CN218827223U - 发光装置及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于LED封装领域，尤其涉及一种发光装置及显示装置，该发光装置包括包括基板、至少一发光芯片、控制芯片以及反射层。通过将发光芯片和控制芯片均设置在基板的正面，同时在基板的正面设置反射层，使控制芯片被反射层覆盖并使发光芯片的出光面外露于反射层，该发光装置在生产制造过程中，只需在基板的正面固晶打线封胶，生产制造过程相对简单。通过反射层覆盖控制芯片，能够降低控制芯片的吸光特性，同时利用反射层的反射面能够增加反射面积，提高封装后所形成的发光装置以及显示装置的出光亮度。

Description

发光装置及显示装置

技术领域

本实用新型涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种发光装置及显示装置。

背景技术

近年消费者对于显示画面颜色质量的要求愈来愈高，传统LED(Light EmittingDiode，发光二极管)单调的红、蓝、绿三色发光形式已经不能满足高端产品的需求。然而，传统RGB(Red green blue,红、绿、蓝)LED要达成全彩应用，必需外加一个独立外置IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片来控制。对此，相关技术中透过将IC芯片与LED芯片放置于同一个封装体内，以简化产品的布线数量，省去配置独立外置IC芯片所需的额外空间，同时能达到单点全彩的控制能力。

目前集成IC的LED封装是将IC芯片与LED芯片在基板同一面上电性连接, 由于IC芯片本身能够吸收可见光,因此会影响成品的亮度，使用特殊的封装结构将LED芯片与IC芯片放置于基板的不同面,虽然可以避免IC芯片对LED芯片的发光亮度造成影响，但封装时需要正反面固晶打线封胶,在制程上相对复杂。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种发光装置及显示装置，用于解决现有的发光装置无法实现制程相对简单且能够提升产品发光亮度的技术问题。

为此，根据本实用新型的一个方面，提供了一种发光装置，包括基板、至少一发光芯片、控制芯片以及反射层；

所述发光芯片和所述控制芯片均设置于所述基板的正面上，且所述发光芯片和所述控制芯片均电连接于所述基板，所述控制芯片用于控制所述发光芯片的发光，所述发光芯片具有远离所述正面的出光面，所述控制芯片具有远离所述正面的上表面，所述反射层设置于所述正面并覆盖所述控制芯片，所述反射层具有远离所述正面的反射面，沿所述基板的厚度方向，所述出光面与所述正面之间的距离大于所述上表面与所述正面之间的距离，所述反射面与所述正面之间的距离大于所述上表面与所述正面之间的距离且小于所述出光面与所述正面之间的距离。

可选地，所述正面上设置有用以安装所述发光芯片的第一安装位置和用以安装所述控制芯片的第二安装位置，沿所述基板的厚度方向，所述第一安装位置远离所述正面的第一表面与所述正面之间的第一间距大于所述第二安装位置远离所述正面的第二表面与所述正面之间的第二间距。

可选地，所述基板的所述正面具有电路，所述第一安装位置为第一焊盘，所述第二安装位置为第二焊盘，所述第一焊盘及所述第二焊盘均设置于所述电路上。

可选地，所述第一间距与所述第二间距的差值在50μm至300μm之间。

可选地，沿所述基板的厚度方向，所述发光芯片的厚度与所述控制芯片的厚度的差值在100μm至300μm之间。

可选地，所述至少一发光芯片包括红光二极管芯片、绿光二极管芯片和蓝光二极管芯片，所述红光二极管芯片的负极、所述绿光二极管芯片的负极和所述蓝光二极管芯片的负极均电连接于所述控制芯片，所述红光二极管芯片的正极、所述绿光二极管芯片的正极和所述蓝光二极管芯片的正极均电连接于所述基板。

可选地，所述发光装置还包括透光封装体，所述透光封装体覆盖于所述发光芯片和所述反射层上。

可选地，所述发光装置还包括反光侧墙，所述反光侧墙的内表面围绕所述透光封装体，所述反光侧墙的外表面与所述基板连接所述正面的周围侧面齐平。

可选地，所述反射层及所述反光侧墙均为白色，所述基板包括陶瓷基板、印刷电路基板或铝基板。

根据本实用新型的另一个方面，提供了一种显示装置，包括若干如上所述的发光装置，所述若干发光装置呈矩阵式排列。

本实用新型提供的发光装置及显示装置的有益效果在于：与现有技术相比，本实用新型的发光装置通过将发光芯片和控制芯片均设置在基板的正面，同时在基板的正面设置反射层，使控制芯片被反射层覆盖并使发光芯片的出光面外露于反射层，该发光装置在生产制造过程中，只需在基板的正面固晶打线封胶，生产制造过程相对简单。通过反射层覆盖控制芯片，能够降低控制芯片的吸光特性，同时利用反射层的反射面能够增加反射面积，提高封装后所形成的发光装置以及显示装置的出光亮度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1是本实用新型一实施例示出的发光装置的立体结构示意图；

图2是图1中的A-A向剖视结构示意图；

图3是本实用新型一实施例示出的另一种发光装置的剖视结构示意图；

图4是本实用新型一实施例示出的又一种发光装置的剖视结构示意图。

主要元件符号说明：

100、基板；

110、第一安装位置；120、第二安装位置；

200、发光芯片；

210、红光二极管芯片；220、绿光二极管芯片；230、蓝光二极管芯片；

300、控制芯片；

400、反射层；

500、反光侧墙；

600、透光封装体。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以通过许多其他不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

正如背景技术中所记载的，现有的发光装置无法实现制程相对简单且能够提升产品的发光亮度。

为了解决上述问题，根据本实用新型的一个方面，本实用新型的实施例提供了一种发光装置，如图1-图3所示，该发光装置包括基板100、至少一发光芯片200、控制芯片300以及反射层400。

发光芯片200和控制芯片300均设置于基板100的正面上，且发光芯片200 和控制芯片300均电连接于基板100，控制芯片300用于控制发光芯片200的发光，发光芯片200具有远离基板100正面的出光面，控制芯片300具有远离基板100正面的上表面，反射层400设置于基板100正面并覆盖控制芯片300，反射层400具有远离基板100正面的反射面，沿基板100的厚度方向，发光芯片 200出光面与基板100正面之间的距离(图中以h₁示出)大于控制芯片300上表面与基板100正面之间的距离(图中以h₂示出)，反射层400反射面与基板100 正面之间的距离(图中以h₃示出)大于控制芯片300上表面与基板100正面之间的距离(图中以h₂示出)且小于发光芯片200出光面与基板100正面之间的距离(图中以h₁示出)。

在本实用新型实施例中，发光装置通过将发光芯片200和控制芯片300均设置在基板100的正面，同时在基板100的正面设置反射层400，使控制芯片 300被反射层400覆盖并使发光芯片200的出光面外露于反射层400，该发光装置在生产制造过程中，只需在基板100的正面固晶打线封胶，生产制造过程相对简单。通过反射层400覆盖控制芯片300，能够降低控制芯片300的吸光特性，同时利用反射层400的反射面能够增加反射面积，提高封装后所形成的发光装置以及显示装置的出光亮度。

此外，可以理解的是，由于反射层400能够降低控制芯片300的吸光特性，同时增加反射面积，因此，在相同发光芯片200尺寸的封装情况下，可提升出光亮度，降低功耗，增加产品竞争力。

其中，基板100包括陶瓷基板、印刷电路基板或铝基板。反射层400采用不透光的高反射材料制成，如下述实施例中的高反射率白胶、 PPA(Polyphthalamide，聚邻苯二酰胺)、EMC(Epoxy Molding Compound，环氧树脂模塑料)、SMC(Sheet molding compound，片状模塑料)，上述材料同时具有热固性的特性，可以利用注塑方式制备。

在一种实施例中，如图2-图3所示，基板100的正面上设置有用以安装发光芯片200的第一安装位置110和用以安装控制芯片300的第二安装位置120，沿基板100的厚度方向，第一安装位置110远离基板100正面的第一表面与基板100正面之间的第一间距大于第二安装位置120远离基板100正面的第二表面与基板100正面之间的第二间距。

由此设计，使得在基板100上，发光芯片200的安装位置与控制芯片300 的安装位置存在高度差，即发光芯片200底部接著的平面高于控制芯片300底部接著的平面。确保在后续设置反射层400时，反射层400能够完全覆盖控制芯片300但不会没过发光芯片200的出光面。

在一种具体的实施例中，如图2所示，基板100的正面具有电路(图中未示出)，第一安装位置110为第一焊盘，第二安装位置120为第二焊盘，第一焊盘及第二焊盘均设置于电路上。

在本实施例中，发光芯片200的安装位置与控制芯片300的安装位置的高度差是通过控制基板100上放置发光芯片200的第一焊盘的厚度与放置控制芯片300的第二焊盘的厚度实现的。利用第一焊盘和第二焊盘的厚度差去确保最终控制芯片300的上表面低于发光芯片200的出光面,使得控制芯片300被反射层400覆盖时反射层400不会覆盖到发光芯片200的出光面。

可以理解的是，如图3所示，控制芯片300底部的焊盘也可以不存在，也就是第二安装位置120为部分的基板100正面，控制芯片300的电性接点通过金线、铝线或合金线与基板100正面电路的相应电性接点进行连接。

在一种具体的实施例中，第一间距与第二间距的差值在50μm至300μm之间，以达较佳的尺寸设计，也节省了不必要的反射层400及焊盘用料。

在一些实施例中，沿基板100的厚度方向，发光芯片200的厚度与控制芯片300的厚度的差值在100μm至300μm之间，以达较佳的尺寸设计，也节省了不必要的芯片用料。

具体来说，第一间距与第二间距的差值在50μm至300μm之间，使得发光芯片200底部接著的平面与控制芯片300底部接著的平面高度差控制在50μ m-300μm,同时，辅以控制芯片300与发光芯片200的厚度差(发光芯片200的厚度与控制芯片300厚度差在100μm-300μm的范围内)，最终保证发光芯片 200的出光面与基板100正面之间的距离大于控制芯片300的上表面与基板100 正面之间的距离。

在一种实施例中，如图1-图2所示，至少一发光芯片200包括红光二极管芯片210、绿光二极管芯片220和蓝光二极管芯片230，红光二极管芯片210的负极、绿光二极管芯片220的负极和蓝光二极管芯片230的负极均电连接于控制芯片300，红光二极管芯片210的正极、绿光二极管芯片220的正极和蓝光二极管芯片230的正极均电连接于基板100。

通过控制芯片300控制红光二极管芯片210、绿光二极管芯片220、蓝光二极管芯片230通电发光或者断电熄灭以及发光强度，从而使发光芯片200发出不同颜色的光，以满足在使用中的要求。

进一步地，为防止发光芯片200的电性接点因挤占出光面积而影响发光芯片200的出光效率，在将发光芯片200安装于基板100时，采用倒装方式将发光芯片200固定在基板100上。

在一种实施例中，如图4所示，该发光装置还包括透光封装体600，透光封装体600覆盖于发光芯片200和反射层400上。

通过设置透光封装体600，能够为发光芯片200以及反射层400提供足够的保护,防止发光芯片200和反射层400在空气中暴露或被机械损伤而失效,从而提高发光装置的寿命。

在一些实施例中，如图4所示，发光装置还包括反光侧墙500，反光侧墙 500的内表面围绕透光封装体600，反光侧墙500的外表面与基板100连接正面的周围侧面齐平，以限制发光装置的侧向出光，并节省了反光侧墙500用料。

通过设置反光侧墙500一方面能够对透光封装体600提供保护，另一方面，反光侧墙500的内表面能够对发光芯片200所发出的光线进行反射，进一步提高产品发光亮度。

在一些具体的实施例中，反射层400和反光侧墙500均为白色。

白色的反射率高,采用白色的反射层400和反光侧墙500具有较强的反射效果。具体来说，反射层400和反光侧墙500均可采用高反射率白胶制成。

通过喷涂式点胶设备在基板100的正面铺高反射率白胶，再通过烤箱烘烤将高反射率白胶进行固化形成反射层400，当发光芯片200发光时，可以通过高反射率白胶层反光，从而提高产品的发光亮度，从而提高发光装置的发光效率。

需要说明的是，对于本实用新型中的发光装置，可通过模压注塑工艺制成。以图4所示的具有透光封装体600和反光侧墙500的发光装置为例，可在具有电路和安裝有发光芯片200及控制芯片300的基板100上，通过三次模压注塑及切割工艺制成，具体地，第一次模压注塑形成反射层400，第二次模压注塑形成透光封装体600，然后在透光封装体600上切割沟槽，并在沟槽内通过第三次模压注塑形成反光侧墙500，最后切割制到发光装置。

根据本实用新型的另一个方面，本实用新型的实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括若干上述的发光装置，若干发光装置呈矩阵式排列。

由于该显示装置采用上述实施例所提供的发光装置，提高了该显示装置的发光亮度，从而提高该显示装置的画面显示效果。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括基板、至少一发光芯片、控制芯片以及反射层；

所述发光芯片和所述控制芯片均设置于所述基板的正面上，且所述发光芯片和所述控制芯片均电连接于所述基板，所述控制芯片用于控制所述发光芯片的发光，所述发光芯片具有远离所述正面的出光面，所述控制芯片具有远离所述正面的上表面，所述反射层设置于所述正面并覆盖所述控制芯片，所述反射层具有远离所述正面的反射面，沿所述基板的厚度方向，所述出光面与所述正面之间的距离大于所述上表面与所述正面之间的距离，所述反射面与所述正面之间的距离大于所述上表面与所述正面之间的距离且小于所述出光面与所述正面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述正面上设置有用以安装所述发光芯片的第一安装位置和用以安装所述控制芯片的第二安装位置，沿所述基板的厚度方向，所述第一安装位置远离所述正面的第一表面与所述正面之间的第一间距大于所述第二安装位置远离所述正面的第二表面与所述正面之间的第二间距。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述基板的所述正面具有电路，所述第一安装位置为第一焊盘，所述第二安装位置为第二焊盘，所述第一焊盘及所述第二焊盘均设置于所述电路上。

4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一间距与所述第二间距的差值在50μm至300μm之间。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，沿所述基板的厚度方向，所述发光芯片的厚度与所述控制芯片的厚度的差值在100μm至300μm之间。

6.根据权利要求1-5任一项所述的发光装置，其特征在于，所述至少一发光芯片包括红光二极管芯片、绿光二极管芯片和蓝光二极管芯片，所述红光二极管芯片的负极、所述绿光二极管芯片的负极和所述蓝光二极管芯片的负极均电连接于所述控制芯片，所述红光二极管芯片的正极、所述绿光二极管芯片的正极和所述蓝光二极管芯片的正极均电连接于所述基板。

7.根据权利要求1-5任一项所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括透光封装体，所述透光封装体覆盖于所述发光芯片和所述反射层上。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括反光侧墙，所述反光侧墙的内表面围绕所述透光封装体，所述反光侧墙的外表面与所述基板连接所述正面的周围侧面齐平。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述反射层及所述反光侧墙均为白色，所述基板包括陶瓷基板、印刷电路基板或铝基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括若干如权利要求1-9任一项所述的发光装置，所述若干发光装置呈矩阵式排列。

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