CN219636901U - 一种半导体晶圆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体晶圆，涉及晶圆技术领域，包括晶片本体，所述晶片本体表面设置有晶圆本体，所述晶片本体表面设置有切割槽，且晶片本体与一号激光点位点固定连接，所述一号激光点位点与二号激光点位点固定连接。通过外部转运机构将晶片本体转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点和二号激光点位点表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点和二号激光点位点，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体进行定位放置。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶圆技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，传统的MEMS芯片都是方形或矩形芯片，在半导体加工过程中，可能由于封装或产品本身性能的要求，需将MEMS芯片做成圆形的，目前在MEMS晶片划片领域，主要有砂轮划片和激光划片。
现有技术中，如中国专利CN206014408U公开了“一种半导体晶圆”，晶圆上制备贯通孔得到圆形芯片，芯片之间仅通过带小凹槽的支撑梁连接，芯片的分离仅需切断支撑梁，划片难度低，能够采用常用的砂轮切割，具有工艺简单、低成本、高效率的优点，所得分离后芯片的外观好、成品率高、机械强度高。
但现有技术中，随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆的尺寸越来越小减小，使得晶圆加工时，所需要的加工精度越来越高，传统的晶片在使用激光划片时，激光切片机不便与晶片进行准确的定位切割，导致晶片切割不精确，同时，晶片在切割前空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，需要晶片表面更加得洁净。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存的在随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆的尺寸越来越小减小，使得晶圆加工时，所需要的加工精度越来越高，传统的晶片在使用激光划片时，激光切片机不便与晶片进行准确的定位切割，导致晶片切割不精确，同时，晶片在切割前空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，需要晶片表面更加得洁净的问题，而提出的一种半导体晶圆。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种半导体晶圆，包括晶片本体，所述晶片本体表面设置有晶圆本体，所述晶片本体表面设置有切割槽，且晶片本体与一号激光点位点固定连接，所述一号激光点位点与二号激光点位点固定连接。
优选的，所述晶圆本体表面贴合有保护膜。
优选的，所述晶片本体表面设置有多个晶圆本体，多个所述晶圆本体均匀分布在晶片本体表面。
优选的，所述切割槽位于晶圆本体边缘线表面。
优选的，所述晶片本体表面设置有多个一号激光点位点，且晶片本体表面设置有多个二号激光点位点。
与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于：
1、本实用新型中，通过外部转运机构将晶片本体转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点和二号激光点位点表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点和二号激光点位点，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体进行定位放置。
2、本实用新型中，通过保护膜对二号激光点位点表面进行覆盖防护，激光切片机沿切割槽进行切割，保证对晶圆本体切割位置精确。
附图说明
图1为本实用新型提出一种半导体晶圆的第一立体结构示意图；
图2为本实用新型提出一种半导体晶圆的晶片本体剖面立体结构示意图；
图3为本实用新型提出一种半导体晶圆的俯视平面结构示意图；
图4为本实用新型提出一种半导体晶圆的保护膜剖面结构示意图。
图例说明：1、晶片本体；2、晶圆本体；3、切割槽；4、一号激光点位点；5、二号激光点位点；6、保护膜。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。
实施例1，如图1-4所示，本实用新型提供了一种半导体晶圆，包括晶片本体1，晶片本体1表面设置有晶圆本体2，晶片本体1表面设置有切割槽3，且晶片本体1与一号激光点位点4固定连接，一号激光点位点4与二号激光点位点5固定连接。
通过外部转运机构将晶片本体1转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点4和二号激光点位点5表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体1放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点4和二号激光点位点5，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体1进行定位放置。
如图2和图4所示，晶圆本体2表面贴合有保护膜6，晶片本体1表面设置有多个晶圆本体2，多个晶圆本体2均匀分布在晶片本体1表面，切割槽3位于晶圆本体2边缘线表面，晶片本体1表面设置有多个一号激光点位点4，且晶片本体1表面设置有多个二号激光点位点5。
通过保护膜6对二号激光点位点5表面进行覆盖防护，激光切片机沿切割槽3进行切割，保证对晶圆本体2切割位置精确。
本装置的使用方法及工作原理：通过外部转运机构将晶片本体1转运至激光切割台表面，激光切片机的定位激光照射至一号激光点位点4和二号激光点位点5表面，通过反馈的光信号，可以准确地判断晶片本体1放置位置是否准确，通过两个不同的定位点一号激光点位点4和二号激光点位点5，避免单一的信号反馈，造成误差增大，通过两组定位数据，可以更加精确地对晶片本体1进行定位放置，通过保护膜6对二号激光点位点5表面进行覆盖防护，激光切片机沿切割槽3进行切割，保证对晶圆本体2切割位置精确。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例应用于其它领域，但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (5)
1.一种半导体晶圆，包括晶片本体(1)，所述晶片本体(1)表面设置有晶圆本体(2)，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有切割槽(3)，且晶片本体(1)与一号激光点位点(4)固定连接，所述一号激光点位点(4)与二号激光点位点(5)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶圆本体(2)表面贴合有保护膜(6)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有多个晶圆本体(2)，多个所述晶圆本体(2)均匀分布在晶片本体(1)表面。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述切割槽(3)位于晶圆本体(2)边缘线表面。
5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆，其特征在于：所述晶片本体(1)表面设置有多个一号激光点位点(4)，且晶片本体(1)表面设置有多个二号激光点位点(5)。
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2023
- 2023-05-04 CN CN202321027354.6U patent/CN219636901U/zh active Active
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