CN218274569U - 一种w波段毫米波芯片多层介质基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 10
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 206010053615 Thermal burn Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种W波段毫米波芯片多层介质基板包括基板本体，基板本体的顶部和底部均设置有若干焊盘，基板本体的内部设置有第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层、第五介质层和第六介质层，第一介质层的顶部和第六介质层的底部均设置有抗高压电击层一，抗高压电击层一的顶部设置有抗干扰层一，抗干扰层一的顶部设置有防静电层。本实用新型采用的抗高压电击层能对基板本体内的多层介质层进行防护，避免高压电击对多层介质基板造成的损坏，提高W波段毫米波芯片抗高压电击性能，导热柱贯穿在多层介质层内，导热柱能将W波段毫米波芯片产生的热量快速传递到散热板上，通过散热板能快速对W波段毫米波芯片进行散热。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片技术领域，具体地说，涉及一种W波段毫米波芯片多层介质基板。
背景技术
随着微波电路和射频电路的快速发展和应用，微波多层电路趋于集成化和小型化。为了资源的高效利用，需要在PCB板上集成较多的元器件和芯片，因此，如何在微波集成电路的集成度越高、体积重量越小的情况下保证电路系统的性能成为了一个新的研究方向和热点。
现有技术中的介质基板在受到高压电击时会发生击穿现象，高压电击导致对多层介质基板造成损坏，使得W波段毫米波芯片不具有抗高压电击性能，W波段毫米波芯片产生的热量不能快速传递散热，导致不能快速对W波段毫米波芯片进行散热。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种散热效果好及抗高压电击的W波段毫米波芯片多层介质基板。
(二)技术方案
本为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案，一种W波段毫米波芯片多层介质基板所采用的技术方案是:包括基板本体，所述基板本体的顶部和底部均设置有若干焊盘，所述基板本体的内部设置有第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层、第五介质层和第六介质层，所述第一介质层的顶部和第六介质层的底部均设置有抗高压电击层一，所述抗高压电击层一的顶部设置有抗干扰层一，所述抗干扰层一的顶部设置有防静电层，所述防静电层的上表面设置有散热板，两个所述散热板之间固定有导热柱。
作为优选方案，所述第四介质层的顶部嵌入设置有辐射贴片，所述辐射贴片的两侧均设置有抗高压电击层二和抗干扰层二，所述辐射贴片的一侧设置有导线。
作为优选方案，所述焊盘的底部固定有导电柱，所述焊盘的底部设置有绝缘层一。
作为优选方案，所述导电柱的外部设置有屏蔽层，所述导热柱和屏蔽层的两侧均设置有绝缘层二，所述导热柱的外壁设置有导热胶。
作为优选方案，所述散热板的顶部设置有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的顶部设置有耐磨层。
作为优选方案，所述抗高压电击层一的底部设置有加强层，所述加强层的底部设置有缓冲层，且缓冲层位于第一介质层的顶部。
作为优选方案，所述基板本体的顶部设置有标记点，所述基板本体的底部设置有限位柱。
(三)有益效果
与现有技术相比，本实用新型提供了一种W波段毫米波芯片多层介质基板，具备以下有益效果：
1、通过设置的抗高压电击层一、散热板和导热柱，抗高压电击层一能对基板本体内的多层介质层进行防护，避免高压电击对多层介质基板造成的损坏，提高W波段毫米波芯片抗高压电击性能，导热柱贯穿在多层介质层内，导热柱能将W波段毫米波芯片产生的热量快速传递到散热板上，通过散热板能快速对W波段毫米波芯片进行散热。
2、通过设置的防静电层和抗干扰层一，防静电层能防止静电对W波段毫米波芯片产生影响，提高W波段毫米波芯片多层介质基板使用的稳定性，抗干扰层一能避免外界电磁波对W波段毫米波芯片造成干扰。
3、通过设置的导线、抗高压电击层二和抗干扰层二，两个W波段毫米波芯片的辐射贴片通过导线连接，采用导线能提高两个辐射贴片的通讯性能，采用抗高压电击层二和抗干扰层二能避免辐射贴片两侧的高压电击和电磁波干扰造成破坏和干扰。
4、通过设置的加强层、耐腐蚀层和耐磨层，加强层能提高多层介质基板的稳定性，防止多层介质基板受到外界压力时发生变形现象，耐腐蚀层和耐磨层能防止多层介质基板受到侵蚀和磨损。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图；
图2为本实用新型底部结构示意图；
图3为本实用新型内部结构示意图；
图4为本实用新型辐射贴片结构示意图；
图5为本实用新型导电柱结构示意图；
图6为本实用新型导热柱结构示意图。
图中：1、基板本体；2、焊盘；3、标记点；4、限位柱；5、第一介质层；6、第二介质层；7、第三介质层；8、第四介质层；9、第五介质层；10、第六介质层；11、缓冲层；12、加强层；13、抗高压电击层一；14、抗干扰层一；15、防静电层；16、散热板；17、耐腐蚀层；18、耐磨层；19、绝缘层一；20、导电柱；21、辐射贴片；22、导热柱；23、导线；24、抗高压电击层二；25、抗干扰层二；26、屏蔽层；27、绝缘层二；28、导热胶。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本实用新型做进一步阐述和说明:
请参阅图1-6，本实用新型：包括基板本体1，基板本体1的内部设置有第一介质层5、第二介质层6、第三介质层7、第四介质层8、第五介质层9和第六介质层10，每层介质层之间均设置有抗高压电击层一13和抗干扰层一14，抗高压电击层一13和抗干扰层一14能避免相邻的介质层之间上的芯片互相产生干扰；
第一介质层5的顶部和第六介质层10的底部均设置有抗高压电击层一13，抗高压电击层一13能对基板本体1内的多层介质层进行防护，避免高压电击对多层介质基板造成的损坏，提高W波段毫米波芯片抗高压电击性能，抗高压电击层一13的底部设置有加强层12，加强层12能提高多层介质基板的稳定性，防止多层介质基板受到外界压力时发生变形现象，加强层12的底部设置有缓冲层11，且缓冲层11位于第一介质层5的顶部，抗高压电击层一13的顶部设置有抗干扰层一14，抗干扰层一14能避免外界电磁波对W波段毫米波芯片造成干扰，抗干扰层一14的顶部设置有防静电层15，防静电层15能防止静电对W波段毫米波芯片产生影响，提高W波段毫米波芯片多层介质基板使用的稳定性；
防静电层15的上表面设置有散热板16，散热板16能快速对W波段毫米波芯片进行散热，两个散热板16之间固定有导热柱22，导热柱22贯穿在多层介质层内，导热柱22能将W波段毫米波芯片产生的热量快速传递到散热板16上；
基板本体1的顶部和底部均设置有若干焊盘2，焊盘2的底部固定有导电柱20，导电柱20贯穿部分介质层与其中一个介质层连接，能提高焊盘2与介质层上的芯片连通的稳定性，同时避免垂直通孔采用罐锡高温烫坏芯片，焊盘2的底部设置有绝缘层一19，导电柱20的外部设置有屏蔽层26，导热柱22和屏蔽层26的两侧均设置有绝缘层二27，导热柱22的外壁设置有导热胶28，散热板16的顶部设置有耐腐蚀层17，耐腐蚀层17能防止多层介质基板受到侵蚀，耐腐蚀层17的顶部设置有耐磨层18，耐磨层18能防止多层介质基板受到磨损。
作为优选方案，第四介质层8的顶部嵌入设置有辐射贴片21，辐射贴片21为W波段毫米波芯片的主芯片，两个W波段毫米波芯片的辐射贴片21通过导线23连接，辐射贴片21的两侧均设置有抗高压电击层二24和抗干扰层二25，采用抗高压电击层二24和抗干扰层二25能避免辐射贴片21两侧的高压电击和电磁波干扰造成破坏和干扰，辐射贴片21的一侧设置有导线23，采用导线23能提高两个辐射贴片21的通讯性能。
作为优选方案，基板本体1的顶部设置有标记点3，标记点3可以为圆形、三角形、多边形等形状，便于使用者区分基板本体1的方向，基板本体1的底部设置有限位柱4，限位柱4部分嵌入在基板本体1的底部，采用限位柱4卡接在对应尺寸的限位槽内，能使基板本体1固定到指定位置。
本实用新型的工作原理是：将基板本体1固定到指定位置，通过焊盘2与其它电子器件进行电焊连接，若干焊盘2通过不同导电柱20与不同介质层连通，采用导电柱20能提高焊盘2与介质层上的芯片连通的稳定性，同时避免垂直通孔采用罐锡高温烫坏芯片，采用的防静电层15能防止静电对W波段毫米波芯片产生影响，提高W波段毫米波芯片多层介质基板使用的稳定性，抗干扰层一14能避免外界电磁波对W波段毫米波芯片造成干扰，设置的抗高压电击层一13能对基板本体1内的多层介质层进行防护，避免高压电击对多层介质基板造成的损坏，采用的加强层12能提高多层介质基板的稳定性，防止多层介质基板受到外界压力时发生变形现象，两个W波段毫米波芯片的辐射贴片21通过导线23连接，采用导线23能提高两个辐射贴片21的通讯性能，采用抗高压电击层二24和抗干扰层二25能避免辐射贴片21两侧的高压电击和电磁波干扰造成破坏和干扰，由于导热柱22贯穿在多层介质层内，导热柱22能将W波段毫米波芯片产生的热量快速传递到散热板16上，通过散热板16能快速对W波段毫米波芯片进行散热。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
Claims (7)
1.一种W波段毫米波芯片多层介质基板，包括基板本体(1)，其特征在于：所述基板本体(1)的顶部和底部均设置有若干焊盘(2)，所述基板本体(1)的内部设置有第一介质层(5)、第二介质层(6)、第三介质层(7)、第四介质层(8)、第五介质层(9)和第六介质层(10)，所述第一介质层(5)的顶部和第六介质层(10)的底部均设置有抗高压电击层一(13)，所述抗高压电击层一(13)的顶部设置有抗干扰层一(14)，所述抗干扰层一(14)的顶部设置有防静电层(15)，所述防静电层(15)的上表面设置有散热板(16)，两个所述散热板(16)之间固定有导热柱(22)。
2.根据权利要求1所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述第四介质层(8)的顶部嵌入设置有辐射贴片(21)，所述辐射贴片(21)的两侧均设置有抗高压电击层二(24)和抗干扰层二(25)，所述辐射贴片(21)的一侧设置有导线(23)。
3.根据权利要求1所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述焊盘(2)的底部固定有导电柱(20)，所述焊盘(2)的底部设置有绝缘层一(19)。
4.根据权利要求3所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述导电柱(20)的外部设置有屏蔽层(26)，所述导热柱(22)和屏蔽层(26)的两侧均设置有绝缘层二(27)，所述导热柱(22)的外壁设置有导热胶(28)。
5.根据权利要求1所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述散热板(16)的顶部设置有耐腐蚀层(17)，所述耐腐蚀层(17)的顶部设置有耐磨层(18)。
6.根据权利要求1所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述抗高压电击层一(13)的底部设置有加强层(12)，所述加强层(12)的底部设置有缓冲层(11)，且缓冲层(11)位于第一介质层(5)的顶部。
7.根据权利要求1所述的一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于：所述基板本体(1)的顶部设置有标记点(3)，所述基板本体(1)的底部设置有限位柱(4)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222378097.2U CN218274569U (zh) | 2022-09-07 | 2022-09-07 | 一种w波段毫米波芯片多层介质基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222378097.2U CN218274569U (zh) | 2022-09-07 | 2022-09-07 | 一种w波段毫米波芯片多层介质基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218274569U true CN218274569U (zh) | 2023-01-10 |
Family
ID=84712508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202222378097.2U Active CN218274569U (zh) | 2022-09-07 | 2022-09-07 | 一种w波段毫米波芯片多层介质基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218274569U (zh) |
-
2022
- 2022-09-07 CN CN202222378097.2U patent/CN218274569U/zh active Active
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| GR01 | Patent grant | ||
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Assignee: Dongguan Yuzhihang Information Technology Co.,Ltd. Assignor: SYNERGY INNOVATION INSTITUTE OF GDUT, HEYUAN Contract record no.: X2024980011872 Denomination of utility model: A W-band millimeter wave chip multilayer dielectric substrate Granted publication date: 20230110 License type: Common License Record date: 20240813 |
|
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