别限定。

本申请实施例中，第二进气管20穿过工艺内管600的第一连接孔610与第一进气管10连接，气体从第二进气管20进入后，流入第一进气管10，并从第一进气管10上的气孔11流出而进入工艺内管600，以进行工艺。由于第二进气管20与第一进气管10为可拆卸连接，第二进气管20可以与工艺内管600的第一连接孔610固定连接，当需要对进气系统进行维护时，只需要将第一进气管10从第二进气管20上拆下即可，不需要拆除工艺管维护区底板和锁紧结构(可以将第二进气管20固定在工艺内管600上)，只需要单人操作，并且拆装简单。此外，传统的一体式的L形进气管在维护时的装拆过程，进气管容易与工艺内管的内壁发生碰撞而损坏，并且锁紧结构40a内密封圈也需要反复拆卸，增加了材料损耗。而本实施例的进气管组件在维护时只需要装拆第一进气管10，第一进气管10为直管，基本不受空间的限制，也不存在密封圈的损耗，可以避免上述问题。

在一个实施例中，第二进气管20与第一进气管10两者通过卡接实现可拆卸连接。比如，可以在第二进气管20上设置凸伸部，在第一进气管10上设置与凸伸部卡接的固定槽。再比如，还可以在第一进气管10上设置凸伸部，在第二进气管20上设置与凸伸部卡接的固定槽。

作为一个示例，请参阅图3和图5，图5是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的剖面结构示意图，第一进气管10的外壁设置有凸伸部12。进气管组件的第二进气管20可以包括管道本体221和筒形侧壁222。筒形侧壁222套设于管道本体221的外侧，筒形侧壁222与管道本体221之间形成环形凹槽223，优选的，筒形侧壁222与管道本体221同轴设置，可以形成均匀的环形凹槽223。环形凹槽223的开口朝向管道本体221靠近第一进气管10的一端，固定槽224设置于筒形侧壁222上，第一进气管10与环形凹槽223配合，以使凸伸部12与固定槽223卡接。

本实施例中，第二进气管20的管道本体221套设在第一进气管10内，第一进气管10套设在筒形侧壁222内，通过相互嵌套的方式可以增加第一进气管10和第二连接管22连接处的密封性，并且第一进气管10的凸伸部12与筒形侧壁222的固定槽223卡接，方便对第一进气管10进行拆卸维护。

在一个可拆卸连接的实施例中，请继续参阅图3和图5，筒形侧壁222上设置有固定槽224。固定槽224包括由筒形侧壁222靠近第一进气管10的一端沿轴向延伸的导向部2241，以及由导向部2241的末端沿圆周方向延伸的锁止部2242，即固定槽224基本呈L形。第一进气管10的外壁设置有凸伸部12，当第一进气管10配合至环形凹槽223中与第二进气管20装配时，可以先将凸伸部12对准导向部2241，然后将第一进气管10插入至环形凹槽223中，凸伸部12沿导向部2241滑动，当滑动至导向部2241的末端时，转动第一进气管10，凸伸部12沿锁止部2242进行滑动，完成第一进气管10与第二进气管20的连接，拆卸时反向操作第一进气管10即可。

为了进一步提高第一进气管10与第二进气管20连接处的密封性，在一个实施例中，请继续参阅图3和图5，进气管组件还可以包括第一密封圈30。第一密封圈30套设在管道本体221的外侧并位于环形凹槽223内，第一进气管10与筒形侧壁222连接后，第一密封圈30与第一进气管10的底端连接，以对连接处进行密封。比如，第一进气管10的凸伸部12滑动至锁止部2242时，第一进气管10的底端对第一密封圈30进行挤压以进行密封。

需要说明的是，第一密封圈30与第一进气管10的底端连接，“连接”的含义可以仅指两个面的接触，比如抵接，两个面之间可以存在一定的挤压力。在方案不冲突的情况下，下文中的“连接”也可以做相同理解。

为了减轻第一进气管10插入至环形凹槽223中时与第二连接管22的碰撞冲击，避免零件损坏，在一个实施例中，请继续参阅图3和图5，进气管组件还可以包括弹性件40，弹性件40套设在管道本体221的外侧并位于环形凹槽223内，弹性件40的一端与第一密封圈30连接，弹性件40的另一端支撑于环形凹槽223的底壁。当凸伸部12位于锁止部2242时，弹性件40处于第一压缩状态。

由于第一密封圈30的缓冲作用非常有限，本实施例通过设置弹性件40来进行缓冲，可以大大减小第一进气管10与第二连接管22之间的碰撞冲击。作为一个示例，弹性件40可以是弹簧。

为了进一步提高第一进气管10与第二连接管22之间连接的稳定性，固定槽224还可以包括回弹部2243，回弹部2243由锁止部2242的末端向筒形侧壁222靠近第一进气管10的一端延伸。凸伸部12滑动至锁止部2242的末端时，在弹性件40的弹力作用下滑动至回弹部2243；并且当凸伸部12位于回弹部2243时，弹性件40处于第二压缩状态，第二压缩状态的压缩量小于第一压缩状态的压缩量。

本实施例中，组装第一进气管10的前面步骤同前述实施例，不同之处在于，当第一进气管10转动，使凸伸部12沿锁止部2242滑动至锁止部2242的末端时，弹性件40的回弹力将第一进气管10往上推，使凸伸部12运动至回弹部2243内，此时弹性件40由第一压缩状态回弹为第二压缩状态，压缩变形量减少。凸伸部12位于回弹部2243可以限制第一进气管10相对第二连接管22进行转动，从而可以提高两者之间的连接稳定性。拆卸时，可以先施加压缩力使凸伸部12沿回弹部2243运动至锁止部2242，然后再转动第一进气管10，使凸伸部12由锁止部2242的末端运动至始端并进入导向部2241，在弹性件40的弹力作用下，凸伸部12从导向部2241滑脱，从而完成第一进气管10的拆卸。

在一个实施例中，固定槽224沿筒形侧壁222的周向设置有至少两个，凸伸部12设置有至少两个，并且与固定槽224一一对应。比如，图3中，固定槽224沿筒形侧壁222的周向设置两个，并且相对圆心呈中心对称，凸伸部12也对应设置两个，与固定槽224一一对应配合连接。

在一个实施例中，请继续参阅图4，第一进气管10包括第一侧围壁110以及封盖在第一侧围壁110远离第二进气管20的一端的第一顶壁130，气孔11设置有多个，并在第一侧围壁110上沿轴向均匀分布。通过设置多个均匀分布气孔11，可以使工艺内管600内的气体更均匀。优选的，气孔11的轴线与工艺内管的轴线垂直，即保持气体可以从气孔11水平喷出。

在一个实施例中，请参阅图4-图6，图6是本申请实施例提供的一种半导体处理设备的俯视结构示意图，工艺内管600包括第二侧围壁620以及封盖在第二侧围壁620的上方的第二顶壁630。第二侧围壁620包括沿圆周方向依次连接的圆弧部621和第一凸起部622，第一凸起部622相对圆弧部621向外凸出，第一连接孔610设置于第一凸起部622处。作为一个示例，第一凸起部622也可以是圆弧形，第一凸起部622的半径大于圆弧部621的半径，即第二侧围壁620可以是两个半径不同的圆柱面通过圆滑过渡面拼接而成。第二顶壁630包括相互连接的平面部631以及第二凸起部632，第二凸起部632相对平面部631向上凸出。平面部631与圆弧部621连接，第二凸起部632与第一凸起部622连接，以形成一向上凸出的缓冲空间。第一进气管10靠近第一凸起部622设置，并且第一进气管10的第一顶壁130设置有正对缓冲空间的出气孔13。优选的，气孔11可以设置在第一侧围壁110远离第一凸起部622的一侧。

可以理解的是，工艺内管600所形成的空间包括圆弧部621对应的圆柱体空间，以及第二凸起部632与第一凸起部622所围成的凸出空间，缓冲空间位于该凸出空间的顶部。气体进入第一进气管10后，大部分从气孔11流进工艺内管600，少量从出气孔13进入工艺内管600的缓冲空间。

本实施例中，对工艺内管600标准的圆柱形管进行了改进，在径向上设置了第一凸起部622，用于安装进气管组件，工艺内管600中标准的圆柱形空间与晶圆适配性更好，可以提高工艺空间的有效利用率。通过设置第二凸起部632以及在第一进气管10的第一顶壁130上设置出气孔13，使气体可以第一时间对缓冲空间进行填充，以减少工艺内管600结构的改变(设置第一凸起部622)对工艺产生的影响。

在一个实施例中，请继续参阅图2和图6，工艺内管600上还设置有第一排气孔640，作为一个示例，第一排气孔640可以设置多个，并沿工艺内管600的轴向均匀分布。该半导体处理设备还可以包括腔室安装基座700，腔室安装基座700包括第三侧围壁710，以及连接于第三侧围壁710内侧的支撑部720。第三侧围壁710上设置有第二排气孔730和正对第一连接孔610的第二连接孔740，可以在第二排气孔730设置管道并连接至厂务排风系统。工艺内管600套设在第三侧围壁710内并支撑于支撑部720上。支撑部720可以是支撑环，也可以是支撑板，能够将工艺内管600托住即可。工艺外管500支撑于第三侧围壁710上，为了增大支撑面积，可以在第三侧围壁710支撑工艺外管500的一端设置支撑法兰750。工艺内管600分别与工艺外管500和第三侧围壁710之间形成环形间隙；第二进气管20依次穿过第二连接孔740和工艺内管600的第一连接孔610与第一进气管10连接。

本实施例中，气体的循环路径如图2中箭头所示，气体从第二进气管20进入第一进气管10，并由第一进气管10上的气孔11进入工艺内管600，再由工艺内管600上的第一排气孔640排出进入上述环形间隙，最后从第三侧围壁710上的第二排气孔730流出至厂务排风系统。

在一个实施例中，本申请还提供了一种第二进气管20与工艺内管600的第一连接孔610的连接方式。请参阅图5和图7，图7是图5中A部分的放大结构示意图。该半导体处理设备中还可以包括连接螺栓71、变径螺母72以及第二密封圈73。连接螺栓71一端与工艺内管600上的第一连接孔610螺纹连接，连接螺栓71内部设有阶梯孔711，靠近工艺内管600的一端(第一端)的直径小于远离工艺内管600的一端(第二端)的直径。第二进气管20的第一连接管21套设在中空部711内并从连接螺栓71的第二端伸出。第二密封圈73套设在第一连接管21的外侧并抵接在阶梯孔711的台阶上。外部转接管80套设在第一连接管21的外侧并抵接于第二密封圈73上，变径螺母72从外部转接管80一侧套入并与连接螺栓71的第二端锁紧。

本实施例的进气结构安装时，可以先将连接螺栓71的第一端连接至工艺内管600上的第一连接孔610，然后将第一连接管21套设在连接螺栓71的中空部711内，再依次组装第二密封圈73和外部转接管80，最后将变径螺母72从外部转接管80的一端套在外部转接管80外侧，并与连接螺栓71的第二端拧紧，以完成安装。

在一个实施例中，请参阅图5和图8，图8是图5中B部分的放大结构示意图。进气管组件的正下方还可以设置调整支架91，调整支架91的垂直高度可调节，组装第一连接管21之前，先将调整支架91往下调节，待第一连接管21组装固定后，再将调整支架91往上调节以对第一连接管21进行支撑，使对进气管组件进行垂直方向的支撑，防止第一连接管21受力不均变形。

本申请实施例的半导体处理设备可以是立式原子层沉积设备，可以用于SiO₂、SiN_x、TiN、AlN等多种薄膜的沉积。

以上对本申请所提供的一种半导体处理设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述。需要说明的是，在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括工艺外管和套设在所述工艺外管的内侧的工艺内管，所述工艺外管形成工艺腔室，所述半导体处理设备还包括用于向所述工艺腔室内供气的进气管组件；

所述工艺内管上设有第一连接孔；所述进气管组件包括依次连接的第一进气管和第二进气管；

所述第一进气管上设置有气孔；

所述第二进气管与所述第一进气管可拆卸连接，其中，所述第一进气管的轴线与所述工艺内管的轴线平行，所述第二进气管穿过所述第一连接孔与所述第一进气管连接。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二进气管与所述第一进气管中，其中一个设有凸伸部，另一个设有与所述凸伸部卡接的固定槽。

3.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述凸伸部设置于所述第一进气管的外壁；

所述第二进气管包括：

管道本体；

筒形侧壁，套设于所述管道本体的外侧，并与所述管道本体之间形成环形凹槽，所述环形凹槽的开口朝向所述管道本体靠近所述第一进气管的一端；

所述固定槽设置于所述筒形侧壁上；

所述第一进气管与所述环形凹槽配合，以使所述凸伸部与所述固定槽卡接。

4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定槽包括由所述筒形侧壁靠近所述第一进气管的一端沿轴向延伸的导向部，以及由所述导向部的末端沿圆周方向延伸的锁止部；

当所述第一进气管配合至所述环形凹槽中与所述第二进气管装配时，所述凸伸部能够沿所述导向部滑动至所述锁止部。

5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管组件还包括第一密封圈；

所述第一密封圈套设在所述管道本体的外侧并位于所述环形凹槽内，所述第一进气管与所述筒形侧壁连接后，所述第一密封圈与所述第一进气管的端面连接，以对连接处进行密封。

6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管组件还包括弹性件，所述弹性件套设在所述管道本体的外侧并位于所述环形凹槽内，所述弹性件的一端与所述第一密封圈连接，另一端支撑于所述环形凹槽的底壁；

当所述凸伸部位于所述锁止部时，所述弹性件处于第一压缩状态。

7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定槽还包括由所述锁止部的末端向所述筒形侧壁靠近所述第一进气管的一端延伸的回弹部；

所述凸伸部滑动至所述锁止部的末端时，在所述弹性件的弹力作用下滑动至所述回弹部；并且当所述凸伸部位于所述回弹部时，所述弹性件处于第二压缩状态，所述第二压缩状态的压缩量小于所述第一压缩状态的压缩量。

8.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定槽沿所述筒形侧壁的周向设置有至少两个；

所述凸伸部设置有至少两个，并且与所述固定槽一一对应。

9.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二进气管包括：

第一连接管，一端从所述第一连接孔伸出，用于连接外部管道；

第二连接管，一端与所述第一连接管的另一端连接，并且所述第二连接管与所述第一连接管呈预设夹角，所述第二连接管的另一端与所述第一进气管可拆卸连接。

10.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一进气管包括第一侧围壁以及封盖在所述第一侧围壁远离所述第二进气管的一端的第一顶壁；

所述气孔设置有多个，并在所述第一侧围壁上沿轴向均匀分布。

11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述气孔的轴线与所述工艺内管的轴线垂直。

12.根据权利要求1-11任一项所述的半导体处理设备，其特征在于，所述工艺内管包括第二侧围壁以及封盖在所述第二侧围壁远离所述第二进气管的一端的第二顶壁：

所述第二侧围壁包括沿圆周方向依次连接的圆弧部和第一凸起部，所述第一凸起部相对所述圆弧部向外凸出，所述第一连接孔设置于所述第一凸起部；

所述第二顶壁包括相互连接的平面部以及第二凸起部，所述第二凸起部相对所述平面部向外凸出；所述平面部与所述圆弧部连接，所述第二凸起部与所述第一凸起部连接，以形成一向外凸出的缓冲空间；

所述第一进气管靠近所述第一凸起部设置，并且第一顶壁设置有正对所述缓冲空间的出气孔。

13.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述工艺内管上还设置有第一排气孔；

所述半导体处理设备还包括腔室安装基座，所述腔室安装基座包括第三侧围壁，以及连接于所述第三侧围壁内侧的支撑部，所述第三侧围壁上设置有第二排气孔和正对所述第一连接孔的第二连接孔；

所述工艺内管套设在所述第三侧围壁内并支撑于所述支撑部上，所述工艺外管支撑于所述第三侧围壁上，所述工艺内管分别与所述工艺外管和所述第三侧围壁之间形成环形间隙；

所述第二进气管依次穿过所述第二连接孔和所述第一连接孔与所述第一进气管连接。