CN219283677U - 半导体制冷器和便携式空调 - Google Patents

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Abstract

本实用新型实施例提供的一种半导体制冷器以及具有该半导体制冷器的便携式空调,其中半导体制冷器例如包括:第一金属传导件;冷热源,包括第一半导体晶粒层;第一导热绝缘层,设置在所述第一金属传导件和所述第一半导体晶粒层之间并隔开所述第一金属传导件和所述第一半导体晶粒层。本实用新型的半导体制冷器通过使用第一金属传导件来代替现有技术中的陶瓷基板,从而利用第一金属传导件更优的热传导性能快速地将第一半导体晶粒层产生的冷能或热能传导出去,并利用第一导热绝缘层隔开了第一半导体晶粒层和第一金属传导件,使得半导体晶粒层与金属传导件之间电性隔离,避免半导体制冷器内的第一半导体晶粒层短路而烧坏。

Description

半导体制冷器和便携式空调
技术领域
本实用新型涉及半导体调温技术领域,尤其涉及一种半导体制冷器和一种便携式空调。
背景技术
便携式空调例如挂脖空调可通过半导体制冷器进行调温达到制冷或者制热的目的,然后再通过传导片将调节后的温度传递至使用者的皮肤,在半导体制冷器远离传导片的一面设置散热片来对半导体制冷器进行散热。
现有技术的半导体制冷器包括有多个半导体晶粒以及两个陶瓷基板,多个半导体晶粒串联在一起,且位于两个陶瓷基板之间,当该半导体制冷器与金属散热器或者金属传导片连接时,该半导体制冷器的陶瓷基板与金属散热器或者金属传导片的连接部分会涂上导热硅脂/硅胶。
但是由于目前用户对于便携式空调的调温需求越来越高,现有的半导体制冷器与金属传导片或者金属散热器的这种结构已经无法满足用户的需求了,原因在于半导体制冷器上的基板是由陶瓷材料制成的,而陶瓷材料的导热效率远低于金属传导片或者金属散热器的导热效率,而目前半导体制冷器内的半导体晶粒的能量传导又要先经由陶瓷材料再传导至金属传导片或者金属散热器,导致能量的传导路径较长且能量传递效率不高,进而导致半导体制冷器的导热或者导冷效率不高。
实用新型内容
为了改善以上的至少部分缺点,本实用新型的实施例提供了一种半导体制冷器和一种便携式空调,可提高半导体制冷器的制热效率以及制冷效率,以达到进一步提高用户体验度。
具体地,一方面,本实用新型实施例提供的一种半导体制冷器,包括:第一金属传导件;冷热源,包括第一半导体晶粒层;第一导热绝缘层,设置在所述第一金属传导件和所述第一半导体晶粒层之间并隔开所述第一金属传导件和所述第一半导体晶粒层。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一导热绝缘层为石墨烯层。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一导热绝缘层喷涂或粘贴在所述第一金属传导件上。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一金属传导件包括底板和多个传导部,所述多个传导部相互间隔地设置在所述底板的一侧,所述第一导热绝缘层设置在所述底板的另一侧。
在本实用新型的一个实施例中,所述金属传导件还包括第二金属传导件和第二导热绝缘层;所述第二金属传导件和所述第一金属传导件位于所述冷热源的相对两侧,所述第二导热绝缘层设置在所述第二金属传导件和所述冷热源之间并隔开所述第二金属传导件和所述冷热源。
在本实用新型的一个实施例中,所述冷热源还包括:第二半导体晶粒层,所述第二导热绝缘层设置在所述第二金属传导件和所述第二半导体晶粒层之间并隔开所述第二金属传导件和所述第二半导体晶粒层;第一基板,设置在所述第一半导体晶粒层和所述第二半导体晶粒层之间并隔开所述第一半导体晶粒层和所述第二半导体晶粒层。
在本实用新型的一个实施例中,所述冷热源还包括:多个第一导接片,设置在所述第一半导体晶粒层和所述第一导热绝缘层之间,每一所述第一导接片连接所述第一半导体晶粒层的相邻两个半导体晶粒;第一封装件,围绕所述第一半导体晶粒层的外围设置。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一金属传导件的两端延伸超出所述冷热源的两端。
在本实用新型的一个实施例中,所述冷热源还包括:第一基板,设置在所述第一半导体晶粒层远离所述第一导热绝缘层的一侧;第二半导体晶粒层,设置在所述第一基板远离所述第一半导体晶粒层的一侧上;第二基板,与所述第一基板相对设置、且位于所述第二半导体晶粒层远离所述第一基板的一侧上。
另一方面,本实用新型实施例提供的一种便携式空调,包括:壳体;如上实施例所述的半导体制冷器,设置在所述壳体内。
在本实用新型的一个实施例中,所述便携式空调还包括接触传导件,所述接触传导件设置在所述壳体上、且热传导连接所述半导体制冷器。
由上可知,本实用新型上述技术特征可以具有如下多个有益效果:
1、本实用新型的半导体制冷器通过使用第一金属传导件来代替现有技术中的陶瓷基板,从而利用第一金属传导件更优的热传导性能快速地将第一半导体晶粒层产生的冷能或热能传导出去,并利用第一导热绝缘层隔开了第一半导体晶粒层和第一金属传导件,使得半导体晶粒层与金属传导件之间电性隔离,避免半导体制冷器内的第一半导体晶粒层短路而烧坏。
2、通过设置第二金属传导件和第二导热绝缘层,使得冷热源与第二金属传导件之间通过第二导热绝缘层连接,以进一步提升其制冷或制热效率。
3、通过设置冷热源结构为双层结构,其冷热源的制冷端也可以给冷热源的制热端进行散热,增加散热效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型第一实施例提供的一种半导体制冷器的立体结构示意图。
图2为图1所示的另一视角的半导体制冷器的立体结构示意图。
图3为本实用新型第一实施例提供的一种半导体制冷器的分解结构示意图。
图4为本实施例中冷热源的分解结构示意图。
图5为本实用新型第二实施例提供的一种半导体制冷器的分解结构示意图。
图6为本实施例中冷热源的分解结构示意图。
图7为本实用新型第三实施例提供的一种便携式空调的整体结构示意图。
图8为图7所示的便携式空调的纵向截面示意图。
图9为图8中的A区域的局部放大示意图。
图10为图9所示的部分结构分解示意图。
附图标号说明
1:半导体制冷器;2:便携式空调;11:第一金属传导件;12:冷热源;14:第一导热绝缘层;15:第二金属传导件;16:第二导热绝缘层;21:壳体;22:接触传导件;23:均温件;24:固定件;111:底板;112:传导部;121:第一半导体晶粒层;122:第二半导体晶粒层;123:第一基板;124:第一导接片;125:第一封装件;126:第二基板;127:第二导接片;128:第二封装件;129:第三半导体晶粒层;130:第三导接片;131:第三封装件。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
【第一实施例】
参见图1-图3,本实用新型实施例提供的一种半导体制冷器1,例如包括第一金属传导件11、冷热源12和第一导热绝缘层14。
其中所述冷热源12包括第一半导体晶粒层121。第一导热绝缘层14设置在所述冷热源12上邻近所述第一半导体晶粒层121的一端上、且固定连接所述冷热源12。第一金属传导件11固定连接在所述第一导热绝缘层14远离所述冷热源12的一侧。所述第一导热绝缘层14可用于隔开所述第一金属传导件11和所述第一半导体晶粒层121,防止第一半导体晶粒层121与第一金属传导件11直接连接导致第一半导体晶粒层121中的多个半导体晶粒因相互并联连接发生短路现象。
所述第一半导体晶粒层121包括有多个半导体晶粒,多个半导体晶粒串联在一起。多个半导体晶粒例如包括多个第一半导体晶粒和多个第二半导体晶粒,多个第一半导体晶粒和多个第二半导体晶粒交错间隔设置。第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之一为P型半导体晶粒,第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之另一为N型半导体晶粒。举例而言,第一半导体晶粒层121可以理解为第一半导体晶粒→第二半导体晶粒→第一半导体晶粒→第二半导体晶粒→……→第二半导体晶粒的串联电路。其中第一半导体晶粒为P型半导体晶粒时第二半导体晶粒为N型半导体晶粒,或者第一半导体晶粒为N型半导体晶粒时第二半导体晶粒为P型半导体晶粒。
在本实施例中,所述第一导热绝缘层14例如为石墨烯,由于石墨烯的特性是绝缘性好且导热系数高,所以设置第一导热绝缘层14的目的在于防止第一半导体晶粒层121中的多个半导体晶粒通过第一金属传导件11相互并联连接而发生短路,同时还能够进行良好的导热效果,增加半导体制冷器1的导热效率。
在本实施例中,所述第一导热绝缘层14可喷涂或者粘贴在第一金属传导件11上,在其他实施例中,第一导热绝缘层14还可以通过其他方式连接在第一金属传导件11上,其具体连接方式此处不做限定。
由于第一半导体晶粒层121中的多个半导体晶粒相互串联连接,第一金属传导件11如果直接与第一半导体晶粒层121连接,由于金属导电,会导致第一半导体晶粒层121中的多个半导体晶粒变化为相互并联连接而发生短路,所以需要在第一半导体晶粒层121和第一金属传导件11之间设置第一导热绝缘层14,防止第一半导体晶粒层121发生短路现象,以及能够将半导体晶粒层121的电路产生的热量更有效率的传导至第一金属传导件11上,以增加半导体制冷器1的导热效率以及导冷效率。
本实施例的半导体制冷器1通过使用第一金属传导件11来代替现有技术中的陶瓷基板,从而利用第一金属传导件11更优的热传导性能快速地将第一半导体晶粒层121产生的冷能或热能传导出去,并利用第一导热绝缘层14隔开了第一半导体晶粒层121和第一金属传导件11,使得半导体晶粒层121与金属传导件11之间电性隔离,避免半导体制冷器1内的第一半导体晶粒层121短路而烧坏。
如图3所示,在本实施例中,所述第一金属传导件11例如包括底板111和多个传导部112。
其中,所述多个传导部112相互间隔地设置在所述底板111的一侧,所述底板111远离所述多个传导部112的一侧设置在所述第一导热绝缘层14远离所述冷热源12的一侧上、且通过所述第一导热绝缘层14连接所述冷热源12。通过多个传导部112可以直接对冷热源12靠近底板111的一端进行散热。而无需另外通过导热凝胶等将热量传递至外接的散热器进行散热。而且间隔设置的多个传导部112之间具有散热间隙,所述散热间隙的设置增大了第一金属传导件11与空气的表面接触面积,可提高半导体制冷器1的散热效率。
在本实施例中,多个传导部112例如为片状,在其他实施例中,多个传导部112也可以为柱状等其他形状的传导部,可以配合散热风扇等加快多个传导部112附近空气的流通速度以达到更好的散热效果。
在本实施例中,冷热源12两侧的功能不同,例如冷热源12靠近第一导热绝缘层14的一端为热端,远离第一导热绝缘层14的一端为冷端。在其他实施例中,也可以通过改变冷热源12的电流方向,使得冷热源12靠远离第一导热绝缘层14的一端为热端,靠近远离第一导热绝缘层14的一端为冷端;通过多个传导部112可以直接对冷热源12的冷端进行导冷,并且可以配合风扇等加快多个传导部112附近空气的流通速度以达到更好的降温效果。
如图3所示,在本实施例的一个较佳实施例中,所述半导体制冷器还例如包括第二金属传导件15和第二导热绝缘层16。
其中,所述第二金属传导件15和所述第一金属传导件11位于所述冷热源12的相对两侧,所述第二导热绝缘层16设置在所述第二金属传导件15和所述冷热源12之间并隔开所述第二金属传导件15和所述冷热源12。
所述第二导热绝缘层16例如为石墨烯,且可以喷涂或者粘贴在第二金属传导件15上。第二导热绝缘层16的具体功能可参考第一导热绝缘层14的具体功能,此处不再赘述。
如图3所示,所述冷热源12还例如包括第二半导体晶粒层122和第一基板123。
其中,所述第二半导体晶粒层122设置在所述冷热源12靠近所述第二导热绝缘层16的一端;所述第二导热绝缘层16设置在所述第二金属传导件15和所述第二半导体晶粒层122之间并隔开所述第二金属传导件15和所述第二半导体晶粒层122。
第一基板123例如为陶瓷基板。
通过设置第二导热绝缘层16,使得第二金属传导件15与冷热源12之间相互间隔开,且可防止第二半导体晶粒层122发生短路现象。
更进一步地,如图3所示,所述冷热源12还例如包括多个第一导接片124、第一封装件125、多个第二导接片127和第二封装件128。
其中,多个第一导接片124设置在所述第一半导体晶粒层121和所述第一导热绝缘层14之间,每一个第一导接片124连接所述第一半导体晶粒层中121的相邻两个半导体晶粒,即每一个第一导接片124连接第一半导体晶粒层中的N型半导体晶粒和P型半导体晶粒。第一导接片124例如为铜片等。第一封装件125围绕第一半导体晶粒层121的外围设置,第一封装件125起防潮和隔热的作用。第一封装件125可用于将第一半导体晶粒层121隔离起来。第一封装件125例如为导热系数低的橡胶件。
多个第二导接片127设置在所述第二半导体晶粒层122和所述第一基板123之间,每一个第二导接片127连接所述第二半导体晶粒层中122的相邻两个半导体晶粒,第二导接片127例如为铜片等。
第二封装件128围绕所述第二半导体晶粒层122的外围设置,第二封装件128例如为导热系数低的橡胶件。
在本实施例中,冷热源12中的第一半导体晶粒层121通过第一导热绝缘层14与第一金属传导件11固定连接。冷热源12的第二半导体晶粒层122通过第二导热绝缘层16与第二金属传导件15固定连接,使得第一金属传导件11、第一导热绝缘层14、冷热源12、第二导绝缘层16和第二金属传导件15都固定连接在一起,形成一个整体的半导体制冷器1的结构,使得半导体制冷器1能够提升制热效率以及制冷效率。
在本实施例的一个较佳实施例中,所述第一金属传导件11和第二金属传导件15的长度均超过所述冷热源12的长度,通过将第一金属传导件11和第二金属传导件15的长度均设置成超过冷热源12的长度,从而可达到进一步提升半导体制冷器1的制热效果和制冷效果。
在本实施例的一个较佳实施例中,如图4所示,所述冷热源12还例如包括:第三半导体晶粒层129、第二基板126、第三导接片130和第三封装件131。
其中,第二基板126设置在第二半导体晶粒层122远离第一基板的一侧上。所述第三半导体晶粒层129设置在第二导热绝缘层16和第二基板126之间。多个第三导接片130设置在所述第三半导体晶粒层129和所述第二基板126之间,每一个第三导接片130连接所述第三半导体晶粒层中129的相邻两个半导体晶粒,第三导接片130例如为铜片等。第三封装件131围绕所述第三半导体晶粒层129的外围设置,第三封装件131例如为导热系数低的橡胶件。第二基板126例如为陶瓷基板。通过设置冷热源12为三层结构,达到进一步提高冷热源12的散热效率。
本实用新型提供的半导体制冷器1通过设置冷热源12为多层结构,例如为双层结构或者三层结构等,其冷热源的制冷端也可以给冷热源的制热端进行散热,增加散热效率。
【第二实施例】
本实施例提供的挂脖空调的结构与前述第一实施例提供的半导体制冷器1的结构基本相同,其所不同之处主要在于:冷热源12包括:第一基板123、第二基板126、第三基板132、第三半导体晶粒层129。
具体地,如图5所示,所述冷热源12例如包括:第一基板123、第二基板126、第一半导体晶粒层121、第二半导体晶粒层122、第一导接片124、第二导接片127、第一封装件125和第二封装件128。
其中,如图5所示,第一基板123设置在所述第一半导体晶粒层121远离所述第一导热绝缘层14的一侧。第二半导体晶粒层122设置在所述第一基板123远离所述第一半导体晶粒层121的一侧上。第二基板126与所述第一基板123相对设置、且位于所述第二半导体晶粒层122远离所述第一基板123的一侧上。所述第一导接片124设置在所述第一半导体晶粒层121和所述第一导热绝缘层14之间,每一所述第一导接片124连接所述第一半导体晶粒层中121的相邻两个半导体晶粒。第一封装件125围绕所述第一半导体晶粒层121的外围设置,第二导接片127设置在所述第二半导体晶粒层122和所述第一基板123之间,每一个第二导接片127连接所述第二半导体晶粒层中122的相邻两个半导体晶粒。第二封装件128围绕所述第二半导体晶粒层122的外围设置。
第一基板123、第二基板126例如为陶瓷基板。
由于在本实施例中,冷热源12的一端是连接有第一导热绝缘层14,而另一端上是没有设置导热绝缘层。所以需要设置陶瓷基板将冷热源12的结构完善并形成一个整体。从而可以达到冷热源12的散热效率。
在本实施例的一个较佳实施例中,如图6所示,本实施例提供的冷热源12例如还包括有:第三基板132、第三半导体晶粒层129、第三导接片130和第三隔热层131。
具体地,第三半导体晶粒层129设置在设置在第二基板126远离第二半导体晶粒层122的一侧,第三导接片130设置在所述第三半导体晶粒层129和所述第二基板126之间。第三封装件131围绕第三半导体晶粒层129的外围设置。第三基板132设置在第三半导体晶粒层129远离第二基板126的一侧上。
第三基板132例如为陶瓷基板。
本实施例通过多设置一层半导体晶粒层以及多设置一层基板,使得冷热源12为三层结构,能够达到进一步增加其散热效率。
【第三实施例】
本实用新型实施例提供了一种便携式空调2,便携式空调例如包括:壳体21以及如上两个实施例中任一实施例所述的半导体制冷器1。
在本实施例中,便携式空调10可以是挂脖式空调、头戴式空调或者腰戴式空调等。为了方便,以下实施例均以便携式空调10为挂脖式空调为例进行阐述。
其中,在本实施例中,以便携式空调为挂脖空调为例予以说明。挂脖风扇的壳体21适合佩戴在人体的颈部,壳体21可大致呈U型状结构,壳体21还可以包括有内壳体与外壳体,外壳体与内壳体组装连接形成容纳半导体制冷器1等内部元件的容纳空间。在本实施例中,所述半导体制冷器1可设置在壳体21的中间位置上;在其他实施例中,所述半导体制冷器1可设置在壳体21的端部位置上。半导体制冷器1的具体位置可根据实际的挂脖空调内部的容纳空间确定,具体此处不做限定。
如图8所示,所述半导体制冷器1设置在所述壳体21内。
通过将第一实施例和第二实施例中所述的半导体制冷器1设置在本实施例的挂脖式空调的壳体21内,使得该挂脖式空调也能够达到提升制冷效果或者制热效果的功效,以满足用户的更多需求。
如图7-图8所示,在本实施例中,所述便携式空调2还例如包括接触传导件22。其中,所述接触传导件22设置在所述壳体21上、且热传导连接所述半导体制冷器1,如图7所示,接触传导件22可例如设置在壳体21上靠近人体部分的两端设置。所述接触传导件22可例如包括相互间隔设置的第一传导片、第二传导片和第三传导片,第一传导片和第二传导片可对称设置在挂脖空调的壳体21的两端上,且可靠近人体位置设置。第三传导片可设置壳体上,且设置在邻近半导体制冷器1、且靠近人体位置的一侧上。第一传导片、第二传导片以及第三传导片都具有良好的导温性能,其可以由导热系数较高的金属材料制成,例如铜、铝或者铜铝合金制成。需要说明的是,本实用新型实施例中的“热传导连接”是指两个物体间可以直接接触以形成热量的传递,或者间接接触以形成热量的传递,例如可以通过导热硅脂/硅胶,或者石墨等中间导热介质进行间接接触以形成热量的传递等等。
在本实施例的一个较佳实施例中,如图9-图10所示,挂脖空调例如还包括均温件23。其中,所述均温件23设置在所述半导体制冷器1和所述接触传导件22之间、且与所述接触传导件22和所述半导体制冷器1热传导连接。
其中,所述均温件23例如为石墨烯层或者均温板,当然也可以同时设置为石墨烯和均温板,用于将冷热源12的冷量或者热量通过均温件23传递到接触传导件22上,使得接触传导件22上的三个传导片传导的温度都比较均衡,用户不会体验到的接触传导件22上的三个传导片之间传导的温度的差距,从而提升用户的体验感。
在本实施例的一个较佳实施例中,如图9-图10所示,挂脖空调例如还包括有固定件24,所述固定件24设置在所述壳体21内,所述固定件24抵接在所述冷热源12上、且设置在所述接触传导件22靠近所述半导体制冷器1上。所述固定件24可例如为一弯折的固定板,其用于固定半导体制冷器1,防止半导体制冷器1受外部因素影响,例如晃动,掉落等因素导致其从壳体21内脱落,导致挂脖空调无法正常工作。
此外,可以理解的是,前述各个实施例仅为本实用新型的示例性说明,在技术特征不冲突、结构不矛盾、不违背本实用新型的发明目的前提下,各个实施例的技术方案可以任意组合、搭配使用。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种半导体制冷器(1),其特征在于,包括:
第一金属传导件(11);
冷热源(12),包括第一半导体晶粒层(121);
第一导热绝缘层(14),设置在所述第一金属传导件(11)和所述第一半导体晶粒层(121)之间并隔开所述第一金属传导件(11)和所述第一半导体晶粒层(121)。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述第一导热绝缘层(14)为石墨烯层;和/或,所述第一导热绝缘层(14)喷涂或粘贴在所述第一金属传导件(11)上。
3.根据权利要求1所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述第一金属传导件(11)包括底板(111)和多个传导部(112),所述多个传导部(112)相互间隔地设置在所述底板(111)的一侧,所述第一导热绝缘层(14)设置在所述底板(111)的另一侧。
4.根据权利要求3所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述半导体制冷器(1)还包括第二金属传导件(15)和第二导热绝缘层(16);所述第二金属传导件(15)和所述第一金属传导件(11)位于所述冷热源(12)的相对两侧,所述第二导热绝缘层(16)设置在所述第二金属传导件(15)和所述冷热源(12)之间并隔开所述第二金属传导件(15)和所述冷热源(12)。
5.根据权利要求4所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述冷热源(12)还包括:
第二半导体晶粒层(122),所述第二导热绝缘层(16)设置在所述第二金属传导件(15)和所述第二半导体晶粒层(122)之间并隔开所述第二金属传导件(15)和所述第二半导体晶粒层(122);
第一基板(123),设置在所述第一半导体晶粒层(121)和所述第二半导体晶粒层(122)之间并隔开所述第一半导体晶粒层(121)和所述第二半导体晶粒层(122)。
6.根据权利要求1所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述冷热源(12)还包括:
多个第一导接片(124),设置在所述第一半导体晶粒层(121)和所述第一导热绝缘层(14)之间,每一所述第一导接片(124)连接所述第一半导体晶粒层(121)中的相邻两个半导体晶粒;
第一封装件(125),围绕所述第一半导体晶粒层(121)的外围设置。
7.根据权利要求1所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述第一金属传导件(11)的两端延伸超出所述冷热源(12)的两端。
8.根据权利要求1所述的半导体制冷器(1),其特征在于,所述冷热源(12)还包括:
第一基板(123),设置在所述第一半导体晶粒层(121)远离所述第一导热绝缘层(14)的一侧;
第二半导体晶粒层(122),设置在所述第一基板(123)远离所述第一半导体晶粒层(121)的一侧上;
第二基板(126),与所述第一基板(123)相对设置、且位于所述第二半导体晶粒层(122)远离所述第一基板(123)的一侧上。
9.一种便携式空调(2),其特征在于,包括:
壳体(21);
如上权利要求1-8中任一项所述的半导体制冷器(1),设置在所述壳体(21)内。
10.根据权利要求9所述的便携式空调(2),其特征在于,所述便携式空调(2)还包括接触传导件(22),所述接触传导件(22)设置在所述壳体(21)上、且热传导连接所述半导体制冷器(1)。
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