CN109461641A - 一种等离子刻蚀装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内，上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在刻蚀的整个过程中，既需要加热又需要冷却，由于在刻蚀时，离子要轰击硅片表面及其周边，使表面产生高温，这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大，加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围，在刻蚀开始时加热管路起主要作用，结束时冷却管路起主要作用。本发明通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。

Description

一种等离子刻蚀装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说是涉及一种等离子刻蚀装置。

背景技术

由于各种电器设备向着集成化、简单化的方向发展，因此对集成电路、集成光路以及各种固体电子器件的加工工艺要求越来越高。在集成元件的制造过程中，需要对硅片进行前清洗-涂覆(在硅片表面均匀涂上一层光刻胶)-烘干(使光刻胶的溶剂挥发，形成固体的PR层)-曝光(用紫外线照射，使被照射部分的光刻胶发生反应)-显影(用弱KOH溶液去除表面被照射部分的光刻胶)-坚膜-刻蚀，这样就制成了所需的集成元件，此工艺称为光刻工艺。

本发明主要涉及刻蚀这一步骤，等离子刻蚀是一种理想的加工工艺，属于干法刻蚀中最常见的一种形式，采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。

该方法的优势在于获得快速的刻蚀速率同时能获得良好的物理形貌。理想的刻蚀工艺要求能获得完整精细的图形，并且随着电子器件的高度集成化，尺寸要求已达到亚微米级别，因此刻蚀过程中需保证精确的结构和轮廓，并且避免出现明显的钻蚀现象，同时要求刻蚀均匀。

因此，如何提供一种刻蚀过程中保证精确结构和轮廓，并且避免钻蚀现象，同时要求刻蚀均匀的等离子刻蚀装置是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种等离子刻蚀装置，以解决上述背景技术部分所提到的问题，采用本发明的电极设计方式，通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内；所述上下电极运动装置包括传动杆和直线电机；

所述上电极由四个同心设置的环状电极构成，四个所述环状电极的上方分别对应连接有环形陶瓷片，所述环形陶瓷片分别通过连接杆连接有固定盘；四个所述环状电极由内而外依次为第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极；所述第一上电极上方对应设置的所述固定盘通过固定杆连接在所述真空腔体顶部；所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极上方对应设置的固定盘分别连接有所述传动杆，并且传动杆伸出至所述真空腔体顶板外与所述直线电机传动连接，使所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极能够上下移动，通过改变各圈电极与硅片的距离，使刻蚀反应更加均匀；所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极外侧均环绕有用于提供反应气体的上电极绝缘充气环，上电极绝缘充气环提供反应气体，还可以调整反应气体浓度，以便在刻蚀时使反应气体电离而形成的等离子体均匀与硅片表面发生反应；所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极内部均设置有上下布置的上电极加热管路和上电极冷却管路；

所述下电极包括移动下电极和固定下电极，所述移动下电极为U型结构且位于所述固定下电极内构成圆形的所述下电极，所述移动下电极和所述固定下电极通过导线连接，使其成为同电位；所述固定下电极周边设置下电极绝缘充气环；所述移动下电极和所述固定下电极内部均设置有上下布置的下电极加热管路和下电极冷却管路；所述固定下电极通过支架固定在所述真空腔体底板上；所述真空腔体底板设置有抽真空口，所述真空腔体底部设置有底座，所述移动下电极通过传动杆与所述真空腔体底座内的直线电机传动连接，使所述移动下电极能够上下移动，当需要放置硅片时，所述移动下电极下移，在所述固定下电极上形成缺口，所述缺口能够容纳托着硅片的机械手进入，使机械手托着硅片水平移动到所述固定下电极中心位置，然后机械手下移，使硅片落到所述固定下电极上，所述固定下电极对硅片进行支撑，机械手水平移动撤出，所述移动下电极上移，恢复到原来位置，所述移动下电极和所述固定下电极重新处于同一高度，与硅片完全接触。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极上连接的所述环形陶瓷片分别为第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片均通过三根所述连接杆与对应的所述固定盘连接。

所述第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片使对应的每个环状电极与上面各自对应的所述直线电机和所述传动杆实现完全电隔离。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片上方对应设置的所述固定盘分别为第一固定盘、第二固定盘、第三固定盘和第四固定盘，所述第二固定盘、第三固定盘和第四固定盘上方均连接有三根传动杆，并且每根传动杆分别传动连接有直线电机，驱动同一所述固定盘的直线电机同步运动。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极的所述上电极加热管路为环形布置的电热丝；所述移动下电极和所述固定下电极的所述下电极加热管路为波浪形布置的电热丝，所述上电极加热管路和所述下电极加热管路一侧均设置有温度传感器，四条所述上电极加热管路和两条所述下电极加热管路分别单独设置有PID控制器，四条所述上电极加热管路的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成上电极PID温度控制系统；两条所述下电极加热管路的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成下电极PID温度控制系统；，上电极PID温度控制系统和下电极PID温度控制系统构成上下电极PID温度控制系统，上电极PID温度控制系统和下电极PID温度控制系统能够实时反馈温度信息，以便及时调整温度，始终将温度保持在刻蚀所需的理想温度，保持电极在辉光放电时温度恒定，保证刻蚀精度，保证刻蚀均匀。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述上电极冷却管路和所述下电极冷却管路通过冷却液循环管路与所述真空腔体外的循环装置连通，构成上下电极冷却系统；

冷却液循环管路包括进液管和出液管，所述进液管和所述出液管均为聚四氟乙烯管，聚四氟乙烯管不易腐蚀，而且柔软易布置；所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极、移动下电极和固定下电极均连接有进液管和出液管，所述进液管从真空腔体一侧接入，所述出液管从真空腔体另一侧接出，并通过阀门控制。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环均通过供气管路与所述真空腔体外的气体供给装置连通，构成反应气体控制系统；

所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极和固定下电极分别连接有所述供气管路，所述供气管路从真空腔体一侧接入，并通过流量计控制，所述供气管路为聚四氟乙烯管。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环上均设置有气孔，所述上电极绝缘充气环的气孔朝下，所述下电极绝缘充气环的气孔朝上，刻蚀开始时，反应气体由气孔放出，参与刻蚀反应；所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环均为陶瓷材料制成的充气环，陶瓷材料制成的充气环在每个环状电极之间起到隔离作用，同时在刻蚀过程中不与反应气体发生反应。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极分别设置有独立的RF电源，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极分别与各自RF电源的负极电性连接，四个RF电源的正极均电性连接所述移动下电极和所述固定下电极，四个RF电源通过同步器控制实现同步工作，从而构成RF高频电源系统；各RF电源之间必须保证同步，保证相同的功率，若不同步，则各电源之间会产生放电现象，无法保证上下电极之间的正常放电，通过控制RF电源的功率可以控制刻蚀的反应速率。

优选的，在上述一种等离子刻蚀装置中，所述传动杆与所述真空腔体之间采用密封件进行动密封配合。

本发明等离子刻蚀过程如下：整个过程在真空腔体内进行。在开始时，移动下电极下移，真空腔体门打开，供物料放置机械手进入，物料放置机械手将硅片放于固定下电极上，物料放置机械手从真空腔体内推出，关闭真空腔体门，移动下电极上移恢复原位。上电极绝缘充气环和下电极绝缘充气环内充有反应气体，可以根据工艺要求调节反应气体浓度。反应气体在射频功率的激发下电离并形成等离子体，等离子体是由电子、离子以及活性反应基团组成。在刻蚀过程中，一个直流偏压会在等离子体和电极之间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附。最后，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，真空系统将废料及反应后剩余气体抽出真空腔体。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种等离子刻蚀装置，在刻蚀的整个过程中，既需要加热又需要冷却，由于在刻蚀时，离子要轰击硅片表面及其周边，使表面产生高温，这样在开始和结束时硅片表面温度变化比较大，加热管路和冷却管路使温度保持在一个稳定范围，在刻蚀开始时加热管路起主要作用，结束时冷却管路起主要作用。

本发明通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1附图为本发明结构示意图；

图2附图为上电极和下电极的布置方式图；

图3附图为上电极的剖视图；

图4附图为下电极的剖视图；

图5附图为上电极俯视图；

图6附图为下电极中下电极加热管路和下电极冷却管路的布置示意图；

图7附图为陶瓷片的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例公开了一种等离子刻蚀装置通过调节电极距离硅片的距离和RF电源的功率来控制磁场、电场的分布和大小，调节温度、反应气体浓度，有效实现刻蚀的均一性。

一种等离子刻蚀装置，包括：真空腔体1、上电极2、下电极3和上下电极运动装置；其中上电极2和下电极3均位于真空腔体1内；上下电极运动装置包括传动杆29和直线电机210；

上电极2由四个同心设置的环状电极构成，四个环状电极的上方分别对应连接有环形陶瓷片21，环形陶瓷片21分别通过连接杆22连接有固定盘23；四个环状电极由内而外依次为第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27；第一上电极24上方对应设置的固定盘23通过固定杆28连接在真空腔体1顶部；第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27上方对应设置的固定盘23分别连接有传动杆29，并且传动杆29伸出至真空腔体1顶板外与直线电机210传动连接，使第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27能够上下移动，通过改变各圈电极与硅片的距离，使刻蚀反应更加均匀；第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27外侧均环绕有用于提供反应气体的上电极绝缘充气环211，上电极绝缘充气环211提供反应气体，还可以调整反应气体浓度，以便在刻蚀时使反应气体电离而形成的等离子体均匀与硅片表面发生反应；第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27内部均设置有上下布置的上电极加热管路212和上电极冷却管路213；

下电极3包括移动下电极31和固定下电极32，移动下电极31为U型结构且位于固定下电极32内构成圆形的下电极3，移动下电极31和固定下电极32通过导线连接，使其成为同电位；固定下电极32周边设置下电极绝缘充气环33；移动下电极31和固定下电极32内部均设置有上下布置的下电极加热管路34和下电极冷却管路35；固定下电极32通过支架固定在真空腔体1底板上；真空腔体1底板设置有抽真空口11，真空腔体1底部设置有底座12，移动下电极31通过传动杆29与真空腔体1底座12内的直线电机210传动连接，使移动下电极31能够上下移动，当需要放置硅片时，移动下电极31下移，在固定下电极32上形成缺口，缺口能够容纳托着硅片的机械手进入，使机械手托着硅片水平移动到固定下电极32中心位置，然后机械手下移，使硅片落到固定下电极32上，固定下电极32对硅片进行支撑，机械手水平移动撤出，移动下电极31上移，恢复到原来位置，移动下电极31和固定下电极32重新处于同一高度，与硅片完全接触。

为了进一步优化上述技术方案，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27上连接的环形陶瓷片21分别为第一环形陶瓷片214、第二环形陶瓷片215、第三环形陶瓷片216和第四环形陶瓷片217。

为了进一步优化上述技术方案，第一环形陶瓷片214、第二环形陶瓷片215、第三环形陶瓷片216和第四环形陶瓷片217均通过三根连接杆22与对应的固定盘23连接。

第一环形陶瓷片214、第二环形陶瓷片215、第三环形陶瓷片216和第四环形陶瓷片217使对应的每个环状电极与上面各自对应的直线电机210和传动杆29实现完全电隔离.

为了进一步优化上述技术方案，第一环形陶瓷片214、第二环形陶瓷片215、第三环形陶瓷片216和第四环形陶瓷片217上方对应设置的固定盘23分别为第一固定盘218、第二固定盘219、第三固定盘220和第四固定盘221，第二固定盘219、第三固定盘220和第四固定盘221上方均连接有三根传动杆29，并且每根传动杆29分别传动连接有直线电机210，驱动同一固定盘23的直线电机210同步运动。

为了进一步优化上述技术方案，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27的上电极加热管路212为环形布置的电热丝；移动下电极31和固定下电极32的下电极加热管路34为波浪形布置的电热丝，上电极加热管路212和下电极加热管路34一侧均设置有温度传感器，四条上电极加热管路212和两条下电极加热管路34分别单独设置有PID控制器，四条上电极加热管路212的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成上电极PID温度控制系统；两条下电极加热管路34的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成下电极PID温度控制系统；上电极PID温度控制系统和下电极PID温度控制系统构成上下电极PID温度控制系统；上电极PID温度控制系统和下电极PID温度控制系统能够实时反馈温度信息，以便及时调整温度，始终将温度保持在刻蚀所需的理想温度，保持电极在辉光放电时温度恒定，保证刻蚀精度，保证刻蚀均匀。

为了进一步优化上述技术方案，上电极冷却管路213和下电极冷却管路35通过冷却液循环管路与真空腔体1外的循环装置连通，构成上下电极冷却系统；

冷却液循环管路包括进液管222和出液管223，进液管222和出液管223均为聚四氟乙烯管，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27、移动下电极31和固定下电极32均连接有进液管222和出液管223，进液管222从真空腔体1一侧接入，出液管223从真空腔体1另一侧接出，并通过阀门控制。

为了进一步优化上述技术方案，上电极绝缘充气环211与下电极绝缘充气环33均通过供气管路224与真空腔体1外的气体供给装置连通，构成反应气体控制系统；

第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27和固定下电极32分别连接有供气管路224，供气管路224从真空腔体1一侧接入，并通过流量计控制，供气管路224为聚四氟乙烯管。

为了进一步优化上述技术方案，上电极绝缘充气环211与下电极绝缘充气环33上均设置有气孔，上电极绝缘充气环211的气孔朝下，下电极绝缘充气环33的气孔朝上，刻蚀开始时，反应气体由气孔放出，参与刻蚀反应；上电极绝缘充气环211与下电极绝缘充气环33均为陶瓷材料制成的充气环，陶瓷材料制成的充气环在每个环状电极之间起到隔离作用，同时在刻蚀过程中不与反应气体发生反应。

为了进一步优化上述技术方案，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27分别设置有独立的RF电源，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27分别与各自RF电源的负极电性连接，四个RF电源的正极均电性连接移动下电极31和固定下电极32，四个RF电源通过同步器控制实现同步工作，从而构成RF高频电源系统；各RF电源之间必须保证同步，保证相同的功率，若不同步，则各电源之间会产生放电现象，无法保证上下电极3之间的正常放电，通过控制RF电源的功率可以控制刻蚀的反应速率。

为了进一步优化上述技术方案，传动杆29与真空腔体1之间采用密封件进行动密封配合。

为了进一步优化上述技术方案，第一上电极24、第二上电极25、第三上电极26和第四上电极27、移动下电极31和固定下电极32的电极材料选用金属钼，由于金属钼大量用作高温电炉的发热材料和结构材料、真空管的大型电极和栅极、半导体及电光源材料，不与反应气体发生刻蚀反应、耐腐蚀、导电导热，故选择将其作为电极材料。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置；其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内；所述上下电极运动装置包括传动杆和直线电机；

所述上电极由四个同心设置的环状电极构成，四个所述环状电极的上方分别对应连接有环形陶瓷片，所述环形陶瓷片分别通过连接杆连接有固定盘；四个所述环状电极由内而外依次为第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极；所述第一上电极上方对应设置的所述固定盘通过固定杆连接在所述真空腔体顶部；所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极上方对应设置的固定盘分别连接有所述传动杆，并且传动杆伸出至所述真空腔体顶板外与所述直线电机传动连接，使所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极能够上下移动；所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极外侧均环绕有用于提供反应气体的上电极绝缘充气环；所述第一上电极、第二上电极、第三上电极和第四上电极内部均设置有上下布置的上电极加热管路和上电极冷却管路；

所述下电极包括移动下电极和固定下电极，所述移动下电极为U型结构且位于所述固定下电极内构成圆形的所述下电极，所述移动下电极和所述固定下电极通过导线连接，使其成为同电位；所述固定下电极周边设置下电极绝缘充气环；所述移动下电极和所述固定下电极内部均设置有上下布置的下电极加热管路和下电极冷却管路；所述固定下电极通过支架固定在所述真空腔体底板上；所述真空腔体底板设置有抽真空口，所述真空腔体底部设置有底座，所述移动下电极通过传动杆与所述真空腔体底座内的直线电机传动连接，使所述移动下电极能够上下移动。

2.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极上连接的所述环形陶瓷片分别为第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片。

3.根据权利要求2所述的一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片均通过三根所述连接杆与对应的所述固定盘连接。

4.根据权利要求3所述的一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一环形陶瓷片、第二环形陶瓷片、第三环形陶瓷片和第四环形陶瓷片上方对应设置的所述固定盘分别为第一固定盘、第二固定盘、第三固定盘和第四固定盘，所述第二固定盘、第三固定盘和第四固定盘上方均连接有三根传动杆，并且每根传动杆分别传动连接有直线电机，驱动同一所述固定盘的直线电机同步运动。

5.根据权利要求4所述的一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极的所述上电极加热管路为环形布置的电热丝；所述移动下电极和所述固定下电极的所述下电极加热管路为波浪形布置的电热丝，所述上电极加热管路和所述下电极加热管路一侧均设置有温度传感器，四条所述上电极加热管路和两条所述下电极加热管路分别单独设置有PID控制器，四条所述上电极加热管路的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成上电极PID温度控制系统；两条所述下电极加热管路的温度传感器和电源线分别与对应的PID控制器电性连接构成下电极PID温度控制系统，所述上电极PID温度控制系统和所述下电极PID温度控制系统构成上下电极PID温度控制系统。

6.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上电极冷却管路和所述下电极冷却管路通过冷却液循环管路与所述真空腔体外的循环装置连通，构成上下电极冷却系统。

7.根据权利要求1一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环均通过供气管路与所述真空腔体外的气体供给装置连通，构成反应气体控制系统。

8.根据权利要求1一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环上均设置有气孔，所述上电极绝缘充气环的气孔朝下，所述下电极绝缘充气环的气孔朝上，刻蚀开始时，反应气体由气孔放出，参与刻蚀反应；所述上电极绝缘充气环与所述下电极绝缘充气环均为陶瓷材料制成的充气环，陶瓷材料制成的充气环在每个环状电极之间起到隔离作用，同时在刻蚀过程中不与反应气体发生反应。

9.根据权利要求1一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极分别设置有独立的RF电源，所述第一上电极、所述第二上电极、所述第三上电极和所述第四上电极分别与各自RF电源的负极电性连接，四个RF电源的正极均电性连接所述移动下电极和所述固定下电极，四个RF电源通过同步器控制实现同步工作，从而构成RF高频电源系统。

10.根据权利要求1一种等离子刻蚀装置，其特征在于，所述传动杆与所述真空腔体之间采用密封件进行动密封配合。