CN217709753U - 用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备，晶体生长设备包括晶体生长炉，晶体生长炉具有待清洁表面，清扫用具适于位于待清洁表面的径向内侧，且包括吹扫组件和保温组件，吹扫组件具有换向面，换向面用于改变流向换向面的吹扫气流的方向，保温组件固设于吹扫组件的下侧，且在预设位置时，保温组件适于遮挡在晶体生长设备的坩埚的上侧。根据本实用新型的清扫用具，减少生产时间和成本，提高了生产效率。

Description

用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备。

背景技术

在CZ长晶过程中，通常在完成一次长晶周期后，整个炉室内壁及周围壁面会进行彻底的清扫，以满足下次长晶的洁净要求。然而，当采用CCZ法长晶即二次加料技术，在加料过程中部分硅的粉尘会随气流带出，附着在副室内壁及隔离阀区域。在硅料加入坩埚过程中，部分硅的粉尘扬起附着在水冷套内壁及周围表面如导流筒。而且，在二次加料过程中，频繁开关隔离阀，影响主室内气流，造成硅的氧化物沉积在导流筒表面、冷却套表面等。

若不扫除这些粉尘、氧化物等，当下次长出的晶体通过时，因为气流流速和流向的变化，有些粉尘、氧化物颗粒会脱落掉入熔体里，由于熔体的温度只比硅的熔点稍高，尺寸较小的硅颗粒等可能被熔化，尺寸较大的硅颗粒或氧化物等容易成为晶核；在熔体对流作用下，有些晶核会在熔体表面或内部被推向熔体的固液界面处，一旦结合到晶体表面上或晶体内部会引起晶变，之后形成多晶导致单晶生长被终止，之后要么进入回熔、重复长晶过程，要么继续提拉多晶。以上两种情况均会降低生产效率，增加生产成本。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种清扫用具，所述清扫用具减少生产时间和成本，提高了生产效率。

本实用新型还提出一种具有上述清扫用具的晶体生长设备。

根据本实用新型第一方面实施例的用于晶体生长设备的清扫用具，所述晶体生长设备包括晶体生长炉，所述晶体生长炉具有待清洁表面，所述清扫用具适于位于所述待清洁表面的径向内侧，且包括：吹扫组件，所述吹扫组件具有换向面，所述换向面用于改变流向所述换向面的吹扫气流的方向；保温组件，所述保温组件固设于所述吹扫组件的下侧，且在预设位置时，所述保温组件适于遮挡在所述晶体生长设备的坩埚的上侧。

根据本实用新型实施例的清扫用具，通过设置吹扫组件对待清洁表面进行吹扫、设置保温组件实现保温，可以在二次加料后、再次长晶之前先进行保温以提升熔料速度，而后对晶体生长炉进行吹扫，减少或消除因粉尘颗粒造成的晶变，从而降低了回熔或吊料的几率，减少了晶体生长设备的生产时间和成本同时提高了生产效率。

在一些实施例中，所述换向面形成为顶点朝上的锥面。

在一些实施例中，所述锥面的锥角可调。

在一些实施例中，所述吹扫组件和所述保温组件为一体件。

在一些实施例中，所述保温组件包括：壳体；支撑件，所述支撑件设于所述壳体内，且与所述壳体共同限定出安装腔；保温件，所述保温件设于所述安装腔内。

在一些实施例中，所述保温组件还包括托盘，所述托盘设于所述安装腔外，且支撑在所述壳体的底部，所述清扫用具还包括：连接杆，所述连接杆具有限位部，所述连接杆穿设于所述托盘、所述壳体、所述支撑件和所述吹扫组件且伸出所述吹扫组件，所述限位部止抵在所述托盘的底部。

在一些实施例中，所述托盘的底部具有凹槽，所述限位部配合于所述凹槽内。

根据本实用新型第二方面实施例的晶体生长设备，包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉包括炉体和坩埚，所述坩埚设于所述炉体内；清扫用具，所述清扫用具为根据本实用新型上述第一方面实施例的用于晶体生长设备的清扫用具，且可运动地设于所述炉体内，所述清扫用具具有预设位置，在所述预设位置，所述清扫用具遮挡在所述坩埚的上侧。

根据本实用新型实施例的晶体生长设备，通过采用上述的清扫用具，减少了晶体生长设备的生产时间和成本，同时便于提高晶体生长设备的生产效率。

在一些实施例中，所述晶体生长炉还包括：冷却套，所述冷却套设于所述炉体内且位于所述坩埚的上方，所述冷却套用于对晶体进行冷却，在所述预设位置，所述清扫用具的底面低于所述冷却套的下端；晶体提拉机构，所述晶体提拉机构设于所述晶体生长炉的顶部，且与所述清扫用具相连以带动所述清扫用具运动。

在一些实施例中，所述清扫用具的外径为D，所述冷却套的内径为D1，90％≤D/D1≤95％。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型一个实施例的清扫用具的剖视图；

图2是图1中所示的清扫用具的使用示意图。

附图标记：

晶体生长设备300、晶体生长炉200、炉体201、副室201a、主室201b、坩埚202、晶体提拉机构204、冷却套206、

导流筒207、加热器208、

清扫用具100、

吹扫组件1、保温组件2、连接杆3、换向面11a、安装腔2a、

壳体21、支撑件22、保温件23、托盘24、限位部31。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

下面，参考附图，描述根据本实用新型实施例的用于晶体生长设备300的清扫用具100。晶体生长设备300包括晶体生长炉200，晶体生长炉200具有待清洁表面，清扫用具100适于位于待清洁表面的径向内侧；例如待清洁表面为柱面，清扫用具100适于位于柱面内。

可选地，待清洁表面可以是晶体生长炉200的副室201a内壁、隔离阀和冷却套206内壁及其周围壁面等。

如图1和图2所示，清扫用具100包括吹扫组件1，吹扫组件1具有换向面11a，换向面11a用于改变流向换向面11a的吹扫气流的方向，使得吹扫气流在换向面11a位置处发生紊流，使得吹扫气流具有一定的紊流程度，与实现对待清洁表面的吹扫，同时由于换向面11a的设置，使得待清洁表面围成的腔室流通横截面积在换向面11a位置处发生突变，有利于提升整个吹扫气流的乱流程度，从而便于进一步实现对待清洁表面的全面吹扫，使得附着在待清洁表面上的粉尘、氧化物等颗粒脱落而飘起，一部分颗粒可以落入坩埚202内被熔化、一部分可以通过晶体生长炉200的排气通道排出。

可见，吹扫组件1可以对待清洁表面进行清洁，以吹走待清洁表面上的粉尘、氧化物颗粒等等，从而便于在下次长晶之前对待清洁表面进行清洁，以避免上述粉尘、氧化物等颗粒在长晶过程中晶变(拉晶时，预定拉单晶硅，但拉晶中变成非单晶或多晶硅，这种现象称为晶变)，从而降低了回熔或吊料的几率，进而有效提升生产效率，降低生产成本和生产时间。

如图1和图2所示，清扫用具100还包括保温组件2，保温组件2固设于吹扫组件1的下侧，且在预设位置时，保温组件2适于遮挡在晶体生长设备300的坩埚202的上侧，保温组件2的导热率较小，可以反射辐射热以进行保温，以缩短熔料时间，减少晶体生长设备300的功率消耗，降低了生产成本，同时在保温过程中，可以适当降低对坩埚202的加热功率，便于避免坩埚202过热，从而有利于保证坩埚202使用可靠、延长坩埚202的使用寿命。

例如，在使用清扫用具100时，可以在二次加料完成之后，采用清扫用具100对坩埚202内的熔体进行保温，有利于提升熔料速率；当物料全部熔化后，采用清扫用具100对晶体生长炉200的内壁面等进行吹扫，吹扫下来的颗粒的一部分可以落入坩埚202内被熔化、一部分可以通过晶体生长炉200的排气通道排出。可见，本申请中的清扫用具100可以适用于CCZ法拉晶。

可以理解的是，吹扫气流可以自上向下(竖直向下或倾斜向下)吹送，比如吹扫气流可以通过晶体生长炉200的保护气进口向下通入晶体生长炉200内，使得吹扫下来的部分颗粒可以跟随气流向下运动，以便于避免吹扫下来的颗粒向上运动以在吹扫完成后造成二次污染；其中，吹扫气流为惰性气体等。可选地，清扫用具100用于晶体生长设备300时，可以直接将晶体生长炉200的保护气流作为吹扫气流使用；当然，也可以另外单独设置吹扫气流。

可见，清扫用具100既具有吹扫功能，也具有保温功能，丰富了清扫用具100的功能，且在采用清扫用具100进行清洁、保温时，清扫用具100可以反复多次使用，且在单次使用过程中，清扫用具100可以全程均位于晶体生长炉200内进行操作，有利于简化操作工序，提升操作便利性。

根据本实用新型实施例的清扫用具100，通过设置吹扫组件1对待清洁表面进行吹扫、设置保温组件1实现保温，可以在二次加料后、再次长晶之前先进行保温以提升熔料速度，而后对晶体生长炉200进行吹扫，减少或消除因粉尘颗粒造成的晶变，从而降低了回熔或吊料的几率，减少了晶体生长设备300的生产时间和成本同时提高了生产效率。

在本实用新型的一些实施例中，如图1和图2所示，换向面11a形成为顶点朝上的锥面，也就是说，换向面11a的顶点位于换向面11a的顶部，有利于保证吹扫气流在换向面11a的作用下的紊流程度，从而便于提升吹扫效果。

可选地，换向面11a的锥度与晶体生长过程中在放肩阶段所生长部分的锥度一致，则清扫用具100在用于清扫待清洁表面时，便于使得吹扫组件1模拟晶体生长过程，例如吹扫组件1可以模拟晶体头部的运动，从而保证在吹扫时和在长晶时的气流流向相同，以确保后续长晶过程中可能被晶体经过时吹掉的粉尘颗粒事先被熔料保温和吹扫装置扫除。

当然，在其他实施例中，换向面11a可以形成为其它形状，例如换向面11a可以为球面、或椭圆面、或平面等。

在一些实施例中，锥面的锥角可调，则锥面的开合大小可调，以便于根据待清洁表面的形状以及设置姿态等选择合适锥角的锥面进行清扫，以提升清扫效果。

可以理解的是，在清扫用具100用于清洁待清洁表面时，锥面的锥角可以始终保持不变，或者锥面的锥角可以根据待清洁表面的形状以及设置姿态等进行适应性调整，以便于使得吹扫气流在锥面的导引下的流动与待清洁表面的形状以及设置姿态等具有良好的匹配性，有利于提升清扫效果。

例如，吹扫组件1可以大致形成为伞形结构。

在一些可选实施例中，吹扫组件1和保温组件2为一体件，便于节省吹扫组件1和保温组件2之间的组装工序，方便清扫用具100的加工。当然，吹扫组件1和保温组件2还可以为分体件。

在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，保温组件2包括壳体21、支撑件22和保温件23，支撑件22设于壳体21内，且支撑件22与壳体21共同限定出安装腔2a；保温件23设于安装腔2a内，则壳体21和支撑件22可以对保温件23起到一定保护作用，同时壳体21、保温件23和支撑件22可以形成夹层结构，便于保证保温组件2的保温能力，而且便于通过合理设置支撑件22结构、高度等，有利于使得支撑件22对壳体21的壁面起到一定支撑作用，从而提升安装腔2a的结构稳定性。

可选地，壳体21和支撑件22是耐高温、反射辐射热好且不会引入沾污和颗粒杂质的材料件，例如，壳体21和支撑件2可以均为涂有碳化硅涂层的高纯石墨件、或金属钼件等；保温件23是耐高温、且不会引入沾污和颗粒杂质的材料件，例如，保温件23可以为碳纤维制成的软毡、或硬毡等。

当然，保温组件2的结构不限于此；例如，保温组件2和吹扫组件1还可以为一体件。

在本实用新型的一些实施例中，如图1所示，保温组件2还包括托盘24，托盘24设于安装腔2a外，且托盘24支撑在壳体21的底部，则托盘24可以对壳体21、支撑件22和保温件23起到稳定支撑作用；清扫用具100还包括连接杆3，连接杆3穿设于托盘24、壳体21、支撑件22和吹扫组件1，便于使得吹扫组件1和保温组件2通过连接杆3配合为一个整体，有利于简化吹扫组件1和保温组件2之间的配合，可以无需采用其他连接结构固定吹扫组件1和保温组件2，从而简化清扫用具100的结构，且方便了清扫用具100的组装。

其中，连接杆3具有限位部31，连接杆3伸出吹扫组件1，限位部31止抵在托盘24的底部，则连接杆3可以通过限位部31与托盘24的止抵配合对托盘24施加支撑力，以便于实现托盘24的运动；可见，操作人员可以通过连接杆3伸出吹扫组件1的部分对清扫用具100进行相关操作，例如移动清扫用具100等，提升了清扫用具100的操作便利性。

在一些实施例中，如图1所示，托盘24的底部具有凹槽24a，限位部31配合于凹槽24a内，则限位部31在上下方向上的高度小于等于凹槽24a的深度，清扫用具100使用时，限位部31止抵于凹槽24a的顶壁，限位部31的下端与凹槽24a的下端齐平、或者限位部31的下端位于凹槽24a下端的上方，有利于避免限位部31凸出于托盘24的底面而导致清扫用具100放置不平稳，同时当托盘24和连接杆3均为石墨件时，通过限位部31与凹槽24a的配合便于实现托盘24和连接杆3的相连。

可选地，托盘24和连接杆3是耐高温、反射辐射热好且不会引入沾污和颗粒杂质的材料件，例如，托盘24和连接杆3可以均为涂有碳化硅涂层的高纯石墨件、或金属钼件等。

根据本实用新型第二方面实施例的晶体生长设备300，包括晶体生长炉200和清扫用具100，晶体生长炉200包括炉体201和坩埚202，坩埚202设于炉体201内，清扫用具100为根据本实用新型上述第一方面实施例的用于晶体生长设备300的清扫用具100，且清扫用具100可运动地设于炉体201内，清扫用具100在运动过程中可以实现对晶体生长炉200内壁面的清扫；清扫用具100具有预设位置，在预设位置，清扫用具100遮挡在坩埚202的上侧，此时保温组件2可以反射辐射热以对坩埚202进行保温。

根据本实用新型实施例的晶体生长设备300，通过采用上述的清扫用具100，减少了晶体生长设备300的生产时间和成本，同时便于提高晶体生长设备300的生产效率。

可以理解的是，清扫用具100的直径依据晶体生长设备300的内径设定，使清扫用具100的外壁(例如可以是壳体21外壁)与待清洁表面(例如可以是副室201a内壁、隔离阀内壁和冷却套206内壁等)接近又不影响清扫用具100使用时的稳定性，可以使得在清扫用具100和待清洁表面之间得空间气流流速较大，更有效地扫除粉尘颗粒；例如清扫用具100的外径D与冷却套206的内径D1满足90％≤D/D1≤95％，比如清扫用具100与冷却套206之间的径向间隙位于10mm～20㎜(包括端点值)范围内，便于保证清扫用具100与冷却套206之间具有合适的气流流通面积，以便于保证气流在吹扫组件1位置处的紊流效果。

当然，清扫用具100的长度可以根据晶体生长炉200的轴向长度确定。

在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，晶体生长炉200还包括冷却套206，冷却套206设于炉体201内，且冷却套206位于坩埚202的上方，冷却套206用于对晶体进行冷却，在预设位置，清扫用具100的底面低于冷却套206的下端，则便于保证在预设位置清扫用具100与坩埚202之间在上下方向上具有合适的距离，以有利于保证保温效果。

可以理解的是，冷却套206的冷却介质可以为气体和/或液体等。

在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，晶体生长炉200还包括晶体提拉结构204，晶体提拉结构204设于晶体生长炉200的顶部，在晶体生长过程中，晶体提拉结构204用于带动籽晶运动以实现长晶；其中，晶体提拉结构204与清扫用具100相连以带动清扫用具100运动，便于实现清扫用具100的运动，可以单独设置驱动机构，有利于简化晶体生长设备300的结构。

在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，晶体生长炉200还包括导流筒207，导流筒207设于炉体201内，且导流筒207位于坩埚202的上方，导流筒207设于冷却套206外面，导流筒207的底端略低于冷却套206。

如图2所示，晶体生长炉200还包括加热器208和隔离阀，加热器208位于坩埚202的外周向上，通过加热器208加热熔化坩埚202里的硅料，隔离阀位于晶体生长炉200的主室201b和副室201a之间，且隔离阀位于冷却套206的上方。

下面以吹扫气流为晶体生长炉200的氩气保护气为例进行说明；例如，清扫用具100的操作过程如下：清扫用具100在二次加料完成之后安装在晶体提拉结构204，晶体提拉结构204包括籽晶绳，籽晶绳与清扫用具100相连籽晶绳,然后下降籽晶绳，使托盘24适当低于冷却套206底部，用于保温和反射辐射热，进入熔料保温阶段；当坩埚202内的硅料全部熔化，手动或自动提升籽晶绳以使清扫用具100到副室201a内的适当位置例如副室201a内的中部，此时可以增大氩气气流以增大副室201a内的压力，以通过较大气流量将副室201a内的颗粒等直接排出；待炉压降低到预设值并稳定时，逐渐增大第一管道的氩气流量；而后，打开回填阀，使得第二管道内的氩气流(此时氩气流量最大)进入晶体生长炉200内，此时第一管道关闭。然后，采取手动操作或自动操作下降籽晶绳使得清扫用具100降低至晶体生长炉200的视窗位置，而后清扫用具100向下逐步移动以从上到下对副室201a内壁进行吹扫，在此过程中，清扫用具100可以间隔一定时间向下移动一定距离，并在停留一定时间；由于隔离阀附近结构比较复杂，可以采取慢速或停留适当时间进行吹扫，可以更有效地扫除粉尘颗粒，以避免后续长晶过程中在晶体与隔离阀对应的位置出现断线而降低成晶率；继续进行对下方冷却套206内壁及其周围表面吹扫，直至清扫用具100的托盘24达到低于冷却套206底部的位置；通过这些步骤可以将绝大部分的粉尘颗粒从上至下进行清除，提高了晶体生长设备300的生产效率。完成以上步骤之后，在HMI上设定理想的籽晶绳提升速率，启动晶体提拉结构204提升籽晶绳，让吹扫组件1从下往上模拟长晶时晶体移动过程进行最终吹扫，吹扫完成后，关闭隔离阀，将清扫用具100移除，而后控制晶体生长炉200回到标准稳定状态。在正常长晶体时，使用较小的气流，使得晶体提升经过此处时附着在内壁上的颗粒等不会被扰动并带入熔体。

其中，在以上整个过程中大流量的氩气从副室201a顶部输入，从炉室底部连续抽出；手动操作升降籽晶绳相比自动操作升降籽晶绳更加快捷，缩短了清扫时间，提高了生产效率；晶体提拉结构204提升籽晶绳的速度模拟类似长晶生长的速度，可以使清扫用具100有效地扫除粉尘颗粒，减少或消除因粉尘颗粒造成的晶变，从而降低了回熔或吊料的几率。

需要理解的是，在吹扫过程中，硅液的温度仍然处于远高于硅的熔点，吹扫下来的粉尘颗粒主要是硅或硅的氧化物，硅颗粒会很快被熔化，氧化物在高温状态下挥发，或与硅反应并挥发，不再对长晶过程产生负面影响；HMI是人机界面，即为晶体生长设备300的操作界面，通过操作界面控制晶体生长设备300的功能和调节长晶时的各项参数等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述晶体生长设备包括晶体生长炉，所述晶体生长炉具有待清洁表面，所述清扫用具(100)适于位于所述待清洁表面的径向内侧，且包括：

吹扫组件(1)，所述吹扫组件(1)具有换向面(11a)，所述换向面(11a)用于改变流向所述换向面(11a)的吹扫气流的方向；

保温组件(2)，所述保温组件(2)固设于所述吹扫组件(1)的下侧，且在预设位置时，所述保温组件(2)适于遮挡在所述晶体生长设备(300)的坩埚(202)的上侧。

2.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述换向面(11a)形成为顶点朝上的锥面。

3.根据权利要求2所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述锥面的锥角可调。

4.根据权利要求1所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述吹扫组件(1)和所述保温组件(2)为一体件。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述保温组件(2)包括：

壳体(21)；

支撑件(22)，所述支撑件(22)设于所述壳体(21)内，且与所述壳体(21)共同限定出安装腔(2a)；

保温件(23)，所述保温件(23)设于所述安装腔(2a)内。

6.根据权利要求5所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述保温组件(2)还包括托盘(24)，所述托盘(24)设于所述安装腔(2a)外，且支撑在所述壳体(21)的底部，

所述清扫用具(100)还包括：

连接杆(3)，所述连接杆(3)具有限位部(31)，所述连接杆(3)穿设于所述托盘(24)、所述壳体(21)、所述支撑件(22)和所述吹扫组件(1)且伸出所述吹扫组件(1)，所述限位部(31)止抵在所述托盘(24)的底部。

7.根据权利要求6所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，其特征在于，所述托盘(24)的底部具有凹槽(24a)，所述限位部(31)配合于所述凹槽(24a)内。

8.一种晶体生长设备(300)，其特征在于，包括：

晶体生长炉(200)，所述晶体生长炉(200)包括炉体(201)和坩埚(202)，所述坩埚(202)设于所述炉体(201)内；

清扫用具(100)，所述清扫用具(100)为根据权利要求1-7中任一项所述的用于晶体生长设备(300)的清扫用具(100)，且可运动地设于所述炉体(201)内，所述清扫用具(100)具有预设位置，在所述预设位置，所述清扫用具(100)遮挡在所述坩埚(202)的上侧。

9.根据权利要求8所述的晶体生长设备(300)，其特征在于，所述晶体生长炉(200)还包括：

冷却套，所述冷却套设于所述炉体(201)内且位于所述坩埚(202)的上方，所述冷却套用于对晶体进行冷却，在所述预设位置，所述清扫用具(100)的底面低于所述冷却套的下端；

晶体提拉机构(204)，所述晶体提拉机构(204)设于所述晶体生长炉(200)的顶部，且与所述清扫用具(100)相连以带动所述清扫用具(100)运动。

10.根据权利要求9所述的晶体生长设备(300)，其特征在于，所述清扫用具的外径为D，所述冷却套的内径为D1，90％≤D/D1≤95％。

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