CN219136919U - 一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，包括吹扫进气口、吹扫流道和吹扫出气口，所述吹扫进气口设置于基座底部的底板上，所述基座设置于反应室下炉体的中心位置处，所述底板顶部的所述基座外部还套设有石英罩，所述石英罩内开设有与所述吹扫进气口连通的第一吹扫流道，所述基座的外部的内隔热筒和外隔热筒之间开有第二吹扫流道，所述第二吹扫流道连通所述第一吹扫流道，所述吹扫出气口设置于所述第二吹扫流道的顶部，且与所述反应室的下部套筒内壁相对；本实用新型中的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，能够实现成膜工艺过程对易沉积位置进行气体吹扫冲洗抑制沉积，可降低清理频率，使成膜装置长时间连续生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体成膜装置技术领域，特别是涉及一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统。
背景技术
随着行业发展，半导体制造装置向高生产效率、高成膜质量方向发展。成膜过程中需满足晶片稳定旋转、达到反应温度、气体均匀供给等条件。
立式成膜装置过程气体从顶部进气室垂直流向下方晶片基座，接触反应后气体沿横向脱离基板，从底部排气口抽出。靠近晶片区域温度较高加速混合后的反应气体反应沉积，气体与晶片接触后气体流向改变流速减缓，脱离基板斜向下流动与下炉体套筒内壁接触沉积。排气口温度较低，油性硅烷和其他反应产物沿套筒内壁流向排气口，并于开口处汇集。连续生产时易堆积影响腔室内气体流动，阻碍后续新通入反应气与晶片表面充分接触，影响薄膜生长质量。需频繁对反应室下部腔体进行清理，保证气流通畅。
套筒与排气口表面发生沉积后用常规擦拭打磨等方式较难清除彻底。进行蚀刻工艺通入蚀刻气体去除沉积，影响生产效率，且蚀刻气体具有一定危害性。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，以解决上述现有技术存在的问题，成膜工艺过程对易沉积位置进行气体吹扫冲洗抑制沉积，可降低清理频率，使成膜装置长时间连续生产。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
本实用新型提供一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，包括吹扫进气口、吹扫流道和吹扫出气口，所述吹扫进气口设置于基座底部的底板上，所述基座设置于反应室下炉体的中心位置处，所述底板顶部的所述基座外部还套设有石英罩，所述石英罩内开设有与所述吹扫进气口连通的第一吹扫流道，所述基座的外部的内隔热筒和外隔热筒之间开有第二吹扫流道，所述第二吹扫流道连通所述第一吹扫流道，所述吹扫出气口设置于所述第二吹扫流道的顶部，且与所述反应室的下部套筒内壁相对。
优选地，所述吹扫进气口为周向均布于所述底板上的若干气孔。
优选地，所述石英罩的顶部设置有若干连通所述第一吹扫流道和第二吹扫流道的出气孔，所述石英罩顶部的出气孔的孔径小于所述底板上的吹扫进气口的孔径。
优选地，所述吹扫出气口设置于所述基座顶部的基板的底部。
优选地，所述吹扫出气口横向设置或向下倾斜设置。
本实用新型相对于现有技术取得了以下有益技术效果：
本实用新型提供的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，应用到成膜装置中，在基座上增设吹扫流道，成膜工艺过程对易沉积位置进行气体吹扫冲洗抑制沉积，可降低清理频率，使成膜装置长时间连续生产，提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型中带有抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统的反应室内气流流向结构示意图；
图2为本实用新型中反应室下部的局部示意图；
图3为本实用新型中基座的结构示意图；
图4为图3中A处的局部放大图；
图5为图3中B处的局部放大图，其中吹扫出气口横向设置；
图6为图3中B处的局部放大图，其中吹扫出气口向下倾斜设置
图中：1-进气室、2-上部套筒、3-下部套筒、4-基座、5-排气口、6-基座旋转驱动机构、7-吹扫出气口、8-内隔热筒、9-外隔热筒、10-石英罩、11-吹扫进气口、12-第一吹扫流道、13-第二吹扫流道。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的目的是提供一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，以解决现有技术存在的问题。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本实施例中的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，如图1-图3所示，应用到成膜装置中，成膜装置的反应室内设置有上部套筒2和下部套筒3，基座4位于反应室下炉体的中心位置处，晶片放置于基座4之上，顶部进气室1下供给过程气体，与晶片接触反应后，多余气体和废气从基板上表面延下部套筒3内壁流向反应室底部排气口5；吹扫系统包括吹扫进气口11、吹扫流道和吹扫出气口7，吹扫进气口11设置于基座4底部的底板上，底板顶部的基座4外部还套设有石英罩10，石英罩10内开设有与吹扫进气口11连通的第一吹扫流道12，基座4的外部的内隔热筒8和外隔热筒9之间开有第二吹扫流道13，第二吹扫流道13连通第一吹扫流道12，吹扫出气口7设置于第二吹扫流道13的顶部，且与反应室的下部套筒3内壁相对。
于本具体实施例中，吹扫进气口11为周向均布于底板上的若干气孔。如图4所示，石英罩10的顶部设置有若干连通第一吹扫流道12和第二吹扫流道13的出气孔，石英罩10顶部的出气孔的孔径小于底板上的吹扫进气口11的孔径，石英罩10顶部的出气孔孔径小于吹扫进气口11，目的是能够在加快气体流速的同时出气更为均匀。石英罩10的设置在起到减少内隔热筒8和外隔热筒9热量传导流失的同时，还起到吹扫进气气体均匀导向作用。
于本具体实施例中，吹扫出气口7设置于基座4顶部的基板的底部。如图5-图6所示，吹扫出气口7横向设置或向下倾斜设置。
本实施例中，侧壁吹扫气体流量由供气管路气体质量流量计控制，可手动设定也可根据过程气体流量自行调整匹配。吹扫气体从吹扫出气口7冲向下部套筒3内壁，稀释反应废气携带微粒，垂直向下经排气口5抽离反应室。
吹扫气体中混入少量HCl等蚀刻气体，可提高沉积去除效果。基板搬运时，停止通入反应气体和侧壁吹扫气体，增大通向晶体表面的非反应气体流量，防止残余的蚀刻气体侵蚀晶体表面。
本实用新型应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (5)
1.一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，其特征在于：包括吹扫进气口、吹扫流道和吹扫出气口，所述吹扫进气口设置于基座底部的底板上，所述基座设置于反应室下炉体的中心位置处，所述底板顶部的所述基座外部还套设有石英罩，所述石英罩内开设有与所述吹扫进气口连通的第一吹扫流道，所述基座的外部的内隔热筒和外隔热筒之间开有第二吹扫流道，所述第二吹扫流道连通所述第一吹扫流道，所述吹扫出气口设置于所述第二吹扫流道的顶部，且与所述反应室的下部套筒内壁相对。
2.根据权利要求1所述的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，其特征在于：所述吹扫进气口为周向均布于所述底板上的若干气孔。
3.根据权利要求2所述的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，其特征在于：所述石英罩的顶部设置有若干连通所述第一吹扫流道和第二吹扫流道的出气孔，所述石英罩顶部的出气孔的孔径小于所述底板上的吹扫进气口的孔径。
4.根据权利要求1所述的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，其特征在于：所述吹扫出气口设置于所述基座顶部的基板的底部。
5.根据权利要求4所述的抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统，其特征在于：所述吹扫出气口横向设置或向下倾斜设置。
Priority Applications (1)
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| CN202320112387.4U CN219136919U (zh) | 2023-01-16 | 2023-01-16 | 一种抑制气相生长时侧壁沉积的吹扫系统 |
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Publications (1)
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| CN (1) | CN219136919U (zh) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN117089927A (zh) * | 2023-10-14 | 2023-11-21 | 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 | 一种薄膜外延设备的气体吹扫系统及吹扫方法 |
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2023
- 2023-01-16 CN CN202320112387.4U patent/CN219136919U/zh active Active
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| CN117089927A (zh) * | 2023-10-14 | 2023-11-21 | 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 | 一种薄膜外延设备的气体吹扫系统及吹扫方法 |
| CN117089927B (zh) * | 2023-10-14 | 2024-01-23 | 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 | 一种薄膜外延设备的气体吹扫系统及吹扫方法 |
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