CN219457637U - 一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，包括：用于起支撑限位作用的底座、底座上端内侧嵌套连接的反应箱及反应箱内卡合贯穿的搅拌杆；还包括：所述底座的后上端中部内侧镶嵌安装有显示器和控制器，且底座的下方安装有帝尔激光器和烘干器；所述反应箱的内部等间距开设有盛液槽。该可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，使用常规单晶碱制绒和激光熔融硅腐蚀两种方式对单晶硅片进行制绒，使单晶硅片受光表面得到有效的增加，从而达到增效，减少光反射损失的目的，便于对制绒覆盖用溶液进行控量上料和排料，并便于对制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，使之制绒覆盖和残物清洗的效果好。

Description

一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置

技术领域

本实用新型涉及单晶硅片制绒覆盖技术领域，具体为一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置。

背景技术

在制造单晶硅电池片的过程中，通常是通过槽式湿法制绒在原始硅片的表面形成金字塔陷光结构，而形成单晶硅片绒面的结构通常为大小不一的金字塔紧密排列，布满在硅片表面。

但现有的单晶硅片制绒覆盖装置，在使用过程中，通常使用常规单晶碱制绒方式对单晶硅片进行制绒，单晶硅片受光表面有限，光反射损失大，且不便于对制绒覆盖用溶液进行控量上料和排料，并不便于对制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，制绒覆盖和残物清洗的效果有限，因此，我们提出一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，以便于解决上述中提出的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，以解决上述背景技术中提出现有的单晶硅片制绒覆盖装置，在使用过程中，通常使用常规单晶碱制绒方式对单晶硅片进行制绒，单晶硅片受光表面有限，光反射损失大，且不便于对制绒覆盖用溶液进行控量上料和排料，并不便于对制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，制绒覆盖和残物清洗的效果有限的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，包括：用于起支撑限位作用的底座、底座上端内侧嵌套连接的反应箱及反应箱内卡合贯穿的搅拌杆；

还包括：

所述底座的后上端中部内侧镶嵌安装有显示器和控制器，且底座的下方安装有帝尔激光器和烘干器；

所述反应箱的内部等间距开设有盛液槽，且盛液槽的上方设置有与反应箱阻尼转动连接的箱盖；

所述搅拌杆的左侧经联轴器连接有电机，且搅拌杆的等间距贴合设置有与反应箱固定连接的密封座。

优选的，所述箱盖的中部下方设置有与反应箱镶嵌安装的液位传感器，且液位传感器与显示器和控制器为电连接。

优选的，所述箱盖的前端中部下侧设置有与反应箱固定连接的固定块，且固定块的上侧贴合设置有与反应箱嵌套贴合连接的盛件网，并且固定块的下表面高于搅拌杆的上表面。

优选的，所述固定块的前下侧安装有与反应箱固定连接的电磁阀，且电磁阀的前侧设置有与之联通连接的排料管。

优选的，所述盛件网的上端中部后侧固定连接有与反应箱卡扣连接的连接板，且连接板的后端凸出于反应箱的后表面。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，使用常规单晶碱制绒和激光熔融硅腐蚀两种方式对单晶硅片进行制绒，使单晶硅片受光表面得到有效的增加，从而达到增效，减少光反射损失的目的，便于对制绒覆盖用溶液进行控量上料和排料，并便于对制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，使之制绒覆盖和残物清洗的效果好；

1.设置有底座、盛液槽、帝尔激光器和烘干器，由于底座的上端内侧嵌套设置有内部开设多个盛液槽的反应箱，底座的中部下方安装有帝尔激光器和烘干器，因此便于使用常规单晶碱制绒和激光熔融硅腐蚀两种方式对单晶硅片进行制绒，使单晶硅片受光表面得到有效的增加，从而达到增效，减少光反射损失的目的；

2.设置有底座、反应箱、盛液槽和箱盖，由于反应箱的内部等间距开设有盛液槽，盛液槽的中部下方设置有与反应箱镶嵌安装的液位传感器，而底座的后端内侧镶嵌安装有与液位传感器电连接的显示器和控制器，以及液位传感器的前上方设置有与反应箱固定安装的电磁阀，电磁阀前联通有排料管，因此便于对制绒覆盖用溶液进行控量上料和排料；

3.设置有反应箱、搅拌杆、电机和密封座，由于反应箱的下端中部内侧卡合贯穿有搅拌杆，搅拌杆的左侧经联轴器连接有电机，以及盛液槽的上端内侧设置有经反应箱和固定块支撑限位的盛件网，因此便于对制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，使之对单晶硅片进行制绒覆盖和残物清洗的效果好。

附图说明

图1为本实用新型正视剖面结构示意图；

图2为本实用新型正视结构示意图；

图3为本实用新型俯视结构示意图；

图4为本实用新型流程结构示意图。

图中：1、底座；2、反应箱；3、盛液槽；4、箱盖；5、液位传感器；6、显示器；7、控制器；8、搅拌杆；9、电机；10、密封座；11、固定块；12、盛件网；13、连接板；14、电磁阀；15、排料管；16、帝尔激光器；17、烘干器。

实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，包括底座1、反应箱2、盛液槽3、箱盖4、液位传感器5、显示器6、控制器7、搅拌杆8、电机9、密封座10、固定块11、盛件网12、连接板13、电磁阀14、排料管15、帝尔激光器16和烘干器17，在使用该可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置时，如图1、图2和图3，首先可转动反应箱2上阻尼连接的箱盖4，断开箱盖4与反应箱2的闭合连接，然后可通过底座1后上端内侧镶嵌安装的控制器7，控制反应箱2下端内侧镶嵌安装的液位传感器5及控制器7左侧安装的显示器6配合进行作业，使显示器6可显示液位传感器5感测的数据，以便达到将制绒覆盖用碱洗、碱制绒和酸洗溶液，依次控量倾倒至反应箱2内部等间距开设盛液槽3内的目的，且在倾倒完毕后，可再次转动箱盖4，使之与反应箱2闭合连接，接着可通过控制器7控制搅拌杆8左侧经联轴器连接的电机9进行作业，使得搅拌杆8在反应箱2的卡合限位下进行转动，由于搅拌杆8位于反应箱2的下端内侧，且搅拌杆8的外侧贴合设置有与反应箱2固定连接的密封座10，因此便于达到对盛液槽3内制绒覆盖用溶液进行搅拌混合，使之后期对单晶硅片进行制绒覆盖和残物清洗效果好的目的；

如图1、图2、图3和图4，在制绒覆盖用溶液混合完毕后，可转动箱盖4，再可将通过连接板13将其前侧固定的盛件网12置于反应箱2左端开设盛液槽3的内侧，使得盛件网12的前端贴合在固定块11的上表面，使连接板13卡扣在反应箱2的后端内侧，接着可将单晶硅片置于盛件网12的内侧，使之经左方盛液槽3内设置的氢氧化钾与双氧水混合溶液进行碱洗除污，在对单晶硅片碱洗除污后，可通过连接板13将盛放单晶硅片的盛件网12，置于中部盛液槽3内设置的氢氧化钾与制绒添加剂混合溶液进行碱制绒覆盖，在碱制绒覆盖后，可通过连接板13将盛放单晶硅片的盛件网12，置于左端盛液槽3内进行碱洗除残，再通过连接板13将盛放单晶硅片的盛件网12，置于右端盛液槽3内设置的氢氟酸与盐酸混合溶液进行酸洗除残；

接着可通过连接板13将盛放单晶硅片的盛件网12，依次置于底座1下方安装烘干器17和帝尔激光器16内进行烘干和激光制绒覆盖，在激光制绒覆盖后，可再次通过连接板13将盛放单晶硅片的盛件网12，依次置于左端和右端盛液槽3内部进行碱洗除残和酸洗除残，最后再放置于烘干器17的内侧进行烘干，达到对单晶硅片使用常规单晶碱制绒和激光熔融硅腐蚀两种方式进行制绒，使单晶硅片受光表面得到有效的增加，从而达到增效，减少光反射损失的目的；

如图1和图3，在该装置长时间使用后，可通过控制器7控制反应箱2前端内侧固定安装的电磁阀14进行作业，使得盛液槽3内的溶液经电磁阀14前螺纹联通的排料管15排出，以便后期继续制绒覆盖用溶液控量上料和对单晶硅片的制绒覆盖，以上所含电气元件均为现有技术，在此不再详述。

本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术，本实用新型使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制，各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中，常规的型号，加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式，在此不再详述，本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，包括：用于起支撑限位作用的底座（1）、底座（1）上端内侧嵌套连接的反应箱（2）及反应箱（2）内卡合贯穿的搅拌杆（8）；

其特征在于，还包括：

所述底座（1）的后上端中部内侧镶嵌安装有显示器（6）和控制器（7），且底座（1）的下方安装有帝尔激光器（16）和烘干器（17）；

所述反应箱（2）的内部等间距开设有盛液槽（3），且盛液槽（3）的上方设置有与反应箱（2）阻尼转动连接的箱盖（4）；

所述搅拌杆（8）的左侧经联轴器连接有电机（9），且搅拌杆（8）的等间距贴合设置有与反应箱（2）固定连接的密封座（10）。

2.根据权利要求1所述的一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，其特征在于：所述箱盖（4）的中部下方设置有与反应箱（2）镶嵌安装的液位传感器（5），且液位传感器（5）与显示器（6）和控制器（7）为电连接。

3.根据权利要求1所述的一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，其特征在于：所述箱盖（4）的前端中部下侧设置有与反应箱（2）固定连接的固定块（11），且固定块（11）的上侧贴合设置有与反应箱（2）嵌套贴合连接的盛件网（12），并且固定块（11）的下表面高于搅拌杆（8）的上表面。

4.根据权利要求3所述的一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，其特征在于：所述固定块（11）的前下侧安装有与反应箱（2）固定连接的电磁阀（14），且电磁阀（14）的前侧设置有与之联通连接的排料管（15）。

5.根据权利要求3所述的一种可减少光反射损失的单晶硅片制绒覆盖装置，其特征在于：所述盛件网（12）的上端中部后侧固定连接有与反应箱（2）卡扣连接的连接板（13），且连接板（13）的后端凸出于反应箱（2）的后表面。