CN218498347U - 一种内腔体式射频二合成器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电视广播发射设备射频放大技术领域，具体涉及一种内腔体式射频二合成器，包括腔体底框、两个内导体、多个绝缘支撑、第一输入口、第二输入口、输出口和匹配端，第一输入口、第二输入口、输出口和匹配端依次设置于腔体底框的外部，两个内导体重叠设置于腔体底框的内部，第一输入口和匹配端分别与位于上方的内导体的两端连接，第二输入口和输出口分别与位于下方的内导体的两端连接，将两个内导体分别与第一输入口、第二输入口、输出口和匹配端连接后，用多个绝缘支撑进行固定，两个内导体使用铜板制作，厚度为1mm，比印制板覆铜薄厚很多倍，由此使得单个功放单元的输出功率可达1kw，且设备的体积大大缩小。

Description

一种内腔体式射频二合成器

技术领域

本实用新型涉及电视广播发射设备射频放大技术领域，尤其涉及一种内腔体式射频二合成器。

背景技术

在高频段，射频功率放大器里普遍使用吉赛尔网络同相合成器、威尔金森网络同相合成器和3dB定向耦合电桥式合成器，3dB电桥式合成器的原理是内导体为两个平行的导体传输线，两线之间有一定的距离，射频信号经过内导体传输时此距离应保证其中的一根线在传输线的耦合感应功率为一半即3dB差值，两传输线的电气长度设计成所用频率的1/4波长，输入1和输入2送入相位相差 90°的射频信号，在同相端即输出端就有两路信号的功率合成，在射频功率放大器中，尤其是目前半导体放大管时代，这种合成方式到处可见，都是印制板作核心部件，两条平行传输线是用双面覆铜薄印制板腐蚀加工而成，制造简单安装容易。射频合成器的特点是串行垒接，功率累加，但是越往后的功率容量要求越大。

但在前述的现有技术中，用印制线路板作核心部件，当功率容量增加到一定数值时就会受到很大的限制，印制板基材本身和上面的覆铜薄不可能作得很厚，这样给加工制作带来困难，无限加厚的印制板作成的合成器指标会变得很差，参数也不好控制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种内腔体式射频二合成器，解决了现有技术中用印制线路板作核心部件，当功率容量增加到一定数值时就会受到很大的限制，印制板基材本身和上面的覆铜薄不可能作得很厚，这样给加工制作带来困难，无限加厚的印制板作成的合成器指标会变得很差，参数也不好控制的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种内腔体式射频二合成器，包括腔体底框、两个内导体、多个绝缘支撑、第一输入口、第二输入口、输出口和匹配端，所述第一输入口、所述第二输入口、所述输出口和所述匹配端依次设置于所述腔体底框的外部，两个所述内导体重叠设置于所述腔体底框的内部，所述第一输入口和所述匹配端分别与位于上方的所述内导体的两端连接，所述第二输入口和所述输出口分别与位于下方的所述内导体的两端连接，多个所述绝缘支撑的一端依次贯穿两个所述内导体，并均与所述腔体底框固定连接，两个所述内导体之间具有一定间隙。

其中，所述内腔体式射频二合成器还包括四个调试垫板，四个所述调试垫板分别设置于两个所述内导体的两端的上下方。

其中，所述内腔体式射频二合成器还包括腔体盖板，所述腔体盖板盖合于所述腔体底框的上方，并与所述腔体底框螺栓连接。

其中，所述四个调试垫板分别与所述腔体底框和所述腔体盖板紧密连接，所述腔体盖板和所述腔体底框均具有加固孔。

其中，所述腔体底框的内底壁和内侧壁均具有螺装过孔。

本实用新型的一种内腔体式射频二合成器，首先将两个所述内导体分别与所述第一输入口、所述第二输入口、所述输出口和所述匹配端连接，然后用多个所述绝缘支撑进行固定，两个所述内导体使用铜板制作，厚度为1mm，接口的右半部分保留有台阶面，接口的内芯往外凸出，是梅花瓣弹性轴孔，合成器的所述输出口与输出定向耦合器(专用过渡器)相连，调试合成器时，调试线缆接头的针可以插入接口的梅花瓣弹性轴孔内，调试线缆接头的外导体压入预留的台阶面内保持良好的接触，通过上述结构设置，使得单个功放单元输出功率可达1kW，同时单独调试合成器方便，对各功放模块原有形式不作改变，保证了功放模块的标准化和通用化。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本实用新型的整体的结构示意图。

1-腔体底框、2-内导体、3-绝缘支撑、4-第一输入口、5-第二输入口、6-输出口、7-匹配端、8-调试垫板、9-腔体盖板、10-加固孔、11-螺装过孔。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

请参阅图1，本实用新型提供一种内腔体式射频二合成器，包括腔体底框1、两个内导体2、多个绝缘支撑3、第一输入口4、第二输入口5、输出口6和匹配端7，所述第一输入口4、所述第二输入口5、所述输出口6和所述匹配端7 依次设置于所述腔体底框1的外部，两个所述内导体2重叠设置于所述腔体底框1的内部，所述第一输入口4和所述匹配端7分别与位于上方的所述内导体2 的两端连接，所述第二输入口5和所述输出口6分别与位于下方的所述内导体2 的两端连接，多个所述绝缘支撑3的一端依次贯穿两个所述内导体2，并均与所述腔体底框1固定连接，两个所述内导体2之间具有一定间隙。

在本实施方式中，首先将两个所述内导体2分别与所述第一输入口4、所述第二输入口5、所述输出口6和所述匹配端7连接，然后用多个所述绝缘支撑 3进行固定即可，两个所述内导体2使用铜板制作，厚度为1mm，同时在铜板表面镀银，将合成器作成扁形，高度低，通过仿真和计算，使得所述内导体2 尺寸较宽较矮，同时所述腔体底框1用硬质铝合金整料掏铣而成，也可以用铝合金板拼装而成，通过螺钉连接，压低腔体高度，通过仿真计算，再将所述内导体2进行相应调整，确保电气性能，外形扁平，尽量适应板状高频功率放大模块在平板基面上安装，由此使得单个功放单元的输出功率可达1kw，且设备的体积大大缩小，两个所述内导体2之间是空气介质，同时使用聚四氟乙烯材料制作多个所述绝缘支撑3，另外巧妙设计合成器的各个接口，保证在生产过程中两步工序的实现，既能独立调试又能与板状功放模块匹配焊装，即接口要适应测试仪器电缆接头的标准结构尺寸，同时保证功放单元内功能部件间的匹配融合，射频接口与合成器外导体连接的左半部分沿用标准接口的法兰以及内芯固定结构，接口的右半部分去掉外壳的连接螺纹，刚好保留一点外壳内的台阶面，这样，接口的内芯往外凸出，仍是梅花瓣弹性轴孔，高度在板状功放模块的上方，很好地与功放模块连接，合成器的所述输出口6与一个专门设计的功能部件相连，即输出定向耦合器。调试合成器时，调试线缆接头的针可以插入接口的梅花瓣弹性轴孔内，调试线缆接头的外导体压入预留的台阶面内保持良好的接触，合成器与定向耦合器在调试前装配成整体，测试仪器的电缆可以与定向耦合器上面的标准接口连接，两个重叠的所述内导体2之间严格保证一定间隙，所述内腔体式射频二合成器应用于功放单元中，独特的输入口，保证生产过程中两步工序的实现，既能独立调试又能与板状功放模块匹配焊装，即输入口要适应测试仪器电缆接头的标准结构尺寸，同时又保证功放单元内功能部件间的匹配融合。扁状腔体，其输出口与专用的过渡器连接后再与板状放大模块可匹配安装在同一个平面上。

通过上述结构设置，使得单个功放单元输出功率可达1kW，设备的体积大大缩小。

进一步地，所述内腔体式射频二合成器还包括四个调试垫板8，四个所述调试垫板8分别设置于两个所述内导体2的两端的上下方。

在本实施方式中，四个所述调试垫板8可以调节两个所述内导体2两端的电容量，以保证接口的阻抗。

进一步地，所述内腔体式射频二合成器还包括腔体盖板9，所述腔体盖板9 盖合于所述腔体底框1的上方，并与所述腔体底框1螺栓连接。

在本实施方式中，所述腔体盖板9对内部的零部件而言与所述腔体底框1 形成导电腔体，当需要对合成器的内部进行调试时，拧下螺栓，即可打开所述腔体盖板9。

进一步地，所述四个调试垫板8分别与所述腔体底框1和所述腔体盖板9 紧密连接，所述腔体盖板9和所述腔体底框1均具有加固孔10。

在本实施方式中，所述四个调试垫板8分别与所述腔体底框1和所述腔体盖板9紧密连接，成为一体，是导电外导体，通过所述加固孔10，可以额外加入固定件，进而保证合成器电气接地可靠。

进一步地，所述腔体底框1的内底壁和内侧壁均具有螺装过孔11。

在本实施方式中，当在调试过程中时，合成器要与输出定向耦合器形成一个整体，利用定向耦合器作为它的输出接口，优化结构，通过所述螺装过孔11，将两者同时固定在一个平面基板上，中途反复装拆合成器的所述腔体盖板9也不破坏它们的整体性。

以上所揭露的仅为本申请一种或多种较佳实施例而已，不能以此来限定本申请之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。

Claims (5)

1.一种内腔体式射频二合成器，其特征在于，

包括腔体底框、两个内导体、多个绝缘支撑、第一输入口、第二输入口、输出口和匹配端，所述第一输入口、所述第二输入口、所述输出口和所述匹配端依次设置于所述腔体底框的外部，两个所述内导体重叠设置于所述腔体底框的内部，所述第一输入口和所述匹配端分别与位于上方的所述内导体的两端连接，所述第二输入口和所述输出口分别与位于下方的所述内导体的两端连接，多个所述绝缘支撑的一端依次贯穿两个所述内导体，并均与所述腔体底框固定连接，两个所述内导体之间具有间隙。

2.如权利要求1所述的内腔体式射频二合成器，其特征在于，

所述内腔体式射频二合成器还包括四个调试垫板，四个所述调试垫板分别设置于两个所述内导体的两端的上下方。

3.如权利要求2所述的内腔体式射频二合成器，其特征在于，

所述内腔体式射频二合成器还包括腔体盖板，所述腔体盖板盖合于所述腔体底框的上方，并与所述腔体底框螺栓连接。

4.如权利要求3所述的内腔体式射频二合成器，其特征在于，

所述四个调试垫板分别与所述腔体底框和所述腔体盖板紧密连接，所述腔体盖板和所述腔体底框均具有加固孔。

5.如权利要求4所述的内腔体式射频二合成器，其特征在于，所述腔体底框的内底壁和内侧壁均具有螺装过孔。

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