CN218404489U

CN218404489U - 一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置

Info

Publication number: CN218404489U
Application number: CN202222056074.XU
Authority: CN
Inventors: 王书杰; 孙聂枫; 怀俊彦; 徐森锋; 史艳磊; 邵会民; 刘峥; 党冀萍; 李晓岚; 王阳; 刘惠生
Original assignee: CETC 13 Research Institute
Current assignee: CETC 13 Research Institute
Priority date: 2022-08-05
Filing date: 2022-08-05
Publication date: 2023-01-31
Anticipated expiration: 2032-08-05

Abstract

一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，涉及半导体制备领域，包括离心旋转电机、连接离心旋转电机的离心主轴、连接离心主轴水平设置的连接杆以及连接在连接杆上的晶体生长设备。所述晶体生长设备水平方向放置，包括炉侧盘、与炉侧盘连接的炉筒，组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝，在组合坩埚两端分别有外顶块和内垫块。采用本实用新型提出的设备，可以在低于化合物半导体熔点快速生长单晶，提高生长界面临界剪切应力，降低位错密度。同时，降低熔点的同时也能降低熔体的饱和蒸气压，降低压力设备的要求和生长条件，并使得原本不能够利用熔体法制备的晶体实现熔体法的高效生长。

Description

一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置

技术领域

本实用新型涉及半导体制备领域，特别是在离心力驱动下引起熔体迁进行化合物单晶制备的装置。

背景技术

化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，具有饱和速度高、能带易剪裁、带隙宽等特性，在高功率、高频率等方面特有的优势，在无线通信、电力电子、光纤通信等产业中有着不可替代的地位。

当前技术中，一般使用传统的垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法、导模法、直拉法等熔体法用来生长氧化铝、砷化镓、磷化铟、氧化镓等大块晶体，利用物理气相输运法、金属有机化学气相沉积等生长碳化硅、氮化镓等化合物半导体，但上述方法成本高、效率低。

熔体法是成本最低且最高效的晶体制备方法，但是因为部分化合物半导体的熔点高、饱和蒸气压高等特点，要么熔体法成本高，要么就是很难通过熔体法制备。而非配比熔体不仅可以降低饱和蒸气压高，也可以降低熔体的结晶点，但是因为非配比熔体生长界面控制难度很大，且随着生长进行，配比度越来越差，因此制备晶体的难度较大。

发明内容

为克服现有技术的缺陷，提出了本实用新型。

本实用新型采用的方案是：一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，包括离心旋转电机、连接离心旋转电机的离心主轴、连接离心主轴水平设置的连接杆以及连接在连接杆上的晶体生长设备。

所述晶体生长设备水平方向放置，包括连接在连接杆上的炉侧盘、与炉侧盘连接并形成密闭空间的炉筒，在密闭空间内贴近炉筒设置保温层，在保温层内放置组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝，在组合坩埚两端分别有外顶块和内垫块。

进一步地，所述组合坩埚包括水平放置且相互结合的生长坩埚和籽晶坩埚，根据生长晶体的种类，所述籽晶坩埚靠近或远离离心主轴。

在籽晶和多晶之间放置组成化合物半导体的一种元素，并对系统加热，给系统施加离心力，该元素熔化并溶解部分籽晶和多晶，形成非配比熔体。利用离心力使得降低液固转变平衡温度的元素富集在多晶料侧，并导致多晶料溶解；提高液固转变平衡温度的元素向单晶侧移动，熔体的结晶点提高，产生过冷使得籽晶开始生长并排出另一种元素至熔体中，保持熔池中熔体的成分恒定。这个过程伴随着熔池迁移，不断实现单晶生长和多晶料的熔化，最终实现单晶制备。适用于氧化镓、碳化硅、磷化铟、砷化镓等化合物半导体的制备。

有益效果：采用本实用新型提出的设备，可以在低于化合物半导体熔点快速生长单晶，提高生长界面临界剪切应力，降低位错密度。同时，降低熔点的同时也能降低熔体的饱和蒸气压，降低压力设备的要求和生长条件，并使得原本不能够利用熔体法制备的晶体实现熔体法的高效生长。

附图说明

图1为本实用新型装置的装配图，

图2为籽晶坩埚的示意图，

图3为生长坩埚的示意图，

图4为坩埚组装图，

图5为实现原理图，

图6为晶体生长过程中熔池迁移示意图，

图7为单晶生长完成后的示意图。

1：籽晶；2：多晶；3：元素A的单质；3-1：界面I；3-2：界面II；4：加热丝；5：炉侧盘；6：炉筒；7：保温层；8：热电偶I；9：热电偶II；10：热电偶III；11：热电偶连接线； 12：外顶块；13：内垫块；14：生长坩埚；14-1：生长区；14-2；坩埚底座；14-3坩埚壁；15：籽晶坩埚；15-1：套层；15-2：籽晶孔；15-3：平台；15-4：连接区；15-5：籽晶盖；16：离心旋转电机；17：离心主轴；18：滑块I；19：滑块II；20：连接杆； 21：多晶碎料；22：熔池；23：充放气管路。

具体实施方式

一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，参看图1，所述装置包括离心旋转电机16、连接离心旋转电机16的离心主轴17、连接离心主轴17且水平设置的连接杆20以及连接在连接杆20上的晶体生长设备。

晶体生长设备包括连接在连接杆20上的炉侧盘5、与炉侧盘5连接并形成密闭空间的炉筒6，在密闭空间内贴近炉筒6设置保温层7，在保温层7内放置组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝4，在组合坩埚两端分别有外顶块12和内垫块13；晶体生长设备水平方向放置。

组合坩埚包括水平放置且相互结合的生长坩埚14和籽晶坩埚15。

参看图3，生长坩埚14包括形成生长区14-1的坩埚底座14-2和坩埚壁14-3。

参看图2，所述籽晶坩埚15包括套层15-1、连接套层15-1的籽晶盖15-5、套层15-1内部的平台15-3，平台15-3至籽晶盖15-5的空间为籽晶孔15-2，平台15-3上部的空间为连接区15-4。籽晶盖15-5与套层15-1之间的夹角θ在70°至85°之间，籽晶与该角度相配合，防止籽晶移动。

套层15-1的内径大于坩埚壁14-3的外径，两个直径差小于2mm，两者可以紧密结合。

所述装置还包括设置在组合坩埚侧的热电偶I8、热电偶II9以及热电偶III10，热电偶I8经炉侧盘5、连接离心主轴17 的滑块I18，通过热电偶连接线11导出信号，热电偶II9、热电偶III10经炉侧盘5、连接离心主轴17的滑块II19，通过热电偶连接线11导出信号。

晶体生长设备在离心主轴17周边均匀设置2-4个。

具体使用该设备时，操作步骤如下：

以磷化铟（InP）为例。铟的密度大于磷的密度；磷-铟熔体中，增加铟会降低熔体的液固转变平衡温度，增加磷会提高提高熔体的液固转变平衡温度。

步骤1、

1、将磷化铟多晶碎料21置于生长坩埚14中，通过加热使其熔化并降温凝固为磷化铟多晶2，目的是使多晶2与生长坩埚14紧密接触，防止后续步骤中离心力将熔池22中的熔体3挤压进入缝隙。

将元素A的单质3，本实施例为铟元素，置于多晶2表面上，元素A的单质3为圆盘形，其外径与生长坩埚14的内径相同。

将籽晶坩埚15中的套层15-1的内表面与生长坩埚14生长区14-1外表面装配在一起，坩埚壁14-3的顶端抵住平台15-3，将籽晶1放置于籽晶孔15-2中，利用籽晶盖15-5封堵籽晶孔15-2。生长坩埚14、籽晶坩埚15组成组合坩埚，如图4所示。

2、将组合坩埚置于炉筒6中，通过外顶块12和内垫块13固定组合坩埚。

组合坩埚外部为加热丝4，加热丝4外部为保温层7。穿过保温层7布置热电偶I8、热电偶II9、热电偶III10，热电偶I8、热电偶II9、热电偶III10的测温头穿过保温层7的内壁接近组合坩埚外壁。

热电偶I8通过炉侧盘5连接滑块I18导出温度信号，热电偶II9和热电偶III10通过炉侧盘5连接滑块II19导出温度信号。

上述步骤完成晶体生长设备的组装。晶体生长设备可以有2-4个，本实施例中，组装两个晶体生长设备。

3、将炉筒6固定到炉侧盘5上，并将炉侧盘5固定到连接杆20上，连接杆20与离心主轴17相连。

两个晶体生长设备在离心主轴17两侧对称设置。多于两个的话，在离心主轴17周边均匀设置。

由于铟的密度大于磷的密度，磷-铟熔体中，增加铟会降低熔体的液固转变平衡温度，因此，本实施例中，组合坩埚的放置位置为籽晶1靠近离心主轴17。

以上过程完成装置的装配，如图1所示。

将炉筒6和炉侧盘5形成的炉体空间通过充放气管路23抽真空至100Pa，然后充入惰性气体，气压至3MPa-4MPa。

通过加热丝4对组合坩埚进行加热，通过热电偶I8、热电偶II9、热电偶III10检测温度，加热至温度T₀。

元素A的单质3（本实施例中为铟）熔化为熔体，所占空间形成熔池22，熔体溶解部分籽晶1和多晶2，在熔池中形成含铟-磷的非配比二元熔体，二元熔体成分为C₀，并形成籽晶1与熔体的界面I3-1及多晶2与熔体的界面II3-2。

步骤2、启动离心旋转电机16带动炉筒6转动，以5-50 rad/s²的速度逐渐增加转速，直至离心力G大于100g。

离心力G通常以g（重力加速度）的倍数来表达，G与和转速之间的换算公式如下：

G=1.11×10^-5×R×w²×g，G为离心力，w为转速，单位是rmp，R为半径，单位为厘米。

本实施例中，半径R可以看做炉侧盘5至离心主轴17的长度。

通过以上公式，可以计算出离心旋转电机16的转速。

在离心力的作用下，熔池22中熔体的铟元素向多晶2侧移动，熔体在界面II3-2处成分达到C_h，产生一个过热度ΔT_h，导致多晶2溶解；熔池22中熔体的磷元素向单晶1侧移动，熔体在界面I3-1处成分达到C_c，产生一个过冷度ΔT_c，使得籽晶1开始生长出单晶并排出铟元素至熔体中，如图5所示。

图5中，上面的坐标系横轴为成分C，纵轴为温度T，图中的曲线为熔体中不同成分下的液固转变平衡温度温度；下面的坐标系横轴是位置L，起始位置为晶籽1的底部，纵轴是成分C，图中的曲线是熔体在熔池22中不同的位置的成分。该图的横轴设置方向与常规设置相反，如果晶籽1放置的位置不同，横坐标的起始位置及方向会有所变化。

本实施例中，A元素（本实施例中为铟）在熔体中的占比C_h>C₀>C_c，B元素（本实施例中为磷）在熔体中的占比C_h<C₀<C_c，结果是熔池22不同位置的熔体含有不同的成分，具有不同的液固转变平衡温度。成分为C₀的熔体，其液固转变平衡温度为T₀，成分为C_h的熔体，其液固转变平衡温度小于T₀，成分为C_c的熔体，其液固转变平衡温度大于T₀。

随着多晶2不断被溶解、晶体的不断生长，熔池22向多晶2方向迁移，最终实现单晶制备。

本实施例中。在此过程中籽晶1向远离离心主轴17方向生长，如图6所示。

进行3-5组实验，分别在1小时、2小时、3小时拆出样品，测试界面I3-1的移动速度；根据移动速度和材料数量决定单晶生长时间。

步骤3、重复步骤1-2的操作，根据样品单晶生长时间完成单晶制备，如图7所示。生长完成后，拆除装置，取出单晶。

Claims

1.一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述装置包括离心旋转电机（16）、连接离心旋转电机（16）的离心主轴（17）、连接离心主轴（17）水平设置的连接杆（20）以及连接在连接杆（20）上的晶体生长设备；

所述晶体生长设备水平方向放置，包括连接在连接杆（20）上的炉侧盘（5）、与炉侧盘（5）连接并形成密闭空间的炉筒（6），在密闭空间内贴近炉筒（6）设置保温层（7），在保温层（7）内放置组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝（4），在组合坩埚两端分别有外顶块（12）和内垫块（13）。

2.根据权利要求1所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述组合坩埚包括水平放置且相互结合的生长坩埚（14）和籽晶坩埚（15），根据生长晶体的种类，所述籽晶坩埚（15）靠近或远离离心主轴（17）。

3.根据权利要求2所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，

所述生长坩埚（14）包括形成生长区（14-1）的坩埚底座（14-2）和坩埚壁（14-3）；

所述籽晶坩埚（15）包括套层（15-1）、连接套层（15-1）的籽晶盖（15-5）、套层（15-1）内部的平台（15-3），平台（15-3）至籽晶盖（15-5）的空间为籽晶孔（15-2），平台（15-3）上部的空间为连接区（15-4）。

4.根据权利要求3所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述套层（15-1）的内径大于坩埚壁（14-3）的外径，两个直径差小于2mm。

5.根据权利要求3所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述籽晶盖（15-5）与套层（15-1）之间的夹角（θ）在70°至85°之间。

6.根据权利要求3所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述装置还包括设置组合坩埚侧的热电偶I（8）、热电偶II（9）以及热电偶III（10）。

7.根据权利要求6所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述装置还包括连接在离心主轴（17）的滑块I（18）、滑块II（19），热电偶I（8）经炉侧盘（5）、滑块I（18）导出信号，热电偶II（9）、热电偶III（10）经炉侧盘（5）、滑块II（19）导出信号。

8.根据权利要求3所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述籽晶坩埚（15）的籽晶孔（15-2）中放置籽晶（1），所述生长坩埚（14）的生长区（14-1）中放置多晶材料（2），在籽晶（1）和多晶材料（2）之间放置形成多晶材料（2）的单质材料之一。

9.根据权利要求1-8任一所述的离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，其特征在于，所述晶体生长设备有2-4个，在离心主轴（17）周边均匀设置。