CN219999340U - 差分功率放大器以及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种差分功率放大器以及射频前端模组，该差分功率放大器包括功率放大模块和谐振模块，其中，功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管。谐振模块包括第一电容、电容支路和第一电感，第一电容连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间；电容支路连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间，电容支路包括至少一个电容；第一电感连接在电容支路中。由于本申请中的谐振模块可以用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构。因此，上述的差分功率放大器可以在不同的信号分量下实现不同类型的功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器的应用场景。

Description

差分功率放大器以及射频前端模组

技术领域

本申请涉及射频技术领域，更具体地，涉及一种差分功率放大器以及射频前端模组。

背景技术

随着现代通信技术的发展，射频芯片被广泛应用在手机等无线通信设备中，其中，射频芯片中功率放大器的工作特性对射频信号的传输性能起到了至关重要的作用。

具体地，功率放大器可以被分为多个不同的类型，诸如A类功率放大器、E类功率放大器、F类功率放大器、F^-1类功率放大器等等。不同类型的功率放大器在其工作特性方面(例如，线性度、功效、频宽、频率响应等等)具有不同的优点，研发人员可以根据射频芯片的实际应用场景选择合适的功率放大器。

然而，现有的功率放大器结构只能实现一种类型的功率放大器的功能，进而使得功率放大器的应用场景受到限制。

实用新型内容

本申请实施例提供一种差分功率放大器以及射频前端模组。

根据本申请的第一方面，本申请实施例提供一种差分功率放大器，该差分功率放大器包括功率放大模块以及谐振模块。其中，功率放大模块用于输出一对差分射频信号，功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管。谐振模块包括第一电容、电容支路和第一电感。第一电容连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间；电容支路连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间，电容支路包括至少一个电容；第一电感连接在电容支路中。

其中，在一些可选实施例中，电容支路包括第二电容和第三电容；第二电容和第三电容相串联后连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间；第一电感连接在第二电容和第三电容所在的支路。

其中，在一些可选实施例中，第一电感的一端连接在第二电容和第三电容之间的公共端，另一端接地；第二电容和第一指定电感的谐振频率为第一谐振频率，第一指定电感的电感值和第一电感的电感值之间的比值为2；第一谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第一比值，第一比值为大于或等于2的偶数；第三电容和第一指定电感的谐振频率为第二谐振频率，第二谐振频率和第一谐振频率相等。

其中，在一些可选实施例中，第一比值等于2。

其中，在一些可选实施例中，第一电感、第二电容和第三电容相串联，且第一电感连接在第二电容和第三电容之间；第二电容和第二指定电感的谐振频率为第三谐振频率，第二指定电感的电感值和第一电感的电感值之间的比值为0.5；第三谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第二比值，第二比值为大于或等于3的奇数；第三电容和第二指定电感的谐振频率为第四谐振频率，第四谐振频率和第三谐振频率相等。

其中，在一些可选实施例中，第二比值等于3。

其中，在一些可选实施例中，电容支路包括第四电容，第四电容和第一电感相串联后连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间；第一指定电容和第二指定电感的谐振频率为第五谐振频率，第二指定电感的电感值和第一电感的电感值之间的比值为0.5；第五谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第三比值，第三比值为大于或等于3的奇数；第二指定电容和第二指定电感的谐振频率为第六谐振频率，第六谐振频率和第五谐振频率相等，第二指定电容的电容量和第一指定电容的电容量之和等于第四电容的电容量。

其中，在一些可选实施例中，第三比值等于3。

其中，在一些可选实施例中，在基波信号的频率为1MHz至300MHz时，第一电容的取值范围为10pF至100pF，第二电容的取值范围为10pF至100pF，第三电容的取值范围为10pF至100pF，第一电感的取值范围为10nH至100nH；在基波信号的频率为300MHz至3GHz时，第一电容的取值范围为0.5pF至30pF，第二电容的取值范围为0.5pF至30pF，第三电容的取值范围为0.5pF至30pF，第一电感的取值范围为0.3nH至15nH；在基波信号的频率为3GHz至10GHz时，第一电容的取值范围为0.25pF至10pF，第二电容的取值范围为0.25pF至10pF，第三电容的取值范围为0.25pF至10pF，第一电感的取值范围为0.1nH至10nH；在基波信号的频率为10GHz至30GHz时，第一电容的取值范围为0.05pF至5pF，第二电容的取值范围为0.05pF至5pF，第三电容的取值范围为0.05pF至5pF，第一电感的取值范围为0.01nH至5nH。

其中，在一些可选实施例中，差分功率放大器还包括巴伦模块；巴伦模块包括原边和副边，原边连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间，副边的一端用于输出信号，另一端接地。

其中，在一些可选实施例中，差分功率放大器还包括匹配模块，匹配模块包括第一匹配单元和第二匹配单元；第一匹配单元的一端连接于第一晶体管的输出端，另一端连接于原边的第一端；第二匹配单元的一端连接于第二晶体管的输出端，另一端连接于原边的第二端。

根据本申请的第二方面，本申请实施例还提供一种射频前端模组，该射频前端模组包括上述的差分功率放大器。

本申请提供了一种差分功率放大器以及射频前端模组，该差分功率放大器包括功率放大模块和谐振模块，其中，功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管。谐振模块包括第一电容、电容支路和第一电感，第一电容连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间；电容支路连接在第一晶体管的输出端和第二晶体管的输出端之间，电容支路包括至少一个电容；第一电感连接在电容支路中。由于本申请中的谐振模块可以用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构。因此，上述的差分功率放大器可以在不同的信号分量下实现不同类型的功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器的应用场景。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的差分功率放大器的结构示意图。

图2是图1中谐振模块的一种结构示意图。

图3是图2所示的谐振模块在基波信号下的等效电路示意图。

图4是图2所示的谐振模块在偶次谐波信号下的等效电路示意图。

图5是图1中谐振模块的另一种结构示意图。

图6是图5所示的谐振模块在基波信号下的等效电路示意图。

图7是图5所示的谐振模块在奇次谐波信号下的等效电路示意图。

图8是图1中谐振模块的又一种结构示意图。

图9是本申请实施例提供的射频前端模组的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，本申请实施例提供了一种差分功率放大器100。该差分功率放大器100可以包括功率放大模块10以及谐振模块30。其中，功率放大模块10用于输出一对差分射频信号，功率放大模块10可以包括第一晶体管120和第二晶体管140。谐振模块30用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构，其中，信号分量包括基波信号和谐波信号。谐振模块30可以包括第一电容300、电容支路320和第一电感340。第一电容300连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间；电容支路320连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间，电容支路320包括至少一个电容3200；第一电感340连接在电容支路320中。

由于本申请中的谐振模块30可以用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构。因此，上述的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现不同类型的功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

这里需要说明的是，“电容支路320包括至少一个电容3200；第一电感340连接在电容支路320中”可以是图1中所示的电容3200数量为一个，第一电感340和电容3200相串联的连接方式，也可以采用其他的连接方式。例如，如图2所示，电容3200数量为两个(分别为第二电容3210和第三电容3220)，第一电感340的一端连接在第二电容3210和第三电容3220之间的公共端，另一端接地。又如，如图5所示，电容3200数量为两个(分别为第二电容3210和第三电容3220)，第二电容3210、第一电感340和第三电容3220三者依次串联。本实施例对电容3200的数量以及第一电感340的具体连接方式不作限定。

下面对差分功率放大器100中的各个模块进行详细说明。

功率放大模块10用于输出一对差分射频信号。其中，功率放大模块10可以包括第一晶体管120和第二晶体管140。第一晶体管120和第二晶体管140可以是硬件参数相同的两个晶体管，以保证差分射频信号输出的平衡性。具体地，第一晶体管120和第二晶体管140可以是双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor,BJT)，也可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)，本实施例对第一晶体管120和第二晶体管140的具体实现方式不作限定。

谐振模块30连接于功率放大模块10的信号输出端，用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构，其中，信号分量包括基波信号和谐波信号。因此，本实施例中的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现不同类型的功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

在一些可能的实施例中，电容支路320可以包括第二电容3210和第三电容3220。其中，第二电容3210和第三电容3220相串联后连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间。第一电感340连接在第二电容3210和第三电容3220所在的支路。

请参阅图2，作为谐振模块30的一种实现方式，第一电感340的一端连接在第二电容3210和第三电容3220之间的公共端，另一端接地。其中，第二电容3210和第一指定电感的谐振频率为第一谐振频率，第一指定电感的电感值和第一电感340的电感值之间的比值为2。第一谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第一比值，第一比值为大于或等于2的偶数，例如，第一比值可以等于2、4、6的等等。第三电容3220和第一指定电感的谐振频率为第二谐振频率，第二谐振频率和第一谐振频率相等。

这里对图2所示的谐振模块30在不同信号分量下的等效电路结构进行说明。

对于差分射频信号中的基波信号而言，第二电容3210和第三电容3220之间的公共端等效为虚拟接地点，此时，第一电感340可以视为短路。在这种情况下，第一电容300、第二电容3210和第三电容3220等效为第五电容3240和第六电容3250。请参阅图3，第五电容3240的一端连接在第一晶体管120的输出端1200，另一端接地。第六电容3250的一端连接在第二晶体管140的输出端1400，另一端接地。具体地，第五电容3240可以视为第一电容300和第二电容3210相并联后所等效的电容。第六电容3250可以视为第一电容300和第三电容3220相并联后所等效的电容。因此，对于差分射频信号中的基波信号而言，差分功率放大器100可以等效为E类功率放大器。

对于差分射频信号中的偶次谐波信号而言，第一电容300所在支路视为开路。第一电感340等效为第二电感341和第三电感343，其中，第二电感341的电感值和第一电感340的电感值之间的比值为2，第三电感343的电感值和第二电感341的电感值相等。请参阅图4，第二电容3210的一端连接于第一晶体管120的输出端1200，第二电容3210的另一端连接于第二电感341的一端，第二电感341的另一端接地。第三电容3220的一端连接于第二晶体管140的输出端1400，第三电容3220的另一端连接于第三电感343的一端，第三电感343的另一端接地。

本实施例中的第二电容3210和第二电感341之间形成串联谐振，该串联谐振的谐振频率为第一谐振频率。也即，当偶次谐波信号的频率和第一谐振频率之间的差值绝对值小于或等于第一指定差值的情况下，第二电容3210和第二电感341所形成串联谐振能够对该偶次谐波信号进行抑制，也即，该偶次谐波信号短路到地。例如，当第一比值等于2的情况下，第一谐振频率为2FO，其中，FO为基波信号的频率，此时，第二电容3210和第二电感341所形成串联谐振能够抑制二次谐波信号。同理，第三电容3220和第三电感343之间形成串联谐振，该串联谐振的谐振频率为第二谐振频率。由于第二谐振频率和第一谐振频率相等，因此，第三电容3220和第三电感343所形成串联谐振也能够对偶次谐波信号进行抑制，也即，该偶次谐波信号短路到地。具体地，第一指定差值可以大于或等于0Hz，且小于或等于1MHz。因此，对于差分射频信号中的偶次谐波信号而言，差分功率放大器100可以等效为F类功率放大器。

综上所述，在谐振模块30采用图2所示电路结构的情况下，对于差分射频信号中的基波信号而言，差分功率放大器100可以等效为E类功率放大器。对于差分射频信号中的偶次谐波信号而言，差分功率放大器100可以等效为F类功率放大器。因此，本实施例中的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现E类功率放大器和F类功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

请参阅图5，作为谐振模块30的另一种实现方式，第一电感340、第二电容3210和第三电容3220相串联，且第一电感340连接在第二电容3210和第三电容3220之间。其中，第二电容3210和第二指定电感的谐振频率为第三谐振频率，第二指定电感的电感值和第一电感340的电感值之间的比值为0.5。第三谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第二比值，第二比值为大于或等于3的奇数，例如，第二比值可以等于3、5、7等等。第三电容3220和第二指定电感的谐振频率为第四谐振频率，第四谐振频率和第三谐振频率相等。

这里对图5所示的谐振模块30在不同信号分量下的等效电路结构进行说明。

对于差分射频信号中的基波信号而言，第一电容300、第二电容3210、第三电容3220和第一电感340等效为第七电容3260和第八电容3270。请参阅图6，第七电容3260的一端连接在第一晶体管120的输出端1200，另一端接地。第八电容3270的一端连接在第二晶体管140的输出端1400，另一端接地。具体地，第七电容3260可以视为第一电容300和第一等效电容相并联后所等效的电容，第一等效电容为相串联的第二电容3210和第二指定电感在基波信号下的等效电容。第八电容3270为第一电容300和第二等效电容相并联后所等效的电容，第二等效电容为相串联的第三电容3220和第二指定电感在基波信号下的等效电容。因此，对于差分射频信号中的基波信号而言，差分功率放大器100可以等效为E类功率放大器。

对于差分射频信号中的奇次谐波信号而言，第一电容300等效为第九电容3280和第十电容3290，第九电容3280的电容值和第一电容300的电容值相等，第十电容3290的电容值和第一电容300的电容值相等。请参阅图7，第九电容3280的一端连接在第一晶体管120的输出端1200，另一端接地。第十电容3290的一端连接在第二晶体管140的输出端1400，另一端接地。

第一电感340等效为第四电感345和第五电感347，第四电感345的电感值和第一电感340的电感值之间的比值为0.5，第五电感347的电感值和第四电感345的电感值相等。其中，第二电容3210的一端连接于第一晶体管120的输出端1200，第二电容3210的另一端连接于第四电感345的一端，第四电感345的另一端接地。第三电容3220的一端连接于第二晶体管140的输出端1400，第三电容3220的另一端连接于第五电感347的一端，第五电感347的另一端接地。

本实施例中的第二电容3210和第四电感345之间形成串联谐振，该串联谐振的谐振频率为第三谐振频率。也即，当奇次谐波信号的频率和第三谐振频率之间的差值绝对值小于或等于第二指定差值的情况下，第二电容3210和第四电感345所形成串联谐振能够对该奇次谐波信号进行抑制，也即，该奇次谐波信号短路到地。例如，当第二比值等于3的情况下，第三谐振频率为3FO，其中，FO为基波信号的频率，此时，第二电容3210和第四电感345所形成串联谐振能够抑制三次谐波信号。同理，第三电容3220和第五电感347之间形成串联谐振，该串联谐振的谐振频率为第四谐振频率。由于第四谐振频率和第三谐振频率相等，因此，第三电容3220和第五电感347所形成串联谐振也能够对奇次谐波信号进行抑制。具体地，第二指定差值可以大于或等于0Hz，且小于或等于1MHz。因此，对于差分射频信号中的奇次谐波信号而言，差分功率放大器100可以等效为F^-1类功率放大器。

综上所述，在谐振模块30采用图5所示电路结构的情况下，对于差分射频信号中的基波信号而言，差分功率放大器100可以等效为E类功率放大器。对于差分射频信号中的奇次谐波信号而言，差分功率放大器100可以等效为F^-1类功率放大器。因此，本实施例中的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现E类功率放大器和F^-1类功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

请参阅图8，作为谐振模块30的又一种实现方式，电容支路320可以包括第四电容3230，第四电容3230和第一电感340相串联后连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间。其中，第一指定电容和第二指定电感的谐振频率为第五谐振频率，第二指定电感的电感值和第一电感340的电感值之间的比值为0.5。第五谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第三比值，第三比值为大于或等于3的奇数，例如，第三比值可以等于3、5、7等等。第二指定电容和第二指定电感的谐振频率为第六谐振频率，第六谐振频率和第五谐振频率相等，第二指定电容的电容量和第一指定电容的电容量之和等于第四电容3230的电容量。

这里需要说明的是，图8中谐振模块30的电路结构和图5中谐振模块30的电路结构是等效的。本实施例中的第四电容3230可以视为图5中相串联的第二电容3210和第三电容3220，具体地，本实施例中的第一指定电容可以视为图5中的第二电容3210，第二指定电容可以视为图5中的第三电容3220。也即，图8所示的谐振模块30在不同信号分量下的等效电路结构和图5所示的谐振模块30在不同信号分量下的等效电路结构相一致。

因此，在谐振模块30采用图8所示电路结构的情况下，对于差分射频信号中的基波信号而言，差分功率放大器100可以等效为E类功率放大器。对于差分射频信号中的奇次谐波信号而言，差分功率放大器100可以等效为F^-1类功率放大器。因此，本实施例中的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现E类功率放大器和F^-1类功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

在一些可能的实施例中，在基波信号的频率为1MHz至300MHz时，第一电容300的取值范围为10pF至100pF，第二电容3210的取值范围为10pF至100pF，第三电容3220的取值范围为10pF至100pF，第一电感340的取值范围为10nH至100nH。

在一些可能的实施例中，在基波信号的频率为300MHz至3GHz时，第一电容300的取值范围为0.5pF至30pF，第二电容3210的取值范围为0.5pF至30pF，第三电容3220的取值范围为0.5pF至30pF，第一电感340的取值范围为0.3nH至15nH。

在一些可能的实施例中，在基波信号的频率为3GHz至10GHz时，第一电容300的取值范围为0.25pF至10pF，第二电容3210的取值范围为0.25pF至10pF，第三电容3220的取值范围为0.25pF至10pF，第一电感340的取值范围为0.1nH至10nH。

在一些可能的实施例中，在基波信号的频率为10GHz至30GHz时，第一电容300的取值范围为0.05pF至5pF，第二电容3210的取值范围为0.05pF至5pF，第三电容3220的取值范围为0.05pF至5pF，第一电感340的取值范围为0.01nH至5nH。

这里需要说明的是，第四电容3230的电容量等于第二电容3210和第三电容3220的电容量之和，因此在第二电容3210和第三电容3220的取值范围确定的情况下，本实施例对第四电容3230的取值范围不作具体赘述。

在本实施例中，差分功率放大器100还可以包括巴伦模块50，巴伦模块50用于将谐振模块30输出的一对差分射频信号合成一路信号后输出。请再次参阅图1，巴伦模块50可以包括原边500和副边520，原边500连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间，副边520的一端用于输出信号，另一端接地。具体地，原边500和副边520可以缠绕在同一个导磁体(例如，铁氧体磁芯)上实现电磁耦合。在另一些可能的实施例中，原边500和副边520也可以采用直接耦合、电感耦合、电容耦合等方式实现彼此互相耦合，本申请实施例对原边500和副边520之间的耦合方式不作具体限定。

在本实施例中，差分功率放大器100还可以包括匹配模块70，匹配模块70连接在谐振模块30和巴伦模块50之间，用于将谐振模块30输出的一对差分射频信号进行阻抗匹配后向巴伦模块50输出，以提高差分射频信号的输出功率，进而保证了差分功率放大器100的信号输出质量。

在图1所示的实施例中，匹配模块70可以包括第一匹配单元700和第二匹配单元720。其中，第一匹配单元700的一端连接于第一晶体管120的输出端1200，另一端连接于原边500的第一端5010，第一匹配单元700用于对第一晶体管120输出的射频信号进行阻抗匹配。第二匹配单元720的一端连接于第二晶体管140的输出端1400，另一端连接于原边500的第二端5030，第二匹配单元720用于对第二晶体管140输出的射频信号进行阻抗匹配。具体地，第一匹配单元700和第二匹配单元720可以分别通过阻抗匹配电路实现，例如，阻抗匹配电路可以是由电感和电容构成的LC匹配电路，本实施例对第一匹配单元700和第二匹配单元720的实现方式不作具体限定。

请参阅图9，本申请实施例提供了一种射频前端模组200，该射频前端模组200中包括有上述的差分功率放大器100。其中，射频前端模组200是一种将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个独立模组的元件，从而提高射频前端模组200的集成度和硬件性能，并使其体积小型化。具体地，射频前端模组200可以应用于智能手机、平板电脑、智能手表等4G、5G通信设备。

射频前端模组200中的差分功率放大器100可以包括功率放大模块10以及谐振模块30。其中，功率放大模块10用于输出一对差分射频信号，功率放大模块10可以包括第一晶体管120和第二晶体管140。谐振模块30用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构，其中，信号分量包括基波信号和谐波信号。谐振模块30可以包括第一电容300、电容支路320和第一电感340。第一电容300连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间；电容支路320连接在第一晶体管120的输出端1200和第二晶体管140的输出端1400之间，电容支路320包括至少一个电容；第一电感340连接在电容支路320中。

由于本申请中的谐振模块30可以用于针对差分射频信号中的不同信号分量形成不同的等效电路结构。因此，上述的差分功率放大器100可以在不同的信号分量下实现不同类型的功率放大器所具有的功能，丰富了差分功率放大器100的应用场景。

在本申请说明书中，如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一组件。说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”；“大致”是指本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“里”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请而简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定或限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，也可以是两个元件内部的连通，也可以是仅为表面接触。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种差分功率放大器，其特征在于，包括：

功率放大模块，所述功率放大模块用于输出一对差分射频信号；所述功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管；以及

谐振模块，所述谐振模块包括第一电容、电容支路和第一电感；

所述第一电容连接在所述第一晶体管的输出端和所述第二晶体管的输出端之间；

所述电容支路连接在所述第一晶体管的输出端和所述第二晶体管的输出端之间，所述电容支路包括至少一个电容；

所述第一电感连接在所述电容支路中。

2.根据权利要求1所述的差分功率放大器，其特征在于，所述电容支路包括第二电容和第三电容；

所述第二电容和所述第三电容相串联后连接在所述第一晶体管的输出端和所述第二晶体管的输出端之间；

所述第一电感连接在所述第二电容和所述第三电容所在的支路。

3.根据权利要求2所述的差分功率放大器，其特征在于，所述第一电感的一端连接在所述第二电容和所述第三电容之间的公共端，另一端接地；

所述第二电容和第一指定电感的谐振频率为第一谐振频率，所述第一指定电感的电感值和所述第一电感的电感值之间的比值为2；所述第一谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第一比值，所述第一比值为大于或等于2的偶数；

所述第三电容和所述第一指定电感的谐振频率为第二谐振频率，所述第二谐振频率和所述第一谐振频率相等。

4.根据权利要求3所述的差分功率放大器，其特征在于，所述第一比值等于2。

5.根据权利要求2所述的差分功率放大器，其特征在于，所述第一电感、所述第二电容和所述第三电容相串联，且所述第一电感连接在所述第二电容和所述第三电容之间；

所述第二电容和第二指定电感的谐振频率为第三谐振频率，所述第二指定电感的电感值和所述第一电感的电感值之间的比值为0.5；所述第三谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第二比值，所述第二比值为大于或等于3的奇数；

所述第三电容和所述第二指定电感的谐振频率为第四谐振频率，所述第四谐振频率和所述第三谐振频率相等。

6.根据权利要求5所述的差分功率放大器，其特征在于，所述第二比值等于3。

7.根据权利要求1所述的差分功率放大器，其特征在于，所述电容支路包括第四电容，所述第四电容和所述第一电感相串联后连接在所述第一晶体管的输出端和所述第二晶体管的输出端之间；

第一指定电容和第二指定电感的谐振频率为第五谐振频率，所述第二指定电感的电感值和所述第一电感的电感值之间的比值为0.5；所述第五谐振频率和基波信号的频率之间的比值为第三比值，所述第三比值为大于或等于3的奇数；

第二指定电容和所述第二指定电感的谐振频率为第六谐振频率，所述第六谐振频率和所述第五谐振频率相等，所述第二指定电容的电容量和所述第一指定电容的电容量之和等于所述第四电容的电容量。

8.根据权利要求7所述的差分功率放大器，其特征在于，所述第三比值等于3。

9.根据权利要求2至6中任意一项所述的差分功率放大器，其特征在于，在基波信号的频率为1MHz至300MHz时，所述第一电容的取值范围为10pF至100pF，所述第二电容的取值范围为10pF至100pF，所述第三电容的取值范围为10pF至100pF，所述第一电感的取值范围为10nH至100nH；

在所述基波信号的频率为300MHz至3GHz时，所述第一电容的取值范围为0.5pF至30pF，所述第二电容的取值范围为0.5pF至30pF，所述第三电容的取值范围为0.5pF至30pF，所述第一电感的取值范围为0.3nH至15nH；

在所述基波信号的频率为3GHz至10GHz时，所述第一电容的取值范围为0.25pF至10pF，所述第二电容的取值范围为0.25pF至10pF，所述第三电容的取值范围为0.25pF至10pF，所述第一电感的取值范围为0.1nH至10nH；

在所述基波信号的频率为10GHz至30GHz时，所述第一电容的取值范围为0.05pF至5pF，所述第二电容的取值范围为0.05pF至5pF，所述第三电容的取值范围为0.05pF至5pF，所述第一电感的取值范围为0.01nH至5nH。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的差分功率放大器，其特征在于，所述差分功率放大器还包括巴伦模块；

所述巴伦模块包括原边和副边，所述原边连接在所述第一晶体管的输出端和所述第二晶体管的输出端之间，所述副边的一端用于输出信号，另一端接地。

11.根据权利要求10所述的差分功率放大器，其特征在于，所述差分功率放大器还包括匹配模块，所述匹配模块包括第一匹配单元和第二匹配单元；

所述第一匹配单元的一端连接于所述第一晶体管的输出端，另一端连接于所述原边的第一端；

所述第二匹配单元的一端连接于所述第二晶体管的输出端，另一端连接于所述原边的第二端。

12.一种射频前端模组，其特征在于，包括权利要求1至11中任意一项所述的差分功率放大器。