CN219997877U - 一种导电薄膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种导电薄膜，包括柔性基底，所述柔性基底的一侧设有耐腐蚀层，耐腐蚀层一侧或者两侧设有导电层。导电层与耐腐蚀层之间具有耐高温层，在导电层的表层设有抗氧化层。导电层为导电金属薄膜层。所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层。所述耐腐蚀层为腐殖酸与石墨烯混合物形成的薄膜层。上述导电薄膜通过导电层、耐腐蚀层的厚度配合其它膜层，实现了良好的导电性和较强的耐腐蚀效果。导电薄膜设置有抗氧化层，抗氧化层采用抗氧化材料，保证了导电薄膜的耐氧化性。导电薄膜设置有耐高温层，该耐高温层为三氧化二铝薄膜层，其导热率低，重量轻、硬度高、抗热冲击性能强。导电层厚度仅约12nm‑15nm，金属用料较少，总体成本较低。
Description
技术领域
本实用新型涉及导电薄膜技术领域，尤其是指一种导电薄膜。
背景技术
导电薄膜是指在普通薄膜上形成导电层的复合材料，既有单一导电薄膜，亦有复合型导电薄膜，如金属与金属氧化物结合的多层薄膜，作为导电性薄的底材有聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚苯乙烯、尼龙、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯等。导电薄膜的生产除了采用通用的压延法外，主要采用在塑料薄膜表面上形成导电层的方法，如真空镀膜法(真空蒸发、离子喷涂)、电镀法、热分解法、涂布法等。薄膜材料，在结构和性能上具有很多独特之处，能够实现块体材料无法实现的一些功能。因此，薄膜材料在高科技领域具有十分重要的地位。柔性多功能薄膜通常是在普通薄膜上面镀一层金属，但是当前的薄膜层在水电镀工序或者在电池中应用时会被腐蚀，出现断裂。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种导电薄膜，具有导电性强、耐腐蚀性强、不易断裂等特点。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
一种导电薄膜，包括柔性基底，所述柔性基底的一侧设有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层一侧或者两侧设有导电层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述导电层与耐腐蚀层之间具有耐高温层，在所述导电层的表层设有抗氧化层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述耐高温层为三氧化二铝薄膜层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm。
作为上述技术方案的进一步改进，所述耐高温层的厚度为4nm-6nm。
作为上述技术方案的进一步改进，所述耐腐蚀层为腐殖酸与石墨烯混合物形成的薄膜层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述导电层为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层。
作为上述技术方案的进一步改进，所述柔性基底的厚度为20nm-25nm。
作为上述技术方案的进一步改进，所述耐腐蚀层的厚度为7nm-10nm。
作为上述技术方案的进一步改进，所述导电层的厚度为12nm-15nm。
有益效果：
(1)本实用新型的导电薄膜电阻低、导电性高、且耐腐蚀性强。本实用新型的导电薄膜通过导电层、耐腐蚀层的厚度配合其它膜层，实现了良好的导电性和较强的耐腐蚀效果。
(2)本实用新型的导电薄膜耐氧化性强。本实用新型的导电薄膜设置有抗氧化层，抗氧化层采用抗氧化材料，保证了导电薄膜的耐氧化性。
(3)本实用新型的导电薄膜硬度高、耐高温性能强。本实用新型的导电薄膜设置有耐高温层，该耐高温层为三氧化二铝薄膜层，其导热率低，重量轻、硬度高、抗热冲击性能强。
(4)本实用新型的导电薄膜中的导电层厚度仅约12nm-15nm，金属用料较少，总体成本较低。
附图说明
图1是本实用新型的一实施例导电膜的结构示意图；
图2是本实用新型的另一实施例导电膜的结构示意图；
图3是本实用新型的另一实施例导电膜的结构示意图；
图4是本实用新型的另一实施例导电膜的结构示意图。
附图标号说明：
1、柔性基底；2、耐腐蚀层；3、导电层；4、耐高温层；5、抗氧化层。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
实施例1
一种导电薄膜，其结构示意图如图1所示，该导电薄膜自下而上依次包括柔性基底1、导电层3、耐高温层4、耐腐蚀层2、耐高温层4以及抗氧化层5。其中，所述导电层3为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层，如果为金属合金层可以为镍铜合金、镍铬合金等，无论是金属层还是金属合金层均能实现导电的目的，在此不对具体的金属进行限制。所述耐腐蚀层2为腐殖酸与石墨烯混合物形成的薄膜层，当前的导电薄膜都是在薄膜的表面增加耐腐蚀层2，这样做会增加薄膜厚度，提高薄膜的质量和成本。当用于电池后会减少电池能量密度。本申请使用耐腐蚀薄膜当应用于电池中时，其不仅可以防止被腐蚀，其在本申请导电薄膜的后续工艺如电镀工艺中，可以防止薄膜被腐蚀然后在走膜的时候薄膜变脆，从而导致薄膜断裂，导致生产失败。且本申请的薄膜采用腐殖酸或腐殖酸/石墨烯混合物形成的薄膜，这样做的好处是可以直接在耐腐蚀薄膜上进行电镀，即可采用一步法就可以在耐腐蚀性薄膜上层积金属层，当然，当采用电镀工艺时，在薄膜上层积的是铜，大大减少了工艺成本，同时由于这种薄膜耐腐蚀，其在薄膜在电镀工艺中也不会出现薄膜变脆影响生产的情况。所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm，所述柔性基底1的厚度为20nm-25nm，所述耐腐蚀层2的厚度为7nm-10nm，所述导电层3的厚度为12nm-15nm，导电薄膜中的导电层3厚度仅约12nm-15nm，金属用料较少，总体成本较低。所述耐高温层4的厚度为4nm-6nm。
其中，耐高温层4可以为金属或者非金属层，比如三氧化二铝，可以提高薄膜的耐热性，使得在后续的真空镀膜中，防止薄膜表面受热不均，导致薄膜翘边卷曲。对耐高温层4表面进行打磨或者其他处理，使得其表面具有一定的粗糙度，这样可以增大金属或者金属合金层与耐高温层4的粘结力，进而使得金属或者非金属层不会脱落。或者可以在耐腐蚀薄膜上或者在耐高温层4上镀了一层金属层后，也就是从真空镀膜腔体里面镀了一遍后，对镀好的薄膜进行表面粗糙化，使得金属表面的薄膜相互之间粘结力增大，从而防止金属层脱落，具体的就是比如可以第一次真空镀膜后，讲镀膜产品粗糙化处理，在粗糙化后的产品上再进行第二次真空镀膜或者水电镀，将所得产品粗糙化，再进行第三次真空镀膜或者水电镀，直到达到合适的金属层厚度后，停止镀膜和粗糙化。
实施例2
一种导电薄膜，其结构示意图如图2所示，该导电薄膜自下而上依次包括抗氧化层5、导电层3、耐高温层4、耐腐蚀层2、耐高温层4、导电层3以及柔性基底1。其中，所述导电层3为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层，如果为金属合金层可以为镍铜合金、镍铬合金等，无论是金属层还是金属合金层均能实现导电的目的，在此不对具体的金属进行限制。所述耐高温层4为三氧化二铝薄膜层，所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm，所述柔性基底1的厚度为20nm-25nm，所述耐腐蚀层2的厚度为7nm-10nm，所述导电层3的厚度为12nm-15nm，导电薄膜中的导电层3厚度仅约12nm-15nm，金属用料较少，总体成本较低。所述耐高温层4的厚度为4nm-6nm。与实施例1不同的是除了自下而上每一层薄膜的不同之外，不同点还包括，所述耐腐蚀层2为耐腐蚀薄膜HDPE、耐腐蚀薄膜PVA或者蓝膜。
实施例3
一种导电薄膜，其结构示意图如图3所示，该导电薄膜自下而上依次包括柔性基底1、耐腐蚀层2、耐高温层4、导电层3以及抗氧化层5，其中，所述导电层3为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层，如果为金属层则可以为金属铜、镍或者铝等。如果为金属合金层可以为镍铜合金、镍铬合金等，无论是金属层还是金属合金层均能实现导电的目的，在此不对具体的金属进行限制。所述耐腐蚀层2为腐殖酸与石墨烯混合物形成的薄膜层，所述耐高温层4为三氧化二铝薄膜层，所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm，所述柔性基底1的厚度为20nm-25nm，所述耐腐蚀层2的厚度为7nm-10nm，所述导电层3的厚度为12nm-15nm，导电薄膜中的导电层3厚度仅约12nm-15nm，金属用料较少，总体成本较低。所述耐高温层4的厚度为4nm-6nm。
实施例4
一种导电薄膜，其结构示意图如图4所示，该导电薄膜自下而上依次包括抗氧化层5、导电层3、耐高温层4、耐腐蚀层2以及柔性基底1。其中，所述导电层3为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层，如果为金属合金层可以为镍铜合金、镍铬合金等，无论是金属层还是金属合金层均能实现导电的目的，在此不对具体的金属进行限制，所述耐高温层4为三氧化二铝薄膜层，所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm，所述柔性基底1的厚度为20nm-25nm，所述耐腐蚀层2的厚度为7nm-10nm，所述导电层3的厚度为12nm-15nm，导电薄膜中的导电层3厚度仅约12nm-15nm，金属用料较少，总体成本较低。所述耐高温层4的厚度为4nm-6nm。与实施例3不同的是除了自下而上每一层薄膜的不同之外，不同点还包括，所述耐腐蚀层2为耐腐蚀薄膜HDPE、耐腐蚀薄膜PVA或者蓝膜。
在进行生产上述导电薄膜过程中，首先使用真空镀膜设备，可以为蒸镀或者磁控设备，对耐腐蚀薄膜进行镀膜，此时镀上的是耐高温的一些材料，比如可以为氧化铝等，再用磁控设备或者蒸镀设备进行镀膜，此时可以镀上金属铜或者铝，以形成形成第一导电层即金属层或者金属合金层，若此时镀上的是铜，再在粗糙化设备中进行粗糙化，此时也可以将粗糙化设备置于上一步镀铝或者金属铜的真空腔室中，当置于上述腔内时，其可以防止所镀的金属铜或者铝被氧化，也可以节约工序。再将镀铜的产品放入到磁控或者蒸镀或者水电镀设备中进行镀膜，此时形成第二导电层，再将所得导电层粗糙化，直到耐腐蚀薄膜表面金属厚度合适为止。若本申请的第一导电层为铝时，后续只能用磁控或者蒸镀设备。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括柔性基底，所述柔性基底的一侧设有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层一侧或者两侧设有导电层。
2.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述导电层与耐腐蚀层之间具有耐高温层，在所述导电层的表层设有抗氧化层。
3.如权利要求2所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述耐高温层为三氧化二铝薄膜层。
4.如权利要求2所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述抗氧化层为抗氧化材料膜层，所述抗氧化层的厚度为1nm-3nm。
5.如权利要求2所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述耐高温层的厚度为4nm-6nm。
6.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述耐腐蚀层为腐殖酸与石墨烯混合物形成的薄膜层。
7.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述导电层为导电金属薄膜层，所述导电金属薄膜层为纯金属层或金属合金层。
8.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述柔性基底的厚度为20nm-25nm。
9.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述耐腐蚀层的厚度为7nm-10nm。
10.如权利要求1所述的一种导电薄膜，其特征在于，所述导电层的厚度为12nm-15nm。
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