CN219800779U - 一种icp等离子体刻蚀机用耦合线圈 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种ICP等离子体刻蚀机用耦合线圈，所述耦合线圈包括至少一根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形逐圈向外扩展，形成螺旋线型结构的耦合线圈；所述螺旋线型结构包括单平面螺旋结构、双平面螺旋结构、三平面螺旋结构或更多平面螺旋结构，不同的腔体结构需要适配不同的线圈。本实用新型通过调整线圈的分布能改善等离子体生成的均匀性。同时线圈的分布能够在过程中随时调整，又可以避免长时间工作产生的不均匀情况。

Description

一种ICP等离子体刻蚀机用耦合线圈

技术领域

本实用新型半导体芯片加工制造过程中的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀技术领域，涉及一种等离子体刻蚀机用耦合线圈。

背景技术

在半导体芯片加工制造领域，等离子体刻蚀是非常重要的工艺过程。ICP刻蚀是干法刻蚀中的一种较新型的刻蚀技术。该技术使用真空环境下等离子体与被刻蚀材料的反应作为刻蚀机制。在应用ICP刻蚀技术的等离子刻蚀机内部，刻蚀气体在耦合线圈的高频电磁场中产生等离子体，等离子体在电场作用下在被刻蚀晶圆表面与被刻蚀材料发生反应。

ICP等离子刻蚀的关键因素包括刻蚀气体的流场分布，等离子体的密度分布(尤其是在被刻蚀晶圆表面的分布)，等离子体与被刻蚀物质的反应，以及反应产物的解吸附排出等。其中等离子体密度分布的均匀性对整片晶圆上刻蚀的一致性至关重要，而等离子体由耦合线圈产生的高频电磁场激发，其密度分布与线圈的电磁场密切相关。

在目前的ICP刻蚀机中，耦合线圈一般由同一平面上的多个同心圆结构构成，不同的同心圆数量和间距在腔体内产生不同的高频电磁场的分布，电磁场激发产生不同分布的等离子体。等离子体的密度分布的均匀性控制一直是比较重要的课题。一方面，目前主流的同心圆结构线圈不具备调整能力，只能通过改变输入高频电源的参数以及通入刻蚀气体的流场来实现对生成等离子体的控制；另一方面随着刻蚀机的使用，线圈在高频电磁场和自身温度场的作用会发生老化和变形，进而磁场的分布也逐步发生改变引起等离子体分布的改变，使得不同时段的刻蚀速率和均匀性产生差异，最终影响芯片的一致性。

同时，现有技术可以通过调整耦合线圈的定位螺钉等机械调整线圈的角度以改变生成的高频电磁场状态；然而现有技术在应用时完全无法或者很难对耦合线圈的位置进行调节，从而导致在进行刻蚀时耦合线圈状态一旦发生变化，进一步地前后刻蚀阶段产生的高频电磁场存在差异会使刻蚀在不同时间段上的均匀性受到影响。

实用新型内容

为了解决半导体刻蚀过程中由于同心圆耦合线圈生成的等离子体在空间(均匀性)及时间(一致性)难以精确控制的问题，本实用新型通过改进耦合线圈的结构增加了线圈的可调节性，对耦合线圈进行调节，改善刻蚀均匀性和一致性。改进后耦合线圈形状可小幅的调节，而这些调节能力足够改善腔体内晶圆附近的磁场分布和等离子体分布；同时随着总的刻蚀时间的变化，按照线圈老化的规律定期对线圈微调可以保证芯片在不同时段的一致性。

在ICP刻蚀过程中使用的等离子体刻蚀机主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统、真空系统；

所述预真空室用于确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，刻蚀腔中的环境不受包括粉尘、水汽等外界环境的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。所述预真空腔中的结构包括盖板、机械手、传动机构、隔离门等；

所述刻蚀腔是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。所述刻蚀腔中的结构包括腔体、基座、介质窗、线圈、散热装置、等离子体发生器等；

所述供气系统包括气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元；

所述真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片；刻蚀腔的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

ICP刻蚀机中，所述耦合线圈能够产生射频场，能够使通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体。

本实用新型通过一种螺旋线型结构的耦合线圈，对现有的等离子体刻蚀机中使用的同心圆形的耦合线圈进行替换。现有使用的同心圆形耦合线圈如图1所示。

ICP刻蚀机中，耦合线圈能够使通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体。

本实用新型中使用的螺旋线型耦合线圈，线圈的螺距影响磁场强度分布，圈数影响整体强度。一般来说，螺距的增大会导致磁场的扭曲和变弱，而螺距的减小则会导致磁场的增强。因此，适当调整螺旋线型耦合线圈的螺距可以使磁场更加均匀和稳定；圈数的增加会导致磁场的增强，而圈数的减少则会导致磁场的减弱。因此，在刻蚀机中，通过增加或减少螺旋线型耦合线圈的圈数，可以调节磁场的强度。螺旋线型耦合线圈通常用于产生等离子体和磁场的耦合，以实现等离子体的激发和控制。在刻蚀机中，通过适当调整螺旋线型耦合线圈的螺距和圈数，可以产生稳定且均匀的磁场，从而实现更加精确的刻蚀。

本实用新型中的螺旋线的结构参数(如螺距，圈数，截面形状等)，需根据刻蚀腔体的大小，线圈最大功率，线圈散热等参数确定；螺距和圈数的增加一般会提高磁场的强度。

本实用新型中的螺旋线型耦合线圈能够配合调节磁场均匀性。

本实用新型中的耦合线圈可以根据实际半导体刻蚀过程中的需求，使用不同螺距和圈数的螺旋线型结构，用于产生高频电磁场；所述耦合线圈包括至少一根线圈，使用不同的螺距和圈数，从线圈中心开始，按螺旋形逐圈向外扩展，形成螺旋线型结构的耦合线圈。

具体地，所述螺旋线型结构包括但不限于单平面螺旋结构、双平面螺旋结构、三平面螺旋结构乃至于三个以上平面的多平面螺旋结构，具体如图2-4所示，分别为单平面螺旋结构、双平面螺旋结构、三平面螺旋结构。

单平面螺旋结构的线圈为单根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形方式逐圈向外扩展，各圈在同一个平面内；双平面螺旋结构的线圈为两根线圈，两根线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内；三平面螺旋结构的线圈为三根线圈，三根线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内；多平面螺旋结构的线圈为三根以上的线圈，三根以上线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内。

各螺旋结构的位置布置一般遵循对称原则，如图3和图4，亦可配合流场分布(流场基本无法完全对称)进行一定的角度调整。

不同螺旋线型可用来调节腔体中各区域的电磁场强度和均匀性，不同的腔体结构需要适配不同的线圈。

本实用新型中，所述螺旋线型耦合线圈的横截面形状可以根据实际需要选用，可以为不同的形状及尺寸，所述几何形状包括但不限于三角形，矩形，其他正多边形及圆形，椭圆形等形状；截面形状的不同可能会影响不同方向的散热效率，如果线圈截面为圆形，则其散热效率在所有方向上都相对均匀，因为圆形截面的表面积分布相对均匀。但如果线圈截面为矩形，则不同方向上的表面积分布可能不均匀，导致不同方向上的散热效率不同。比如，如果线圈矩形截面的长边方向与刻蚀机运行方向平行，则该方向上的散热效率可能会更低，因为热量在该方向上的传输距离更长，热量散失的时间也更长；就实际使用上来说，耦合线圈的截面形状多为圆形或者方形，为通用形状，加工简单且成本较低；

此外，线圈的尺寸为适配设备其他部件及晶圆直径的尺寸。一般不根据工作情况改变线圈尺寸。对应不同尺寸晶圆有不同加工能力的设备，不同的设备具有不同的线圈尺寸。

本实用新型中的螺旋线型耦合线圈的材料一般选用具有相对较高韧性、抗蠕变性强、高磁导率的特定材料，还需要有较高的电导率，所述材料包括但不限于铁镍合金、铜合金、石墨/金刚石，纯铜，纯铝，铝合金，进一步地，线圈材料需要抗氧化或者在表面镀有抗氧化层；线圈材料为现有常用的材料。

本实用新型中的耦合线圈上设置有形变控制点，通过线圈调节装置可以改变线圈的形状。

本实用新型耦合线圈的螺旋圈数越多，产生的磁场相对更为均匀。

本实用新型还提供了一种用于调节耦合线圈形状、高度、角度的线圈调节装置，通过对耦合线圈的控制提供了一种新的对生成等离子体状态进行控制的方式，提高了刻蚀过程中等离子体的稳定性。所述线圈调节装置包括调节耦合线圈形状的可控调节装置和调节耦合线圈高度和角度的空间调节装置；所述可控调节装置一端通过与耦合线圈上的形变控制点连接，对形变控制点的高度进行调整，改变线圈形状，另一端通过螺纹或连接活节或正反外六角柱固定在线圈固定装置上；所述空间调节装置包括一端通过球铰结构固定于刻蚀机中，另一端通过球铰结构与线圈固定装置连接的伸缩结构。

所述可控调节装置包括顶部的可调螺柱、支撑柱、锁紧螺母等；

所述耦合线圈穿过一个或多个可控调节装置顶部的可调螺柱，可调螺柱可以在支撑柱上下移动，支撑柱通过锁紧螺母固定在线圈固定装置上。

所述可控调节装置有2到多个的可调高度的支撑点，与耦合线圈的形变控制点对应，通过调节各支撑点高度使线圈形变控制点位置上下移动，改变耦合线圈的形状，从而控制刻蚀工作平面的附近的磁场强度。

所述耦合线圈通过可控调节装置固定在线圈固定装置上，所述耦合线圈与所述线圈固定装置不发生相对移动；所述线圈固定装置与刻蚀机腔体有三个安装位置，呈等边三角形。

在空间调节装置中，所述伸缩结构可以通过包括气缸、连杆、丝杆、液压杆等在内的机械结构实现，通过所述伸缩结构的运动，能够调节耦合线圈的高度和角度；如图6或7中，第一球头和第二球头分别与液压杆连接，通过液压杆结构进行高度及角度调整。

当线圈工作很长时间发生老化而变形时，可以调节形变控制点的位置使其能够与初始状态接近，保证不同时段刻蚀的一致性。

通过收集螺旋线型耦合线圈各形变控制点的相对高度数据，能够将数据导入刻蚀机控制系统进行统一调控。

所述线圈固定装置还能够根据实际情况选择其他的形状，例如一字型，十字型等，材质为非金属，例如强度较高的塑料即可。

所述空间调节装置可以在不改变线圈自身形状的情况下，改变线圈所在平面的高度和角度；当实际使用时，调节方式包括，同步伸缩空间调节装置中的多个伸缩结构调节线圈的整体高度；和/或，将单独或两个位置的伸缩结构按所需角度的伸缩量调节起到改变角度的作用。所述伸缩结构可以通过电机进行驱动。

本实用新型的有益效果包括：现有技术中的同心圆线圈看似分布均匀，但是在水平面上内外线圈间距相同时在空间位置上存在内外线圈距中心点的距离逐渐增加的情况。在这种状态下产生的电磁场会存在不均匀分布，中间位置磁场较强，产生的等离子体密度也较高。本实用新型通过调整线圈的分布能改善等离子体生成的均匀性。同时线圈的分布能够在过程中随时调整，又可以避免长时间工作产生的不均匀情况。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中同心圆形耦合线圈结构图。

图2是本实用新型单平面线圈结构图。

图3是本实用新型双平面线圈结构图。

图4是本实用新型三平面线圈结构图。

图5是本实用新型线圈及调节装置的结构俯视图。

图6是本实用新型线圈及调节装置的结构侧视图。

图7是本实用新型空间调节装置的结构示意图。

图8是本实用新型可控调节装置的结构示意图。

图9是本实用新型在使用时，平面线圈刻蚀速率分布图。

图10是本实用新型在使用时，平面线圈上下拉升调整后刻蚀速率分布图。

图11是本实用新型在使用时，平面线圈随支架倾斜一定角度刻蚀速率分布图。

图12是本实用新型的耦合线圈在刻蚀机中的大致位置示意图。

图中，1-腔体安装部，2-线圈固定装置，3-耦合线圈，4-可控调节装置，5-空间调节装置，6-第一球头，7-伸缩结构，8-第二球头，9-可调螺柱，10-支撑柱，11-锁紧螺母。

具体实施方式

结合以下具体实施例和附图，对实用新型作进一步的详细说明。实施本实用新型的过程、条件、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本实用新型没有特别限制内容。

本实用新型提出了一种等离子体刻蚀机用耦合线圈，所述耦合线圈包括至少一根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形逐圈向外扩展，形成螺旋线型结构的耦合线圈；所述螺旋线型结构包括单平面螺旋结构、双平面螺旋结构、三平面螺旋结构或更多平面螺旋结构，不同的腔体结构需要适配不同的线圈。本实用新型还提出了用于微调线圈形状，和整体调节线圈高度和角度的线圈调节装置；所述线圈调节装置包括调节耦合线圈形状的可控调节装置和调节耦合线圈高度和角度的空间调节装置。所述耦合线圈与可控调节装置连接，通过可控调节装置上的各连接点的调节，能够可在一定范围内改变线圈形状；所述空间调节装置与腔体的固定点可通过伸缩结构调节以改变耦合线圈的高度和角度。

本实用新型提供了一种利用上述的线圈调节装置对耦合线圈的形状、高度、角度进行调节的方法。

本实用新型中的耦合线圈固定在可控调节装置上，通过调整可控调节装置的高度，使线圈在线圈平面的垂直方向上小幅度调整位置，改变耦合线圈的形状。

通过线圈调节装置中的空间调节装置，如果线圈调节装置的空间调节装置中各个固定点的伸缩结构同时伸长或者缩短相同的长度，则线圈平面同时升高，调节线圈的整体高度；和/或，当需要改变线圈平面和水平面的角度时，将空间调节装置中单独或两个位置的伸缩结构按所需角度的伸缩量调节起到改变角度的作用。

本实用新型在具体使用时，刻蚀结果可以通过仪器测量得到刻蚀速率的云图。通过云图的分布来调整耦合线圈的位置，使得刻蚀速度和均匀性达到比较好的平衡。

首先通过实验建立高度和云图对应的数据矩阵，可以通过云图中的差异性得到高度需要改变的绝对值，然后进行调节。

实施例1

在ICP刻蚀过程中使用的等离子体刻蚀机主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统、真空系统；

所述预真空室用于确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，刻蚀腔中的环境不受包括粉尘、水汽等外界环境的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。所述预真空腔中的结构包括盖板、机械手、传动机构、隔离门等；

所述刻蚀腔是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。所述刻蚀腔中的结构包括腔体、基座、介质窗、线圈、散热装置、等离子体发生器等；

所述供气系统包括气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元；

所述真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片；刻蚀腔的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

在应用ICP刻蚀技术的等离子刻蚀机内部，通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体；进一步地，这些等离子体在电场作用下冲击到被刻蚀材料表面与材料发生反应；随后使用特定溶液进行表面清洗或直接完成刻蚀过程。

在刻蚀过程中，耦合线圈形成的高频电磁场对于等离子体的产生起到关键作用，本实施例中提供了一种单平面螺旋结构的耦合线圈，单平面螺旋结构的线圈为单根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形方式逐圈向外扩展，各圈均在同一个平面内。

实施例2

在ICP刻蚀过程中使用的等离子体刻蚀机主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统、真空系统；

所述预真空室用于确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，刻蚀腔中的环境不受包括粉尘、水汽等外界环境的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。所述预真空腔中的结构包括盖板、机械手、传动机构、隔离门等；

所述刻蚀腔是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。所述刻蚀腔中的结构包括腔体、基座、介质窗、线圈、散热装置、等离子体发生器等；

所述供气系统包括气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元；

所述真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片；刻蚀腔的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

在应用ICP刻蚀技术的等离子刻蚀机内部，通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体；进一步地，这些等离子体在电场作用下冲击到被刻蚀材料表面与材料发生反应；随后使用特定溶液进行表面清洗或直接完成刻蚀过程。

在刻蚀过程中，耦合线圈形成的高频电磁场对于等离子体的产生起到关键作用，本实施例中提供了一种双平面螺旋结构的耦合线圈，双平面螺旋结构的线圈为两根线圈，两根线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内。

实施例3

在ICP刻蚀过程中使用的等离子体刻蚀机主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统、真空系统；

所述预真空室用于确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，刻蚀腔中的环境不受包括粉尘、水汽等外界环境的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。所述预真空腔中的结构包括盖板、机械手、传动机构、隔离门等；

所述刻蚀腔是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。所述刻蚀腔中的结构包括腔体、基座、介质窗、线圈、散热装置、等离子体发生器等；

所述供气系统包括气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元；

所述真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片；刻蚀腔的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

在应用ICP刻蚀技术的等离子刻蚀机内部，通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体；进一步地，这些等离子体在电场作用下冲击到被刻蚀材料表面与材料发生反应；随后使用特定溶液进行表面清洗或直接完成刻蚀过程。

在刻蚀过程中，耦合线圈形成的高频电磁场对于等离子体的产生起到关键作用，本实施例中提供了一种三平面螺旋结构的耦合线圈，三平面螺旋结构的线圈为三根线圈，三根线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内。

实施例4

在ICP刻蚀过程中使用的等离子体刻蚀机主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统、真空系统；

所述预真空室用于确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，刻蚀腔中的环境不受包括粉尘、水汽等外界环境的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。所述预真空腔中的结构包括盖板、机械手、传动机构、隔离门等；

所述刻蚀腔是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。所述刻蚀腔中的结构包括腔体、基座、介质窗、线圈、散热装置、等离子体发生器等；

所述供气系统包括气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元；

所述真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片；刻蚀腔的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

在应用ICP刻蚀技术的等离子刻蚀机内部，通入的混合刻蚀气体于真空环境下在耦合线圈内发生高频辉光放电反应产生等离子体；进一步地，这些等离子体在电场作用下冲击到被刻蚀材料表面与材料发生反应；随后使用特定溶液进行表面清洗或直接完成刻蚀过程。

在刻蚀过程中，耦合线圈形成的高频电磁场对于等离子体的产生起到关键作用，通过控制线圈平面角度可以调节刻蚀的均匀性，本实施例中以单平面螺旋结构的耦合线圈为例，并提供了一种线圈调节装置，通过设置线圈调节装置，对耦合线圈的形状以及水平位置(包括高度和角度)进行调节，所述水平位置调整是指在不改变线圈中心位置(线圈处于同一平面)的情况下，改变线圈所在平面的方向。

所述线圈调节装置包括调节耦合线圈形状的可控调节装置和调节耦合线圈高度和角度的空间调节装置；所述可控调节装置一端通过与耦合线圈上的形变控制点连接，对形变控制点的高度进行调整，改变线圈形状，另一端通过螺纹或连接活节或正反外六角柱固定在线圈固定装置上；所述空间调节装置包括一端通过球铰结构固定于刻蚀机中，另一端通过球铰结构与线圈固定装置连接的伸缩结构。

可控调节装置中，耦合线圈穿过一个或多个可控调节装置顶部的可调螺柱，所述可调螺柱能够在支撑柱上上下移动，支撑柱通过锁紧螺母螺纹固定，或连接活节或正反外六角柱固定在线圈固定装置上。所述可控调节装置有2到多个的可调高度的支撑点，与耦合线圈的形变控制点对应，通过调节各支撑点高度使线圈形变控制点位置上下移动，从而控制刻蚀工作平面的附近的磁场强度。

所述空间调节装置可以在不改变线圈自身形状的情况下，改变线圈所在平面的高度和角度；当实际使用时，调节方式包括，同步伸缩空间调节装置中的多个伸缩结构调节线圈的整体高度；和/或，将单独或两个位置的伸缩结构按所需角度的伸缩量调节起到改变角度的作用。

在具体使用时，刻蚀结果可以通过仪器测量得到刻蚀速率的云图。通过云图的分布来调整耦合线圈的位置，使得刻蚀速度和均匀性达到比较好的平衡。

首先通过实验建立高度和云图对应的数据矩阵，可以通过云图中的差异性得到高度需要改变的绝对值，然后进行调节。

图9是本实施例中实用新型的装置在使用时，平面线圈刻蚀速率分布图；图10是本实施例中实用新型的装置在使用时，平面线圈上下拉升调整后刻蚀速率分布图；图11是本实施例中实用新型的装置在使用时，平面线圈随支架倾斜一定角度刻蚀速率分布图。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

本实用新型实施例中使用的术语“包含”、“包含着”、“包括”或“包括着”指明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。本申请说明书通过参考理想化的示例性截面图和/或平面图和/或立体图来描述示例性实施例。术语“和/或”包括任意或全部相关联的列出项目的组合。当一个元件被描述为“连接”或“耦接”至另一个元件时，它可以直接连接或耦接至另一个元件，也可以存在中间元件。同样，当一个元件被描述为在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，也可以存在中间元件。相反，术语“直接地”表示没有中间元件。此外，虽然术语第一、第二、第三等可以用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语只是用来区分一个元件和另一个元件。因此，在未违背本申请的教导的情况下，在某些实施例中被称为第一元件的元件在其他实施例中可以被称为第二元件。相同的参考标号或参考标记符表示相同的元件。因此，由于例如制造技术和/或容差的影响，图示形状可能存在偏差。因此，示例性实施例不应被解释为限于所示形状的区域，而应包括由例如制造导致的形状偏差。因此，图中所示区域实质上是示意的，形状不是为了描绘器件区域的实际形状，也不是为了限制示例性实施例的范围。

本实用新型的保护内容不局限于以上实施例。在不背离实用新型构思的精神和范围下，本领域技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本实用新型中，并且以所附的权利要求书为保护范围。

Claims (6)

1.一种ICP等离子体刻蚀机用耦合线圈，其特征在于，所述耦合线圈（3）包括至少一根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形逐圈向外扩展，形成螺旋线型结构的耦合线圈；所述螺旋线型结构包括：单平面螺旋结构、双平面螺旋结构或三个以上平面的多平面螺旋结构；根据不同的腔体结构选择螺旋线型，用于调节腔体中各区域的电磁场强度和均匀性；所述耦合线圈（3）上设置有形变控制点。

2.如权利要求1所述的耦合线圈，其特征在于，所述单平面螺旋结构的线圈为单根线圈，从线圈中心开始，按螺旋形方式逐圈向外扩展，各圈在同一个平面内。

3.如权利要求1所述的耦合线圈，其特征在于，所述双平面螺旋结构的线圈为两根线圈，两根线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内。

4.如权利要求1所述的耦合线圈，其特征在于，所述多平面螺旋结构的线圈为三根以上的线圈，三根以上线圈同时从线圈中心开始，按螺旋形方式交替逐圈向外扩展，各圈在同一平面内。

5.如权利要求1所述的耦合线圈，其特征在于，所述耦合线圈（3）的横截面形状包括三角形、矩形、椭圆形或正多边形；所述耦合线圈（3）通过螺距和圈数调节磁场均匀性。

6.如权利要求5所述的耦合线圈，其特征在于，所述椭圆形为圆形。