CN219999579U - 发声单元及发声模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了发声单元及发声模组，发声单元包括振膜组件和磁路组件，振膜组件具有朝靠近发声单元内部凹陷的内凹部；磁路组件的底部设有后腔扩充槽，顶部设有用于避让内凹部的避让槽。本发声单元结构新颖，在振膜组件上设置内凹部，增大了前声腔的高度，改变了发声模组前声腔越来越狭长的轮廓形状，有利于改善前声腔驻波，提高发声模组的发声音质，并且在磁路组件上设置避让槽以及后腔扩充槽，增大了后声腔的体积，利于进一步改善发声模组的发声效果，也就是说，本发声单元实现了前声腔与后声腔的同时增大。另外，避让槽的设置可以为内凹部的活动提供空间，从而避免因内凹部的存在而导致的发声单元的厚度增加，让发声单元能够保持小型化。

Description

发声单元及发声模组

技术领域

本实用新型涉及电声换能器技术领域，特别涉及发声单元及发声模组。

背景技术

发声单元作为将电能转变为声能的常用电声换能器件，其在声放系统中起着不可或缺的作用。

随着手机、平板电脑等消费类电子产品，尤其是AR/VR等大型穿戴电子设备，在外观上轻薄化及性能上提出了更高的要求，发声单元作为此类产品的一个重要组成单元，在其性能、尺寸等方面也提出了越来越高的要求。

现有发声单元的整体尺寸越来越扁平化以满足发声模组整体较薄的尺寸要求，但使得发声模组的前声腔较为狭长，易产生前声腔驻波，导致发声模组的频响曲线在一些频段产生较大落差的波峰和波谷结构，影响发声音质。同时，随着发声模组越来越扁平化，发声模组后声腔的体积也告急。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出新型结构的发声单元以及具有该发声单元的发声模组，旨在解决现有的发声模组因前声腔和后声腔体积小而导致的发声音质差的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案一为：发声单元，包括：

振膜组件，所述振膜组件具有朝靠近发声单元内部凹陷的内凹部；

磁路组件，所述磁路组件包括由上至下依次相连的中心华司、中心磁钢及轭铁，所述磁路组件的底部设有后腔扩充槽，所述磁路组件的顶部设有用于避让所述内凹部的避让槽。

进一步地，所述内凹部内填充有第一声学增强材料，所述第一声学增强材料为多孔结构。

进一步地，所述第一声学增强材料为吸音颗粒，所述振膜组件包括相连的音膜与中贴，所述内凹部设于所述音膜上，所述中贴设于所述音膜远离所述中心华司的一侧，所述中贴对应于所述内凹部的区域设有第一透气孔，所述第一透气孔的孔径小于所述第一声学增强材料的粒径；

或者，所述内凹部设于所述中贴上，所述中贴位于所述音膜靠近所述中心华司的一侧，所述音膜对应于所述内凹部的区域设有第一透气孔，所述第一透气孔的孔径小于所述第一声学增强材料的粒径。

进一步地，所述第一声学增强材料为吸音颗粒，振膜组件上还设有第一透气隔离件，所述第一透气隔离件用于阻止所述第一声学增强材料逃逸出所述内凹部。

进一步地，所述后腔扩充槽内填充有第二声学增强材料，所述第二声学增强材料为多孔结构。

进一步地，所述第二声学增强材料为吸音颗粒，所述后腔扩充槽的开口处设有第二透气隔离件，所述第二透气隔离件用于阻止所述第二声学增强材料逃逸出所述后腔扩充槽。

进一步地，所述第二声学增强材料为吸音颗粒，所述后腔扩充槽的部分区域位于所述中心磁钢内，所述轭铁对应于所述后腔扩充槽的区域形成有第二透气孔，所述第二透气孔的孔径小于所述第二声学增强材料的粒径。

进一步地，所述避让槽与所述后腔扩充槽错位设置。

进一步地，所述后腔扩充槽的数量为多个。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案二为：发声模组，包括：

发声器件，所述发声器件为上述发声单元；

模组外壳，所述发声器件设于所述模组外壳内并将所述模组外壳的内腔分隔为前声腔与后声腔，所述内凹部的中空区域连通所述前声腔，所述后腔扩充槽连通所述后声腔。

本实用新型的有益效果在于：本发声单元结构新颖，在振膜组件上设置内凹部，增大了前声腔的高度，改变了发声模组前声腔越来越狭长的轮廓形状，有利于改善前声腔驻波，提高发声模组的发声音质，并且在磁路组件上设置避让槽以及后腔扩充槽，增大了后声腔的体积，利于进一步改善发声模组的发声效果，也就是说，本发声单元实现了前声腔与后声腔的同时增大。

另外，避让槽的设置可以为内凹部的活动提供空间，从而避免因内凹部的存在而导致的发声单元的厚度增加，让发声单元能够保持小型化。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一的第一种结构的发声单元的剖视图；

图2为本实用新型实施例一的第一种结构的发声单元的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一的搭载有第一种结构的发声单元的发声模组的剖视图；

图4为本实用新型实施例一的第二种结构的发声单元的剖视图；

图5为本实用新型实施例一的第三种结构的发声单元的剖视图；

图6为本实用新型实施例一的第四种结构的发声单元的剖视图；

图7为本实用新型实施例一的第五种结构的发声单元的剖视图；

图8为本实用新型实施例二的发声单元的剖视图；

图9为本实用新型实施例三的发声单元的剖视图；

图10为本实用新型实施例四的发声单元的剖视图；

图11为本实用新型实施例五的发声单元的剖视图；

图12为本实用新型实施例二与实施例四结合所得发声单元的剖视图；

图13为本实用新型实施例三与实施例五结合所得发声单元的剖视图；

图14为本实用新型实施例六的发声单元的剖视图。

附图标号说明：

1、盆架；

2、振膜组件；21、音膜；22、中贴；23、内凹部；

3、磁路组件；31、轭铁；32、中心磁钢；33、中心华司；34、避让槽；35、后腔扩充槽；36、第一透气孔；37、第二透气孔；

4、模组外壳；41、前声腔；42、后声腔；

51、第一声学增强材料；52、第二声学增强材料；

61、第一透气隔离件；62、第二透气隔离件。

具体实施方式

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示诸如上、下、左、右、前、后……，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态如附图所示下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“和/或”为例，包括方案，或方案，或和同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

实施例一

请参照图1至图7，本实用新型的实施例一为：发声单元，可应用于手机、助听器、平板电脑等便携电子设备以及AR/VR等穿戴电子设备中。

如图1所示，所述发声单元包括盆架1和分别设于所述盆架1上的振动组件及磁路组件3，所述振动组件包括振膜组件2和音圈，所述音圈设于所述振膜组件2上，本实施例中，所述振膜组件2包括音膜21和固定在所述音膜21上的中贴22，在其他实施例中，所述振膜组件2可以仅包括所述音膜21而不设置所述中贴22；所述磁路组件3包括轭铁31、中心磁钢32、边磁钢、中心华司33和边华司，所述中心磁钢32和所述边磁钢分别设于所述轭铁31上，所述中心磁钢32位于至少一组相对设置的两个所述边磁钢之间，所述中心磁钢32与所述边磁钢之间形成供所述音圈活动的磁间隙，所述边华司设于所述边磁钢远离所述轭铁31的一侧，所述中心华司33设于所述中心磁钢32远离所述轭铁31的一侧，即所述中心华司33设于所述中心磁钢32的顶面上，所述轭铁31设于所述中心华司33的底面。在一些实施例中，也可以在轭铁31上形成翻边以取代所述边磁钢，此时无需设置边华司。

所述振膜组件2具有朝靠近发声单元内部凹陷的内凹部23，所述磁路组件3的底部设有后腔扩充槽35，所述磁路组件3的顶部设有用于避让所述内凹部23的避让槽34。优选的，所述内凹部23位于所述振膜组件2的中央区域。

作为一种优选的实施方式，所述避让槽34与所述后腔扩充槽35错位设置，这样所述避让槽34的深度与所述后腔扩充槽35的深度相互不干涉，搭载这种构造的发声单元的发声模组可以更大程度地增大前声腔41与后声腔42。当然，在其他实施方式中，所述避让槽34与所述后腔扩充槽35对应设置也是可行的，这样可以更大程度的保证磁路组件3的磁场强度。

可选的，所述后腔扩充槽35的数量为一个或多个。如图1和图2所示，本实施例中，所述后腔扩充槽35的数量为两个，所述避让槽34对应于两个所述后腔扩充槽35之间的区域设置。优选的，所述后腔扩充槽35靠近所述轭铁31的中央设置。容易理解的，所述后腔扩充槽35的数量、形状及位置，不应视为是本实施例发声单元的限制。

具体的，本实施例的发声单元至少包括以下几种具体的结构形式：

一、所述避让槽34延伸至所述中心磁钢32的底面，如图1所示；

二、所述避让槽34延伸至所述轭铁31的底面，如图4所示；

三、所述避让槽34延伸至所述轭铁31内而不连通所述轭铁31的底面，如图5所示；

四、所述避让槽34延伸至所述中心磁钢32内而不连通所述中心磁钢32的底面，如图6所示；

五、所述避让槽34延伸至所述中心华司33的底面，如图7所示；

六、所述避让槽34不连通所述中心华司33的底面；

七、所述后腔扩充槽35延伸至所述中心华司33的顶面；

八、所述后腔扩充槽35延伸至所述中心华司33内而不连通所述中心华司33的顶面，如图5所示；

九、所述后腔扩充槽35延伸至所述中心磁钢32的顶面，如图1和图4所示；

十、所述后腔扩充槽35延伸至所述中心磁钢32内而不连通所述中心磁钢32的顶面，如图6所示；

十一、所述后腔扩充槽35延伸至所述轭铁31的顶面，如图7所示；

十二、所述后腔扩充槽35不连通所述轭铁31的顶面。

本实施例中，由于所述避让槽34的深度与所述后腔扩充槽35的深度相互不影响，因此，上述一至六的结构形式与上述七至十二的结构形式可自由组合。

如图3所示，本实施例还提供一种发声模组，所述发声模组包括模组外壳4和设于所述模组外壳4内的发声器件，所述发声器件将所述模组外壳4的内腔分隔为前声腔41与后声腔42，所述发声器件为上述发声单元，所述内凹部23的中空区域连通所述前声腔41，所述后腔扩充槽35连通所述后声腔42。

实施例二

请参照图8，本实用新型的实施例二是在实施例一的基础上对发声单元做出的进一步改进，具体为：

内凹部23内填充有第一声学增强材料51，所述第一声学增强材料51为多孔结构，本实施例中，所述第一声学增强材料51为吸音颗粒，所述吸音颗粒包括但不限于沸石，在其他实施例中，所述第一声学增强材料51还可以是活性炭等。

可选的，所述内凹部23设于所述音膜21上，所述中贴22设于所述音膜21远离所述中心华司33的一侧，所述中贴22对应于所述内凹部23的区域设有第一透气孔36，所述第一透气孔36的孔径小于所述第一声学增强材料51的粒径；

或者，所述内凹部23设于所述中贴22上，所述中贴22位于所述音膜21靠近所述中心华司33的一侧，所述音膜21对应于所述内凹部23的区域设有第一透气孔36，所述第一透气孔36的孔径小于所述第一声学增强材料51的粒径。

另外，在其他实施例中，所述第一声学增强材料51还可以是吸音棉等，当吸音棉与振膜组件2粘接固定时，可不设置所述第一透气孔36。

实施例三

请参照图9，本实用新型的实施例三是实施例二的并列技术方案，与实施例二的不同之处在于：振膜组件2上还设有第一透气隔离件61，所述第一透气隔离件61用于阻止所述第一声学增强材料51逃逸出所述内凹部23。所述第一透气隔离件61可以是网布等。

简言之，本实施例与实施例二相比的不同之处在于，为防止所述第一声学增强材料51逃逸出所述内凹部23所采用的具体方式不同。

实施例四

请参照图10，本实用新型的实施例四是在实施例一的基础上对发声单元做出的进一步改进，具体为：

后腔扩充槽35内填充有第二声学增强材料52，所述第二声学增强材料52为多孔结构。本实施例中，所述第二声学增强材料52为吸音颗粒，所述吸音颗粒包括但不限于沸石，在其他实施例中，所述第二声学增强材料52还可以是活性炭等。

优选所述后腔扩充槽35的部分区域位于所述中心磁钢32内，即部分所述第二声学增强材料52位于所述中心磁钢32内，所述轭铁31对应于所述后腔扩充槽35的区域形成有第二透气孔37，所述第二透气孔37的孔径小于所述第二声学增强材料52的粒径。

另外，在其他实施例中，所述第二声学增强材料52还可以是吸音棉等，当吸音棉与磁路组件3粘接固定时，可不设置所述第二透气孔37。

实施例五

请参照图11，本实用新型的实施例五是实施例四的并列技术方案，与实施例四的不同之处在于：后腔扩充槽35的开口处设有第二透气隔离件62，所述第二透气隔离件62用于阻止所述第二声学增强材料52逃逸出所述后腔扩充槽35，所述第二透气隔离件62可以是网布等。

简言之，本实施例与实施例四相比的不同之处在于，为防止所述第二声学增强材料52逃逸出所述后腔扩充槽35所采用的具体方式不同。

需要说明的是，实施例二的技术方案既可以与实施例四的技术方案组合，也可以与实施例五的技术方案组合，其中，实施例二的技术方案与实施例四的技术方案组合所得发声单元的结构如图12所示；同理，实施例三的技术方案既可以与实施例四的技术方案组合，也可以与实施例五的技术方案组合，其中，实施例三的技术方案与实施例五的技术方案组合所得发声单元的结构如图13所示。

实施例六

请参照图14，本实用新型的实施例六是实施例一的并列技术方案，与实施例一的不同之处在于：实施例一中，内凹部23设于音膜21上，而本实施例中，内凹部23是设置在球顶上的。

上述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.发声单元，其特征在于：包括

振膜组件，所述振膜组件具有朝靠近发声单元内部凹陷的内凹部；

磁路组件，所述磁路组件包括由上至下依次相连的中心华司、中心磁钢及轭铁，所述磁路组件的底部设有后腔扩充槽，所述磁路组件的顶部设有用于避让所述内凹部的避让槽。

2.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于：所述内凹部内填充有第一声学增强材料，所述第一声学增强材料为多孔结构。

3.根据权利要求2所述的发声单元，其特征在于：所述第一声学增强材料为吸音颗粒，所述振膜组件包括相连的音膜与中贴，所述内凹部设于所述音膜上，所述中贴设于所述音膜远离所述中心华司的一侧，所述中贴对应于所述内凹部的区域设有第一透气孔，所述第一透气孔的孔径小于所述第一声学增强材料的粒径；

或者，所述内凹部设于所述中贴上，所述中贴位于所述音膜靠近所述中心华司的一侧，所述音膜对应于所述内凹部的区域设有第一透气孔，所述第一透气孔的孔径小于所述第一声学增强材料的粒径。

4.根据权利要求2所述的发声单元，其特征在于：所述第一声学增强材料为吸音颗粒，振膜组件上还设有第一透气隔离件，所述第一透气隔离件用于阻止所述第一声学增强材料逃逸出所述内凹部。

5.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于：所述后腔扩充槽内填充有第二声学增强材料，所述第二声学增强材料为多孔结构。

6.根据权利要求5所述的发声单元，其特征在于：所述第二声学增强材料为吸音颗粒，所述后腔扩充槽的开口处设有第二透气隔离件，所述第二透气隔离件用于阻止所述第二声学增强材料逃逸出所述后腔扩充槽。

7.根据权利要求5所述的发声单元，其特征在于：所述第二声学增强材料为吸音颗粒，所述后腔扩充槽的部分区域位于所述中心磁钢内，所述轭铁对应于所述后腔扩充槽的区域形成有第二透气孔，所述第二透气孔的孔径小于所述第二声学增强材料的粒径。

8.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于：所述避让槽与所述后腔扩充槽错位设置。

9.根据权利要求1所述的发声单元，其特征在于：所述后腔扩充槽的数量为多个。

10.发声模组，其特征在于：包括

发声器件，所述发声器件为权利要求1-9中任意一项所述发声单元；

模组外壳，所述发声器件设于所述模组外壳内并将所述模组外壳的内腔分隔为前声腔与后声腔，所述内凹部的中空区域连通所述前声腔，所述后腔扩充槽连通所述后声腔。