CN218895348U - 混光led集成光源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了混光LED集成光源，包括基板和发光组件，设有共极焊盘、主焊接结构和副焊接结构；发光组件包括多个主发光模组和多个副发光模组，主发光模组和副发光模组交替设置，主发光模组包括多个可见波长发光芯片，副发光模组包括多个红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，所有红外波长发光芯片和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积。本实用新型能够有效提高主发光模组和副发光模组所发射光线的混合效果，通过对于人眼来说敏感度低于可见光波长的红外波长以及紫外波长的光线实现混光调节，混合后光线的柔和度与均匀性能够得到进一步的提升，混光发光效果好。

Description

混光LED集成光源

技术领域

本实用新型涉及光源技术领域，特别是涉及一种混光LED集成光源。

背景技术

发光二极管简称LED，具有体积小、寿命长、效率高的优点。设置LED芯片安装到基板，并将LED芯片与相应的焊盘焊接相连，通电时LED芯片能够实现发光，相关技术中，为适应不同的照明需求，工业设备的视觉检测仪器、氛围灯、调光灯等装置通常需要配备多种色光的光源实现照明，设置多个光源的占用空间大，而且多种色光的光源的组合使用操作复杂，同时启动不同色光的光源时容易出现颜色分区。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种混光LED集成光源，能够形成混光颜色均匀的发光效果，集成度高，使用方便。

根据本实用新型实施例的一种混光LED集成光源，包括基板和发光组件，设有共极焊盘、主焊接结构和副焊接结构；发光组件安装于基板的正面，发光组件包括多个主发光模组和多个副发光模组，主发光模组和副发光模组交替设置，主发光模组的两电极分别连接共极焊盘和主焊接结构，副发光模组的两电极分别连接共极焊盘和副焊接结构，主发光模组包括多个可见波长发光芯片，副发光模组包括多个红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，所有红外波长发光芯片和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积，红外波长发光芯片的发光波长为780～940nm，紫外波长发光芯片的发光波长为370～410nm。

根据本实用新型的一种混光LED集成光源，至少具有如下有益效果：通过交替设置的主发光模组和副发光模组，能够有效提高主发光模组和副发光模组所发射光线的混合效果，能够提高混光后颜色分布的均匀度，本实用新型的一个光源就能够实现混光调节的效果，设置主发光模组包括可见波长发光芯片，副发光模组包括红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，并且设置所有红外波长发光芯片的总发光面积和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积，以小面积发光的红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片对可见波长发光芯片所发出可见波长光线的颜色进行调节，在确保可见波长光线发光亮度的同时能够实现混色调节效果，相较于相关技术中通过设置不同颜色的可见波长光源来对发光效果进行调节，本实用新型实施例通过对于人眼来说敏感度低于可见光波长的红外波长以及紫外波长的光线实现混光调节，能够实现精度更高的混光调节效果，而且混合后光线的柔和度与均匀性能够得到进一步的提升，混光发光效果好。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，主发光模组的总发光面积大于副发光模组的总发光面积。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，副发光模组中的红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片交替设置。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，副焊接结构包括红外副焊盘和紫外副焊盘，所有的红外波长发光芯片串联或并联于共极焊盘和红外副焊盘之间，所有的紫外波长发光芯片串联或并联于共极焊盘和紫外副焊盘之间。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括多个调光层组，调光层组与主发光模组一一对应，调光层组设于主发光模组的发光面，主焊接结构包括多个与主发光模组一一对应的主焊盘，各个主发光模组的一电极均连接共极焊盘，各个主发光模组的另一电极分别连接对应的主焊盘。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，调光层组包括多个与可见波长发光芯片一一对应的荧光胶层，各个荧光胶层分别位于对应可见波长发光芯片的发光面。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括呈网状的限位结构层，限位结构层位于基板的正面，可见波长发光芯片、红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片分别位于限位结构层的各个网孔中，可见波长发光芯片、红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片的厚度均小于限位结构层的厚度，荧光胶层分别位于限位结构层的各个网孔中。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，限位结构层包括均呈网状的绝缘层和增亮层，增亮层位于绝缘层远离基板的一侧。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，可见波长发光芯片的发光波长为450～470nm。

根据本实用新型一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括围坝和透光封装层，透光封装层位于基板的正面，发光组件均包覆于透光封装层内，围坝围绕于透光封装层外。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本实用新型实施例的混光LED集成光源的结构示意图；

图2为沿图1中A-A方向的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例的混光LED集成光源在标注各个芯片后的结构示意图。

附图标记：

基板100、共极焊盘110、主焊接结构120、主焊盘121、副焊接结构130、红外副焊盘131、紫外副焊盘132；

主发光模组210、可见波长发光芯片211、副发光模组220、红外波长发光芯片221、紫外波长发光芯片222；

荧光胶层300；

限位结构层400、绝缘层410、增亮层420；

围坝500；

透光封装层600。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、左、右、前、后等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。

发光二极管简称LED，具有体积小、寿命长、效率高的优点。COB光源是一种高功率集成面光源，将LED芯片安装在基板后，设置相应的线路并且对光源进行封装之后，通过组合使用COB光源能够获得相应的发光装置。

设置LED芯片安装到基板，并将LED芯片与相应的焊盘焊接相连，通电时LED芯片能够实现发光，相关技术中，为适应不同的照明需求，工业设备的视觉检测仪器、氛围灯、调光灯等装置通常需要配备多种色光的光源实现照明，设置多个光源的占用空间大，而且多种色光的光源的组合使用操作复杂，同时启动不同色光的光源时容易出现颜色分区。

基于此，参考图1至图3，本实用新型实施例提供了一种混光LED集成光源，包括基板100和发光组件，设有共极焊盘110、主焊接结构120和副焊接结构130；发光组件安装于基板100的正面，发光组件包括多个主发光模组210和多个副发光模组220，主发光模组210和副发光模组220交替设置，主发光模组210的两电极分别连接共极焊盘110和主焊接结构120，副发光模组220的两电极分别连接共极焊盘110和副焊接结构130，主发光模组210包括多个可见波长发光芯片211，副发光模组220包括多个红外波长发光芯片221和多个紫外波长发光芯片222，所有红外波长发光芯片221的总发光面积和所有紫外波长发光芯片222的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片211的总发光面积，红外波长发光芯片221的发光波长为780～940nm、紫外波长发光芯片222的发光波长为370～410nm。本实用新型实施例通过设置红外光波长紫外光波长能够对发光效果形成微调的效果，光色的调节精度高，由于人眼对可见光波段以外的光线敏感度较低，应用于固定大小的COB光源时，设置所有红外波长发光芯片221的总发光面积和所有紫外波长发光芯片222的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片211的总发光面积，基板100表面的面积分配合理，能够确保可见波长发光芯片211占据足够大的面积，以形成发光面足够大且亮度充足的可见光波发光效果。

通过交替设置的主发光模组210和副发光模组220，能够有效提高主发光模组210和副发光模组220所发射光线的混合效果，能够提高混光后颜色分布的均匀度，本实用新型的一个光源就能够实现混光调节的效果，设置主发光模组210包括可见波长发光芯片211，副发光模组220包括红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222，并且设置所有红外波长发光芯片221的总发光面积和所有紫外波长发光芯片222的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片211的总发光面积，以小面积发光的红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222对可见波长发光芯片211所发出可见波长光线的颜色进行调节，在确保可见波长光线发光亮度的同时能够实现混色调节效果，相较于相关技术中通过设置不同颜色的可见波长光源来对发光效果进行调节，本实用新型实施例通过对于人眼来说敏感度低于可见光波长的红外波长以及紫外波长的光线实现混光调节，能够实现精度更高的混光调节效果，而且混合后光线的柔和度与均匀性能够得到进一步的提升，混光发光效果好。

可以理解的是，主发光模组210的总发光面积大于副发光模组220的总发光面积，能够进一步提高由各个可见波长发光芯片211组成的可见波长发光效果，能量分配合理，能够提高混光LED集成光源的发光照明效果。

可以理解的是，同一副发光模组220中的红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222交替设置，当同时启动红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222进行调光时，交替设置的红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222能够有效提高混光颜色的均匀度。

可以理解的是，副焊接结构130包括红外副焊盘131和紫外副焊盘132，所有的红外波长发光芯片221串联或并联于共极焊盘110和红外副焊盘131之间，所有的紫外波长发光芯片222串联或并联于共极焊盘110和紫外副焊盘132之间。红外副焊盘131和共极焊盘110连接外部电源时，红外波长发光芯片221被导电接通，从而形成红外波段的发光效果；紫外副焊盘132和共极焊盘110连接外部电源时，紫外波长发光芯片222被导电接通，从而形成紫外波段的发光效果。

具体的，红外波长发光芯片221的发光波长为780～940nm，紫外波长发光芯片222的发光波长为370～410nm，共极焊盘110用于连接外部电源的阳极，红外副焊盘131和紫外副焊盘132分别通过对应的控制电路连接外部电源的阴极，通过控制红外副焊盘131和紫外副焊盘132的导通状态控制红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222的工作状态。

可以理解的是，混光LED集成光源还包括多个调光层组，调光层组与主发光模组210一一对应，调光层组设于主发光模组210的发光面，不同的调光层组具有不同的滤光波长，即不同的调光层组用于实现不同的光波调节效果，主焊接结构120包括多个与主发光模组210一一对应的主焊盘121，各个主发光模组210的一电极均连接共极焊盘110，各个主发光模组210的另一电极分别连接对应的主焊盘121。共极焊盘110用于连接外部电源的阳极，主焊盘121通过对应的控制电路连接外部电源的阴极，通过控制主焊盘121的导通状态，进而控制可见波长发光芯片211的工作状态。

可以理解的是，调光层组包括多个与可见波长发光芯片211一一对应的荧光胶层300，各个荧光胶层300分别位于对应可见波长发光芯片211的发光面，荧光胶层300配合相应的可见波长发光芯片211能够形成相应光谱的发光效果。

可以理解的是，可见波长发光芯片211的发光波长为450～470nm，通过配合不同颜色的荧光胶层300或荧光膜，可见波长发光芯片211发出的光线经过荧光胶层300或荧光膜之后能够形成相应色光的发光效果。

参照图3所示，VIS表示可见波长发光芯片211，NIR表示红外波长发光芯片221，UV表示紫外波长发光芯片222，可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222两两交替设置。利用两个接近可见光波段的光线对可见光波段的光线进行混光调节，能够实现调节精度高的混光调节效果。

可以理解的是，混光LED集成光源还包括呈网状的限位结构层400，限位结构层400位于基板100的正面，可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222分别位于限位结构层400的各个网孔中，可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222的厚度均小于限位结构层400的厚度，荧光胶层300分别位于限位结构层400的各个网孔中。当调光层组设置为荧光胶层300时，设置呈网状结构的限位结构层400用于将可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222间隔开，并且可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222的厚度均小于限位结构层400的厚度。基板100内部设置有相应的导电线路结构，加工时，先将可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222安装在基板100，并且将可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222通过基板100内部的线路结构分别与相应的主焊盘121结构和副焊盘结构连接，再将调好颜色的荧光胶倒入限位结构层400的网孔中，固化后形成在限位结构层400中的荧光胶层300中，限位结构层400用于对荧光胶进行限流，荧光胶层300的加工方便。

可以理解的是，限位结构层400包括均呈网状的绝缘层410和增亮层420，增亮层420位于绝缘层410远离基板100的一侧。绝缘层410为导热硅胶层，增亮层420为金属银镀层，通过设置导热硅胶层连接于各个发光芯片之间，能够提高可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221以及紫外波长发光芯片222的散热性能，从而提高它们相应的工作性能，金属银具有良好的反射性能以及散热性能。

具体的，可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222分别为蓝光倒装LED芯片、红外光倒装LED芯片、紫外光倒装LED芯片，蓝光倒装LED芯片、红外光倒装LED芯片、紫外光倒装LED芯片的电极厚度均小于限位结构层400的厚度，能够避免蓝光倒装LED芯片、红外光倒装LED芯片、紫外光倒装LED芯片的电极与金属银镀层接触，能够避免蓝光倒装LED芯片、红外光倒装LED芯片、紫外光倒装LED芯片被短路。

可以理解的是，参照图2所示，绝缘层410的顶部为锯齿状结构，增亮层420覆盖在锯齿状的绝缘层410顶面，能够形成良好的反射集光效果，进而能够提高发光亮度，并且经过多次反射能够进一步提高混光效果。

可以理解的是，限位结构层400中网线的宽度为0.1～0.3mm，即可见波长发光芯片211、红外波长发光芯片221和紫外波长发光芯片222两两相邻之间的距离为0.1～0.3mm，能够有效提高各个发光芯片组合所形成发光光斑亮度的均匀性，且限位结构层400的设置能够显著减少出现短路的问题。

具体的，限位结构层400中网线的宽度为0.2mm，即限位结构层400中相邻两个网格之间的最小距离为0.2mm。

可以理解的是，混光LED集成光源还包括围坝500和透光封装层600，透光封装层600位于基板100的正面，发光组件均包覆于透光封装层600内，围坝500围绕于透光封装层600外。围坝500通过涂覆围坝硅胶固化后得到，透光封装层600通过绝缘树脂或者透光树脂制得。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.混光LED集成光源，其特征在于，包括：

基板(100)，设有共极焊盘(110)、主焊接结构(120)和副焊接结构(130)；

发光组件，安装于所述基板(100)的正面，所述发光组件包括多个主发光模组(210)和多个副发光模组(220)，所述主发光模组(210)和所述副发光模组(220)交替设置，所述主发光模组(210)的两电极分别连接所述共极焊盘(110)和所述主焊接结构(120)，所述副发光模组(220)的两电极分别连接所述共极焊盘(110)和所述副焊接结构(130)，所述主发光模组(210)包括多个可见波长发光芯片(211)，所述副发光模组(220)包括多个红外波长发光芯片(221)和紫外波长发光芯片(222)，所有所述红外波长发光芯片(221)和所有所述紫外波长发光芯片(222)的总发光面积均小于所有所述可见波长发光芯片(211)的总发光面积，所述红外波长发光芯片(221)的发光波长为780～940nm，所述紫外波长发光芯片(222)的发光波长为370～410nm。

2.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述主发光模组(210)的总发光面积大于所述副发光模组(220)的总发光面积。

3.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述副发光模组(220)中的所述红外波长发光芯片(221)和所述紫外波长发光芯片(222)交替设置。

4.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述副焊接结构(130)包括红外副焊盘(131)和紫外副焊盘(132)，所有的所述红外波长发光芯片(221)串联或并联于所述共极焊盘(110)和所述红外副焊盘(131)之间，所有的所述紫外波长发光芯片(222)串联或并联于所述共极焊盘(110)和所述紫外副焊盘(132)之间。

5.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，还包括多个调光层组，所述调光层组与所述主发光模组(210)一一对应，所述调光层组设于所述主发光模组(210)的发光面，所述主焊接结构(120)包括多个与所述主发光模组(210)一一对应的主焊盘(121)，各个所述主发光模组(210)的一电极均连接所述共极焊盘(110)，各个所述主发光模组(210)的另一电极分别连接对应的所述主焊盘(121)。

6.根据权利要求5所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述调光层组包括多个与所述可见波长发光芯片(211)一一对应的荧光胶层(300)，各个所述荧光胶层(300)分别位于对应所述可见波长发光芯片(211)的发光面。

7.根据权利要求6所述的混光LED集成光源，其特征在于，还包括呈网状的限位结构层(400)，所述限位结构层(400)位于所述基板(100)的正面，所述可见波长发光芯片(211)、所述红外波长发光芯片(221)和所述紫外波长发光芯片(222)分别位于所述限位结构层(400)的各个网孔中，所述可见波长发光芯片(211)、所述红外波长发光芯片(221)和所述紫外波长发光芯片(222)的厚度均小于所述限位结构层(400)的厚度，所述荧光胶层(300)分别位于所述限位结构层(400)的各个所述网孔中。

8.根据权利要求7所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述限位结构层(400)包括均呈网状的绝缘层(410)和增亮层(420)，所述增亮层(420)位于所述绝缘层(410)远离所述基板(100)的一侧。

9.根据权利要求6至8任意一项所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述可见波长发光芯片(211)的发光波长为450～470nm。

10.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，还包括围坝(500)和透光封装层(600)，所述透光封装层(600)位于所述基板(100)的正面，所述发光组件均包覆于所述透光封装层(600)内，所述围坝(500)围绕于所述透光封装层(600)外。

Images