CN218730928U - 一种防溢料的toll型封装基岛结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种防溢料的TOLL型封装基岛结构，包括：基岛主体、以及设置于所述基岛主体两侧的封装槽，所述封装槽的旁侧形成侧耳，所述基岛主体的麻面朝上光面朝下，封装槽与侧耳通过冲切成形，从而在封装槽与侧耳的侧面形成冲切面。本实用新型通过采用麻面作为基岛主体的上表面，使得在冲切加工的过程中，不容易在麻面的冲切边缘产生缺口，因此可以有效避免在封装的过程中产生溢胶的情况，有效保证产品良率。切面边缘设置的圆弧角可以在封装过程中对封装材料产生导向作用，保证半导体产品封装效果满足工艺要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种防溢料的TOLL型封装基岛结构。
背景技术
芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。无引脚晶体管封装是一种新型的面向车规级芯片的封装，其特点为高压大电流，高功率；由于是用于汽车产品上，对于散热能力和可靠性要求比较高。在芯片的基岛成型过程中，需要对基岛进行冲切加工，然而因为现有技术都是对基岛的光面进行冲切，使得基岛的切面边缘容易破损，从而导致后续在进行封装的过程中容易导致溢胶的情况，影响成品良率。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种防溢料的TOLL型封装基岛结构。
本实用新型的技术方案如下：提供一种防溢料的TOLL型封装基岛结构，包括：基岛主体、以及设置于所述基岛主体两侧的封装槽，所述封装槽的旁侧形成侧耳，所述基岛主体的麻面朝上光面朝下，封装槽与侧耳通过冲切成形，从而在封装槽与侧耳的侧面形成冲切面。
进一步地，所述封装槽与侧耳的切面边缘为圆弧角。
进一步地，所述圆弧角的半径为0.1-0.15mm。
进一步地，还包括：引脚、V型凹槽以及散热片，所述引脚设置于基岛主体上，所述V型凹槽设置于基岛主体的麻面上，所述散热片设置于基岛主体的光面上。
进一步地，所述散热片的面积超过8.1x6.2平方毫米。
进一步地，所述V型凹槽的深度为0.05毫米。
采用上述方案，本实用新型通过采用麻面作为基岛主体的上表面，使得在冲切加工的过程中，不容易在麻面的冲切边缘产生缺口，因此可以有效避免在封装的过程中产生溢胶的情况，有效保证产品良率。切面边缘设置的圆弧角可以在封装过程中对封装材料产生导向作用，保证半导体产品封装效果满足工艺要求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1中A-A处的剖面示意图。
图3为图1中B-B处的剖面示意图。
图4为本实用新型的后视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
请参阅图1至图3，本实用新型提供一种防溢料的TOLL型封装基岛结构，包括：基岛主体、以及设置于所述基岛主体两侧的封装槽，所述封装槽的旁侧形成侧耳，所述基岛主体的麻面朝上光面朝下，封装槽与侧耳通过冲切成形，从而在封装槽与侧耳的侧面形成冲切面。所述封装槽与侧耳的切面边缘为圆弧角。所述圆弧角的半径为0.1-0.15mm。
在基岛主体注塑生产成型后，会在基岛主体的上下两侧表面上分别形成光面与麻面。现有技术一般是将光面作为上表面对基岛进行冲切加工。对光面进行冲切时，因光面的表面容易在冲切过程中受力而产生缺口，从而导致在后续封装的过程中，从缺口位置处造成溢胶的情况，影响成品质量。本实用新型通过采用麻面作为基岛主体的上表面，使得在冲切加工的过程中，不容易在麻面的冲切边缘产生缺口，因此可以有效避免在封装的过程中产生溢胶的情况，有效保证产品良率。切面边缘设置的圆弧角可以在封装过程中对封装材料产生导向作用，保证半导体产品封装效果满足工艺要求。
请参阅图1、图4，本实用新型还包括：引脚、V型凹槽以及散热片，所述引脚设置于基岛主体上，所述V型凹槽设置于基岛主体的麻面上，所述散热片设置于基岛主体的光面上。所述散热片的面积超过8.1x6.2平方毫米。所述V型凹槽的深度为0.05毫米。
基岛主体上有一圈横截面为V型的V型凹槽，V型凹槽的深度为0.05毫米，可以增加基岛与封装材料之间的接合力，防止接合面分层，提高可靠性。基岛主体的引脚的第1引脚用来与MOS芯片的Gate极连接，引脚的第2引脚-第8引脚用来与MOS芯片的Source极连接，这7个管脚内部短接在一起，有足够的面积用来打铝线。基岛主体的背面设置有散热片，散热片的面积超过8.1x6.2平方毫米，极大提高了封装产品的散热能力。
综上所述，本实用新型通过采用麻面作为基岛主体的上表面，使得在冲切加工的过程中，不容易在麻面的冲切边缘产生缺口，因此可以有效避免在封装的过程中产生溢胶的情况，有效保证产品良率。切面边缘设置的圆弧角可以在封装过程中对封装材料产生导向作用，保证半导体产品封装效果满足工艺要求。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，包括：基岛主体、以及设置于所述基岛主体两侧的封装槽，所述封装槽的旁侧形成侧耳，所述基岛主体的麻面朝上光面朝下，封装槽与侧耳通过冲切成形，从而在封装槽与侧耳的侧面形成冲切面。
2.根据权利要求1所述的防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，所述封装槽与侧耳的切面边缘为圆弧角。
3.根据权利要求2所述的防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，所述圆弧角的半径为0.1-0.15mm。
4.根据权利要求1所述的防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，还包括：引脚、V型凹槽以及散热片，所述引脚设置于基岛主体上，所述V型凹槽设置于基岛主体的麻面上，所述散热片设置于基岛主体的光面上。
5.根据权利要求4所述的防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，所述散热片的面积超过8.1x6.2平方毫米。
6.根据权利要求4所述的防溢料的TOLL型封装基岛结构，其特征在于，所述V型凹槽的深度为0.05毫米。
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Publications (1)
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Country Status (1)
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2022
- 2022-11-03 CN CN202222963587.9U patent/CN218730928U/zh active Active
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