CN217883214U

CN217883214U - 用于碳化硅mos管的驱动装置以及车辆

Info

Publication number: CN217883214U
Application number: CN202221111262.1U
Authority: CN
Inventors: 吴爱亮
Original assignee: Beiqi Foton Motor Co Ltd
Current assignee: Beiqi Foton Motor Co Ltd
Priority date: 2022-05-09
Filing date: 2022-05-09
Publication date: 2022-11-22
Anticipated expiration: 2032-05-09

Abstract

本实用新型公开了一种用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆。其中，装置包括：隔离电源电路，用于提供驱动电压；推挽放大电路，与隔离电源电路连接，并与碳化硅MOS管的栅极连接，推挽放大电路用于在控制信号和驱动电压的作用下控制碳化硅MOS管的开通和关断；短路保护电路，与推挽放大电路连接，并与碳化硅MOS管的源极和漏极连接，短路保护电路用于在碳化硅MOS管开通时，从推挽放大电路获取供电电压，并在供电电压的作用下对碳化硅MOS管进行短路保护；栅极保护电路，与碳化硅MOS管的栅极连接，用于在碳化硅MOS管关断时，对碳化硅MOS管进行栅极保护。该装置可以实现对碳化硅MOS管的驱动与保护。

Description

用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆

技术领域

本实用新型涉及车辆技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆。

背景技术

碳化硅MOS管作为新型高压大功率半导体器件，具有高耐压，高开关速度，低损耗，高耐温的特点，相比于传统的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，其在商用车等应用场景有很大的节能优势，可降低控制器损耗40-70％，可提高车辆如商用车电池电压至800V，减小回路电流，降低整车功率回路线损。为了满足碳化硅功率器件快速、可靠开通关断，一个重要的问题是碳化硅功率器件的驱动电路及其保护设计。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的第一个目的在于提出一种用于碳化硅MOS管的驱动装置，以对碳化硅MOS管进行驱动与保护。

本实用新型的第二个目的在于提出一种车辆。

为达到上述目的，本实用新型第一方面提出一种用于碳化硅MOS管的驱动装置，所述装置包括：隔离电源电路，用于提供驱动电压；推挽放大电路，所述推挽放大电路与所述隔离电源电路连接，并与碳化硅MOS管的栅极连接，所述推挽放大电路用于在控制信号和所述驱动电压的作用下控制所述碳化硅MOS管的开通和关断；短路保护电路，所述短路保护电路与所述推挽放大电路连接，并与所述碳化硅MOS管的源极和漏极连接，所述短路保护电路用于在所述碳化硅MOS管开通时，从所述推挽放大电路获取供电电压，并在所述供电电压的作用下对所述碳化硅MOS管进行短路保护；栅极保护电路，所述栅极保护电路与所述碳化硅MOS管的栅极连接，用于在所述碳化硅MOS管关断时，对所述碳化硅MOS管进行栅极保护。

根据本实用新型的用于碳化硅MOS管的驱动装置，通过隔离电源电路提供18～20V的驱动电压，该驱动电压通过推挽放大电路对碳化硅MOS管进行控制，且在对碳化硅MOS管进行通断控制的过程中，通过短路保护电路在碳化硅MOS管出现短路时进行保护，并通过栅极保护电路在控制碳化硅MOS管关断时抑制米勒效应。

为达到上述目的，本实用新型第二方面提出一种车辆，包括上述的用于碳化硅MOS管的驱动装置。

根据本实用新型的车辆，通过上述用于碳化硅MOS管的驱动装置，可以在车辆上应用碳化硅MOS管，从而降低控制器损耗，提高电池电压，减小回路电流，降低整车功率回路线损。

本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

图1是一个示例的碳化硅MOS管的驱动电压的示意图；

图2一个示例的碳化硅MOS管的短路特性示意图；

图3是本实用新型一个实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置的结构示意图；

图4是本实用新型一个示例的隔离电源电路的结构示意图；

图5是本实用新型一个示例的用于碳化硅MOS管的驱动装置的电路图；

图6是本实用新型实施例的车辆的结构框图。

具体实施方式

下面参考附图描述本实用新型实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。参考附图描述的实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制。

碳化硅MOS管代表厂家Cree，ROHM，ST设计不同，对开关电压要求也不一样，目前市场没有统一的驱动产品，需要根据碳化硅MOS管做定制开发。当前研究的ROHM碳化硅MOS管开启电压2.7V，并且随温度升高而减小，当驱动电压达到18～20V时，才能完全开通。驱动电压范围为-4V～26V较宽，而且栅极-源极电压在开关动作时会叠加正负浪涌，该正负浪涌也必须控制在栅极额定电压范围以内。ROHM碳化硅MOS管推荐驱动电压高电平18V，低电平0V。碳化硅MOS管与IGBT关于驱动电压的区别可以如图1所示。

去饱和保护电路为典型的短路保护电路，大多集成于功率器件的驱动芯片内，现有驱动芯片内去饱和电路参数大多围绕Si IGBT器件设计，然而碳化硅MOS管与IGBT器件设计在短路特性上存在很大差别，参见图2，相比于IGBT器件，碳化硅MOS管的短路耐受时间短，且短路时不存在短路压降拐点。

碳化硅MOS管的驱动条件包括：(1)18～20V的驱动电压，足够高的驱动电压才能使碳化硅MOS管完全开通，减小其导通损耗；(2)采用0V关断，并提供栅极有源箝位电路，关断完成后打开有源箝位电路短路关断电阻，防止对管较大的开关速度导致栅极电阻上的压降引起误开通；(3)碳化硅MOS管耐短路能力弱，驱动保护阈值及保护时间需进行相应调整。

基于此，本实用新型提出一种用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆。

图3是本实用新型一个实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置的结构示意图。

如图3所示，用于碳化硅MOS管的驱动装置100包括：隔离电源电路101、推挽放大电路102、短路保护电路103、栅极保护电路104。

具体地，隔离电源电路101，用于提供驱动电压；推挽放大电路102与隔离电源电路101连接，并与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，推挽放大电路102用于在控制信号和驱动电压的作用下控制碳化硅MOS管Q4的开通和关断；短路保护电路103与推挽放大电路102连接，并与碳化硅MOS管Q4的源极和漏极连接，短路保护电路103用于在碳化硅MOS管Q4开通时，从推挽放大电路102获取供电电压，并在供电电压的作用下对碳化硅MOS管Q4进行短路保护；栅极保护电路104与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，用于在碳化硅MOS管Q4关断时，对碳化硅MOS管Q4进行栅极保护。

其中，上述隔离电源电路101包括：变压器T1、第一MOS管Q11、第一整流子电路、控制器1011、PWM脉冲发生器1012、第一稳压管Z2、第一分压电阻R11、第一滤波电容C11、第一二极管D11，还包括至少一个第二整流子电路。上述第一整流子电路包括第六二极管D12与第二电容C12。上述至少一个第二整流子电路中每个第二整流子电路均包括一个第七二极管与第三电容，以提供至少一路驱动电压，且该驱动电压为18～20V，例如可以为18V。

上述隔离电源电路101可以参见图4所示的具体示例，该示例为包括两个第二整流子电路的具体示例，因而包括两个第七二极管D13、D14以及两个第三电容C13、C14，从而可以提供两路18V驱动电压P18_AL与P18_AH，例如，对于商用车内的三相控制器1011，即可使用如该示例所示的隔离电源电路101，以为上桥臂中的碳化硅MOS管Q4与下桥臂中的碳化硅MOS管Q4提供驱动电压。上述控制器1011例如可以使用LM3481。上述PWM脉冲发生器1012提供125kHzPWM脉冲。

上述变压器T1的初级侧具有主绕组和辅助绕组，变压器T1的次级侧具有副绕组，主绕组的第一端用以接入外部电源Vin，辅助绕组通过第一整流子电路与控制器1011连接，以向控制器1011提供基准电压，副绕组通过第二整流子电路与推挽放大电路102连接，以向推挽放大电路102提供驱动电压。

上述第一MOS管Q11的第一端与主绕组的第二端连接，第一MOS管Q11的第二端通过第一电阻接地。

上述控制器1011用于在基准电压大于预设电压时，输出使能信号。

上述PWM脉冲发生器1012的输入端与控制器1011连接，PWM脉冲发生器1012的输出端与第一MOS管Q11的控制端连接，PWM脉冲发生器1012用于在使能信号的作用下，向第一MOS管Q11的控制端提供PWM脉冲。

上述第一稳压管Z2、第一分压电阻R11、第一滤波电容C11并联连接，并形成第一节点A和第二节点B，第一节点A与主绕组的第一端连接，第一二极管D11的阳极与主绕组的第二端连接，第一二极管D11的阴极与第二节点B连接。

具体地，在外部电源Vin上电后，第一整流子电路向控制器1011提供电压基准，控制器1011判断该基准电压与电压阈值之间的大小关系，该电压阈值例如可以为8V。若控制器1011检测到基准电压大于电压阈值，则输出使能信号，PWM脉冲发生器1012接收该使能信号，以向第一MOS管Q11的控制端输出PWM脉冲，从而实现稳压作用。

由此，可以实现提供稳定的电源。而且，采用隔离电源，功率小，采用辅助绕组做基准电压性价比高，方便调整输出电压。而且，对于不同的碳化硅MOS管，可以仅通过调整基准电压的电压阈值便能进行驱动，从而进一步提高了本实用新型实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置100的适应性。

进一步地，参见图5，上述推挽放大电路102包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2；上述短路保护电路103包括：第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、比较器U1、第二二极管D1、第三二极管D2、第四二极管D3、第五电阻R5、第六电阻R6；上述栅极保护电路104包括：第四电阻R4、第二MOS管Q5、第三MOS管Q3、第二稳压管Z3、第二分压电阻R7、第二滤波电容C2。

对于上述推挽放大电路102，上述第一三极管Q1的第一端与隔离电源电路101的正极输出端连接，第一三极管Q1的第二端通过开通电阻Ron与碳化硅MOS管Q4的栅极连接；第二三极管Q2的第一端与隔离电源电路101的负极输出端连接，第二三极管Q2的第二端通过关断电阻Roff与碳化硅MOS管Q4的栅极连接。通过向第一三极管Q1与第二三极管Q2的控制端输入控制信号S1，实现控制第一三极管Q1与第二三极管Q2的通断。需要说明的是，为了便于描述，在图5中隔离电源电路101的正极输出端用VDD表示，隔离电源电路101的负极输出端用VEE表示。

具体地，在控制信号S1为高电平时，第一三极管Q1导通、第二三极管Q2关断，隔离电源电路101的正极输出端通过第一三极管Q1和开通电阻Ron与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，使得碳化硅MOS管Q4开通。在控制信号S1为低电平时，第一三极管Q1关断、第二三极管Q2导通，隔离电源电路101的负极输出端通过第二三极管Q2和关断电阻Roff与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，使得碳化硅MOS管Q4关断。

由此，可以实现推挽放大电路102在控制信号S1的控制下控制碳化硅MOS管Q4的开通与关断。而且，开通关断电阻分开，方便适配功率器件驱动调整。

对于上述短路保护电路103与栅极保护电路104，上述第二电阻R2的一端与第一三极管Q1的第二端连接，第二电阻R2的另一端与碳化硅MOS管Q4的漏极连接，并形成第三节点C；第三电阻R3的一端与第三节点C连接；第一电容C1的一端与第三电阻R3的另一端连接，第一电容C1的另一端与碳化硅MOS管Q4的源极连接；比较器U1的第一输入端与第一电容C1的一端连接，比较器U1的第二输入端用以接入参考电压，比较器U1用于判断碳化硅MOS管Q4的源极和漏极是否短路。第二二极管D1的阴极与碳化硅MOS管Q4的漏极连接；第三二极管D2的阴极与第二二极管D1的阳极连接，第三二极管D2的阳极与第三节点C连接。第四二极管D3与第一电容C1并联连接。第五电阻R5的一端与比较器U1的第二输入端连接，第五电阻R5的另一端接地；第六电阻R6的一端与比较器U1的第二输入端连接，第六电阻R6的另一端用以连接预设电源VCC。上述第四电阻R4的一端与第一电容C1的一端连接；第二MOS管Q5的第一端与第四电阻R4的另一端连接，第二MOS管Q5的第二端接地。

上述第三MOS管Q3的第一端与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，第三MOS管Q3的第二端与隔离电源电路101的负极输出端连接；第二稳压管Z3、第二分压电阻R7、第二滤波电容C2并联连接，并形成第五节点和第六节点，第五节点与碳化硅MOS管Q4的栅极连接，第五节点还通过第五二极管D4与隔离电源电路101的正极输出端连接，第六节点与隔离电源电路101的负极输出端连接。上述第二MOS管Q5的通断由输入至其的控制端的放电信号S4控制，上述第三MOS管Q3的通断由输入至其的控制端的保护信号S3控制。

具体地，当控制信号S1为高电平时，放电信号S4与保护信号S3均为低电平，第二MOS管Q5与第三MOS管Q3均处于关断状态。此时，若碳化硅MOS管Q4处于正常工作状态，则V_ds较低，第二二极管D1与第三二极管D2均处于正向导通状态，比较器U1的第一输入端检测到第一电容C1两端电压V_desat＝V_ds+2*V_F低于短路保护阈值V_{desat_th}，不触发短路保护；若碳化硅MOS管Q4处于短路状态，则V_ds较高，第二二极管D1与第三二极管D2均处于反向截止状态，由于此时第二MOS管Q5处于截止状态，比较器U1的第一输入端上的电压升高，当第一电容C1两端电压V_desat＝V_ds+2*V_F大于V_{desat_th}时，触发短路保护。其中，V_F为第二二极管D1与第三二极管D2的正向导通电压，V_{desat_th}的设置可根据IV曲线法或导通压降法确定，可通过改变第一电容C1、第三电阻R3的参数来设置短路保护时间，以使碳化硅MOS管Q4进入短路状态后可以在短路保护时间内触发短路保护，以防止碳化硅MOS管Q4损坏，该短路保护时间应小于5us，例如可以设置为3us。而且，上述比较器U1可以为如图5所示的运算放大器，通过使用外部运放可灵活配置短路保护阈值，且在面对不同的碳化硅MOS管时，仅需设置短路保护阈值和短路保护时间便可进行保护，从而进一步提高了本实用新型实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置100的适用性。

当控制信号S1为低电平时，放电信号S4与保护信号S3均为高电平，第二MOS管Q5与第三MOS管Q3均处于导通状态，以抑制米勒效应，防止碳化硅MOS管Q4栅极被抬高导致误导通，同时与第四二极管D3一起将第一电容C1两端的电压通过第二MOS管Q5放走。而且，由于使用推挽放大电路102为短路保护电路103供电，可以实现仅在控制信号S1为高电平时进行短路保护，在控制信号S1为低电平时不进行短路保护，从而可以进一步方便控制，节省能耗。

综上，本实用新型实施例的用于碳化硅MOS管的驱动装置，通过隔离电源电路提供18～20V的驱动电压，该驱动电压通过推挽放大电路对碳化硅MOS管进行控制，且在对碳化硅MOS管进行通断控制的过程中，通过短路保护电路在碳化硅MOS管出现短路时进行保护，并通过栅极保护电路在控制碳化硅MOS管关断时抑制米勒效应。

进一步地，本实用新型提出一种车辆。

图6是本实用新型实施例的车辆的结构框图。

如图6所示，车辆1000包括上述的用于碳化硅MOS管的驱动装置100。

本实用新型实施例的车辆，通过上述用于碳化硅MOS管的驱动装置，可以在车辆上应用碳化硅MOS管，从而降低控制器损耗，提高电池电压，减小回路电流，降低整车功率回路线损。

需要说明的是，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本实用新型的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

在本说明书的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，除非另有说明，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述装置包括：

隔离电源电路，用于提供驱动电压；

推挽放大电路，所述推挽放大电路与所述隔离电源电路连接，并与碳化硅MOS管的栅极连接，所述推挽放大电路用于在控制信号和所述驱动电压的作用下控制所述碳化硅MOS管的开通和关断；

短路保护电路，所述短路保护电路与所述推挽放大电路连接，并与所述碳化硅MOS管的源极和漏极连接，所述短路保护电路用于在所述碳化硅MOS管开通时，从所述推挽放大电路获取供电电压，并在所述供电电压的作用下对所述碳化硅MOS管进行短路保护；

栅极保护电路，所述栅极保护电路与所述碳化硅MOS管的栅极连接，用于在所述碳化硅MOS管关断时，对所述碳化硅MOS管进行栅极保护。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述隔离电源电路包括：

变压器，所述变压器的初级侧具有主绕组和辅助绕组，所述变压器的次级侧具有副绕组，所述主绕组的第一端用以接入外部电源，所述辅助绕组通过第一整流子电路与控制器连接，以向所述控制器提供基准电压，所述副绕组通过第二整流子电路与所述推挽放大电路连接，以向所述推挽放大电路提供所述驱动电压；

第一MOS管，所述第一MOS管的第一端与所述主绕组的第二端连接，所述第一MOS管的第二端通过第一电阻接地；

所述控制器，所述控制器用于在所述基准电压大于预设电压时，输出使能信号；

PWM脉冲发生器，所述PWM脉冲发生器的输入端与所述控制器连接，所述PWM脉冲发生器的输出端与所述第一MOS管的控制端连接，所述PWM脉冲发生器用于在所述使能信号的作用下，向所述第一MOS管的控制端提供PWM脉冲。

3.根据权利要求2所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述隔离电源电路还包括：

第一稳压管、第一分压电阻、第一滤波电容、第一二极管，所述第一稳压管、所述第一分压电阻、所述第一滤波电容并联连接，并形成第一节点和第二节点，所述第一节点与所述主绕组的第一端连接，所述第一二极管的阳极与所述主绕组的第二端连接，所述第一二极管的阴极与所述第二节点连接。

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述推挽放大电路包括：

第一三极管，所述第一三极管的第一端与所述隔离电源电路的正极输出端连接，所述第一三极端的第二端通过开通电阻与所述碳化硅MOS管的栅极连接；

第二三极管，所述第二三极管的第一端与所述隔离电源电路的负极输出端连接，所述第二三极管的第二端通过关断电阻与所述碳化硅MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述短路保护电路包括：

第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一三极端的第二端连接，所述第二电阻的另一端与所述碳化硅MOS管的漏极连接，并形成第三节点；

第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第三节点连接；

第一电容，所述第一电容的一端与所述第三电阻的另一端连接，所述第一电容的另一端与所述碳化硅MOS管的源极连接；

比较器，所述比较器的第一输入端与所述第一电容的一端连接，所述比较器的第二输入端用以接入参考电压，所述比较器用于判断所述碳化硅MOS管的源极和漏极是否短路。

6.根据权利要求5所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述短路保护电路还包括：

第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述碳化硅MOS管的漏极连接；

第三二极管，所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极与所述第三节点连接；

第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一电容的一端连接；

第二MOS管，所述第二MOS管的第一端与所述第四电阻的另一端连接，所述第二MOS管的第二端接地。

7.根据权利要求5所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述短路保护电路还包括：

第四二极管，所述第四二极管与所述第一电容并联连接。

8.根据权利要求5所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述短路保护电路还包括：

第五电阻，所述第五电阻的一端与所述比较器的第二输入端连接，所述第五电阻的另一端接地；

第六电阻，所述第六电阻的一端与所述比较器的第二输入端连接，所述第六电阻的另一端用以连接预设电源。

9.根据权利要求5所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置，其特征在于，所述栅极保护电路包括：

第三MOS管，所述第三MOS管的第一端与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的第二端与所述隔离电源电路的负极输出端连接；

第二稳压管、第二分压电阻、第二滤波电容，所述第二稳压管、所述第二分压电阻、所述第二滤波电容并联连接，并形成第五节点和第六节点，所述第五节点与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第五节点还通过第五二极管与所述隔离电源电路的正极输出端连接，所述第六节点与所述隔离电源电路的负极输出端连接。

10.一种车辆，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的用于碳化硅MOS管的驱动装置。