CN215452782U - 开关电源电压尖峰吸收电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种开关电源电压尖峰吸收电路。该开关电源电压尖峰吸收电路包括MOS管Q1、瞬态二极管D1、二极管D2、电容C1和电阻R1～R2，其中，开关电源中变压器的原边线圈一端分别与瞬态二极管D1的阳极、电容C1的一端、电阻R1的一端相连；二极管D2的阴极分别与电容C1的另一端、电阻R1的另一端、瞬态二极管D1的阴极相连；二极管D2的阳极分别与变压器原边线圈的另一端、MOS管Q1的漏极相连，MOS管Q1的栅极与PWM控制器相连，MOS管Q1的源极通过电阻R2接地。本申请提供的开关电源电压尖峰吸收电路在现有RCD吸收电路的基础上增加TVS以钳位短路时的电压尖峰，从而可以使用耐压更低的MOS，综合成本上具有明显的降低。

Description

开关电源电压尖峰吸收电路

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域，特别是涉及一种开关电源电压尖峰吸收电路。

背景技术

现有开关电源电压尖峰吸收电路主要以RC、RCD吸收为主，RCD吸收电路由电阻R、电容C和二极管D构成。电阻R也可以与二极管D并联连接。RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路，与RC电路相比Vce升高的幅度更小。这两种电路可以满足很大一部分的应用需求。在一定程度上对MOS的耐压要求相对也比较低，但是在成本要求比较严苛的地方，由于MOS耐压等级的跃升所带来的成本上升是比较大的，因此就要求在此场合下尽量选用耐压更低的MOS，此时对吸收电路也就提出了更高的要求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种成本更低的开关电源电压尖峰吸收电路。

为实现本实用新型的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种开关电源电压尖峰吸收电路，包括MOS管Q1、瞬态二极管D1、二极管D2、电容C1和电阻R1～R2，其中，开关电源中变压器的原边线圈一端分别与所述瞬态二极管D1的阳极、所述电容C1的一端、电阻R1的一端相连；所述二极管D2的阴极分别与所述电容C1的另一端、所述电阻R1的另一端、所述瞬态二极管D1的阴极相连；所述二极管D2的阳极分别与所述变压器原边线圈的另一端、所述MOS管Q1的漏极相连，所述MOS管Q1的栅极与PWM控制器相连，所述MOS管Q1的源极通过电阻R2接地。

本实用新型针对现有方案的不足进行了全新设计，通过在现有RCD的基础上增加了一个TVS器件。一般选用MOS时的耐压主要是考虑输出电压在短路情况下在MOS上所产生的最大电压尖峰决定的，这种工况相对比较极端，但是为了满足此工况下MOS不损坏而选用耐压等级更高的器件。本实用新型则为了解决此特殊工况下的保护问题，在原RCD吸收电路的基础上增加TVS以钳位短路时的电压尖峰，从而可以使用耐压更低的MOS，综合成本上具有明显的降低。

附图说明

图1为一实施例中开关电源电压尖峰吸收电路的电路原理图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

参见图1，本实施例提供了一种开关电源电压尖峰吸收电路，包括MOS管Q1、瞬态二极管D1、二极管D2、电容C1和电阻R1～R2，其中，开关电源中变压器的原边线圈一端分别与瞬态二极管D1的阳极、电容C1的一端、电阻R1的一端相连；二极管D2的阴极分别与电容C1的另一端、电阻R1的另一端、所述瞬态二极管D1的阴极相连；二极管D2的阳极分别与变压器原边线圈的另一端、MOS管Q1的漏极相连，MOS管Q1的栅极与PWM控制器相连，MOS管Q1的源极通过电阻R2接地。

在本实施例中，电阻R1为吸收电阻，电阻R2的检流电阻，电阻R1、电容C1和二极管D2组成了RCD吸收电路；变压器的副边线圈为输出绕组，后端结果整流滤波电路(图1中D3、E1、C2和R3)处理后对接负载，向外部供电。

本实施例提供的开关电源电压尖峰吸收电路的工作原理为：

当开关电源因为副边短路造成电压尖峰时，除了RCD起到相应的吸收作用外，TVSD1可以进行电压钳位，有效降低MOS承受的电压尖峰，从而可以选用耐压等级更低的器件，达到降低成本的目的。

本实用新型通过在现有RCD的基础上增加了一个TVS器件。一般选用MOS时的耐压主要是考虑输出电压在短路情况下在MOS上所产生的最大电压尖峰决定的，这种工况相对比较极端，但是为了满足此工况下MOS不损坏而选用耐压等级更高的器件。本实用新型则为了解决此特殊工况下的保护问题，在原RCD吸收电路的基础上增加TVS以吸收短路时的电压尖峰，从而可以使用耐压更低的MOS，综合成本上具有明显的降低。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (1)

1.一种开关电源电压尖峰吸收电路，其特征在于，包括MOS管Q1、瞬态二极管D1、二极管D2、电容C1和电阻R1～R2，其中，开关电源中变压器的原边线圈一端分别与所述瞬态二极管D1的阳极、所述电容C1的一端、电阻R1的一端相连；所述二极管D2的阴极分别与所述电容C1的另一端、所述电阻R1的另一端、所述瞬态二极管D1的阴极相连；所述二极管D2的阳极分别与所述变压器原边线圈的另一端、所述MOS管Q1的漏极相连，所述MOS管Q1的栅极与PWM控制器相连，所述MOS管Q1的源极通过电阻R2接地。

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