CN219637335U - 一种新型粉末化学气相镀膜装置 - Google Patents

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CN219637335U CN202320917988.2U CN202320917988U CN219637335U CN 219637335 U CN219637335 U CN 219637335U CN 202320917988 U CN202320917988 U CN 202320917988U CN 219637335 U CN219637335 U CN 219637335U
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刘彦峰
赖海斌
陈斌
林秀芳
王韫宇
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Abstract

本实用新型提供一种新型粉末化学气相镀膜装置,该装置包括反应器和搅拌器;所述反应器设有内部反应腔以及输送粉末颗粒的进料管路和出料管路;所述搅拌器包括动力件以及与动力件相连接的搅拌组件,所述搅拌组件用于搅动反应腔内的粉料主体;所述反应器至少外接连通反应源管路、吹粉管路以及抽气管路;所述反应源管路适于输入镀膜气体至反应器内,对应覆膜至搅拌中的粉末颗粒的外表面;所述抽气管路用于将反应腔的气体抽离至外界;所述吹粉管路输入气流至反应腔内,适于将搅拌组件以及反应腔内壁所附着的粉末颗粒吹落回粉料主体中。从而,具备有高产能、可规模化生产等显著特性,结构简单,加工难度低,可实现粉末镀膜的规模化生产。

Description

一种新型粉末化学气相镀膜装置
技术领域
本实用新型涉及镀膜工艺技术领域,具体而言,涉及一种新型粉末化学气相镀膜装置。
背景技术
粉末材料的表面镀膜或包覆有多种方式,其中最重要的化学气相反应镀膜(或包覆)的主要方法,包括化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)以及分子层沉积(MLD)。化学气相沉积(Chemical vapor deposition)的特征是在气相环境中,通过同时导入多种反应气体,通过反应气体在基体材料表面发生反应,生长形成薄膜包覆材料,这种技术一般使用在薄膜厚度较大,反应速度较高的工艺中。原子层沉积(Atomic layer deposition)或分子层沉积(Molecular Layer Deposition)的特征是在气相环境中,分别导入反应前驱体或气体,并引入气体清洗机制,实现沉积材料以单原子层的形式一层一层生长在基底的表面。现阶段,原子层沉积技术被应用于粉体材料,例如锂电池材料,金属粉末材料,纳米粉体材料以及药剂粉末等材料中。
而粉末材料由于具有大比表,粒径小,表面能高等特点,在镀膜或包覆过程中极易发生团聚现象,造成包覆不均匀,极大的影响材料的性能的发挥,现有的技术一般通过流化床或者回转滚动床技术将粉体流态化,以提高其分散性能,减少团聚发生。
然而,进一步的研究表明,上述现有技术仍然具备有诸多的缺陷或不足,流化床形式的分散虽然能够减少粉末间的团聚,但是使用流化床技术需要通入大量的流化气体,造成极大的气体浪费,产生较高的能耗。
发明内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种新型粉末化学气相镀膜装置,以解决上述问题。
本实用新型采用了如下方案:
本申请提供了一种新型粉末化学气相镀膜装置,包括反应器和搅拌器;所述反应器设有内部反应腔以及输送粉末颗粒的进料管路和出料管路;所述搅拌器包括动力件以及与动力件相连接的搅拌组件,所述搅拌组件用于搅动反应腔内的粉料主体;所述反应器至少外接连通反应源管路、吹粉管路以及抽气管路;所述反应源管路适于输入镀膜气体至反应器内,对应覆膜至搅拌中的粉末颗粒的外表面;所述抽气管路用于将反应腔的气体抽离至外界;所述吹粉管路输入气流至反应腔内,适于将搅拌组件以及反应腔内壁所附着的粉末颗粒吹落回粉料主体中。
作为进一步改进,还包括一控制器;所述控制器与反应源管路、吹粉管路和抽气管路、以及进料管路和出料管路分别电性连接。
作为进一步改进,所述抽气管路包含连通在反应器的通道口上的管道、以及配置在管道上的吸附件以及真空泵;所述通道口上设有过滤件,用于阻挡粉末颗粒进入管道,所述吸附件用于对管道内的气体和杂质进一步吸取、过滤。
作为进一步改进,所述反应源管路至少设有第一支路和第二支路,所述第一支路用于输入甲基铝气体,所述第二支路用于输入离子水气体。
作为进一步改进,任一支路至少包括配置在通路上的膜片阀和质量流量计、以及用于储存前驱体的镀膜气体的存放及输送单元;所述存放及输送单元至少具有鼓泡瓶、汽化器、注射器、喷嘴以及喷雾器。
作为进一步改进,所述搅拌组件包括桨叶主轴、规则延伸在主轴两侧的桨叶杆以及配置在桨叶杆端部的桨叶片;其中,所述反应器配置为横向放置的圆筒状结构,所述桨叶主轴的两端以轴封的方式可转动的接合在反应器的侧仓壁上,所述桨叶主轴与反应器外的动力件相传动连接,所述桨叶杆至少部分伸入至粉料主体内,适于将桨叶片与反应器的底仓壁的间距限定在10mm以内。
作为进一步改进,所述桨叶主轴设有连接至其端部的气路,所述桨叶杆上开设有连通至气路的多个气口,且所述第一支路和/或第二支路连通至桨叶主体其中一端部。
作为进一步改进,所述吹粉管路包括连通至通道口的第一吹扫支路、以及邻近设置在通道口的第二吹扫支路和直面于反应器的侧仓壁及轴封处的第三吹扫支路;其中,各吹扫支路具有单独的气源与阀门,用于输入氮气至反应腔中。
作为进一步改进,所述反应器的外周设有一加热器,所述加热器用于传热至反应腔的粉料主体中以升温至适于气相镀膜使用。
本申请另提供一种镀膜工艺,基于前述的新型粉末化学气相镀膜装置,包括以下步骤:
S1:沿进料管路将粉末颗粒装载至反应器,对应在反应腔内堆积形成待覆膜的粉料主体;
S2:通过抽气管路将反应腔的气体抽离,随后对反应器进行加热至适于气相镀膜使用的温度,开启搅拌组件进行搅动工作;
S3:持续通入反应源管路的镀膜气体至反应腔与粉末颗粒充分接触,以覆膜在粉末颗粒的表面上;
S4:进一步通过抽气管路将反应腔所残留的镀膜气体抽离,随即开启吹粉管路对应输入脉冲气流,将黏附在搅拌组件以及反应腔内壁的粉末吹回至粉料主体中;
S5:再通入另一镀膜气体至反应腔,完成镀膜后重复抽真空、吹粉操作以及镀膜工作,直至得到所需厚度的膜层;
S6:分析判定镀膜厚度达到预设值,沿出料管路输出粉料主体。
通过采用上述技术方案,本实用新型可以取得以下技术效果:
本申请的新型粉末化学气相镀膜装置,用于大规模生产的粉末镀膜工艺,可在化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积等制程中充份分散粉末,以利于在各个粉末颗粒的表面上形成厚度均匀的薄膜,具备有高产能、可规模化生产等显著特性。通过反应器、搅拌器以及多个管路,在粉末颗粒镀膜制程中利用搅拌组件的快速旋转,来搅动粉料主体进行多维度的翻滚混合,使粉末颗粒与镀膜气体发生高效的传热、传质过程,实现粉末与前驱体的快速物理或化学的吸附及脱附,进而得到均匀的纳米膜层,其结构简单,加工难度低,可实现粉末镀膜的规模化生产。另外,吹粉管路输入高速或超音速的吹粉气流,去冲击反应腔及搅拌组件所粘附的粉末,实现机构件之间无接触的吹粉动作,达到防止粉末粘附的效果。并且,通过抽气管路对反应腔进行抽真空操作,能够将反应腔内残留的镀膜气体及杂质输出至外界,用于提供更适宜镀膜工艺的腔室环境。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的新型粉末化学气相镀膜装置的结构示意图;
图2是本实用新型另一实施例的新型粉末化学气相镀膜装置的结构示意图;
图3是本实用新型一实施例的新型粉末化学气相镀膜装置的反应器与搅拌组件的结构示意图;
图4是本实用新型一实施例的新型粉末化学气相镀膜装置的反应器与反应源管路及吹粉管路的结构示意图;
图5是本实用新型一实施例的新型粉末化学气相镀膜装置的反应器与搅拌组件的剖示图;
图6是本实用新型一实施例的镀膜工艺的流程框图;
图7是本实用新型一实施例的镀膜工艺的程序图。
图标:1-反应器;2-搅拌器;3-进料管路;4-出料管路;5-动力件;6-搅拌组件;7-反应源管路;8-吹粉管路;9-抽气管路;10-控制器;11-吸附件;12-真空泵;13-过滤件;14-第一支路;15-第二支路;16-膜片阀;17-存放及输送单元;18-桨叶主轴;19-桨叶杆;20-桨叶片;21-轴封件;22-气路;23-气口;24-刮壁件;25-第一吹扫支路;26-第二吹扫支路;27-第三吹扫支路;28-加热器;A-粉料主体。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施方式中的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。
实施例
结合图1至图5,本实施例提供了一种新型粉末化学气相镀膜装置,包括反应器1和搅拌器2。所述反应器1设有内部反应腔以及输送粉末颗粒的进料管路3和出料管路4。所述搅拌器2包括动力件5以及与动力件5相连接的搅拌组件6,所述搅拌组件6用于搅动反应腔内的粉料主体A。所述反应器1至少外接连通反应源管路7、吹粉管路8以及抽气管路9。所述反应源管路7适于输入镀膜气体至反应器1内,对应覆膜至搅拌中的粉末颗粒的外表面。所述抽气管路9用于将反应腔的气体抽离至外界。所述吹粉管路8输入气流至反应腔内,适于将搅拌组件6以及反应腔内壁所附着的粉末颗粒吹落回粉料主体A中。
从而,该装置用于大规模生产的粉末镀膜工艺,可在化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积等制程中充份分散粉末,以利于在各个粉末颗粒的表面上形成厚度均匀的薄膜,具备有高产能、可规模化生产等显著特性。通过反应器1、搅拌器2以及多个管路,在粉末颗粒镀膜制程中利用搅拌组件6的快速旋转,来搅动粉料主体A进行多维度的翻滚混合,使粉末颗粒与镀膜气体发生高效的传热、传质过程,实现粉末与前驱体的快速物理或化学的吸附及脱附,进而得到均匀的纳米膜层,其结构简单,加工难度低,可实现粉末镀膜的规模化生产。另外,吹粉管路8输入高速或超音速的吹粉气流,去冲击反应腔及搅拌组件6所粘附的粉末,实现机构件之间无接触的吹粉动作,达到防止粉末粘附的效果。并且,通过抽气管路9对反应腔进行抽真空操作,能够将反应腔内残留的镀膜气体及杂质输出至外界,用于提供更适宜镀膜工艺的腔室环境。
如图1和图2所示,在本实施例中,该装置还包括一控制器10。所述控制器10与反应源管路7、吹粉管路8和抽气管路9、以及进料管路3和出料管路4分别电性连接。需要说明的是,控制器10可以是计算机、可编程控制器10、软件、数模转换器、物理监控采集元件(如传感器)等组成,与反应器1,搅拌器2,以及管路系统以电信号进行通讯连接,用于控制转速、压力、流量、温度、时间、阀门开闭等粉末镀膜制程参数,亦可将粉末镀膜过程的不同步骤及动作按照一定的逻辑通过控制器10完成。
在本实施例中,所述抽气管路9包含连通在反应器1的通道口上的管道、以及配置在管道上的吸附件11以及真空泵12。所述通道口上设有过滤件13,用于阻挡粉末颗粒进入管道,所述吸附件11用于对管道内的气体和杂质进一步吸取、过滤。其中,过滤件13是一种过滤材料所组成的元件,主要用于阻挡粉末颗粒进入至管道内,而允许气体可自由通过,过滤材料一般由不锈钢、特氟龙、尼龙等一种或多种,具有耐高温及耐腐蚀的特性,其过滤精度优选为0.1至100微米的范围之间。而吸附件11采用可吸附镀膜气体的材质,以达到进一步的过滤目的。
在本实施例中,所述反应源管路7至少设有第一支路14和第二支路15,所述第一支路14用于输入甲基铝气体,所述第二支路15用于输入离子水气体。显然的,各个支路的镀膜气体不局限于甲基铝气体和离子水气体,可供镀膜使用的其他气体亦可以根据要求进行选择使用,均落入到本案的保护范围。其中,任一支路至少包括配置在通路上的膜片阀16和质量流量计、以及用于储存前驱体的镀膜气体的存放及输送单元17。所述存放及输送单元17至少具有鼓泡瓶、汽化器、注射器、喷嘴以及喷雾器,此为现有技术,在此不做赘述。
显然的,前驱体是获得目标产物前的一种存在形式,大多是以有机-无机配合物或混合物固体存在,也有部分是以溶胶形式存在。而前驱体包括有机金属盐和氢氧化物,存在形式以干粉、液体或气体等为主,亦或溶解在适当的溶剂中。在本实施例中,前驱体为上述中的甲基铝气体和离子水气体,分别存储在各自的存放及输送单元17中。
如图3至图5所示,在本实施例中,所述搅拌组件6包括桨叶主轴18、规则延伸在主轴两侧的桨叶杆19以及配置在桨叶杆19端部的桨叶片20。其中,所述反应器1配置为横向放置的圆筒状结构,所述桨叶主轴18的两端以轴封的方式可转动的接合在反应器1的侧仓壁上,所述桨叶主轴18与反应器1外的动力件5相传动连接,所述桨叶杆19至少部分伸入至粉料主体A内,适于将桨叶片20与反应器1的底仓壁的间距限定在10mm以内。从而,粉末颗粒的镀膜制程中利用旋转桨叶片20进行快速旋转,带动粉末颗粒多维度的翻滚混合,使粉末颗粒与制程气体发生高效的传热传质过程,实现粉末与前驱体的快速物理或化学的吸附脱附,进而得到均匀的纳米膜层。
上述中,反应器1用于放置需要镀膜的粉料主体A,反应器1大致呈圆柱形筒状,材质为不锈钢材料,其轴线方向大致水平放置或与水平面保持一定的小角度。另外,桨叶主轴18的轴线方向与筒体的轴线重合,桨叶主轴18的一端穿过筒体端面与外部的驱动力件5连接,动力件5至少包括联轴器和马达等主要部件。桨叶片20可接收到扭矩以一定速度正反旋转运动。转速一般为10至1000转/分钟。其中,桨叶片20的形式为扁平片状、螺带状、或犁刀状,能够将粉料主体A进行上下翻滚、左右抛洒等多维度运动。而利用桨叶片20快速旋转对粉末颗粒进行强制的剪切分散,能够有效的防止粉末团聚。
以及,桨叶主轴18通过至少两个轴封件21进行藕接,用于保持反应室内部和外界环境的密封。其中,轴封是指一类旋转旋转密封的结构件,用于传递扭矩及密封作用,包括磁流体、机械密封、磁偶、唇形密封、泛塞密封等的一种或多种组合。
如图3和图4所示,在本实施例中,所述桨叶主轴18设有连接至其端部的气路22,所述桨叶杆19上开设有连通至气路22的多个气口23,且所述第一支路14和/或第二支路15连通至桨叶主体其中一端部。其中,为了使前驱体快速、均匀的分散至反应器1的所有腔室容积中,提高沉积镀膜的效率,具体地,将桨叶主轴18、及桨叶杆19设置成中空的可输送镀膜气体的气路22结构,主轴和桨叶杆19所设置气路22及气口23,使得主轴端部与支路连通后,可以进行镀膜气体的直接传输,用于输运前驱体的支路可以设置在主轴的一端部或两端部上,从而实现气路22与支路之间的直接连通,前驱体通过搅拌组件6直接进入到反应器1中,与粉末颗粒充分接触,提升了镀膜气体传输的传输效率,缩短了不必要的镀膜气体传递路径,极大改善了镀膜气体与粉末颗粒之间的快速充分的接触。上述中,沿轴侧导入镀膜气体,有利于装置延长轴封在粉末镀膜过程中的使用寿命。且桨叶杆19直接导入前驱体气体有利粉末颗粒高效的进行镀膜反应,提高反应效率。
如图3和图5所示,在本实施例中,为了减少粉末颗粒在反应器1侧仓壁的粘接黏附,在桨叶主轴18上还设有一个以上的T型刮壁件24,刮壁件24的刮头与侧仓壁接触,桨叶主轴18带动刮头绕反应器1内壁做旋转运动,刮掉黏附在内壁的粉末颗粒。
如图2和图4所示,在本实施例中,所述吹粉管路8包括连通至通道口的第一吹扫支路25、以及邻近设置在通道口的第二吹扫支路26和直面于反应器1的侧仓壁及轴封处的第三吹扫支路27。其中,各吹扫支路具有单独的气源与阀门,用于输入氮气至反应腔中。为了使该装置具有更好的稳定性,防止反应室的粉末颗粒进入到轴封中,而影响或破坏轴封的功能性,通过第三吹扫支路27,在轴封处由外界向腔室内引入惰性气体(氮气或氩气),在轴封与粉末颗粒所接触的区域直面排出,并在此形成正压或者气墙,阻隔粉末颗粒进入轴封区域。
如图2和图3所示,在本实施例中,所述反应器1的外周设有一加热器28,所述加热器28用于传热至反应腔的粉料主体A中以升温至适于气相镀膜使用。具体地,加热器28用来对反应器1进行加热,通过热传导、热辐射或热对流等传热方式对反应室内的粉料主体A及相关结构件进行加热,使反应器1内的温度保持在镀膜制程的温度范围。更进一步地,加热器28可嵌入反应器1的外壁或外置于表面,加热形式包括但不限于电阻式加热或具有温度循环的液体加热,且优选的加热温度处于室温至500度之间。
应当提到的是,反应器1的外壁对接设有至少两个粉料输送管道(出料管道和进料管道),分别用于将粉末颗粒输送至反应器1和将完成镀膜的粉料主体A转移至外界。在本实施例中,出料管道设置在反应器1的中轴线以下,优选为正下方区域,而进料管道设置在中轴线以上,优选为上方区域。
在本实施例中,为提高该装置的使用性能,例如耐磨性、耐腐蚀性、金属隔离等,与粉料主体A所接触的内壁以及搅拌组件6均涂敷不同材质的涂层,该涂层可以是特氟龙、碳化钨等一种或多种。
需要说明的是,粉末颗粒优选为羰基铁粉,其是一种常见的金属粉末材料,由五羰基铁热分解制取的超微粉末,由于其粒度小,活性大,形状不规则(洋葱头层状结构),具有许多独特的性能,因此被广泛应用于电子、化工、医药、食品、农业等领域。而通过使用原子层沉积方式对羰基铁粉进行镀膜包覆,可以提高其耐腐蚀性以及电学性能,具有广泛的应用前景。本实施例中,利用原子层沉积方法镀金属氧化物膜的方式来实现功能和效果,更具体地金属氧化物膜即为氧化铝膜,采用的前驱体为三甲基铝(TMA),和超纯水(离子水)等气化体。
结合图6和图7,本实施例另提供一种镀膜工艺,基于前述的新型粉末化学气相镀膜装置,包括以下步骤:
S1:沿进料管路3将粉末颗粒装载至反应器1,对应在反应腔内堆积形成待覆膜的粉料主体A;
S2:通过抽气管路9将反应腔的气体抽离,随后对反应器1进行加热至适于气相镀膜使用的温度,开启搅拌组件6进行搅动工作;
S3:持续通入反应源管路7的镀膜气体至反应腔与粉末颗粒充分接触,以覆膜在粉末颗粒的表面上;
S4:进一步通过抽气管路9将反应腔所残留的镀膜气体抽离,随即开启吹粉管路8对应输入脉冲气流,将黏附在搅拌组件6以及反应腔内壁的粉末吹回至粉料主体A中;
S5:再通入另一镀膜气体至反应腔,完成镀膜后重复抽真空、吹粉操作以及镀膜工作,直至得到所需厚度的膜层;
S6:分析判定镀膜厚度达到预设值,沿出料管路4输出粉料主体A。
在本实施例中,具体地,首先取100公斤羰基铁粉通过进料管道输运至反应器1后,关闭进料管道并开启抽气管路9,将反应器1的真空压力抽至10托以下,随后对反应器1进行加热,将温度加热至100度,同时控制搅拌组件6,将其桨叶片20的转速设置为30转/分钟,且加热时间持续60分钟后,等待粉末颗粒完全被加热后,开启传输有三甲基铝(TMA)的第一支路14,控制流量为1000sccm,持续时间2分钟,一定量的三甲基铝进入反应器1后保持5分钟,且搅拌组件6持续的搅动粉料主体A,使粉末颗粒充分的暴露于三甲基铝气体中,完成初步的原子层沉积的化学吸附。
然后,开启抽气管路9,将未反应完全的三甲基铝以及副产物排出反应器1。接着,打开吹粉管路8的至少三个吹扫支路,通入氮气至反应室中,当反应器1压力到达100torr后,关闭吹粉管路8。再开启抽气管路9,将反应腔内的气体排出,实现抽真空。
最后,开启传输有超纯水气的第二支路15,控制流量为1000sccm,持续时间2分钟,一定量的超纯水进入反应器1后保持5分钟,且搅拌组件6持续的搅动粉料主体A,使粉末颗粒充分的暴露于超纯水气体中,完成进一步原子层沉积的化学吸附,随即开启抽气管路9,将未反应完全的超纯水以及副产物排出反应器1。因此,重复抽真空、吹粉操作以及镀膜工作,直至得到所需厚度的膜层。
可以理解的是,以上步骤完成一个单原子层氧化铝膜层的生长,重复以上步骤50/100/200次,最终完成不同厚度羰基铁粉的氧化铝膜层镀膜。另外,使用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICPOES)分析铝元素负载量,随着循环次数线性增加,较为符合原子层沉积的生长模式,使用透射电镜(TEM)分析了镀膜层厚度。
以上仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,包括:
反应器,设有内部反应腔;
搅拌器,包括动力件以及与动力件相连接的搅拌组件,所述搅拌组件用于搅动反应腔内的粉料主体;
其中,
所述反应器至少外接连通反应源管路、吹粉管路以及抽气管路;所述反应源管路适于输入镀膜气体至反应器内,对应覆膜至搅拌中的粉末颗粒的外表面;所述抽气管路用于将反应腔的气体抽离至外界;所述吹粉管路输入气流至反应腔内,适于将搅拌组件以及反应腔内壁所附着的粉末颗粒吹落回粉料主体中。
2.根据权利要求1所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,还包括一控制器;所述控制器与反应源管路、吹粉管路和抽气管路分别电性连接。
3.根据权利要求1所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述抽气管路包含连通在反应器的通道口上的管道、以及配置在管道上的吸附件以及真空泵;所述通道口上设有过滤件,用于阻挡粉末颗粒进入管道,所述吸附件用于对管道内的气体和杂质进一步吸取、过滤。
4.根据权利要求3所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述反应源管路至少设有第一支路和第二支路,所述第一支路用于输入甲基铝气体,所述第二支路用于输入离子水气体。
5.根据权利要求4所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,任一支路至少包括配置在通路上的膜片阀和质量流量计、以及用于储存前驱体的镀膜气体的存放及输送单元;所述存放及输送单元至少具有鼓泡瓶、汽化器、注射器、喷嘴以及喷雾器。
6.根据权利要求4所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述搅拌组件包括桨叶主轴、规则延伸在主轴两侧的桨叶杆以及配置在桨叶杆端部的桨叶片;其中,
所述反应器配置为横向放置的圆筒状结构,所述桨叶主轴的两端以轴封的方式可转动的接合在反应器的侧仓壁上,所述桨叶主轴与反应器外的动力件相传动连接,所述桨叶杆至少部分伸入至粉料主体内,适于将桨叶片与反应器的底仓壁的间距限定在10mm以内。
7.根据权利要求6所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述桨叶主轴设有连接至其端部的气路,所述桨叶杆上开设有连通至气路的多个气口,且所述第一支路和/或第二支路连通至桨叶主体其中一端部。
8.根据权利要求6所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述吹粉管路包括连通至通道口的第一吹扫支路、以及邻近设置在通道口的第二吹扫支路和直面于反应器的侧仓壁及轴封处的第三吹扫支路;其中,各吹扫支路具有单独的气源与阀门,用于输入氮气至反应腔中。
9.根据权利要求1所述的新型粉末化学气相镀膜装置,其特征在于,所述反应器的外周设有一加热器,所述加热器用于传热至反应腔的粉料主体中以升温至适于气相镀膜使用。
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