CN219568056U - 一种pecvd镀膜用的石墨舟电极缓冲装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及PECVD镀膜领域。一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，包括半圆形支架、上电极支撑、下电极支撑、第一上电极块、第一下电极块、第二上电极块、第二下电极块、第一缓冲装置、第二缓冲装置，所述上电极支撑和下电极支撑固定在半圆形支架内侧，所述上电极支撑和下电极支撑上表面平行且处于不同的水平高度，所述上电极支撑上安装有第一上电极块，所述下电极支撑上安装有第一下电极块，所述第二上电极块和第二下电极块分别安装在石墨舟的端部。

Description

一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置

技术领域

本实用新型涉及PECVD镀膜领域。

背景技术

PECVD镀膜前需要完成的准备工作为：推着载有电池片的石墨舟进入真空反应炉中，引导电极杆出入石墨舟电极引入孔，石墨舟落于绝缘支撑架上，将真空反应炉进行封闭并抽真空。

随着太阳能电池片技术的升级，PECVD工序所承担的钝化作用的重要性越来越明显。目前的镀膜机台，不管使管径升级、石墨舟单舟改双舟，正面背面镀膜工艺，都不可避免的使用电极头与石墨舟接触进行放电。电极杆与石墨舟电极引入孔接触不良容易造成尖端放电。放电过程中，镀膜过程中电流上升明显，造成整舟返工的概率大大增加，也不可避免的增加碎片数量。另外成膜质量不仅影响电池片的外观颜色，同时也影响了钝化效果和电池效率。随着机台石墨舟和电极杆的磨损，不可避免的产生接触不良造成尖端放电。

发明内容

本实用新型说要解决的技术问题是：如何解决PECVD镀膜过程中，电极杆与石墨舟电极引入孔之间产生的尖端放电问题。

本实用新型所采用的技术方案是：一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，包括半圆形支架1、上电极支撑2、下电极支撑3、第一上电极块5、第一下电极块6、第二上电极块9、第二下电极块10、第一缓冲装置7、第二缓冲装置4，所述上电极支撑2和下电极支撑3固定在半圆形支架1内侧，所述上电极支撑2和下电极支撑3上表面平行且处于不同的水平高度，所述上电极支撑2上安装有第一上电极块5，所述下电极支撑3上安装有第一下电极块6，所述第二上电极块9和第二下电极块10分别安装在石墨舟8的端部。

所述第一下电极块6的上表面形状和第二下电极块10的下表面形状配合，即当第二下电极块10放置在第一下电极块6上时，第一下电极块6的上表面和第二下电极块10的下表面贴合；所述第一上电极块5的上表面形状和第二上电极块9的下表面形状配合，即当第二上电极块9放置在第一上电极块5上时，第一上电极块5的上表面和第二上电极块9的下表面贴合。

第一上电极块5、第一下电极块6、第二上电极块9、第二下电极块10都为长方体块。

所述上电极支撑2和第一上电极块5之间有第一缓冲装置7，所述下电极支撑3和第一下电极块6之间有第二缓冲装置4。

所述第一缓冲装置7包括多个并列平行的弹簧，每个弹簧的两端分别连接所述上电极支撑2和第一上电极块5，第二缓冲装置4与第一缓冲装置7结构相同。

本实用新型在使用过程中，半圆形支架1放置于真空反应炉中，从真空反应炉的炉盖外引入的电极杆与第一上电极块5、第一下电极块6固定在一起，可以进行改进，采用电缆连接代替电极杆实现电连接，在石墨舟的端部固定第二上电极块9、第二下电极块10，石墨舟电极引入孔中的接电触头直接连接第二上电极块9和第二下电极块10，推进石墨舟时，第二上电极块9处于第一上电极块5的上部，第二下电极块10处于第一下电极块6上部，不影响石墨舟的推动，当推动到设定位置，石墨舟缓缓落于绝缘支撑架上，所述第二上电极块9和第二下电极块10分别下落，第二上电极块9与第一上电极块5构成完美接触，第二下电极块10和第一下电极块6构成完美接触。

本实用新型的有益效果是：通过实用新型的使用，使电极杆和石墨舟之间的活动接触转变成面接触，避免尖端接触，进而避免尖端放电。另外本实用新型的第一上电极块和第二上电极块之间的接触为直接放置接触，与现有的引导电极杆出入石墨舟电极引入孔，对接方便。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的俯视图示意图；

图3是石墨舟端面示意图；

其中，1、半圆形支架，2、上电极支撑，3、下电极支撑，4、第二缓冲装置，5、第一上电极块，6、第一下电极块，7、第一缓冲装置，8、石墨舟，9、第二上电极块，10、第二下电极块。

实施方式

如图1所示，使用陶瓷材料（其它非导电耐高温材料也行）制备半圆形支架1，半圆形支架1的直径大小根据真空反应炉的内径而定，使半圆形支架1的外径等于真空反应炉的内径，半圆形支架1的弧度为3/4π-π, 半圆形支架1的宽度为5cm。半圆形支架1的上电极支撑2和下电极支撑3为厚度相同、直径相同、高度不同的两个半圆饼，每个半圆饼的厚度都为半圆形支架1的一半，每个半圆饼的直径等于半圆形支架1的内径，两个半圆饼中，高度高的为上电极支撑2，高度低的为下电极支撑3。上电极支撑2的高度小于半圆形支架1的半径。两个半圆饼为一体连接，两个半圆饼的底面构成一个台阶。

第一上电极块5、第一下电极块6都为2.5cm*2cm*5cm的长方体块。第一上电极块5、第一下电极块6的上表面都为2.5cm*5cm的面。第一上电极块5、第一下电极块6都为良导体耐高温材料。

所述上电极支撑2和第一上电极块5之间有第一缓冲装置7，所述下电极支撑3和第一下电极块6之间有第二缓冲装置，第二缓冲装置4与第一缓冲装置7结构相同4，所述第一缓冲装置7包括多个并列平行的弹簧，每个弹簧的两端分别连接所述上电极支撑2和第一上电极块5。通过多个弹簧为所述第一缓冲装置7提供缓冲，避免石墨舟下落时损坏第二上电极块9，同时保证第二上电极块9和第一上电极块5完美的贴合接触。

所述第一下电极块6的上表面形状和第二下电极块10的下表面形状配合，即当第二下电极块10放置在第一下电极块6上时，第一下电极块6的上表面和第二下电极块10的下表面贴合；所述第一上电极块5的上表面形状和第二上电极块9的下表面形状配合，即当第二上电极块9放置在第一上电极块5上时，第一上电极块5的上表面和第二上电极块9的下表面贴合。

所述上电极支撑2上安装有第一缓冲装置7，第一缓冲装置7上有第一上电极块5，所述下电极支撑3上安装有第二缓冲装置4，第二缓冲装置4有第一下电极块6。

第一上电极块5和第一下电极块6分别通过电缆连接真空反应炉的炉盖外的电源。

第二上电极块9为12.5cm*3cm*6cm的长方体块，第二下电极块10为10cm*3cm*6cm的长方体块。

所述第二上电极块9和第二下电极块10分别安装在石墨舟8的端部，石墨舟电极引入孔中的接电触头直接连接第二上电极块9和第二下电极块10。

本实用新型在使用过程中，推进石墨舟时，第二上电极块9处于第一上电极块5的上部，第二下电极块10处于第一下电极块6上部，不影响石墨舟的推动，当推动到设定位置，石墨舟8缓缓落于绝缘支撑架上，所述第二上电极块9和第二下电极块10分别下落，第二上电极块9与第一上电极块5构成完美接触，第二下电极块10和第一下电极块6构成完美接触。

以上实施方式仅用于说明本实用新型，而非对本实用新型的限制。尽管参照实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本实用新型的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (5)

1.一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，其特征在于：包括半圆形支架（1）、上电极支撑（2）、下电极支撑（3）、第一上电极块（5）、第一下电极块（6）、第二上电极块（9）、第二下电极块（10）、第一缓冲装置（7）、第二缓冲装置（4），所述上电极支撑（2）和下电极支撑（3）固定在半圆形支架（1）内侧，所述上电极支撑（2）和下电极支撑（3）上表面平行且处于不同的水平高度，所述上电极支撑（2）上安装有第一上电极块（5），所述下电极支撑（3）上安装有第一下电极块（6），所述第二上电极块（9）和第二下电极块（10）分别安装在石墨舟（8）的端部。

2.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，其特征在于：所述第一下电极块（6）的上表面形状和第二下电极块（10）的下表面形状配合，即当第二下电极块（10）放置在第一下电极块（6）上时，第一下电极块（6）的上表面和第二下电极块（10）的下表面贴合；所述第一上电极块（5）的上表面形状和第二上电极块（9）的下表面形状配合，即当第二上电极块（9）放置在第一上电极块（5）上时，第一上电极块（5）的上表面和第二上电极块（9）的下表面贴合。

3.根据权利要求2所述的一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，其特征在于：第一上电极块（5）、第一下电极块（6）、第二上电极块（9）、第二下电极块（10）都为长方体块。

4.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，其特征在于：所述上电极支撑（2）和第一上电极块（5）之间有第一缓冲装置（7），所述下电极支撑（3）和第一下电极块（6）之间有第二缓冲装置（4）。

5.根据权利要求4所述的一种PECVD镀膜用的石墨舟电极缓冲装置，其特征在于：所述第一缓冲装置（7）包括多个并列平行的弹簧，每个弹簧的两端分别连接所述上电极支撑（2）和第一上电极块（5），第二缓冲装置（4）与第一缓冲装置（7）结构相同。