CN219107400U - 射频功率放大电路以及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频功率放大电路以及射频前端模组。该射频功率放大电路包括功率放大模块、巴伦模块以及第一谐振模块。其中，巴伦模块和功率放大模块相连接。巴伦模块包括相互耦合的第一线圈和第二线圈，第一线圈和功率放大模块相连接，第二线圈包括第一输出端和第二输出端。第一谐振模块包括第一电感和第一电容，第一电感和第一电容相串联后所形成的一端和第二输出端相连接，另一端接地。因此，本申请中第二线圈的第二输出端(也即，接地端)设有由第一电容、第一电感与第二线圈相串联所形成的第一预设谐振，该第一预设谐振可以对第一射频信号中的部分谐波信号(尤其为高次谐波信号)进行抑制，保证了射频功率放大电路的信号传输质量。

Description

射频功率放大电路以及射频前端模组

技术领域

本申请涉及射频技术领域，更具体地，涉及一种射频功率放大电路以及射频前端模组。

背景技术

在无线通信系统中，射频功率放大器是射频前端的重要组成部分，通过射频功率放大器可以使电子终端获取到较高的射频输出功率。然而，在射频功率放大器(例如，推挽功率放大器)的实际工作过程中，存在无法较好抑制信号中高次谐波的问题，进而导致射频功率放大器所输出的射频信号中依旧存在一定的高次谐波，影响射频信号的信号传输质量。

实用新型内容

本申请实施例提供一种射频功率放大电路以及射频前端模组。

根据本申请的第一方面，本申请实施例提供一种射频功率放大电路，该射频功率放大电路包括功率放大模块、巴伦模块以及第一谐振模块。其中，巴伦模块和功率放大模块相连接，用于接收功率放大模块发送的第一射频信号；巴伦模块包括相互耦合的第一线圈和第二线圈，第一线圈和功率放大模块相连接，第二线圈包括第一输出端和第二输出端；第一输出端用于输出第二射频信号。第一谐振模块包括第一电感和第一电容，第一电感和第一电容相串联后所形成的一端和第二输出端相连接，另一端接地。

其中，在一些可选实施例中，第二线圈的等效电感、第二线圈的寄生电容、第一电感和第一电容形成第一预设谐振，第一预设谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第一比值大于或等于2。

其中，在一些可选实施例中，第二线圈的等效电感和第二线圈的寄生电容形成第二预设谐振，第二预设谐振的谐振频率大于第一预设谐振的谐振频率。

其中，在一些可选实施例中，第一电感和第一电容形成第一指定谐振，第一指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的差值绝对值小于1MHz。

其中，在一些可选实施例中，第一电感的电感值小于或等于300pH。

其中，在一些可选实施例中，巴伦模块还包括第一输入端和第二输入端；功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管构成差分放大电路，第一晶体管和第一输入端相连接，第二晶体管和第二输入端相连接。

其中，在一些可选实施例中，第一晶体管为第一双极型三极管，第二晶体管为第二双极型三极管；第一晶体管的基极用于输入第一差分信号，第一晶体管的集电极和第一输入端相连接，第一晶体管的发射极接地；第二晶体管的基极用于输入第二差分信号，第二晶体管的集电极和第二输入端相连接，第二晶体管的发射极接地；第二差分信号和第一差分信号的相位相反。

其中，在一些可选实施例中，射频功率放大电路还包括第二谐振模块和第三谐振模块，第二谐振模块和第一输入端相连接，第三谐振模块和第二输入端相连接；第二谐振模块形成第二指定谐振，第二指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第二比值和第一比值不相同；第三谐振模块形成第三指定谐振，第三指定谐振的谐振频率和第二指定谐振的谐振频率相同。

其中，在一些可选实施例中，第二谐振模块包括第二电感和第二电容，第二电感和第二电容相串联所形成的一端和第一输入端相连接，另一端接地；第三谐振模块包括第三电感和第三电容，第三电感和第三电容相串联所形成的一端和第二输入端相连接，另一端接地。

根据本申请的第二方面，本申请实施例还提供一种射频前端模组，包括上述的射频功率放大电路。

本申请提供了一种射频功率放大电路以及配置有射频功率放大电路的射频前端模组，射频功率放大电路包括功率放大模块、巴伦模块以及第一谐振模块。其中，巴伦模块的第一线圈和功率放大模块相连接，第二线圈包括第一输出端和第二输出端，第一输出端用于输出第二射频信号。第一谐振模块包括第一电感和第一电容，第一电感和第一电容相串联后所形成的一端和第二输出端相连接，另一端接地。因此，本申请中第二线圈的第二输出端(也即，接地端)设有由第一电容、第一电感与第二线圈相串联所形成的第一预设谐振，该第一预设谐振可以对第一射频信号中的部分谐波信号(尤其为高次谐波信号)进行抑制，保证了射频功率放大电路的信号传输质量。例如，通过配置使得第一预设谐振的谐振频率为三次谐波的谐波频率3f₀(其中，f₀为第一射频信号中基波信号的信号频率)时，则可以对该三次谐波进行抑制。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的射频功率放大电路的结构示意图。

图2是图1所示射频功率放大电路的等效电路的结构示意图。

图3是图1所示射频功率放大电路的另一种结构示意图。

图4是图1所示射频功率放大电路的又一种结构示意图。

图5是图1所示射频功率放大电路的再一种结构示意图。

图6是图1所示射频功率放大电路的还一种结构示意图。

图7是本申请实施例提供的射频前端模组的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，在本实施例中，射频功率放大电路100可以包括功率放大模块120、巴伦模块140和第一谐振模块160。其中，巴伦模块140和功率放大模块120相连接，用于接收功率放大模块120发送的第一射频信号。巴伦模块140包括相互耦合的第一线圈141和第二线圈143，第一线圈141和功率放大模块120相连接，第二线圈143包括第一输出端1432和第二输出端1434，第一输出端1432用于输出第二射频信号。第一谐振模块160包括第一电感161和第一电容163，第一电感161和第一电容163相串联后所形成的一端和第二输出端1434相连接，另一端接地。

因此，本申请中第二线圈143的第二输出端1434(也即，接地端)设有由第一电感161、第一电容163与第二线圈143相串联所形成的第一预设谐振，该第一预设谐振可以对第一射频信号中的部分谐波信号(尤其是高次谐波信号)进行抑制，保证了射频功率放大电路的信号传输质量。例如，通过配置使得第一预设谐振的谐振频率为三次谐波的谐波频率3f₀(其中，f₀为第一射频信号中基波信号的信号频率)时，则可以对该三次谐波进行抑制。

下面对射频功率放大电路100中的各个模块进行详细介绍。

巴伦模块140可以包括平衡-不平衡转换器(Balance-unbalance,BALUN)，平衡-不平衡转换器用于对信号进行转换合成，输出射频信号。在本实施例中，巴伦模块140和功率放大模块120的信号输出端相连接，用于接收功率放大模块120发送的第一射频信号。具体地，第一射频信号由射频功率放大电路100具体应用的通信设备决定。示例性地，若通信设备工作在N77频段，则第一射频信号的信号频率可以为3.3GHz～4.2GHz；若通信设备工作在N78频段，则第一射频信号的信号频率可以为3.3GHz～3.8GHz；若通信设备工作在N79频段，则第一射频信号的信号频率可以为4.5GHz～5GHz。本实施例对第一射频信号的信号频率不作具体限定。

这里需要说明的是，上述“第一射频信号的信号频率”应当理解为“第一射频信号中基波信号的信号频率”，但由于功率放大模块120无法对第一射频信号中的高次谐波(例如，三次谐波、五次谐波等等)进行较好的抑制，因此导致第一射频信号中会掺杂有高次谐波信号，若是不对上述高次谐波信号进行抑制，会降低射频功率放大电路100的信号传输质量。

在本实施例中，巴伦模块140可以包括相互耦合的第一线圈141和第二线圈143。在一些可能的实施例中，第一线圈141和第二线圈143可以缠绕在同一个导磁体(例如，铁氧体磁芯)上实现“电磁耦合”。在另一些可能的实施例中，第一线圈141和第二线圈143也可以采用直接耦合、电感耦合、电容耦合等方式实现彼此互相耦合，本申请实施例对第一线圈141和第二线圈143之间的耦合方式不作具体限定。

在本实施例中，第一线圈141和功率放大模块120相连接，用于接收功率放大模块120发送的第一射频信号。第二线圈143包括第一输出端1432和第二输出端1434，第一输出端1432用于输出第二射频信号，第二输出端1434和第一谐振模块160相连接。

请参阅图2，第二线圈143可以等效成第二线圈143的等效电感1436和第二线圈143的寄生电容1438的电路结构。这里需要说明的是，在射频功率放大电路100进行工作时，巴伦模块140会产生寄生电容1438，其中，寄生电容1438实际为第二线圈143与地所产生的一种电容效应，以及为第一线圈141和第二线圈143在耦合时所产生的一种电容效应，寄生电容1438的存在会对巴伦模块140的信号输出质量造成一定的影响。具体地，寄生电容1438的大小和线圈的缠绕方式有关。在一些可能的实施例中，第一线圈141和第二线圈143可以采用蜂房式绕法、分段绕法等缠绕方式能够降低寄生电容1438的大小。在一些可能的实施例中，第一线圈141和第二线圈143为单层线圈，在线圈绕制时可以增大相邻两圈之间的间隔，也即，将线圈绕制得较为稀疏，进而降低寄生电容1438的大小。具体地，寄生电容1438的电容值越小，则巴伦模块140的Q值(也即，品质因数)越高，也即巴伦模块140的信号能量损耗越小。

在本实施例中，第二线圈143的等效电感1436和第二线圈143的寄生电容1438形成第二预设谐振，其中，在第一线圈141和第二线圈143之间的线圈匝数比确定的情况下，也即第二线圈143的等效电感1436不变的情况下，第二预设谐振的谐振频率由寄生电容1438的电容值决定。具体地，寄生电容1438的电容值越小，第二预设谐振的谐振频率则越大。在本实施例中，第二预设谐振的谐振频率大于3f₀，其中，f₀为第一射频信号中基波信号的信号频率。示例性地，第二预设谐振的谐振频率可以为9f₀。因此，在第二线圈143不连接第一谐振模块160的情况下，巴伦模块140无法对指定的高次谐波(例如，三次谐波)进行抑制。

在本实施例中，第一谐振模块160和第二线圈143的第二输出端1434相连接，使得第一谐振模块160和第二线圈143形成第一预设谐振。具体地，第一谐振模块160可以包括第一电感161和第一电容163，其中，第一电感161可以是贴片电感、插装电感等等，第一电容163可以是贴片电容、插装电容等等。第一电感161和第一电容163相串联后所形成的一端和第二输出端1434相连接，另一端接地。因此，在巴伦模块140的输出端，第二线圈143的等效电感1436、第二线圈143的寄生电容1438、第一电感161和第一电容163形成第一预设谐振，该第一预设谐振的谐振频率小于或等于第二预设谐振的谐振频率。

这里需要说明的是，在图1和图2所示的实施例中，第一电容163的一端和第二输出端1434相连接，另一端和第一电感161相连接。第一电感161的一端和第一电容163相连接，另一端接地。也即，第一电容163连接在第一电感161和第二线圈143之间，使得第一电感161通过第一电容163与巴伦模块140相隔离，进而避免了第一电感163和巴伦模块140直接耦合连接，使得第一预设谐振的谐振频率更加准确。

在本实施例中，第二线圈143的等效电感1436、第二线圈143的寄生电容1438、第一电感161和第一电容163形成的第一预设谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第一比值可以大于或等于2。例如，第一比值可以是2、3、4、5等等。

在一些可能的实施例中，第一预设谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第一比值可以等于3。此时，第一预设谐振的谐振频率为3f₀，其中，f₀为第一射频信号中基波信号的信号频率。在这种情况下，当第一射频信号中三次谐波信号(也即，频率为3f₀的谐波信号)通过第二线圈143时，使得第一预设谐振的谐振频率为三次谐波的谐波频率3f₀，进而对三次谐波信号造成极大的损耗，实现对三次谐波信号的抑制。

在本实施例中，第一电感161的电感值小于或等于300pH，也即该第一电感161为一小电感。此外，在第一电感161的电感值，第二线圈143的等效电感值和第二线圈143的寄生电容值均确定的情况下，可以通过以下公式可以计算出第一电容163的电容值。

其中，f为谐振频率，在第一比值等于3的情况下，f＝3f₀。L为第一电感161和第二线圈143的等效电感1436之间的等效电感值。C为第一电容163和第二线圈143的寄生电容1438之间的等效电容值。因此，研发人员可以根据实际需要抑制的高次谐波(例如，三次谐波)的谐波频率确定出相应的第一电容163的电容值，本实施例对第一电容163的电容值不作具体限定。

在本实施例中，第一电感161和第一电容163之间还可以形成第一指定谐振，第一指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的差值绝对值小于1MHz。在理想的情况下，上述差值绝对值可以等于0，也即，第一指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率相等，也即，第一指定谐振的谐振频率等于f₀。此时，当第一射频信号中基波信号通过第二线圈143时，第一电感161和第一电容163几乎不会影响基波信号的阻抗和插损，保证了基波信号的正常输出。在这种情况下，第一电感161和第一电容163同样需要满足上述公式，其中，f＝f₀，L为第一电感161的电感值，C为第一电容163的电容值。

在本实施例中，通过配置第一电容163的电容值和第一电感161的电感值，使得第一指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的差值绝对值小于1MHz，以实现将第一射频信号中的基波信号短路到地，即此时对于第一射频信号中的基波信号来说是理想到地，进而避免对第一射频信号中的基波信号的影响。

请参阅图3和图4，在本实施例中，第一线圈141可以包括第一输入端1412和第二输入端1414。第一线圈141通过第一输入端1412和第二输入端1414和功率放大模块120相连接。具体地，功率放大模块120可以包括第一晶体管121和第二晶体管123。其中，第一晶体管121和第二晶体管123构成差分放大电路，第一晶体管121和第一输入端1412相连接，第二晶体管123和第二输入端1414相连接。由于本实施例中的功率放大模块120是由第一晶体管121和第二晶体管123所构成差分放大电路，也即，该功率放大模块120的输入信号为差分信号对。其中，该差分信号对可以包括幅值相同、相位相反的第一差分信号和第二差分信号。该功率放大模块120能够对第一差分信号和第二差分信号的幅值放大，并将幅值放大后的第一差分信号和第二差分信号作为第一射频信号输入巴伦模块140。此外，该功率放大模块120可以起到克服零点漂移、稳定静态工作点的作用，保证了射频功率放大电路100工作的稳定性。

具体地，第一晶体管121和第二晶体管123的类型、型号均相同。示例性地，第一晶体管121和第二晶体管123可以是双极型三极管(Bipolar Junction Transistor,BJT)、场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)、绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor,IGBT)等等。这里以第一晶体管121和第二晶体管123均为双极型三极管为例进行说明。在图4所示的实施例中，第一晶体管121为第一双极型三极管，第二晶体管123为第二双极型三极管，且第一晶体管121和第二晶体管123的型号相同，均为NPN型的双极型三极管。具体地，第一晶体管121的基极用于输入第一差分信号，第一晶体管121的集电极和第一输入端1412相连接，用于将幅值放大后的第一差分信号发送至第一输入端1412，第一晶体管121的发射极接地。第二晶体管123的基极用于输入第二差分信号，第二晶体管123的集电极和第二输入端1414相连接，用于将幅值放大后的第二差分信号发送至第二输入端1414，第二晶体管123的发射极接地。

在图4所示的实施例中，第一晶体管121的集电极和第二晶体管123的集电极还分别与电源VCC相连接。其中，电源VCC为电路电压(Voltage To Current Converter,VCC)，也即第一晶体管121和第二晶体管123的供电电压。在本实施例中，电源VCC用于分别为第一晶体管121和第二晶体管123提供工作电压。具体地，电源VCC的电压值可以小于或等于12V，例如，电压值为12V、5V、1.5V等等。

请参阅图4和图5，功率放大模块120还可以包括第一集电极电感L1和第二集电极电感L2。其中，第一集电极电感L1的一端和第一晶体管121的集电极相连接，另一端连接于电源VCC。第二集电极电感L2的一端和第二晶体管123的集电极相连接，另一端连接于电源VCC。具体地，第一集电极电感L1和第二集电极电感L2的电感值相同，用于提高由第一晶体管121和第二晶体管123所构成差分放大电路的电路稳定性。

请参阅图5，功率放大模块120还可以包括第一电阻R1和第二电阻R2。其中，第一电阻R1的一端和第一晶体管121的发射极相连接，另一端接地。第二电阻R2的一端和第二晶体管123的发射极相连接，另一端接地。具体地，第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相同，且均为发射极电阻，第一电阻R1用于限制第一晶体管121的发射极电流，第二电阻R2用于限制第二晶体管123的发射极电流，以提高由第一晶体管121和第二晶体管123所构成差分放大电路的电路稳定性。

请参阅图6，在本实施例中，射频功率放大电路100还可以包括第二谐振模块170，第二谐振模块170和第一输入端1412相连接。第二谐振模块170可以形成第二指定谐振，第二指定谐振的谐振频率和第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第二比值和第一比值不相同。示例性地，第二比值可以为2，第一比值可以为3。在这种情况下，第二指定谐振的谐振频率为2f₀，也即，当第一差分信号中存在二次谐波时，该第二谐振模块170能够在第一差分信号输入巴伦模块140之前，对该二次谐波进行抑制。具体地，第二谐振模块170可以包括第二电感174和第二电容172，第二电感174和第二电容172相串联所形成的一端和第一输入端1412相连接，另一端接地。因此，本实施例中的第二指定谐振为第二电感174和第二电容172所构成的串联谐振，具体地，第二电感174的电感值和第二电容172的电容值满足以下公式。

其中，f为谐振频率，在第二比值等于2的情况下，f＝2f₀。L为第二电感174的电感值。C为第二电容172的电容值。因此，研发人员可以根据实际需要抑制的高次谐波(例如，二次谐波)的谐波频率确定出相应的第二电感174的电感值和第二电容172的电容值，本实施例对此不作具体限定。

在本实施例中，射频功率放大电路100还可以包括第三谐振模块180，第三谐振模块180和第二输入端1414相连接。第三谐振模块180形成第三指定谐振，第三指定谐振的谐振频率和第二指定谐振的谐振频率相同。示例性地，第三指定谐振的谐振频率和第二指定谐振的谐振频率均为2f₀，也即，当第二差分信号中存在二次谐波时，该第三谐振模块180能够在第二差分信号输入巴伦模块140之前，对该二次谐波进行抑制。具体地，第三谐振模块180包括第三电感184和第三电容182，第三电感184和第三电容182相串联所形成的一端和第二输入端1414相连接，另一端接地。第三电感184的电感值和第三电容182的电容值的确定方式可以参照上述公式，在此不再赘述。

在本实施例中，射频功率放大电路100通过设置第二谐振模块170和第三谐振模块180，能够实现对其他高次谐波进行抑制，例如，在第一射频信号中同时存在二次谐波和三次谐波时，射频功率放大电路100通过第二谐振模块170和第三谐振模块180可以对二次谐波进行抑制，通过第一电感161、第一电容163与第二线圈143相串联所形成的第一预设谐振可以对三次谐波进行抑制，进而降低了高次谐波对基波信号的干扰，保证了射频功率放大电路100的信号传输质量。

请参阅图7，本申请实施方式提供一种配置有射频功率放大电路100的射频前端模组200。射频前端模组200是一种将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个独立模组的元件，从而提高集成度和硬件性能，并使体积小型化。具体地，射频前端模组200可以应用于智能手机、平板电脑、智能手表等4G、5G通信设备。

本实施例提供了一种射频功率放大电路100以及配置有该射频功率放大电路100的射频前端模组200，其中，射频功率放大电路100可以包括功率放大模块120、巴伦模块140和第一谐振模块160。其中，巴伦模块140和功率放大模块120相连接，用于接收功率放大模块120发送的第一射频信号。巴伦模块140包括相互耦合的第一线圈141和第二线圈143，第一线圈141和功率放大模块120相连接，第二线圈143包括第一输出端1432和第二输出端1434，第一输出端1432用于输出第二射频信号。第一谐振模块160包括第一电感161和第一电容163，第一电感161和第一电容163相串联后所形成的一端和第二输出端1434相连接，另一端接地。

因此，本申请中第二线圈143的第二输出端1434(也即，接地端)设有由第一电感161、第一电容163与第二线圈143相串联所形成的第一预设谐振，该第一预设谐振可以对第一射频信号中的部分谐波信号(尤其是高次谐波信号)进行抑制，保证了射频功率放大电路的信号传输质量。例如，通过配置使得第一预设谐振的谐振频率为三次谐波的谐波频率3f₀(其中，f₀为第一射频信号中基波信号的信号频率)时，则可以对该三次谐波进行抑制。

在本申请说明书中，如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一组件。说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”；“大致”是指本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“里”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请而简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定或限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，也可以是两个元件内部的连通，也可以是仅为表面接触。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括：

功率放大模块；

巴伦模块，和所述功率放大模块相连接，用于接收所述功率放大模块发送的第一射频信号；所述巴伦模块包括相互耦合的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述功率放大模块相连接，所述第二线圈包括第一输出端和第二输出端；所述第一输出端用于输出第二射频信号；以及

第一谐振模块，包括第一电感和第一电容，所述第一电感和所述第一电容相串联后所形成的一端和所述第二输出端相连接，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二线圈的等效电感、所述第二线圈的寄生电容、所述第一电感和所述第一电容形成第一预设谐振，所述第一预设谐振的谐振频率和所述第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第一比值大于或等于2。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二线圈的等效电感和所述第二线圈的寄生电容形成第二预设谐振，所述第二预设谐振的谐振频率大于所述第一预设谐振的谐振频率。

4.根据权利要求2所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一电感和所述第一电容形成第一指定谐振，所述第一指定谐振的谐振频率和所述第一射频信号中基波信号的信号频率之间的差值绝对值小于1MHz。

5.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一电感的电感值小于或等于300pH。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述巴伦模块还包括第一输入端和第二输入端；

所述功率放大模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管构成差分放大电路，所述第一晶体管和所述第一输入端相连接，所述第二晶体管和所述第二输入端相连接。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一晶体管为第一双极型三极管，所述第二晶体管为第二双极型三极管；

所述第一晶体管的基极用于输入第一差分信号，所述第一晶体管的集电极和所述第一输入端相连接，所述第一晶体管的发射极接地；

所述第二晶体管的基极用于输入第二差分信号，所述第二晶体管的集电极和所述第二输入端相连接，所述第二晶体管的发射极接地；所述第二差分信号和所述第一差分信号的相位相反。

8.根据权利要求6所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大电路还包括第二谐振模块和第三谐振模块，所述第二谐振模块和所述第一输入端相连接，所述第三谐振模块和所述第二输入端相连接；

所述第二谐振模块形成第二指定谐振，所述第二指定谐振的谐振频率和所述第一射频信号中基波信号的信号频率之间的第二比值和第一比值不相同；

所述第三谐振模块形成第三指定谐振，所述第三指定谐振的谐振频率和所述第二指定谐振的谐振频率相同。

9.根据权利要求8所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二谐振模块包括第二电感和第二电容，所述第二电感和所述第二电容相串联所形成的一端和所述第一输入端相连接，另一端接地；

所述第三谐振模块包括第三电感和第三电容，所述第三电感和所述第三电容相串联所形成的一端和所述第二输入端相连接，另一端接地。

10.一种射频前端模组，其特征在于，包括：如权利要求1至9任意一项所述的射频功率放大电路。

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