CN219032360U - 气体扩散器及半导体工艺设备 - Google Patents

气体扩散器及半导体工艺设备 Download PDF

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CN219032360U CN202222217925.4U CN202222217925U CN219032360U CN 219032360 U CN219032360 U CN 219032360U CN 202222217925 U CN202222217925 U CN 202222217925U CN 219032360 U CN219032360 U CN 219032360U
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杨宗林
徐晓钟
宋志辉
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Abstract

本实用新型提供一种气体扩散器及半导体工艺设备，气体扩散器包括：法兰盘，在法兰盘中设置有第一进气通道，第一进气通道的出气端与工艺腔室的进气口连通；连接结构，其与法兰盘固定连接，连接结构用于与气源进气管路配合连接；并且，在连接结构中设置有第二进气通道，第二进气通道的出气端与第一进气通道的进气端连通，第二进气通道的进气端用于通过进气管路与气源连通；以及气体逆止组件，设置在第二进气通道中，用于只允许自第二进气通道的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过。本实用新型提供的气体扩散器可以有效地防止进入到扩散器内的气体逆流，避免对气源造成污染。

Description

气体扩散器及半导体工艺设备
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种气体扩散器及半导体工艺设备。
背景技术
随着集成电路产业的发展，芯片制造过程中的关键是尺寸越来越小，对颗粒物的控制越来越严格，同时，要求器件有着长期稳定性和可替代性。对于PVD(Physical VaporDeposition，以下简称PVD)、ALD(Atomic Layer Deposition,ALD)、刻蚀等的芯片核心工艺，芯片制作的工艺过程均需要在腔室中进行，在工艺过程中，腔室需要保持真空状态，完成工艺后的芯片需要被传输至大气环境下的储存盒中，在转运平台里通常配备有在真空环境与大气环境之间转换的特殊腔室，完成这一转换需要借助气体扩散器，气体扩散器可以保证充入该腔室中的N2(氮气)能够去除腔室内的气体所含有的颗粒，防止对进入腔室的晶圆表面造成污染，同时，保证充入腔室中的气体流速平稳，不会影响晶圆的定位精度。
但是，当工艺完成后的晶圆进入转运平台的腔室中时，可能会携带部分特殊气体(如有毒有害气体或腐蚀性气体等)，若这些特殊气体进入腔室中可能会沿气体扩散器逆流扩散到进气管路中，污染气源或腐蚀流经的管路，造成管路的寿命降低。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种气体扩散器及半导体工艺设备，可以有效地防止进入到扩散器内的气体逆流，避免对气源造成污染，同时，也避免了气体对管路造成腐蚀。
为实现本实用新型的目的之一，从而提供一种气体扩散器，用于向半导体工艺设备的工艺腔室通入气体，包括：
法兰盘，在所述法兰盘中设置有第一进气通道，所述第一进气通道的出气端与所述工艺腔室的进气口连通；
连接结构，其与所述法兰盘固定连接，所述连接结构用于与气源进气管路配合连接；并且，在所述连接结构中设置有第二进气通道，所述第二进气通道的出气端与所述第一进气通道的进气端连通，所述第二进气通道的进气端用于通过进气管路与气源连通；以及
气体逆止组件，设置在所述第二进气通道中，用于只允许自所述第二进气通道的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过。
可选的，在所述第二进气通道的通道壁上设置有环形凹槽，所述环形凹槽包括沿所述进气方向依次设置的第一端面和第二端面；
所述气体逆止组件包括逆止推动件、弹性助推件、和第一密封件，其中，所述逆止推动件位于所述第一端面与所述第二端面之间，所述第一密封件位于所述第一端面与所述逆止推动件之间；所述弹性助推件位于所述逆止推动件与所述第二端面之间，且朝与所述进气方向相反的方向向所述逆止推动件施加弹力，以将所述第一密封件压紧于所述第一端面上。
可选的，在所述逆止推动件与所述第一端面相对的表面上形成有环槽，所述第一密封件的一部分位于所述环槽中。
可选的，所述法兰盘具有与所述工艺腔室的进气口相对的第一表面，和背离所述第一表面的第二表面，其中，在所述第一表面上形成有凹腔；在所述第二表面上形成有贯通至所述凹腔的通孔，所述通孔与所述凹腔构成所述第一进气通道，所述凹腔的开口即为所述第一进气通道的出气端；
所述气体扩散器还包括固定组件，所述固定组件用于将所述法兰盘与所述工艺腔室可拆卸连接，且在所述工艺腔室的进气口所在的腔室壁与所述法兰盘的所述第一表面之间设置有第二密封件，用于对二者之间的间隙进行密封。
可选的，所述气体扩散器还包括过滤部件；
在所述第一表面上还形成有用于容置所述过滤部件的第一容置槽，所述凹腔的开口位于所述第一容置槽的底面上；所述过滤部件叠置于所述第一容置槽的底面，用于过滤流经的气体中所含颗粒物；
在所述过滤部件与所述第一容置槽的底面之间还设置有第三密封件，用于密封所述凹腔的开口。
可选的，所述过滤部件的外周面与所述第一容置槽的侧面为过渡配合。
可选的，所述过滤部件包括硬质环形安装部和嵌设在所述硬质环形安装部的内侧的多层过滤网，其中，所述硬质环形安装部叠置于所述第一容置槽的底面，所述多层过滤网在所述第一容置槽的底面上的正投影至少完全覆盖所述凹腔的开口。
可选的，所述固定组件包括固定环和多个紧固件，其中，所述固定环用于叠置于所述工艺腔室的进气口所在的腔室壁上，并通过多个所述紧固件与所述腔室壁固定连接；
在所述固定环用于与所述腔室壁相对的表面上形成有用于容置所述法兰盘的第二容置槽，所述连接结构穿过所述固定环的环孔，并与所述进气管路配合连接。
可选的，所述连接结构包括焊接筒、套筒和管帽，其中，所述套筒所围空间即为所述第二进气通道；所述套筒的一端与所述焊接筒的一端焊接，所述焊接筒的另一端与所述法兰盘焊接，且所述套筒所围空间通过所述焊接筒所围空间与所述第一进气通道连通；
所述管帽套设于所述套筒上，且具有外螺纹，用于与所述进气管路的连接接头上的内螺纹相配合。
根据本申请的第二方面，还提供一种半导体工艺设备，包括上述所述的气体扩散器。
本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型提供的气体扩散器通过在连接结构的第二进气通道中设置气体逆止组件，只允许自该第二进气通道的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过，即实现对气体的逆止，保证气体只能从气源向工艺腔室进行单向流动，而无法逆流，从而可以有效避免对气源造成污染，同时，也避免了气体对管路造成腐蚀，大大延长了该气体扩散器的使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中的气体扩散器的正视结构示意图；
图2为现有技术中的气体扩散器的仰视结构示意图；
图3为本申请的实施例的气体扩散器的整体结构示意图；
图4为本申请的实施例的气体扩散器的仰视结构示意图；
图5A为图3中的气体逆止组件的整体结构示意图；
图5B为图3中的连接结构的部分结构示意图；
图6为图3中的气体逆止组件的分体结构示意图；
图7为图3中的法兰盘的整体结构示意图；
图8为图3中的过滤部件的整体结构示意图；
图9为图3中的过滤部件处于工作状态的结构示意图；
图10为本申请的实施例的半导体工艺设备的整体结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图来对本实用新型提供的温度控制装置及应用其的反应腔室进行详细描述。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
如图1和图2所示，现有技术中的扩散器主要包括接头10、法兰盘20、滤芯30以及橡胶密封圈40。工作时，接头10连接外部的N2气路，将N2引入到法兰盘20中的流道内；滤芯30用于对流经的N2进行过滤，去除N2中的颗粒，同时，使N2由紊流状态转变为层流状态，其中，滤芯30与法兰盘20通过焊接的方式连为一体，橡胶密封圈40可以实现法兰盘20与转运平台之间的密封，保证外界气体不会进入法兰盘20中的流道。
但是，工艺完成后的晶圆可能会携带部分特殊气体(如有毒有害气体或腐蚀性气体等)进入到转运平台，进入转运平台中的特殊气体可能会沿气体扩散器逆流进入到进气管路中，污染气源或腐蚀相应的管道，造成管道的寿命降低。
为了解决上述问题，本申请提供一种气体扩散器，该气体扩散器用于向半导体工艺设备的工艺腔室通入气体，该工艺腔室例如为转运平台上用于在真空环境与大气环境之间进行转换的腔室，在进行工艺时，该腔室处于真空环境，完成工艺后的晶圆可以进入该腔室后，该腔室转换为大气环境，以能够将工艺后的晶圆传输至大气环境的储存盒中。以上述腔室为图10所示的工艺腔室200为例，该工艺腔室200的进气口位于腔室底部，气体扩散器100对应设置在工艺腔室200的底部，并与气源的进气管路300连接，由气源的进气管路300提供的气体(例如氮气)会通过气体扩散器100进入工艺腔室200，进气方向如图10中的箭头所示，在此过程中，气体扩散器100用于对流经的气体进行过滤，去除气体中的颗粒，同时，使气体由紊流状态转变为层流状态，从而可以防止对进入腔室的晶圆表面造成污染，同时，保证充入腔室中的气体流速平稳，不会影响晶圆的定位精度。
需要说明的是，上述气体扩散器并不局限于设置于工艺腔室的底部，在实际应用中，工艺腔室的进气口所在位置不同，上述气体扩散器的位置也相应有所改变。
如图3所示，图中示意性地显示了该气体扩散器100包括法兰盘1、连接结构2以及气体逆止组件3。其中，在法兰盘1中设置有第一进气通道13，该第一进气通道13的出气端与工艺腔室200的进气口连通；连接结构2与法兰盘1固定连接，连接结构2用于与气源的进气管路300配合连接；并且，在连接结构2中设置有第二进气通道24，该第二进气通道24的出气端与上述第一进气通道13的进气端连通，第二进气通道24的进气端用于通过进气管路300与气源(图中未示出)连通；气体逆止组件3设置在第二进气通道24中，用于只允许自第二进气通道24的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过，该进气方向如图3中的箭头所示。
通过在连接结构2的第二进气通道24中设置气体逆止组件3，只允许自该第二进气通道24的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过，即实现对气体的逆止，保证气体只能从气源向工艺腔室200进行单向流动，而无法逆流，从而可以有效避免对气源造成污染，同时，也避免了气体对管路造成腐蚀，大大延长了该气体扩散器的使用寿命。
在一些可选的实施例中，请一并参阅图5A至图6，在第二进气通道24的通道壁上设置有环形凹槽241，该环形凹槽241包括沿进气方向(即图6中的箭头方向)依次设置的第一端面241a和第二端面241b；气体逆止组件3包括逆止推动件31、弹性助推件32和第一密封件33，其中，逆止推动件31位于第一端面241a与第二端面241b之间，第一密封件33位于第一端面241a与逆止推动件31之间，且与逆止推动件31连接；弹性助推件32位于逆止推动件31与第二端面241b之间，且朝与上述进气方向相反的方向向逆止推动件31施加弹力，以将第一密封件33压紧于第一端面241a上。在由气源的进气管路300提供的气体流入第二进气通道24中时，逆止推动件31会在气体压力的作用下克服弹性助推件32的弹力沿图6中的箭头方向移动，此时第一密封件33会随弹性助推件32同步移动，并与第一端面241a相分离，从而气体能够从第一密封件33与第一端面241a之间的间隙穿过逆止推动件31，并沿第二进气通道24继续流动。在没有气体或者流量较小的气体沿进气方向(即图6中的箭头方向)流入第二进气通道24中时，逆止推动件31在弹性助推件32的弹力作用下，始终将第一密封件33压紧于第一端面241a上。
如果从法兰盘1一侧有逆流而来的气体，其在流动至逆止推动件31时，会向逆止推动件31施加使第一密封件33压紧于第一端面241a的压力，从而无法穿过逆止推动件31进入进气管路300，实现了对气体的逆止，保证气体只能从气源向工艺腔室200进行单向流动，而无法逆流，从而可以有效避免对气源造成污染，同时，也避免了气体对管路造成腐蚀，大大延长了该气体扩散器的使用寿命。
上述第一密封件33例如为密封圈，其在被压紧于第一端面241a上时产生压缩形变，以实现对逆止推动件31与第一端面241a之间的间隙进行密封。上述密封圈例如为橡胶密封圈或为其它具有弹性形变材质的密封圈。
在一些可选的实施例中，弹性助推件32可为弹簧、扭簧或其它具有弹性功能的部件。
在一些可选的实施例中，如图5B所示，逆止推动件31的整体形状类似为锥台状，其中，外径较大的一端朝向气源的进气管路300的方向，外径较小的一端朝向法兰盘1的方向。其中，该逆止推动件31在该弹性助推件32的弹性推力的作用下，该逆止推动件31会沿第二进气通道24的轴向进行往复运动。
在一些可选的实施例中，如图5A和图5B所示，为了固定第一密封件33，保证其能够随逆止推动件31同步移动，在逆止推动件31与第一端面241a相对的表面311上形成有环槽312，第一密封件33的一部分位于环槽312中。具体地，第一密封件33例如可以卡设于环槽312的环形侧面，或者还可以采用粘接等的方式将第一密封件33的一部分固定于环槽312中，本实用新型实施例对此没有特别的限制。
在另一些可选的实施例中，也可以将第一密封件33与第一端面241a采用粘接或者卡槽固定等方式固定连接，在这种情况下，第一密封件33不随逆止推动件31同步移动，在由气源的进气管路300提供的气体流入第二进气通道24中时，逆止推动件31与第一密封件33相分离，从而气体能够从第一密封件33与逆止推动件31之间的间隙穿过逆止推动件31，并沿第二进气通道24继续流动。
在一些可选的实施例中，如图3和图10所示，法兰盘1具有与工艺腔室200的进气口相对的第一表面11，和背离该第一表面11的第二表面12，其中，在第一表面11上形成有凹腔131；在第二表面12上形成有贯通至该凹腔131的通孔132，该通孔132与凹腔131构成上述第一进气通道13，凹腔131的开口即为第一进气通道13的出气端。从第二进气通道24流出的气体依次经由通孔132和凹腔131流入工艺腔室200。而且，气体扩散器100还包括固定组件600，该固定组件600用于将法兰盘1与工艺腔室200可拆卸连接，且在工艺腔室200的进气口所在的腔室壁(例如图10中工艺腔室200的底壁)与气体扩散器100中法兰盘1的第一表面11之间设置有第二密封件5，用于对二者之间的间隙进行密封。由此，可以实现法兰盘1与工艺腔室200的固定连接，这种安装方式较简单，而且拆卸方便。
在一些可选的实施例中，如图7所示，通孔132在其出气端处形成有锥形孔，该锥形孔的开口尺寸沿进气方向递增。气体进入通孔132后，上述锥形孔可以便于气体的快速扩散，提高气体向工艺腔室200流动的速率。可选的，通孔132设置在法兰盘1的中心位置，以提高气体向四周扩散的均匀性。
在一些可选的实施例中，如图3和图7所示，在第一表面11上形成有环形凹槽14，该环形凹槽14环绕在过滤部件4周围，上述第二密封件5的一部分设置于该环形凹槽14，用于限定第二密封件5的位置。如图3所示，第二密封件5的一部分位于环形凹槽14之外，且相对于第一表面11凸出，当上述固定组件600将法兰盘1与工艺腔室200可拆卸连接之后，在固定组件600的紧固力的作用下，第二密封件5会产生压缩形变，从而实现密封作用。第二密封件5可为橡胶密封圈或为其它具有弹性形变材质的密封圈。
在一些可选的实施例中，如图10所示，固定组件600包括固定环601和多个紧固件602，其中，固定环601用于叠置于工艺腔室200的进气口所在的腔室壁上，并通过多个紧固件602与上述腔室壁固定连接，从而实现法兰盘1与工艺腔室200的固定连接；并且，在固定环601用于与腔室壁相对的表面上形成有用于容置法兰盘1的第二容置槽601a，上述连接结构2穿过固定环601的环孔601b，并与气源的进气管路300配合连接。
如图9所示，当进气管路300中的气体通过连接结构2进入到该凹腔131内时，气流一般为紊乱状态，并且在气体中还会夹带颗粒物50，如果直接将带有颗粒物50的气体通入到工艺腔室200中，则该颗粒物50便会附着在晶圆上，导致晶圆报废，紊乱的气流还会吹动工艺腔室200内的晶圆，使之产生位移，从而导致机械手与晶圆的定位精度出现偏差，导致晶圆的运输过程出现风险。另外，由于现有技术中的滤芯30与法兰盘20之间的连接方式为焊接，滤芯30与法兰盘20无法分离，当滤芯30的过滤性能达到饱和或者发生损坏时，无法单独更换滤芯30，而只能整体更换气体扩散器，从而降低了气体扩散器的使用寿命，增加了经济成本。
为了解决上述问题，本实用新型实施例提供的气体扩散器100还包括过滤部件4，用于对流经的气体进行过滤，去除气体所含颗粒物(例如图9中的颗粒物50)，同时，还可以使气体由紊流状态转变为层流状态，从而可以避免晶圆因产生位移而导致机械手与晶圆的定位精度出现偏差，导致晶圆的运输过程出现风险。并且，如图3和图7所示，在第一表面11上还形成有用于容置过滤部件4的第一容置槽15，凹腔131的开口位于第一容置槽15的底面151上；过滤部件4叠置于第一容置槽15的底面151；并且，在过滤部件4与第一容置槽15的底面151之间还设置有第三密封件6，用于对过滤部件4与第一容置槽15的底面151之间的间隙进行密封，从而可以密封凹腔131的开口。通过将过滤部件4设置于第一容置槽15中，并通过第三密封件6密封凹腔131的开口，可以实现过滤部件4与法兰盘1的可拆卸连接，当滤芯30的过滤性能达到饱和或者发生损坏时，可以单独更换过滤部件4，从而提高了气体扩散器的使用寿命，节省了经济成本。
在一些可选的实施例中，过滤部件4的外周面与第一容置槽15的侧面为过渡配合，这样可以将过滤部件4卡设在第一容置槽15中，从而可以提高过滤部件4与法兰盘1的连接稳固性，同时又可以方便该过滤部件4整体的安装和拆卸。
在一些可选的实施例中，如图8所示，过滤部件4包括硬质环形安装部41和嵌设在该硬质环形安装部41的内侧的多层过滤网42，其中，硬质环形安装部41叠置于第一容置槽15的底面151，多层过滤网42在第一容置槽15的底面151上的正投影至少完全覆盖凹腔131的开口，以保证从凹腔131的开口流出的气体均能够通过多层过滤网42进行过滤。多层过滤网42可以实现对颗粒物50的吸附以及实现对气体的进一步过滤和洁净作用。借助硬质环形安装部41，可以对该多层过滤网42起到较好的固定作用，避免该多层过滤网42出现褶皱或是不平整的情况。另外，可选的，硬质环形安装部41的外周面与第一容置槽15的侧面为过渡配合。该硬质环形安装部41的制造材质可为硬质合金。
需要说明的是，该硬质环形安装部41为过滤部件4提供了整体支撑，保证该过滤部件4的边缘光滑以及容易装配。
在一些可选的实施例中，如图9所示，该多层过滤网42可使用不同粒径的不锈钢粉末在高温高压下进行烧结而成，该多层过滤网42的孔隙大小均匀，过滤性能好。由于多层过滤网42的孔隙大小均一，气流在经过该多层过滤网42后，气流将变得更加平稳。
在一些可选的实施例中，如图3所示，上述连接结构2包括焊接筒21、套筒22和管帽23，其中，套筒22所围空间即为上述第二进气通道24；套筒22的一端与焊接筒21的一端焊接，焊接筒21的另一端与法兰盘1焊接，且套筒22所围空间(即，上述第二进气通道24)通过焊接筒21所围空间211与上述第一进气通道13连通；管帽23套设于套筒22上，且具有外螺纹231，如图10所示，管帽23的外螺纹231与进气管路300的连接接头301上的内螺纹相配合，以实现连接结构2与进气管路300的配合连接，这种连接方式方便安装和拆卸。当然，在实际应用中，连接结构2与进气管路300还可以采用其他任意配合连接结构，本实用新型实施例对此没有特别的限制。
需要说明的是，上述实施例中涉及到的“上”“下”方位描述，均是以图10所示的方位进行描述的，即，根据工艺腔室200在上方，该气体扩散器100在下方的方位进行描述的。
如图10所示，根据本申请的第二方面，还提供一种半导体工艺设备，包括上述实施例该的气体扩散器100。
综上所述，本实用新型提供的气体扩散器通过在连接结构的第二进气通道中设置气体逆止组件，只允许自该第二进气通道的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过，即实现对气体的逆止，保证气体只能从气源向工艺腔室进行单向流动，而无法逆流，从而可以有效避免对气源造成污染，同时，也避免了气体对管路造成腐蚀，大大延长了该气体扩散器的使用寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种气体扩散器，用于向半导体工艺设备的工艺腔室通入气体，其特征在于，包括：
法兰盘，在所述法兰盘中设置有第一进气通道，所述第一进气通道的出气端与所述工艺腔室的进气口连通；
连接结构，其与所述法兰盘固定连接，所述连接结构用于与气源进气管路配合连接；并且，在所述连接结构中设置有第二进气通道，所述第二进气通道的出气端与所述第一进气通道的进气端连通，所述第二进气通道的进气端用于通过进气管路与气源连通；以及
气体逆止组件，设置在所述第二进气通道中，用于只允许自所述第二进气通道的进气端向出气端的进气方向流动的气体通过。
2.根据权利要求1所述的气体扩散器，其特征在于，在所述第二进气通道的通道壁上设置有环形凹槽，所述环形凹槽包括沿所述进气方向依次设置的第一端面和第二端面；
所述气体逆止组件包括逆止推动件、弹性助推件、和第一密封件，其中，所述逆止推动件位于所述第一端面与所述第二端面之间，所述第一密封件位于所述第一端面与所述逆止推动件之间；所述弹性助推件位于所述逆止推动件与所述第二端面之间，且朝与所述进气方向相反的方向向所述逆止推动件施加弹力，以将所述第一密封件压紧于所述第一端面上。
3.根据权利要求2所述的气体扩散器，其特征在于，在所述逆止推动件与所述第一端面相对的表面上形成有环槽，所述第一密封件的一部分位于所述环槽中。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的气体扩散器，其特征在于，所述法兰盘具有与所述工艺腔室的进气口相对的第一表面，和背离所述第一表面的第二表面，其中，在所述第一表面上形成有凹腔；在所述第二表面上形成有贯通至所述凹腔的通孔，所述通孔与所述凹腔构成所述第一进气通道，所述凹腔的开口即为所述第一进气通道的出气端；
所述气体扩散器还包括固定组件，所述固定组件用于将所述法兰盘与所述工艺腔室可拆卸连接，且在所述工艺腔室的进气口所在的腔室壁与所述法兰盘的所述第一表面之间设置有第二密封件，用于对二者之间的间隙进行密封。
5.根据权利要求4所述的气体扩散器，其特征在于，所述气体扩散器还包括过滤部件；
在所述第一表面上还形成有用于容置所述过滤部件的第一容置槽，所述凹腔的开口位于所述第一容置槽的底面上；所述过滤部件叠置于所述第一容置槽的底面，用于过滤流经的气体中所含颗粒物；
在所述过滤部件与所述第一容置槽的底面之间还设置有第三密封件，用于密封所述凹腔的开口。
6.根据权利要求5所述的气体扩散器，其特征在于，所述过滤部件的外周面与所述第一容置槽的侧面为过渡配合。
7.根据权利要求5所述的气体扩散器，其特征在于，所述过滤部件包括硬质环形安装部和嵌设在所述硬质环形安装部的内侧的多层过滤网，其中，所述硬质环形安装部叠置于所述第一容置槽的底面，所述多层过滤网在所述第一容置槽的底面上的正投影至少完全覆盖所述凹腔的开口。
8.根据权利要求4所述的气体扩散器，其特征在于，所述固定组件包括固定环和多个紧固件，其中，所述固定环用于叠置于所述工艺腔室的进气口所在的腔室壁上，并通过多个所述紧固件与所述腔室壁固定连接；
在所述固定环用于与所述腔室壁相对的表面上形成有用于容置所述法兰盘的第二容置槽，所述连接结构穿过所述固定环的环孔，并与所述进气管路配合连接。
9.根据权利要求1-3任意一项所述的气体扩散器，其特征在于，所述连接结构包括焊接筒、套筒和管帽，其中，所述套筒所围空间即为所述第二进气通道；所述套筒的一端与所述焊接筒的一端焊接，所述焊接筒的另一端与所述法兰盘焊接，且所述套筒所围空间通过所述焊接筒所围空间与所述第一进气通道连通；
所述管帽套设于所述套筒上，且具有外螺纹，用于与所述进气管路的连接接头上的内螺纹相配合。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和上述权利要求1至9中任一项所述的气体扩散器。
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