CN219643893U - 一种驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种驱动电路，涉及数字式频率合成技术领域。电路包括DDS电路、脉冲输出控制电路和包含一个MOS管的MOS驱动电路；DDS电路的信号输入端连接单片机，输出端连接脉冲输出控制电路的输入端，用于输出方波信号至脉冲输出控制电路；脉冲输出控制电路的信号输入端连接单片机，输出端连接MOS驱动电路的输入端，用于根据方波信号输出脉冲方波信号至MOS驱动电路；MOS驱动电路的输出端连接压电陶瓷，用于根据脉冲方波信号导通MOS管，以为压电陶瓷供电。由此可知，上述方案提供的压电陶瓷的驱动电路仅使用了一个MOS管，简化了驱动电路结构，极大地减少了MOS管发热量，提高了驱动效率，减少无功功率和硬件成本。

Description

一种驱动电路

技术领域

本实用新型涉及数字式频率合成技术领域，特别是涉及一种驱动电路。

背景技术

压电陶瓷是一种能够将机械能和电能互相转换的信息功能陶瓷材料。压电陶瓷除具有压电性外，还具有介电性、弹性等，已被广泛应用于医学成像、声传感器、声换能器、超声马达等技术领域。

目前，现有的压电陶瓷的驱动电路中包含多个MOS管，例如由双MOS管构成的半桥驱动电路，在该电路中分别通过两个信号对应控制两个MOS管双向交替导通，相当于对压电陶瓷施加一个交流电。然而在实际应用中由多MOS管组成的驱动电路占用的版图面积较大且成本较高，不但影响驱动效率，还增加了无功功率和发热量。

鉴于上述问题，如何减小压电陶瓷驱动电路的版图面积、简化驱动电路、提高驱动效率并减少无功功率和发热量，是该领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种驱动电路，以减小压电陶瓷驱动电路的版图面积、简化驱动电路、提高驱动效率并减少无功功率和发热量。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种驱动电路，包括：DDS电路、脉冲输出控制电路和MOS驱动电路；其中，所述MOS驱动电路中包含MOS管，所述MOS管的漏极连接电源，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的栅极为脉冲方波信号输入端，所述MOS管设置于电源与所述MOS驱动电路的输出端之间；

所述DDS电路的信号输入端连接单片机，所述DDS电路的输出端连接所述脉冲输出控制电路的输入端，用于输出方波信号至所述脉冲输出控制电路；

所述脉冲输出控制电路的信号输入端连接所述单片机，所述脉冲输出控制电路的输出端连接所述MOS驱动电路的输入端，用于根据所述方波信号输出脉冲方波信号至所述MOS驱动电路；

所述MOS驱动电路的输出端连接压电陶瓷，用于通过所述MOS管的栅极接收所述脉冲方波信号，以导通所述MOS管为所述压电陶瓷供电。

优选地，所述DDS电路包括：正弦波生成电路和电压比较电路；

所述正弦波生成电路的输出端连接所述电压比较电路的输入端，用于输出正弦信号至所述电压比较电路；

所述电压比较电路用于根据所述正弦信号输出所述方波信号；

其中，所述正弦波生成电路的信号输入端作为所述DDS电路的信号输入端，所述电压比较电路的输出端作为所述DDS电路的输出端。

优选地，所述正弦波生成电路包括：数字频率合成芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、晶振芯片和第一电阻；

所述数字频率合成芯片的第一引脚连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接电源；所述数字频率合成芯片的第二引脚连接所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端和电源，所述第二电容的第二端和所述第三电容的第二端接地；所述数字频率合成芯片的第三引脚连接所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端，所述第四电容的第二端和所述第五电容的第二端接地；所述数字频率合成芯片的第四引脚接地；所述数字频率合成芯片的第五引脚连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述晶振芯片的第一引脚，所述晶振芯片的第二引脚接地，所述晶振芯片的第三引脚连接电源；所述数字频率合成芯片的第九引脚接地；

其中，所述数字频率合成芯片的第六引脚、第七引脚和第八引脚共同作为所述正弦波生成电路的信号输入端，所述数字频率合成芯片的第十引脚作为所述正弦波生成电路的输出端。

优选地，所述电压比较电路包括：放大器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容和第七电容；

所述放大器的同相输入端连接所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端接地；所述放大器的反相输入端连接所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述第五电阻的第二端连接所述第六电阻的第一端；所述放大器的输出端连接所述第六电阻的第二端和所述第六电容的第一端，所述第六电容的第二端连接所述第七电容的第一端；所述第七电容的第二端接地；

其中，所述第二电阻的第二端作为所述电压比较电路的输入端，所述第六电容的第二端作为所述电压比较电路的输出端。

优选地，所述脉冲输出控制电路包括：与门芯片和第七电阻；

所述与门芯片的第一引脚连接所述第七电阻的第一端；所述与门芯片的第二引脚连接电源；所述与门芯片的第三引脚接地；

其中，所述第七电阻的第二端作为所述脉冲输出控制电路的输入端；所述与门芯片的第四引脚作为所述脉冲输出控制电路的信号输入端；所述与门芯片的第五引脚作为所述脉冲输出控制电路的输出端。

优选地，所述MOS驱动电路包括：栅极驱动电路和供电电路；其中，所述供电电路包含所述MOS管；

所述栅极驱动电路的输入端作为所述MOS驱动电路的输入端；所述栅极驱动电路的输出端连接所述供电电路的输入端；所述供电电路的输出端作为所述MOS驱动电路的输出端。

优选地，所述栅极驱动电路包括：栅极驱动芯片、第八电阻和第八电容；

所述栅极驱动芯片的第一引脚连接所述第八电阻的第一端、所述第八电容的第一端和所述栅极驱动芯片的第二引脚；所述第八电容的第二端和所述栅极驱动芯片的第三引脚接地；所述栅极驱动芯片的第四引脚连接电源；所述栅极驱动芯片的第五引脚和所述栅极驱动芯片的第六引脚连接；

其中，所述第八电阻的第二端作为所述栅极驱动电路的输入端；所述栅极驱动芯片的第五引脚作为所述栅极驱动电路的输出端。

优选地，所述供电电路包括：所述MOS管、第九电阻、第十电阻、第九电容、第一电感和阻抗匹配电路；

所述MOS管的栅极连接所述第九电阻的第一端和所述第九电容的第一端，所述第九电容的第二端接地；所述MOS管的源极连接所述第十电阻的第一端，所述第十电阻的第二端接地；所述MOS管的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接电源；所述阻抗匹配电路的第一输入端连接所述第一电感的第一端，所述阻抗匹配电路的第二输入端接地；

其中，所述第九电阻的第二端作为所述供电电路的输入端，所述阻抗匹配电路的第一输出端和所述阻抗匹配电路的第二输出端共同作为所述供电电路的输出端。

优选地，所述阻抗匹配电路包括：第二电感、第十电容、第十一电容和第十二电容；

所述第二电感的第一端连接所述第十电容的第一端和所述第十一电容的第一端，所述第十一电容的第二端接地；所述第二电感的第二端连接所述第十二电容的第一端，所述第十二电容的第二端接地；

其中，所述第十电容的第二端作为所述阻抗匹配电路的第一输入端，所述第十一电容的第二端作为所述阻抗匹配电路的第二输入端，所述第二电感的第二端作为所述阻抗匹配电路的第一输出端，所述第十二电容的第二端作为所述阻抗匹配电路的第二输出端。

优选地，所述MOS管为NMOS管。

本实用新型所提供的驱动电路，包括DDS电路、脉冲输出控制电路和MOS驱动电路；其中，MOS驱动电路中包含MOS管，MOS管的漏极连接电源，MOS管的源极接地，MOS管的栅极为脉冲方波信号输入端，MOS管设置于电源与MOS驱动电路的输出端之间；DDS电路的信号输入端连接单片机，DDS电路的输出端连接脉冲输出控制电路的输入端，用于输出方波信号至脉冲输出控制电路；脉冲输出控制电路的信号输入端连接单片机，脉冲输出控制电路的输出端连接MOS驱动电路的输入端，用于根据方波信号输出脉冲方波信号至MOS驱动电路；MOS驱动电路的输出端连接压电陶瓷，用于通过MOS管的栅极接收脉冲方波信号，以导通MOS管为压电陶瓷供电。由此可知，上述方案提供的压电陶瓷的驱动电路仅使用了一个MOS管，并通过一个脉冲方波信号实现了MOS管的驱动，简化了驱动电路结构，极大地减少了MOS管发热量，提高了驱动效率，减少无功功率和硬件成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种驱动电路的示意图；

图2为本申请实施例提供的一种DDS电路的电路图；

图3为本申请实施例提供的一种脉冲输出控制电路的电路图；

图4为本申请实施例提供的一种MOS驱动电路的电路图。

其中，10为DDS电路，11为脉冲输出控制电路，12为MOS驱动电路，100为正弦波生成电路，101为电压比较电路，120为栅极驱动电路，121为供电电路，123为阻抗匹配电路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。

本实用新型的核心是提供一种驱动电路，以减小压电陶瓷驱动电路的版图面积、简化驱动电路、提高驱动效率并减少无功功率和发热量。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

图1为本申请实施例提供的一种驱动电路的示意图。如图1所示，驱动电路包括：DDS电路10、脉冲输出控制电路11和MOS驱动电路12；其中，MOS驱动电路12中包含MOS管，MOS管的漏极连接电源，MOS管的源极接地，MOS管的栅极为脉冲方波信号输入端，MOS管设置于电源与MOS驱动电路12的输出端之间；

DDS电路10的信号输入端连接单片机，DDS电路10的输出端连接脉冲输出控制电路11的输入端，用于输出方波信号至脉冲输出控制电路11；

脉冲输出控制电路11的信号输入端连接单片机，脉冲输出控制电路11的输出端连接MOS驱动电路12的输入端，用于根据方波信号输出脉冲方波信号至MOS驱动电路12；

MOS驱动电路12的输出端连接压电陶瓷，用于通过MOS管的栅极接收脉冲方波信号，以导通MOS管为压电陶瓷供电。

可以理解的是，在具体实施中，DDS电路10能够受单片机的控制，调整输出的方波信号的频率和幅值；脉冲输出控制电路11同样能够受单片机的控制，调整输出的脉冲方波信号的断续周期及占空比。本实施例中对于DDS电路10输出的方波信号的具体幅值大小不做限制，根据具体的实施情况而定；对于脉冲输出控制电路11输出的脉冲方波信号的断续周期和占空比也不做限制，根据具体的实施情况而定。

当MOS驱动电路12接收到脉冲输出控制电路11输出的脉冲方波信号后，能够根据脉冲方波信号导通电路中的MOS管。可以理解的是，该MOS管起到开关的作用。当MOS管导通时，MOS驱动电路12提供能量驱动压电陶瓷。

需要注意的是，本实施例中对于DDS电路10、脉冲输出控制电路11和MOS驱动电路12的具体的电路结构均不做限制，根据具体的实施情况而定。

本实施例中，驱动电路包括DDS电路、脉冲输出控制电路和MOS驱动电路；其中，MOS驱动电路中包含MOS管，MOS管的漏极连接电源，MOS管的源极接地，MOS管的栅极为脉冲方波信号输入端，MOS管设置于电源与MOS驱动电路的输出端之间；DDS电路的信号输入端连接单片机，DDS电路的输出端连接脉冲输出控制电路的输入端，用于输出方波信号至脉冲输出控制电路；脉冲输出控制电路的信号输入端连接单片机，脉冲输出控制电路的输出端连接MOS驱动电路的输入端，用于根据方波信号输出脉冲方波信号至MOS驱动电路；MOS驱动电路的输出端连接压电陶瓷，用于通过MOS管的栅极接收脉冲方波信号，以导通MOS管为压电陶瓷供电。由此可知，上述方案提供的压电陶瓷的驱动电路仅使用了一个MOS管，并通过一个脉冲方波信号实现了MOS管的驱动，简化了驱动电路结构，极大地减少了MOS管发热量，提高了驱动效率，减少无功功率和硬件成本。

图2为本申请实施例提供的一种DDS电路的电路图。在上述实施例的基础上，作为一种优选的实施例，如图2所示，DDS电路10包括：正弦波生成电路100和电压比较电路101；

正弦波生成电路100的输出端连接电压比较电路101的输入端，用于输出正弦信号至电压比较电路101；

电压比较电路101用于根据正弦信号输出方波信号；

其中，正弦波生成电路100的信号输入端作为DDS电路10的信号输入端，电压比较电路101的输出端作为DDS电路10的输出端。

可以理解的是，正弦波生成电路100的信号输入端作为DDS电路10的信号输入端连接单片机，受单片机控制生成固定频率的正弦信号。在具体实施中可通过单片机调整正弦信号的输出频率和幅值。进一步将正弦信号传输至电压比较电路101中，能够得到固定幅值的方波信号。

需要注意的是，本实施例中对于正弦波生成电路100和电压比较电路101的具体电路结构均不做限制，根据具体的实施情况而定。

作为一种优选的实施例，如图2所示，正弦波生成电路100包括：数字频率合成芯片U1、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、晶振芯片U2和第一电阻R1；

数字频率合成芯片U1的第一引脚连接第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端连接电源；数字频率合成芯片U1的第二引脚连接第二电容C2的第一端、第三电容C3的第一端和电源，第二电容C2的第二端和第三电容C3的第二端接地；数字频率合成芯片U1的第三引脚连接第四电容C4的第一端和第五电容C5的第一端，第四电容C4的第二端和第五电容C5的第二端接地；数字频率合成芯片U1的第四引脚接地；数字频率合成芯片U1的第五引脚连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接晶振芯片U2的第一引脚，晶振芯片U2的第二引脚接地，晶振芯片U2的第三引脚连接电源；数字频率合成芯片U1的第九引脚接地；

其中，数字频率合成芯片U1的第六引脚、第七引脚和第八引脚共同作为正弦波生成电路100的信号输入端，数字频率合成芯片U1的第十引脚作为正弦波生成电路100的输出端。

数字频率合成芯片，即DDS(Direct Digital Synthesizer)芯片。DDS芯片中主要包括频率控制寄存器、高速相位累加器和正弦计算器三个部分。频率控制寄存器可以串行或并行的方式装载并寄存用户输入的频率控制码；而相位累加器根据频率控制码在每个时钟周期内进行相位累加，得到一个相位值；正弦计算器则对该相位值计算数字化正弦波幅度(芯片一般通过查表得到)。DDS芯片输出的一般是数字化的正弦波，因此还需经过高速D/A转换器和低通滤波器才能得到一个可用的模拟频率信号。与传统的频率合成器相比，DDS芯片具有低成本、低功耗、高分辨率和快速转换时间等优点，广泛使用在电信与电子仪器领域，是实现设备全数字化的一个关键技术。

需要注意的是，本实施例中对于正弦波生成电路100中各器件的具体型号不做限制，根据具体的实施情况而定。优选地，在本实施例中，数字频率合成芯片U1的型号可选择具有28位频率寄存器的AD9833，结合其外围电路输出固定频率的正弦信号。

作为一种优选的实施例，如图2所示，电压比较电路101包括：放大器U3、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第六电容C6和第七电容C7；

放大器U3的同相输入端连接第二电阻R2的第一端和第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的第二端接地；放大器U3的反相输入端连接第四电阻R4的第一端和第五电阻R5的第一端，第四电阻R4的第二端接地，第五电阻R5的第二端连接第六电阻R6的第一端；放大器U3的输出端连接第六电阻R6的第二端和第六电容C6的第一端，第六电容C6的第二端连接第七电容C7的第一端；第七电容C7的第二端接地；

其中，第二电阻R2的第二端作为电压比较电路101的输入端，第六电容C6的第二端作为电压比较电路101的输出端。

本实施例中对于电压比较电路101中各器件的具体型号不做限制，根据具体的实施情况而定。优选地，在本实施例中放大器U3的型号可选择RS8752，结合其外围电路输出固定幅值的方波信号。

图3为本申请实施例提供的一种脉冲输出控制电路的电路图。在上述实施例的基础上，作为一种优选的实施例，如图3所示，脉冲输出控制电路11包括：与门芯片U4和第七电阻R7；

与门芯片U4的第一引脚连接第七电阻R7的第一端；与门芯片U4的第二引脚连接电源；与门芯片U4的第三引脚接地；

其中，第七电阻R7的第二端作为脉冲输出控制电路11的输入端；与门芯片U4的第四引脚作为脉冲输出控制电路11的信号输入端；与门芯片U4的第五引脚作为脉冲输出控制电路11的输出端。

本实施例中，对于脉冲输出控制电路11中各器件的具体信号不做限制，根据具体的实施情况而定。优选地，与门芯片U4的型号可选择74HC08D。

需要注意的是，在图3中与门芯片U4的第一引脚为1Y引脚，与门芯片U4的第二引脚为VCC引脚，与门芯片U4的第三引脚为GND引脚，与门芯片U4的第四引脚为1B引脚，与门芯片U4的第五引脚为1A引脚。与门芯片U4通过第四引脚，即1B引脚连接单片机，受单片机的控制通过1A引脚输出脉冲方波信号；而优选地，脉冲方波信号的断续周期可设置为40Ms，占空比分20挡可调。

图4为本申请实施例提供的一种MOS驱动电路的电路图。在上述实施例的基础上，作为一种优选的实施例，如图4所示，MOS驱动电路12包括：栅极驱动电路120和供电电路121；其中，供电电路121包含MOS管；

栅极驱动电路120的输入端作为MOS驱动电路12的输入端；栅极驱动电路120的输出端连接供电电路121的输入端；供电电路121的输出端作为MOS驱动电路12的输出端。

可以理解的是，在本实施例中MOS管设置于供电电路121中，栅极驱动电路120的作用是驱动该MOS管导通，从而通过供电电路121为压电陶瓷提供能量。

作为一种优选的实施例，如图4所示，栅极驱动电路120包括：栅极驱动芯片U5、第八电阻R8和第八电容C8；

栅极驱动芯片U5的第一引脚连接第八电阻R8的第一端、第八电容C8的第一端和栅极驱动芯片U5的第二引脚；第八电容C8的第二端和栅极驱动芯片U5的第三引脚接地；栅极驱动芯片U5的第四引脚连接电源；栅极驱动芯片U5的第五引脚和栅极驱动芯片U5的第六引脚连接；

其中，第八电阻R8的第二端作为栅极驱动电路120的输入端；栅极驱动芯片U5的第五引脚作为栅极驱动电路120的输出端。

本实施例中对于栅极驱动电路120中各器件的具体型号不做限制，根据具体的实施情况而定。当栅极驱动电路120接收到脉冲方波信号后，能够进行电平转换，调整脉冲方波信号的幅值，例如将其幅值由3.3V转为12V输出，以作为MOS管的开关信号驱动供电电路121中的MOS管。

进一步地，作为一种优选的实施例，如图4所示，供电电路121包括：MOS管Q1、第九电阻R9、第十电阻R10、第九电容C9、第一电感L1和阻抗匹配电路123；

MOS管Q1的栅极连接第九电阻R9的第一端和第九电容C9的第一端，第九电容C9的第二端接地；MOS管Q1的源极连接第十电阻R10的第一端，第十电阻R10的第二端接地；MOS管Q1的漏极连接第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端连接电源；阻抗匹配电路123的第一输入端连接第一电感L1的第一端，阻抗匹配电路123的第二输入端接地；

其中，第九电阻R9的第二端作为供电电路121的输入端，阻抗匹配电路123的第一输出端和阻抗匹配电路123的第二输出端共同作为供电电路121的输出端。

本实施例中对于供电电路121中各器件的具体型号不做限制，根据具体的实施情况而定。优选地，MOS管Q1可为NMOS管，具体型号可选择为IRF640N。在图4中，当MOS管Q1受脉冲方波信号驱动导通后，电源经过第一电感L1接入MOS管Q1的漏极，经过阻抗匹配电路123为压电陶瓷提供所需能量。可以理解的是，此处电源为直流电源，直流电源输出的电压大小可决定输出功率上限。

需要注意的是，阻抗匹配电路123用于匹配压电陶瓷片的最佳谐振点，以使压电陶瓷工作于最佳谐振点。本实施例中对于阻抗匹配电路123的具体结构不做限制，根据具体的实施情况而定。

作为一种优选的实施例，如图4所示，阻抗匹配电路123包括：第二电感L2、第十电容C10、第十一电容C11和第十二电容C12；

第二电感L2的第一端连接第十电容C10的第一端和第十一电容C11的第一端，第十一电容C11的第二端接地；第二电感L2的第二端连接第十二电容C12的第一端，第十二电容C12的第二端接地；

其中，第十电容C10的第二端作为阻抗匹配电路123的第一输入端，第十一电容C11的第二端作为阻抗匹配电路123的第二输入端，第二电感L2的第二端作为阻抗匹配电路123的第一输出端，第十二电容C12的第二端作为阻抗匹配电路123的第二输出端。

在本实施例中，通过阻抗匹配电路实现了压电陶瓷最佳谐振点的匹配，保证了压电陶瓷的正常工作。

以上对本实用新型所提供的一种驱动电路进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种驱动电路，其特征在于，包括：DDS电路(10)、脉冲输出控制电路(11)和MOS驱动电路(12)；其中，所述MOS驱动电路(12)中包含MOS管，所述MOS管的漏极连接电源，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的栅极为脉冲方波信号输入端，所述MOS管设置于电源与所述MOS驱动电路(12)的输出端之间；

所述DDS电路(10)的信号输入端连接单片机，所述DDS电路(10)的输出端连接所述脉冲输出控制电路(11)的输入端，用于输出方波信号至所述脉冲输出控制电路(11)；

所述脉冲输出控制电路(11)的信号输入端连接所述单片机，所述脉冲输出控制电路(11)的输出端连接所述MOS驱动电路(12)的输入端，用于根据所述方波信号输出脉冲方波信号至所述MOS驱动电路(12)；

所述MOS驱动电路(12)的输出端连接压电陶瓷，用于通过所述MOS管的栅极接收所述脉冲方波信号，以导通所述MOS管为所述压电陶瓷供电。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述DDS电路(10)包括：正弦波生成电路(100)和电压比较电路(101)；

所述正弦波生成电路(100)的输出端连接所述电压比较电路(101)的输入端，用于输出正弦信号至所述电压比较电路(101)；

所述电压比较电路(101)用于根据所述正弦信号输出所述方波信号；

其中，所述正弦波生成电路(100)的信号输入端作为所述DDS电路(10)的信号输入端，所述电压比较电路(101)的输出端作为所述DDS电路(10)的输出端。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述正弦波生成电路(100)包括：数字频率合成芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、晶振芯片和第一电阻；

所述数字频率合成芯片的第一引脚连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接电源；所述数字频率合成芯片的第二引脚连接所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端和电源，所述第二电容的第二端和所述第三电容的第二端接地；所述数字频率合成芯片的第三引脚连接所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端，所述第四电容的第二端和所述第五电容的第二端接地；所述数字频率合成芯片的第四引脚接地；所述数字频率合成芯片的第五引脚连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述晶振芯片的第一引脚，所述晶振芯片的第二引脚接地，所述晶振芯片的第三引脚连接电源；所述数字频率合成芯片的第九引脚接地；

其中，所述数字频率合成芯片的第六引脚、第七引脚和第八引脚共同作为所述正弦波生成电路(100)的信号输入端，所述数字频率合成芯片的第十引脚作为所述正弦波生成电路(100)的输出端。

4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述电压比较电路(101)包括：放大器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容和第七电容；

所述放大器的同相输入端连接所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端接地；所述放大器的反相输入端连接所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述第五电阻的第二端连接所述第六电阻的第一端；所述放大器的输出端连接所述第六电阻的第二端和所述第六电容的第一端，所述第六电容的第二端连接所述第七电容的第一端；所述第七电容的第二端接地；

其中，所述第二电阻的第二端作为所述电压比较电路(101)的输入端，所述第六电容的第二端作为所述电压比较电路(101)的输出端。

5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述脉冲输出控制电路(11)包括：与门芯片和第七电阻；

所述与门芯片的第一引脚连接所述第七电阻的第一端；所述与门芯片的第二引脚连接电源；所述与门芯片的第三引脚接地；

其中，所述第七电阻的第二端作为所述脉冲输出控制电路(11)的输入端；所述与门芯片的第四引脚作为所述脉冲输出控制电路(11)的信号输入端；所述与门芯片的第五引脚作为所述脉冲输出控制电路(11)的输出端。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS驱动电路(12)包括：栅极驱动电路(120)和供电电路(121)；其中，所述供电电路(121)包含所述MOS管；

所述栅极驱动电路(120)的输入端作为所述MOS驱动电路(12)的输入端；所述栅极驱动电路(120)的输出端连接所述供电电路(121)的输入端；所述供电电路(121)的输出端作为所述MOS驱动电路(12)的输出端。

7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路(120)包括：栅极驱动芯片、第八电阻和第八电容；

所述栅极驱动芯片的第一引脚连接所述第八电阻的第一端、所述第八电容的第一端和所述栅极驱动芯片的第二引脚；所述第八电容的第二端和所述栅极驱动芯片的第三引脚接地；所述栅极驱动芯片的第四引脚连接电源；所述栅极驱动芯片的第五引脚和所述栅极驱动芯片的第六引脚连接；

其中，所述第八电阻的第二端作为所述栅极驱动电路(120)的输入端；所述栅极驱动芯片的第五引脚作为所述栅极驱动电路(120)的输出端。

8.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述供电电路(121)包括：所述MOS管、第九电阻、第十电阻、第九电容、第一电感和阻抗匹配电路(123)；

所述MOS管的栅极连接所述第九电阻的第一端和所述第九电容的第一端，所述第九电容的第二端接地；所述MOS管的源极连接所述第十电阻的第一端，所述第十电阻的第二端接地；所述MOS管的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接电源；所述阻抗匹配电路(123)的第一输入端连接所述第一电感的第一端，所述阻抗匹配电路(123)的第二输入端接地；

其中，所述第九电阻的第二端作为所述供电电路(121)的输入端，所述阻抗匹配电路(123)的第一输出端和所述阻抗匹配电路(123)的第二输出端共同作为所述供电电路(121)的输出端。

9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述阻抗匹配电路(123)包括：第二电感、第十电容、第十一电容和第十二电容；

所述第二电感的第一端连接所述第十电容的第一端和所述第十一电容的第一端，所述第十一电容的第二端接地；所述第二电感的第二端连接所述第十二电容的第一端，所述第十二电容的第二端接地；

其中，所述第十电容的第二端作为所述阻抗匹配电路(123)的第一输入端，所述第十一电容的第二端作为所述阻抗匹配电路(123)的第二输入端，所述第二电感的第二端作为所述阻抗匹配电路(123)的第一输出端，所述第十二电容的第二端作为所述阻抗匹配电路(123)的第二输出端。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。