CN219435870U - 一种防压坏的高寿命三极管 - Google Patents
一种防压坏的高寿命三极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219435870U CN219435870U CN202123344326.0U CN202123344326U CN219435870U CN 219435870 U CN219435870 U CN 219435870U CN 202123344326 U CN202123344326 U CN 202123344326U CN 219435870 U CN219435870 U CN 219435870U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pin
- chip
- shell
- lead
- heat conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本实用新型公开一种防压坏的高寿命三极管,包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和外壳,第一引脚下部设有连接片,连接片上设有第一芯片和第二芯片,第一芯片通过第一引线与第二引脚相连接,第二芯片通过第二引线与第三引脚相连接,外壳包裹连接片、第一芯片、第二芯片、第一引线和第二引线,外壳下部设有凹槽,凹槽内设有导热硅脂,导热硅脂下部设有导热片,导热片延伸至外壳外部设有散热片,散热片为软性材料,有益效果:底部散热片一方面可以保证散热效果,另一方面,也可以起到一定的缓冲作用,防止用力过大造成三极管破损。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体相关技术领域,具体为一种防压坏的高寿命三极管。
背景技术
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
一般三极管在贴片使用的过程中,多采用机器贴片和人工贴片两种方式,为了保证贴片的连接稳定性,多会采用较大的力气去按压,但在贴片过程中,会出现把三极管压坏的现象。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是:一般三极管在贴片使用的过程中,多采用机器贴片和人工贴片两种方式,为了保证贴片的连接稳定性,多会采用较大的力气去按压,但在贴片过程中,会出现把三极管压坏的现象。
(二)技术方案
为解决上述问题,本实用新型提供如下技术方案:包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和外壳,第一引脚下部设有连接片,连接片上设有第一芯片和第二芯片,第一芯片通过第一引线与第二引脚相连接,第二芯片通过第二引线与第三引脚相连接,外壳包裹连接片、第一芯片、第二芯片、第一引线和第二引线,外壳下部设有凹槽,凹槽内设有导热硅脂,导热硅脂下部设有导热片,导热片延伸至外壳外部设有散热片,散热片为软性材料。
进一步的,散热片为“巛”字形。
进一步的,第一引脚位于外壳内部的宽度大于第一引脚位于外壳外部的宽度。
进一步的,第二引脚和第三引脚位于外壳内部部分设有弯曲部。
进一步的,第二引脚和第三引脚的弯曲部为相向内侧弯曲。
进一步的,第一引线和第二引线为1.0mil Cu线。
进一步的,外壳所用材料为玻璃或者树脂。
进一步的,导热片侧边设有限位凸起。
(三)有益效果
本实用新型的有益效果在于:该装置结构稳定,操作简单,实用性强,底部散热片一方面可以保证散热效果,另一方面,也可以起到一定的缓冲作用,防止用力过大造成三极管破损。
附图说明
图1为本实用新型立体结构示意图;
图2为第一引脚、第二引脚和第三引脚连接示意图;
图3为本实用新型剖视图;
图中:1-第一引脚、2-第二引脚、3-第三引脚、4-外壳、5-连接片、6-第一芯片、7-第二芯片、8-第一引线、9-第二引线、10-导热硅脂、11-导热片、12-散热片、13-限位凸起。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图3,包括第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3和外壳4,第一引脚1下部设有连接片5,连接片5上设有第一芯片6和第二芯片7,第一芯片6通过第一引线8与第二引脚2相连接,第二芯片7通过第二引线9与第三引脚3相连接,外壳4包裹连接片5、第一芯片6、第二芯片7、第一引线8和第二引线9,外壳4下部设有凹槽,凹槽内设有导热硅脂10,导热硅脂10下部设有导热片11,导热片11延伸至外壳4外部设有散热片12,散热片12为软性材料,使用时芯片发热可以通过导热硅脂10传导到导热片11上,再经由散热片12逸散到外壳4的外部,保证内部工作产生的热量可以很快的传递到外部。
进一步的,散热片12为“巛”字形,增大接触面积,提高散热效果;第一引脚1位于外壳4内部的宽度大于第一引脚1位于外壳4外部的宽度,提高连接强度,防止第一引脚1被拉出拉断;第二引脚2和第三引脚3位于外壳4内部部分设有弯曲部,提高连接强度;第二引脚2和第三引脚3的弯曲部为相向内侧弯曲,减小尺寸,安装使用更为方便;第一引线8和第二引线9为1.0mil Cu线;外壳4所用材料为玻璃或者树脂;导热片11侧边设有限位凸起13,保证导热片11与外壳4的连接强度。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内,不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:包括第一引脚(1)、第二引脚(2)、第三引脚(3)和外壳(4),所述第一引脚(1)下部设有连接片(5),所述连接片(5)上设有第一芯片(6)和第二芯片(7),所述第一芯片(6)通过第一引线(8)与所述第二引脚(2)相连接,所述第二芯片(7)通过第二引线(9)与所述第三引脚(3)相连接,所述外壳(4)包裹所述连接片(5)、所述第一芯片(6)、所述第二芯片(7)、所述第一引线(8)和所述第二引线(9),所述外壳(4)下部设有凹槽,凹槽内设有导热硅脂(10),所述导热硅脂(10)下部设有导热片(11),所述导热片(11)延伸至所述外壳(4)外部设有散热片(12),所述散热片(12)为软性材料。
2.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述散热片(12)为“巛”字形。
3.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述第一引脚(1)位于所述外壳(4)内部的宽度大于所述第一引脚(1)位于所述外壳(4)外部的宽度。
4.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述第二引脚(2)和所述第三引脚(3)位于所述外壳(4)内部部分设有弯曲部。
5.根据权利要求4所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述第二引脚(2)和所述第三引脚(3)的弯曲部为相向内侧弯曲。
6.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述第一引线(8)和所述第二引线(9)为1.0mil Cu线。
7.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述外壳(4)所用材料为玻璃或者树脂。
8.根据权利要求1所述的一种防压坏的高寿命三极管,其特征在于:所述导热片(11)侧边设有限位凸起(13)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202123344326.0U CN219435870U (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种防压坏的高寿命三极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202123344326.0U CN219435870U (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种防压坏的高寿命三极管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219435870U true CN219435870U (zh) | 2023-07-28 |
Family
ID=87336081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202123344326.0U Active CN219435870U (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种防压坏的高寿命三极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219435870U (zh) |
-
2021
- 2021-12-28 CN CN202123344326.0U patent/CN219435870U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4651153B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20160277017A1 (en) | Snubber circuit | |
CN110600450A (zh) | 用于布置芯片的引线框架、封装体以及电源模块 | |
CN219435870U (zh) | 一种防压坏的高寿命三极管 | |
CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
CN211182198U (zh) | 一种多基岛引线框架及sop封装结构 | |
CN216435564U (zh) | 一种散热性能好的片式热敏电阻 | |
JPH073848B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN209785924U (zh) | 功率器件外壳端子、外壳 | |
CN108258036B (zh) | 一种贴片三极管 | |
CN218333782U (zh) | 一种电子烟芯片脚位散热结构 | |
CN212485335U (zh) | 一种轻薄型贴片式三极管 | |
CN219017632U (zh) | 一种防水稳压三极管 | |
CN214411203U (zh) | 一种集成电路的大功率三极管 | |
CN214542214U (zh) | 一种大功率的肖特基整流管 | |
CN217134355U (zh) | 一种半导体功率器件封装结构 | |
CN216775121U (zh) | 一种大功率可控硅pcb贴装结构 | |
CN214313181U (zh) | 一种大电流场效应晶体管 | |
CN216849920U (zh) | 一种ac-dc电源电路引线框架 | |
CN203118935U (zh) | 整流芯片的dfn封装结构 | |
CN212322983U (zh) | 一种散热的贴片二极管 | |
JP5362658B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN211062705U (zh) | 扁平式封装的大功率双极型晶体管 | |
CN212182596U (zh) | 一种ic芯片插座 | |
CN210535656U (zh) | 一种集成电路散热型引脚结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |