CN219676128U - 一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电路设计技术领域，具体为一种应用于WiFi‑FEM的超低功耗三态输入检测电路，包括：Vin端、电阻R1、电阻R2、VDD端、晶体管P1、晶体管P2、电阻R3、与非门N1；Vin端连接与非门N1的B输入端；Vin端还通过电阻R1连接VDD端，通过电阻R2连接晶体管P1的漏极，晶体管P1的源极连接VDD端，晶体管P1的栅极连接晶体管P2的栅极，且晶体管P1的栅极与漏极短接；晶体管P2的源极连接VDD端，晶体管P2的漏极通过电阻R3接地，且电平输出端X连接晶体管P2的漏极，与非门N1的A输入端连接晶体管P2的漏极，与非门N1的输出端连接电平输出端Y。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域，具体为一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路。
背景技术
WiFi-FEM指的是用于WiFi通信的射频前端模组，在WiFi-FEM中，一个输入控制电平状态包含高电平、低电平和高阻态（悬浮状态）三种控制逻辑电平状态，简称三态，分别对应WiFi-FEM的TX工作状态，RX工作状态和Standby工作状态。电路设计时，需要设计一个输入检测电路来确定输入控制电平处于高电平、低电平还是高阻态。
如图1所示，其显示的是现有技术中的三态输入检测电路，输入高电平要大于VDD-VTHP1，其中VDD为电源电压，VTHTP1为晶体管P1的阈值电压，且高阻态时R1和R2有电流，N1和P1都处于开启状态，功耗较大。换言之，如果输入检测高电平小于VDD-VTHP1，或要求高阻态的功耗极低，传统的三态输入检测电路就无法满足需求了，特别是在WiFi-FEM的应用中，高阻态（Standby工作状态）时，一般要求电路为超低功耗。鉴于此，亟需提出一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，包括：Vin端、电阻R1、电阻R2、VDD端、晶体管P1、晶体管P2、电阻R3、与非门N1、电平输出端X、电平输出端Y；
所述Vin端连接所述与非门N1的B输入端；
所述Vin端还通过电阻R1连接所述VDD端，通过电阻R2连接所述晶体管P1的漏极，所述晶体管P1的源极连接所述VDD端，所述晶体管P1的栅极连接所述晶体管P2的栅极，且所述晶体管P1的栅极与漏极短接；
所述晶体管P2的源极连接所述VDD端，所述晶体管P2的漏极通过所述电阻R3接地，且所述电平输出端X连接所述晶体管P2的漏极，所述与非门N1的A输入端连接所述晶体管P2的漏极，所述与非门N1的输出端连接所述电平输出端Y。
其中，所述晶体管P1、晶体管P2均为PMOS晶体管。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，高阻态时，由于晶体管P1和晶体管P2管均处于关断状态，检测电路此时功耗极低；同时，Vin端输入高电平小于VDD-VTHP1时，该电路依然可以正常工作。
附图说明
图1为现有技术中三态输入检测电路原理图；
图2为本实用新型的三态输入检测电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，如图2所示，包括：Vin端、电阻R1、电阻R2、VDD端、晶体管P1、晶体管P2、电阻R3、与非门N1、电平输出端X、电平输出端Y；
Vin端连接与非门N1的B输入端连接；
Vin端还通过电阻R1连接VDD端，通过电阻R2连接晶体管P1的漏极，晶体管P1的源极连接VDD端，晶体管P1的栅极连接晶体管P2的栅极，且晶体管P1的栅极与漏极短接；
晶体管P2的源极连接VDD端，晶体管P2的漏极通过电阻R3接地，且电平输出端X连接晶体管P2的漏极，与非门N1的A输入端连接晶体管P2的漏极，与非门N1的输出端连接电平输出端Y，其中，晶体管P1、晶体管P2均为PMOS晶体管。
工作原理：
如图2所示，
当Vin端输入为高阻态时，Vin端被拉到VDD端，晶体管P1关断，从而晶体管P2也关断，电平输出端X输出电压为低电平，电平输出端Y输出电压为高电平；
Vin端输入为高电平（该高电平需要小于VDD-VTHP1，其中，VDD为电源电压，VTHTP1为晶体管P1的阈值电压，即为输入的高电平需要小于电源电压与晶体管P1的阈值电压之差）或低电平时，晶体管P1开启，从而晶体管P2也开启，电平输出端X输出电压为高电平，电平输出端Y输出电压为低电平或高电平；这样就实现了三态输入检测的功能。
因此，高阻态时，由于晶体管P1和晶体管P2管均处于关断状态，检测电路此时功耗极低；同时，Vin端输入高电平小于VDD-VTHP1时，该电路依然可以正常工作。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (2)
1.一种应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，其特征在于：包括：Vin端、电阻R1、电阻R2、VDD端、晶体管P1、晶体管P2、电阻R3、与非门N1、电平输出端X、电平输出端Y；
所述Vin端连接所述与非门N1的B输入端；
所述Vin端还通过电阻R1连接所述VDD端，通过电阻R2连接所述晶体管P1的漏极，所述晶体管P1的源极连接所述VDD端，所述晶体管P1的栅极连接所述晶体管P2的栅极，且所述晶体管P1的栅极与漏极短接；
所述晶体管P2的源极连接所述VDD端，所述晶体管P2的漏极通过所述电阻R3接地，且所述电平输出端X连接所述晶体管P2的漏极，所述与非门N1的A输入端连接所述晶体管P2的漏极，所述与非门N1的输出端连接所述电平输出端Y。
2.根据权利要求1所述的应用于WiFi-FEM的超低功耗三态输入检测电路，其特征在于：所述晶体管P1、晶体管P2均为PMOS晶体管。
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- 2023-05-18 CN CN202321204050.2U patent/CN219676128U/zh active Active
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