CN217606236U - 信息获取系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及信息获取系统。防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。构成一种信息获取系统,其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息,其中,该信息获取系统构成为包括:基座体,其代替所述基板而由所述基板保持部保持;干涉检测部,其分别包括相对于所述基座体固定的一端侧和相对于所述基座体可动的另一端侧;以及信号获取部,其用于获取根据所述基座体的周边与检测对象构件的干涉引起的所述干涉检测部的变形而变动的信号。
Description
技术领域
本实用新型涉及信息获取系统。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,半导体晶圆(以下,记载为晶圆)在存储于载体的状态下被输送至基板处理装置而接受处理。作为该处理,例如列举通过供给涂布液而形成涂布膜、显影等液处理。在该液处理时,从喷嘴对收纳在杯内的晶圆供给处理液。在专利文献1中记载了包括杯的显影装置,该杯具有与晶圆的下表面相对的环状突起。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-13932号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型的目的在于,防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。
用于解决问题的方案
本实用新型的信息获取系统用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息,其中,
该信息获取系统包括:
基座体,其代替所述基板而由所述基板保持部保持;
干涉检测部,其分别包括相对于所述基座体固定的一端侧和相对于所述基座体可动的另一端侧;以及
信号获取部,其用于获取根据与在所述基座体的周边的检测对象构件的干涉引起的所述干涉检测部的变形而变动的信号。
对于上述信息获取系统,也可以是,所述基板保持部能够与所述基座体一起旋转,根据该基板保持部和基座体的旋转过程中的所述干涉检测部的变形,来获取所述检测对象构件的高度的信息。
对于上述信息获取系统,也可以是,所述干涉检测部是梁状体,所述一端侧固定于所述基座体的中央部侧,所述另一端侧朝向所述基座体的缘部延伸。
对于上述信息获取系统,也可以是,在所述基座体设有将所述基座体的纵向上的一方侧和另一方侧连接的连接路径,该连接路径为缺口或孔,所述梁状体设于所述基座体的纵向上的一方侧,在所述梁状体的另一端侧设有突起,该突起进入所述连接路径并向所述基座体的纵向上的另一方侧突出且朝向位于该另一方侧的所述检测对象构件,所述基座体的所述连接路径的外缘与所述梁状体接触。
对于上述信息获取系统,也可以是,所述纵向上的另一方侧是下方侧,在所述基座体设有用于拍摄该基座体的下方侧而获取图像数据的拍摄部,所述信息获取系统设有信息获取部,该信息获取部基于所述图像数据获取关于所述基座体和所述干涉检测部之间的距离的信息。
对于上述信息获取系统,也可以是,所述干涉检测部设于所述基座体的上侧,在所述干涉检测部的另一端侧和所述基座体之间夹设有间隙。
实用新型的效果
本实用新型能够防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。
附图说明
图1是构成本实用新型的实施方式的信息获取系统的基板处理装置的俯视图。
图2是所述基板处理装置所包含的抗蚀膜形成组件的纵剖主视图。
图3是所述抗蚀膜形成组件的俯视图。
图4是表示构成所述信息获取系统的检查用晶圆和运算装置的说明图。
图5是所述检查用晶圆的纵剖侧视图。
图6是所述检查用晶圆的俯视图。
图7是所述检查用晶圆的立体图。
图8是表示设于所述检查用晶圆的第1梁状体的动作的说明图。
图9是表示设于所述检查用晶圆的第2梁状体的动作的说明图。
图10是表示由所述检查用晶圆获取的检测信号的例子的说明图。
图11是表示由照相机获取的环状突起的图像的说明图。
图12是表示由照相机获取的喷嘴的图像的说明图。
具体实施方式
(第1实施方式)
在图1示出本实用新型的一实施方式的信息获取系统1。信息获取系统1包括基板处理装置2、检查用晶圆6以及运算装置9。首先,说明构成信息获取系统1的各部分的概要。上述的基板处理装置2利用输送机构在处理组件间输送圆形的基板即晶圆W并进行处理。该处理包括在抗蚀膜形成用的处理组件中向在杯4内存储的晶圆W供给抗蚀剂而形成该抗蚀膜。
检查用晶圆6代替晶圆W利用上述的输送机构被向上述的处理组件(抗蚀膜形成组件3)输送。在该检查用晶圆6设有干涉检测部。从该检查用晶圆6输出的检测信号根据该干涉检测部是否与杯4的结构构件即环状突起46和/或喷嘴51B干涉而变动。该检测信号以无线的方式被向运算装置9发送,该检测信号的波形在运算装置9所包含的显示部95显示,从而在处理晶圆W时,能够检查环状突起46和/或喷嘴51B是否配置于适当的位置。另外,上述的喷嘴51B是EBR(Edge Bead Removal:光刻胶边缘修复)用的喷嘴。EBR是限定地去除从喷嘴喷出溶剂而在晶圆W的整个表面形成的膜(在本实施方式中是抗蚀膜)中的、覆盖该晶圆W的周缘部的部位的处理。
此外,在检查用晶圆6还设有分别拍摄环状突起46和喷嘴51B而获取图像数据的拍摄部即照相机81、82。信息获取系统1能够基于该图像数据分别获取在晶圆W载置于上述的抗蚀膜形成组件3时的该晶圆W和环状突起46之间的距离(后述的H0)、该晶圆W和EBR用的喷嘴51B之间的距离(后述的H1)。在第2实施方式中说明上述的距离的获取方法,但对于用于进行该距离的获取的系统的结构,在本第1实施方式的说明中叙述其一部分。
以下,对基板处理装置2详细地进行说明。基板处理装置2包括载体模块D1和处理模块D2。载体模块D1和处理模块D2左右排列并彼此连接。晶圆W在存储于输送容器即载体C的状态下利用未图示的载体C用的输送机构向载体模块D1输送。载体模块D1包括用于载置载体C的载物台21。此外,在载体模块D1设有开闭部22和输送机构23。开闭部22用于开闭在载体模块D1的侧壁形成的输送口。输送机构23经由上述的输送口相对于载物台21上的载体C进行晶圆W的输送。
处理模块D2包括向左右方向延伸的晶圆W的输送路径24和设于该输送路径24的输送机构25。利用该输送机构25和上述的输送机构23,在载体C和设于处理模块D2的各处理组件之间输送晶圆W。处理组件在输送路径24的前方侧、后方侧均左右排列地设有多个。后方侧的处理组件是加热组件26,进行用于去除抗蚀膜中的溶剂的加热处理。前方侧的处理组件是抗蚀膜形成组件3。此外,在输送路径24的靠载体模块D1的位置设有暂时放置晶圆W的交接组件TRS。借助该交接组件TRS,在载体模块D1和处理模块D2之间交接晶圆W。
接下来,参照图2的纵剖主视图和图3的俯视图对抗蚀膜形成组件3进行说明。抗蚀膜形成组件3包括基板保持部即旋转卡盘31,该旋转卡盘31吸附晶圆W的背面侧中央部并将其保持为水平。旋转卡盘31借助沿铅垂方向延伸的轴32与旋转机构33连接,利用该旋转机构33使保持在旋转卡盘31的晶圆W绕铅垂轴线旋转。此外,设有包围轴32的圆形的挡板34,设有三个以贯穿该挡板34的方式沿铅垂方向延伸的升降销35(在图2中仅示出两个)。利用升降机构36使升降销35升降,在旋转卡盘31和已述的输送机构25之间交接晶圆W。
从保持在旋转卡盘31的晶圆W的周缘部的下侧到侧方,以包围该晶圆W的方式设有圆形的杯4,该杯4包括杯主体41、下侧引导部42、中间引导部43以及上侧引导部44。杯主体41形成为沿着晶圆W的圆周的呈圆环状的凹部,用于承接从晶圆W落下或飞散的处理液(抗蚀剂和溶剂)。将构成杯主体41的各部作为外圆筒部41A、底部主体41B以及内圆筒部41C示出。外圆筒部41A、内圆筒部41C是立起的筒状构件,形成上述的圆环状凹部的侧壁。底部主体41B是将外圆筒部41A的下端和内圆筒部41C的下端连接的水平的环状板,形成圆环状凹部的底部。在底部主体41B设有用于使杯4内排气的排气管45A,并且开口有用于从上述的凹部排出处理液的排液口45B。
接下来,对下侧引导部42进行叙述,该下侧引导部42是形成为从已述的挡板34的周缘部上经过内圆筒部41C上并向外圆筒部41A扩宽的圆环构件,位于保持在旋转卡盘31的晶圆W的下方的位置。而且,下侧引导部42的上表面形成为倾斜面42A、42B,倾斜面42A位于比倾斜面42B靠杯4的中心侧的位置。倾斜面42A随着朝向杯4的外侧去而上升,倾斜面42B随着朝向杯4的外侧去而下降,从而使下侧引导部42的纵截面形成为山型。倾斜面42B引导从晶圆W落下或飞散而附着的处理液向底部主体41B流下。
倾斜面42A、42B所形成的山型的顶部向上方突出而形成环状突起46,该环状突起46沿着载置于已述的旋转卡盘31的晶圆W的圆周并且靠近该晶圆W的周缘部。环状突起46防止向晶圆W的表面供给的处理液蔓延到晶圆W的背面而附着于晶圆W的靠中心的位置,或处理液的雾沫附着于晶圆W的背面的靠中心的位置。下侧引导部42的高度能够相对于挡板34和杯主体41调整,因而,环状突起46的高度能够相对于晶圆W的下表面调整。在图2中,将环状突起46和晶圆W的下表面之间的距离(作为杯分开距离)表示为H0。
构成杯4的中间引导部43包括安装于外圆筒部41A的内周面的垂直壁43A和从垂直壁43A的上端朝向杯4的中心侧去而向斜上方伸出的倾斜部43B。另外,在倾斜部43B向纵向贯通有液体排出用的贯通孔43C。此外,构成杯4的上侧引导部44包括安装于外圆筒部41A的内周面的垂直壁44A、从垂直壁的上端朝向杯4的中心部水平地伸出的水平部44B、以及从水平部44B的前端向垂直上方延伸的筒状的口壁44C。垂直壁44A设于比中间引导部43的垂直壁43A靠上方,水平部44B位于比中间引导部43的倾斜部43B靠上方的位置。
接着,对在抗蚀膜形成组件3设置的抗蚀剂供给机构5A和EBR处理机构5B进行说明。抗蚀剂供给机构5A包括:抗蚀剂供给喷嘴51A、抗蚀剂供给部52A、臂53A、移动机构54A以及待机部55A。抗蚀剂供给喷嘴51A向铅垂下方喷出从抗蚀剂供给部52A加压输送的抗蚀剂。臂53A支承抗蚀剂供给喷嘴51A,构成为利用移动机构54A升降自如且水平移动自如。在杯4的外侧设有向上方开口的待机部55A,利用移动机构54A使抗蚀剂供给喷嘴51A在待机部55A的开口内和杯4内之间移动。移动到杯4内的抗蚀剂供给喷嘴51A向旋转的晶圆W的中心部上喷出抗蚀剂,利用旋转涂布在晶圆W的整个表面形成抗蚀膜。
EBR处理机构5B包括:溶剂供给喷嘴51B、溶剂供给部52B、臂53B、移动机构54B以及待机部55B。溶剂供给喷嘴51B是EBR用的喷嘴,将从溶剂供给部52B加压输送的溶剂从晶圆W的中心侧向周缘侧以朝向斜下方的方式喷出。也就是说,向相对于铅垂方向倾斜的方向喷出溶剂。臂53B支承溶剂供给喷嘴51B,构成为利用移动机构54B升降自如且水平移动自如。在杯4的外侧设有向上方开口的待机部55B,利用移动机构54B使溶剂供给喷嘴51B在待机部55B的开口内和杯4内的晶圆W的上方的处理位置之间移动。另外,图3由实线示出移动到处理位置的状态下的溶剂供给喷嘴51B,已述的EBR通过从该处理位置处的溶剂供给喷嘴51B对旋转的晶圆W喷出溶剂来进行。
例如溶剂供给喷嘴51B以自由调整其高度的方式安装于臂53B。因而,图2所示的处理位置处的溶剂供给喷嘴51B和晶圆W的表面之间的距离(作为喷嘴分开距离)H1可自由调整,通过变更该喷嘴分开距离H1,使从溶剂供给喷嘴51B喷出的溶剂在晶圆W处的着落位置变化。另外,虽然仅在图3中示出,但是在杯4的附近设有能够朝向该杯4照射光的照明部48。在照相机82对溶剂供给喷嘴51B拍摄时,利用该照明部48向溶剂供给喷嘴51B照射光。
基板处理装置2包括由计算机构成的控制部20(参照图1),安装有在光盘、硬盘、存储卡以及DVD等存储介质存储的程序。在程序中编入有指令(各步骤),以利用安装的程序向基板处理装置2的各部输出控制信号。而且,利用该控制信号,进行输送机构23、25对晶圆W的输送、各处理组件对晶圆W的处理。
然而,由于在作业人员进行抗蚀膜形成组件3的组装时、调整时的错误,有时成为杯分开距离H0和/或第2距离即喷嘴分开距离H1从适当范围脱离的状态。当在杯分开距离H0不恰当的状态下对晶圆W进行处理时,有可能使环状突起46与晶圆W接触而损伤该晶圆W的背面,或由于环状突起46过于远离晶圆W而无法充分发挥其作用。此外,当在喷嘴分开距离H1不恰当的状态下对晶圆W进行处理时,会使溶剂供给喷嘴51B与晶圆W接触而损伤晶圆W,或因着落位置的异常而产生抗蚀膜的去除区域的宽度的异常。
上述的检查用晶圆6代替晶圆W被吸附保持于旋转卡盘31。利用该检查用晶圆6进行相对于检测对象构件(环状突起46和喷嘴51B)的上述的干涉的检测是指获取关于杯分开距离H0、喷嘴分开距离H1是否分别小于适当范围这样的环状突起46的高度、溶剂供给喷嘴51B的高度的信息。通过进行该高度的信息的获取,而能够预先防止晶圆W和环状突起46的接触、溶剂供给喷嘴51B相对于晶圆W的接触以及着落位置异常的情况。
以下,参照图4、图5的纵剖侧视图、图6的俯视图对检查用晶圆6的结构进行说明。图4、图5示出位置互不相同的纵剖侧面。另外,在图6中,省略图4、图5所示的一部分的结构要素。检查用晶圆6包括圆形的基座体61和基板62。基座体61是与晶圆W相同大小的基板,其下表面与晶圆W的下表面同样地构成为平坦面。因此,基座体61与晶圆W同样地,能够被输送机构23、25输送并被旋转卡盘31吸附保持。图4~图6示出被这样吸附保持于旋转卡盘31的状态下的基座体61(即,被吸附保持的状态下的检查用晶圆6)。
在基座体61的上侧层叠地设有基板62。该基板62包括在基座体61的中央部上设置的主体部63。另外,在图6和后述的图7中,为了便于图示,将主体部63表示为圆形,但不限于圆形,能够成为任意的形状。在该主体部63上设有各种的电路部件、设备,在附图中统称为部件组64。
作为构成部件组64的部件和设备,包括CPU、利用无线收发各种数据(包括信号)的通信设备等。由各传感器、照相机获取的数据能够利用该通信设备向运算装置9无线发送。此外,能够借助该通信设备将用于获取该数据的成为触发信号的信号向各照相机、各传感器发送。另外,如后所述,照相机81、82等搭载于除了基板62以外的基板,但经由连接基板彼此的引线60,能够这样向运算装置9发送数据、接收触发信号。此外,在基座体61的中央部设有用于向部件组64、各传感器、各照相机、后述的照明部85供给电力的电池65。
参照图7对基座体61上的基板62进行进一步说明,该基板62的主体部63固定于基座体61。该主体部63的周缘的一部分朝向主体部63的周缘伸长,形成沿着基座体61的径向的细长的梁状体66。在基座体61的周缘部,在与该梁状体66的前端侧重叠的位置,形成有在厚度方向上贯穿该基座体61的贯通孔67。该贯通孔67形成将基座体61的纵向上的一方侧(上侧)和另一方侧(下侧)连接的连接路径。
在图7中的箭头的前方放大地示出该贯通孔67的周围的各部。在梁状体66的前端侧的下表面设有向下方突出而进入于该贯通孔67的突起68。突起68的前端(下端)位于比主体部63的下表面靠下方的位置,从该主体部63的下表面突出例如1mm左右(参照图4)。此外,突起68位于与梁状体66的前端相比稍微向基端侧远离的位置,梁状体66的前端位于与贯通孔67相比靠近基座体61的周缘的位置。通过这样的突起68和贯通孔67的配置,梁状体66的与贯通孔67相比靠基端侧的部位、与贯通孔67相比靠前端侧的部位分别与基座体61接触而被支承。也就是说,在基座体61的包括贯通孔67的外缘的上表面区域支承梁状体66。
第1梁状体即上述的梁状体66形成为所谓的悬臂,构成为用于获取关于环状突起46的高度的信息的第1干涉检测部。进一步详细地说,梁状体66的下表面不固定于基座体61,此外,在纵向(基座体61的厚度方向)上具有挠性。如上所述,由于连接梁状体66的主体部63固定于基座体61,因此,梁状体66的基端固定于基座体61。因而,成为以下结构:该梁状体66的一端侧固定于基座体61的中央部侧,另一方面,朝向基座体61的周缘部延伸的另一端侧相对于基座体61可动。而且,在梁状体66的基端部(一端部)的上侧设有应变片(应变传感器)69。形成第1信号获取部的应变片69与上述的部件组64所包含的部件一起构成惠斯登电桥电路,从该电路输出的电压信号作为检测信号被向运算装置9无线发送。
在基座体61被旋转卡盘31吸附时,梁状体66的突起68位于环状突起46的上方的位置。晶圆W的下表面和基座体61的下表面均为平坦面,因此,在载置于旋转卡盘31时均成为相同高度。因而,在杯分开距离H0(晶圆W和环状突起46之间的距离)为基准值以下而晶圆W和环状突起46干涉的情况下,如图8所示,在检查用晶圆6的突起68和环状突起46之间也发生干涉。如此,由于突起68发生干涉,梁状体66的前端侧以被向上方推起的方式变形。与该梁状体66的变形相对应地应变片69也变形,根据由该变形产生的该应变片69的阻力变化而使从上述的惠斯登电桥电路输出的信号变动。因而,通过监视该信号,能够检测在环状突起46和突起68之间的干涉的有无,因此,能够判断在晶圆W和环状突起46之间是否发生干涉。
此外,在基座体61的上表面的周缘部,在周向上与设置梁状体66的位置不同的位置设有缺口。在基座体61的比该缺口靠中央部侧处固定地设有第2梁状体即梁状体71的基端部。梁状体71的前端侧以沿着基座体61的径向在缺口上延伸的方式细长地形成。因而,梁状体71的前端部成为自基座体61浮起的状态。即,在与基座体61之间隔着上述的缺口所形成的间隙,将该间隙表示为附图标记72。
梁状体71也与梁状体66同样地形成为悬臂,构成为用于获取关于处理位置处的溶剂供给喷嘴51B的高度的信息的第2干涉检测部。如上所述,通过设在间隙72上,梁状体71的前端部成为上下可动的结构。在梁状体71的基端部的上侧设有应变片73。第2信号获取部即应变片73与应变片69同样地与部件组64所包含的部件一起构成惠斯登电桥电路,来自该电路的电压信号作为检测信号被向运算装置9无线发送。
如果在检查用晶圆6吸附于旋转卡盘31的状态下使该旋转卡盘31旋转(使检查用晶圆6也一起旋转),则在喷嘴分开距离H1为基准值以下时,如图9所示,存在梁状体71与溶剂供给喷嘴51B的下端干涉的情况。由于如此干涉,梁状体71的前端侧经过间隙72被向下方按压,以间隙72变窄的方式变形。与该梁状体71的变形相对应地,应变片73也变形,从包括该应变片73的惠斯登电桥电路输出的信号变动。因而,通过监视该信号,能够检测在溶剂供给喷嘴51B和梁状体71之间的干涉的有无,能够判断溶剂供给喷嘴51B的处理位置是否适当。
此外,如图5、图6所示,在基座体61的周缘部,在周向上与梁状体66、71分开的位置设有两个基板80,上述两个基板80彼此也在周向上互相分开。在一个基板80上设有照相机81,在另一个基板80上设有照相机82,视野分别朝向基座体61的周缘。照相机81、82分别是环状突起46拍摄用、溶剂供给喷嘴51B拍摄用的构件。在照相机81的光轴上配置有反射镜83,此外,在基座体61形成有贯通孔84。在检查用晶圆6保持于旋转卡盘31时,贯通孔84位于环状突起46上的位置,该环状突起46的周向上的一部分的上表面经由该贯通孔84映射于反射镜83。照相机81能够拍摄映射于该反射镜83的环状突起46的一部分的上表面。此外,在基座体61埋设有两个照明部85。各照明部85以在基座体61的周向上夹着贯通孔84的方式配置,向下方照射光。在利用照相机81进行拍摄时,从各照明部85向下方的被拍摄体照射光。
在基座体61上例如设有其侧壁沿着基座体61的圆周的圆形的罩86,覆盖上述的基板62的主体部63、电池65、照相机81、82以及反射镜83。其中,在罩86的侧壁上,于照相机82的光轴上设有开口部,以不妨碍该照相机82对溶剂供给喷嘴51B的拍摄。此外,以不妨碍上述的梁状体66、71的变形的方式将例如该罩86的侧壁的下端部切有缺口,梁状体66、71的前端侧经由该缺口向罩86的外侧突出。此外,为了防止与溶剂供给喷嘴51B的干涉,罩86的侧端位于比处理位置处的溶剂供给喷嘴51B靠基座体61的中心的位置。
在图4、图5所示的例子中,罩86的中央部形成为与罩86的周缘部相比高度较高且形成有朝向上方的凸部87。与这样的罩86的结构相匹配地,如已述那样,能够在基座体61的中央部配置电池65和部件组64,而能够使基座体61的重心位于中央部的位置。因此,在使基座体61载置于旋转卡盘31时,能够防止因自重而引起的基座体61的下垂。因而,能够防止由于该下垂使梁状体66、71、照相机81、82的高度产生变化,而给测量结果带来影响。因而,具备凸部87的罩86有助于提高异常的检测精度。但是,也可以构成为,通过使厚度形成比较大,而设为上表面呈平坦面的形状的罩86。
此外,例如作业人员在进行将检查用晶圆6搭载于载体C或对检查用晶圆6维护等处理时,会使该检查用晶圆6穿过比较狭窄的区域。此时,由于罩86的上表面位于比梁状体66、71高的位置,因此,即使检查用晶圆6与划分出该狭窄的区域的壁发生碰撞,也会是罩86发生碰撞,从而防止梁状体66、71与壁发生碰撞。因而,抑制梁状体66、71塑性变形或破损。因而,能够利用罩86有效地保护梁状体66、71。
接下来,参照图4对运算装置9进行说明。运算装置9是计算机,具备总线91。而且,总线91分别与程序存储部92、无线发送接收部93、存储器94、显示部95、操作部96连接。在程序存储部92安装有存储在光盘、硬盘、存储卡以及DVD等存储介质的程序90。该运算装置构成为用于计算上述的分开距离H0、H1的信息获取部。
无线发送接收部93对检查用晶圆6无线发送用于获取数据的作为触发信号的信号,且无线接收来自包括上述的应变片69、73的各电路的检测信号、由照相机81、82获取的图像数据。在存储器94存储有从各传感器、照相机获取的数据。作为后述的判断干涉的有无的基准的参照数据也存储于该存储器94。此外,例如存储有在第2实施方式中用于从图像数据获取分开距离H0、H1的数据,这将在第2实施方式中进行叙述。
操作部96包括鼠标、键盘等,信息获取系统1的使用者能够借助该操作部96指示可由程序90进行的处理的执行。此外,例如运算装置9与基板处理装置2的控制部20连接,在将例如检查用晶圆6保持于旋转卡盘31上后,从控制部20向运算装置9发送表示各种数据能够获取的信号。
接下来,说明以上所述的信息获取系统1的操作步骤。首先,将存储有检查用晶圆6的载体C向基板处理装置2的载物台21输送。该检查用晶圆6按照输送机构23→交接组件TRS→输送机构25→抗蚀膜形成组件3的顺序被输送,借助升降销35被载置于旋转卡盘31并被吸附、保持。之后,溶剂供给喷嘴51B从待机部55B向处理位置移动。
当作业人员从运算装置9发出规定的指示时,旋转卡盘31旋转,检查用晶圆6以比较低的速度旋转一圈。在该旋转一圈时,在以不发生环状突起46和梁状体66的突起68的干涉且不发生溶剂供给喷嘴51B和梁状体71的干涉的方式调整完抗蚀膜形成组件3的各部的高度的状态下进行。该旋转一圈时的来自包括应变片69、71的各电路的检测信号分别被向运算装置9发送,并作为参照数据存储。在检查用晶圆6旋转一圈后,溶剂供给喷嘴51B返回至待机部55B。然后,检查用晶圆6借助升降销35被交接至输送机构25,依次经由交接组件TRS、输送机构23而返回至载体C。
之后,在任意的时刻,将存储有检查用晶圆6的载体C向基板处理装置2的载物台21输送。然后,与在获取参照数据时同样地,将检查用晶圆6向抗蚀膜形成组件3输送,使其载置于旋转卡盘31并被吸附、保持,并使溶剂供给喷嘴51B向处理位置移动。与在获取参照数据时同样地,当例如作业人员发出指示时,利用旋转卡盘31使检查用晶圆6旋转一圈,该旋转一圈中的来自包括应变片69、71的各电路的检测信号分别被向运算装置9发送,并作为干涉的检测用数据存储。数据获取后的检查用晶圆6与参照数据获取后的检查用晶圆6同样地返回至载体C。
作业人员将获取的干涉的检测用数据的信号波形和参照数据的信号波形显示于显示部95,进行比较来检测干涉的有无。图10示出从包括应变片69的电路得到的信号波形例。以实线表示参照数据的信号波形例,以虚线、单点划线分别表示发生图8所示的干涉的情况下的检测用数据的信号波形例。虚线、单点划线的信号波形如后所述的那样由于不同方式的干涉而被获取。如图所示,参照数据在数据获取中的各时刻,信号电平没有大的变化。没有干涉的情况下的检测用数据成为与参照数据同样或大致同样的信号波形。
例如通过倾斜地安装了构成环状突起46的下侧引导部42,在仅与环状突起46的周向上的一部分干涉的情况下,如虚线的波形所示,检查用晶圆6的旋转过程中的特定的时刻的信号电平相对于参照数据的信号电平有很大的不同。在检查用晶圆6的旋转过程中环状突起46和突起68持续接触的情况下,如单点划线的波形所示,数据获取中的各时刻的信号电平与参照数据的信号电平有很大的不同。
如此,能够根据信号波形的不同来判断干涉的有无。作业人员进行干涉的判断,但也可以是程序90来进行判断。另外,示出了从包括应变片69的电路得到的信号波形,但对于从包括应变片73的电路得到的信号波形也同样。也就是说,参照数据的信号电平在数据获取中的各时刻没有大的变更,在与喷嘴干涉的情况下,如图10的虚线所示,在特定的时刻大幅度地变化。
作业人员在根据上述的参照数据和检测用数据的比较而判断为需要调整环状突起46或溶剂供给喷嘴51B的高度时,如上进行调整。之后,将存储有晶圆W的载体C向基板处理装置2的载物台21输送。晶圆W按照输送机构23→交接组件TRS→输送机构25→抗蚀膜形成组件3→输送机构25→加热组件26→输送机构25→交接组件TRS的顺序被输送,并利用输送机构23返回至载体C。在这样输送时,在抗蚀膜形成组件3,从抗蚀剂供给喷嘴51A向利用旋转卡盘31旋转的晶圆W的表面的中心部喷出抗蚀剂,利用旋转涂布在晶圆W的整个表面形成抗蚀膜。之后,溶剂供给喷嘴51B从待机部55B向处理位置移动,并向旋转的晶圆W的周缘部供给溶剂,去除该周缘部的抗蚀膜。
如上所述,对于构成信息获取系统1的检查用晶圆6,在仅一端固定于各该检查用晶圆6的梁状体66、71分别设有应变片69、73。而且,该梁状体66、71作为干涉检测用构件成为与配置在异常的高度的环状突起46、溶剂供给喷嘴51B干涉的结构。利用上述的结构,梁状体66、71由于发生干涉而比较大地变形,在应变片69、73也产生比较大地变形。因此,能够检测比较大的信号变动,所以,能够基于该信号变动进行干涉的检测。而且,基于该干涉的检测结果,作业人员能够进行抗蚀膜形成组件3的调整。因而,防止在该抗蚀膜形成组件3对晶圆W的处理不良的情况,因此能够防止由该晶圆W制造的半导体产品的成品率的降低。
另外,也可以是,仅设置上述的梁状体66、71中的一者,而仅检测环状突起46的干涉和溶剂供给喷嘴51B的干涉中的一者。此外,在进行已述的干涉的检测时,使检查用晶圆6旋转。其中,若环状突起46高度异常,则在使升降销35下降并使检查用晶圆6吸附于旋转卡盘31时,会在环状突起46和梁状体66之间发生干涉,从而能够对该干涉进行检测。也就是说,在检测与环状突起46的干涉时,不一定必须使检查用晶圆6旋转。
然而,如已述那样,梁状体66被基座体61从下方支承。梁状体66在与环状突起46干涉时上下振动,但假设若没有基座体61的支承,则认为在例如重复使用检查用晶圆6而重复上述的干涉的过程中,梁状体66的前端侧会由于上述的振动以下垂的方式变形。即,梁状体66的从下方的支承能够抑制这样的梁状体66的变形,实现检查用晶圆6的长寿命化。
此外,如得到图10中虚线所示的波形例的情况那样,在仅于环状突起46的周向上的一部分高度异常的情况下,由于检查用晶圆6的旋转,环状突起46自横向抵接于与梁状体66连接的突起68。如此,由于是来自横向的干涉,因此,在梁状体66的前端侧产生朝向上方的力,另一方面,在梁状体66的基端侧产生朝向下方的力。也就是说,在从横向观察时,该梁状体66以扭转的方式(绕沿着梁状体66的伸长方向延伸的轴线旋转)产生力。但是,由于梁状体66的基端侧被支承于基座体61,因此,抑制下方向的变形、扭转,而促进向上侧的变形。也就是说,成为在变形初期易于向上方向变形的状态,因此,梁状体66的前端大幅度地向上方弯曲。
而且,在产生如上所述的来自横向的干涉时,对于梁状体66来说,若从检查用晶圆6的半径方向截面考虑的话,则在干涉的那一侧产生朝向上方向的力,在其相反侧产生朝向下方的力。此时,即使是梁状体66的与干涉侧相反的一侧,由于基座体61在下方支承梁状体66,因此,与上述同样地抑制下方向的变形、扭转,而促进向上方向的变形。因而,能够得到因干涉而引起的较大的信号变化,提高检测精度。
如此,对于在基座体61支承梁状体66的基端侧的部位,具体地说与贯通孔67相比靠近基座体61的中心且与梁状体66重叠的部位,可以说是使梁状体66的前端侧更可靠地向上方弯曲的引导件。基座体61的在下方支承梁状体66、71的部分在本实施方式中成为沿着该梁状体66、71的下表面的面,但也可以是,在梁状体66、71的长度方向和/或检查用晶圆6的周向上存在于不同的多个位置。即,也可以是,在空开间隔的多个点处从下方支承梁状体66、71。此外,对于梁状体66、71,朝向伸长方向观察到的纵截面成为与横向尺寸相比纵向(上下方向)尺寸较短的形状,而成为与横向相比易于在纵向上变形的构造。
另外,突起68被设为进入成为将基座体61的上下连接的连接路径的贯通孔67的结构,但也可以是以下结构:在基座体61的周缘部设置朝向基座体61的中心侧的缺口作为该连接路径,突起68进入该缺口内。而且,通过在包括该缺口的外缘的区域支承梁状体66,能够使该区域作为已述的引导部发挥作用。
(第2实施方式)
作为第2实施方式,使用从照相机81获取的图像数据来获取杯分开距离H0,使用从照相机82获取的图像数据来获取喷嘴分开距离H1。对杯分开距离H0的获取方法进行说明。图11是由照相机81拍摄的环状突起46的上表面的周向上的一部分处的图像数据。虚线的框表示图像的像素。根据如此获取的图像数据检测环状突起46的宽度L3的像素数(步骤S1)。基于预先获取的该宽度L3的像素数和杯分开距离H0的对应关系,计算杯分开距离H0(步骤S2)。作为该对应关系,只要预先准备以杯分开距离H0、宽度L3的像素数作为变量且表示随着H0增大而L3减小的关系的任意次数的方程式即可。然后,在运算装置9的显示部95显示根据该对应关系计算出的杯分开距离H0(步骤S3)。
对喷嘴分开距离H1的获取方法进行说明。图12是由照相机82拍摄的溶剂供给喷嘴51B的侧面的图像数据。在该图像数据中,检测与溶剂供给喷嘴51B的宽度L4相对应的像素数(步骤T1)。接下来,在图像数据中,检测由步骤T1确定的溶剂供给喷嘴51B的下端和基准高度H10(在图像数据中,预先设定了高度的像素)之间的高度H20的像素数(步骤T2)。对于该H20,设为喷嘴基准高度。然后,对与事先获取的溶剂供给喷嘴51B的宽度L4/由步骤T1获取的宽度L4相对应的像素数进行运算,该运算值作为1像素的距离(步骤T3)。然后,计算由步骤T2求出的喷嘴基准高度H20的像素数×由步骤T3求出的1像素的距离。也就是说,对于图像数据上的像素数即喷嘴基准高度H20,转换为实际的高度(距离)(步骤T4)。
此外,预先获取在旋转卡盘31吸附保持着晶圆W时的晶圆W的表面、和在旋转卡盘31吸附保持着检查用晶圆6时由照相机82获取的图像中的已述的基准高度H10之间的高度之差(设为H30)。基于由上述的步骤T4求出的实际的喷嘴基准高度H20和高度之差H30,计算喷嘴分开距离H1(步骤T5)。具体地说,如图12所示,以当图像中喷嘴51B被映射到比基准高度H20靠上侧的位置时为H20+H30,当图像中喷嘴51B被映射到比基准高度H20靠下侧的位置时为H30-H20的方式计算喷嘴分开距离H1。计算出的喷嘴分开距离H1显示于运算装置9的显示部95(步骤T6)。另外,这样使用预先获取的高度之差H30是因为,由于设置在基座体61上,照相机82的视野被限制。
以上的步骤S1~S3、T1~T6由上述的程序90来进行。对于用于执行上述的步骤的宽度L3的像素数和杯分开距离H0的对应关系、高度之差H30、溶剂供给喷嘴51B的实际的宽度L4,预先获取并预先存储于运算装置9的存储器94。
说明在获取杯分开距离H0和喷嘴分开距离H1的情况下的信息获取系统1的操作步骤,如在第1实施方式中所述的那样,将检查用晶圆6从载体C向抗蚀膜形成组件3输送,并吸附保持于旋转卡盘31。然后,喷嘴51B从待机部55B向处理位置移动。当使用者从运算装置9发出规定的指示时,旋转卡盘31以例如规定的角度间隔间歇地旋转,在停止旋转时由照相机81、82进行拍摄而获取图像数据。获取到的图像数据被依次向运算装置9无线发送。在检查用晶圆6旋转一圈时,溶剂供给喷嘴51B返回至待机部55B,检查用晶圆6返回至载体C。
对由照相机81获取的各图像数据执行上述的步骤S1~S3,计算杯分开距离H0并进行画面显示。此外,选择由照相机82获取的多个图像数据中的、例如根据运算装置9的程序90如图12所示那样映射了溶剂供给喷嘴51B的数据。然后,对该选择的图像数据执行上述的步骤T1~T6,计算喷嘴分开距离H1并进行画面显示。看到这样显示的分开距离H0、H1的作业人员根据需要进行环状突起46和/或喷嘴51B的高度调整。
说明了选择第1实施方式所示的干涉的检测和第2实施方式所示的分开距离H0、H1的获取中的一者来进行,但也可以进行上述两者。在仅选择一者来进行的情况下,如果获取分开距离H0、H1,则能够预先防止由于上述的分开距离H0、H1比较大而产生的各种不良情况。其中,为了防止获取的图像的偏移,在由照相机81、82拍摄时,如上所述,使检查用晶圆6的旋转停止。但是,在进行干涉的检测时,不需要这样的使检查用晶圆6的旋转停止。因而,具有缩短检查所需的时间地完成这样的优点。
另外,在上述的第2实施方式中,由照相机81进行多次拍摄,获取环状突起46的周向上的各部位的图像而从各图像数据获取杯分开距离H0,但也可以是,仅获取一个部位的图像数据,并获取仅该部位的杯分开距离H0。此外,在第1实施方式中,只要是输出的信号由于与梁状体66、81干涉而变动的结构即可,因此,不限于使用应变片69、73。具体地说,也可以设为以下结构:例如设置振动传感器代替应变片69、73,向运算装置9输出振动的检测信号。另外,示出了在梁状体66、71的基端侧设置应变片69、73,但只要能够检测信号的变动即可,不限于如此设于基端侧的情况。
在已述的信息获取系统1中,分别设置了控制部20和运算装置9,但也可以是控制部20兼用作运算装置9的作用的结构。此外,各数据在已述的例子中被向运算装置9无线发送,但也可以是,例如在检查用晶圆6的基座体61搭载拆卸自如的存储器,并将各数据存储于该存储器。在该情况下,作业人员只要从结束了数据的获取并返回至载体C的检查用晶圆6拆下该存储器,并将各数据转移至运算装置9即可。因而,也可以是,不构成为对检查用晶圆6无线发送图像数据。另外,也可以是以下结构:利用有线来连接检查用晶圆6和运算装置9,将各种的数据向运算装置9发送。
另外,照相机82设为拍摄溶剂供给喷嘴51B,但也可以是,设为能够拍摄抗蚀剂供给喷嘴51A,而获取抗蚀剂供给喷嘴51A和晶圆W的表面之间的距离。此外,作为设于基板处理装置2的液处理组件,不限于抗蚀膜形成组件3。也可以是从喷嘴向晶圆W的表面供给防反射膜、绝缘膜等除了抗蚀膜以外的涂布膜形成用的处理液而进行成膜的组件,还可以是从喷嘴向晶圆W的表面供给清洗液、显影液或用于使多个晶圆W互相粘贴的粘接剂的组件。如此,对于供给除了抗蚀剂以外的处理液的喷嘴和晶圆W表面之间的高度的信息,也能够由已述的实施方式的方法来获取。
而且,作为从喷嘴向晶圆W的周缘部供给的处理液,不限于溶剂,例如也可以是涂布膜形成用的涂布液。能够由已述的各方法获取关于该喷嘴和晶圆W表面之间的高度的信息。另外,检查用晶圆6不限于由载体C从外部向基板处理装置2输送的情况。例如,也可以是,在基板处理装置2内设置该检查用晶圆6的存储用的组件,在该组件和抗蚀膜形成组件3之间进行输送。
应该认为本次实用新型的实施方式在所有方面都是例示而并非限制性的。在不脱离权利要求书以及其主旨的情况下,可以以各种形式对上述实施方式进行省略、替换、变更以及组合。
Claims (6)
1.一种信息获取系统,其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息,其特征在于,
该信息获取系统包括:
基座体,其代替所述基板而由所述基板保持部保持;
干涉检测部,其分别包括相对于所述基座体固定的一端侧和相对于所述基座体可动的另一端侧;以及
信号获取部,其用于获取根据与在所述基板保持部保持的所述基座体的周边的检测对象构件的干涉引起的所述干涉检测部的变形而变动的信号。
2.根据权利要求1所述的信息获取系统,其特征在于,
所述基板保持部能够与所述基座体一起旋转,
根据该基板保持部和基座体的旋转过程中的所述干涉检测部的变形,来获取所述检测对象构件的高度的信息。
3.根据权利要求1所述的信息获取系统,其特征在于,
所述干涉检测部是梁状体,所述一端侧固定于所述基座体的中央部侧,所述另一端侧朝向所述基座体的缘部延伸。
4.根据权利要求3所述的信息获取系统,其特征在于,
在所述基座体设有将所述基座体的纵向上的一方侧和另一方侧连接的连接路径,该连接路径为缺口或孔,
所述梁状体设于所述基座体的纵向上的一方侧,
在所述梁状体的另一端侧设有突起,该突起进入所述连接路径并向所述基座体的纵向上的另一方侧突出且朝向位于该另一方侧的所述检测对象构件,
所述基座体的所述连接路径的外缘与所述梁状体接触。
5.根据权利要求4所述的信息获取系统,其特征在于,
所述纵向上的另一方侧是下方侧,
在所述基座体设有用于拍摄该基座体的下方侧而获取图像数据的拍摄部,
所述信息获取系统设有信息获取部,该信息获取部基于所述图像数据获取关于所述基座体和所述干涉检测部之间的距离的信息。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的信息获取系统,其特征在于,
所述干涉检测部设于所述基座体的上侧,
在所述干涉检测部的另一端侧和所述基座体之间夹设有间隙。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-061510 | 2021-03-31 | ||
JP2021061510A JP2022157344A (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 情報取得システム及び情報取得方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217606236U true CN217606236U (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=83406741
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202220667680.2U Active CN217606236U (zh) | 2021-03-31 | 2022-03-24 | 信息获取系统 |
CN202210301606.3A Pending CN115145121A (zh) | 2021-03-31 | 2022-03-24 | 信息获取系统和信息获取方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210301606.3A Pending CN115145121A (zh) | 2021-03-31 | 2022-03-24 | 信息获取系统和信息获取方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022157344A (zh) |
KR (1) | KR20220136223A (zh) |
CN (2) | CN217606236U (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7137986B2 (ja) | 2018-07-19 | 2022-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021061510A patent/JP2022157344A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-24 CN CN202220667680.2U patent/CN217606236U/zh active Active
- 2022-03-24 CN CN202210301606.3A patent/CN115145121A/zh active Pending
- 2022-03-29 KR KR1020220038880A patent/KR20220136223A/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115145121A (zh) | 2022-10-04 |
JP2022157344A (ja) | 2022-10-14 |
KR20220136223A (ko) | 2022-10-07 |
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GR01 | Patent grant | ||
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