CN217544375U - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种能够以简便的方法且以更小偏差调整电容的层叠陶瓷电容器,其具备交替地层叠了电介质层和内部电极的层叠体,层叠体具备对置的第1、第2外部电极,层叠体具备在层叠的方向上依次配置的第1、第2有效部,第1有效部将第1电介质层和第1内部电极层叠多层而成,第2有效部将第2电介质层和第2内部电极层叠多层而成,第1有效部中配置在最靠第2有效部侧的第1内部电极以及第2有效部中配置在最靠第1有效部侧的第2内部电极均与第1外部电极连接,在第1有效部与第2有效部之间配置有与第2外部电极连接的第3内部电极,第1内部电极间的间隔、第2内部电极间的间隔比第1侧第3电极间隔以及第2侧第3电极间隔窄。
Description
技术领域
本实用新型涉及层叠陶瓷电容器。
背景技术
近年来,要求能够以小偏差调整电容的层叠电容器。
关于层叠陶瓷电容器的电容的调整,在专利文献1记载了如下内容,即,将距离以及电容不同的多个内部电极规则地进行层叠,并在形成外部电极之前使用磨削机等去除层叠陶瓷电容器的内部电极的直角方向上的长边的端面的陶瓷以及内部电极,将内部电极导出到端面并与外部电极相连,通过改变电介质层的距离以及形成电容的有效层数,从而调整电容。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-82388号公报
但是,要求提供一种能够以简便的方法且以更小偏差调整电容的层叠陶瓷电容器。
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型的目的在于,提供一种这样的层叠陶瓷电容器。
用于解决问题的技术方案
本实用新型涉及的层叠陶瓷电容器是如下的层叠陶瓷电容器,即,
具备:层叠体,交替地层叠了包含陶瓷材料的电介质层和内部电极,
所述层叠体具备对置的第1外部电极和第2外部电极,
所述层叠体具备在所述层叠的方向上依次配置的第1有效部和第2有效部,
所述第1有效部将第1电介质层和第1内部电极层叠多层而成,
所述第2有效部将第2电介质层和第2内部电极层叠多层而成,
在所述第1有效部中,配置在最靠第2有效部侧的所述第1内部电极与所述第1外部电极连接,
在所述第2有效部中,配置在最靠第1有效部侧的所述第2内部电极与所述第1外部电极连接,
在所述层叠的方向上的所述第1有效部与所述第2有效部之间,配置有第3内部电极,
所述第3内部电极与所述第2外部电极连接,
将所述第3内部电极和在所述第1有效部中配置在最靠第2有效部侧的所述第1内部电极的间隔设为第1侧第3电极间隔,
将所述第3内部电极和在所述第2有效部中配置在最靠第1有效部侧的所述第2内部电极的间隔设为第2侧第3电极间隔,
所述第1内部电极间的间隔以及所述第2内部电极间的间隔均比所述第1侧第3电极间隔以及所述第2侧第3电极间隔中的任一者都窄。
实用新型的效果
根据本实用新型,能够容易地提供这样的层叠陶瓷电容器。
附图说明
图1是示出本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的立体图。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的I-I线剖视图。
图3是图1所示的层叠陶瓷电容器的II-II线剖视图。
附图标记说明
1:层叠陶瓷电容器;
10:层叠体;
20:电介质层;
21:第1电介质层;
22:第2电介质层;
23:第3电介质层;
30:内部电极;
31:第1内部电极;
32:第2内部电极;
33:第3内部电极;
31F:第1对置电极部;
31NF:第1引出电极部;
32F:第2对置电极部;
32NF:第2引出电极部;
40:外部电极;
41:第1外部电极;
42:第2外部电极;
100:内层部;
110:外层部;
120:有效部;
121:第1有效部;
122:第2有效部;
L30:电极对置部;
LG1:第1端部间隔部;
LG2:第2端部间隔部;
W30:电极对置部;
WG1:第1侧方间隔部;
WG2:第2侧方间隔部;
L:长度方向;
T:层叠方向;
W:宽度方向;
LS1:第1端面;
LS2:第2端面;
TS1:第1主面;
TS2:第2主面;
WS1:第1侧面;
WS2:第2侧面;
D1:第1电极间隔;
D2:第2电极间隔;
D31:第1侧第3电极间隔;
D32:第2侧第3电极间隔。
具体实施方式
以下,参照附图对本实用新型的实施方式的一个例子进行说明。另外,在各图中对于相同或相当的部分标注相同的附图标记。
<层叠构造的概要>
图1是示出本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的立体图,图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的I-I线剖视图,图3是图1所示的层叠陶瓷电容器的II-II线剖视图。图1至图3所示的层叠陶瓷电容器1具备层叠体10和外部电极40。外部电极40包含第1外部电极41和第2外部电极42。
<方向的定义>
在图1至图3中,示出了XYZ正交坐标系。X方向是层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的长度方向L,Y方向是层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的宽度方向W,Z方向是层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的层叠方向T。由此,图2所示的剖面也被称为LT剖面,图3所示的剖面也被称为WT剖面。
另外,长度方向L、宽度方向W以及层叠方向T未必一定要成为相互正交的关系,也可以是相互交叉的关系。
<层叠体>
如图1所示,层叠体10是大致长方体形状,具有在层叠方向T上相对的第1主面TS1以及第2主面TS2、在宽度方向W上相对的第1侧面WS1以及第2侧面WS2、和在长度方向L上相对的第1端面LS1以及第2端面LS2。
优选在层叠体10的角部以及棱线部带有圆角。所谓角部,是层叠体10的三个面相交的部分,所谓棱线部,是层叠体10的两个面相交的部分。
如图2以及图3所示,层叠体10具有在层叠方向T上层叠的多个电介质层20和多个内部电极30。
此外,层叠体10在层叠方向T上具有内层部100和配置为夹着内层部100的两个外层部110,即,第1外层部111以及第2外层部112。
<内层部>
内层部100包含多个电介质层20的一部分和多个内部电极30。在内层部100中,多个内部电极30配置为隔着电介质层20对置。内层部100是产生静电电容而实质上作为电容器发挥功能的部分。
<有效部>
在内层部100之中,将产生静电电容的部分称为有效部120。
在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,包含第1有效部121和第2有效部122这两个有效部120。
第1有效部121和第2有效部122在层叠方向T上依次配置。在图2中,例示了如下的结构,即,第1有效部121位于第1主面TS1侧,第2有效部122位于第2主面TS2侧。
<外层部>
第1外层部111配置在层叠体10的第1主面TS1侧,第2外层部112配置在层叠体10的第2主面TS2侧。
更具体地,第1外层部111配置在多个内部电极30之中最靠近第1主面TS1的内部电极30与第1主面TS1之间。另一方面,第2外层部112配置在多个内部电极30之中最靠近第2主面TS2的内部电极30与第2主面TS2之间。第1外层部111以及第2外层部112不包含内部电极30,且包含多个电介质层20之中除内层部100用的一部分以外的部分。第1外层部111以及第2外层部112作为内层部100的保护层而发挥功能。
<长度方向L上的划分>
如图2所示,层叠体10在长度方向L上具有内部电极30对置的电极对置部L30、第1端部间隔部LG1、以及第2端部间隔部LG2。第1端部间隔部LG1位于电极对置部L30与第1端面LS1之间。另一方面,第2端部间隔部LG2位于电极对置部L30与第2端面LS2之间。
第1端部间隔部LG1是作为内部电极30的去往第1端面LS1的引出电极部而发挥功能的部分。另一方面,第2端部间隔部LG2是作为内部电极30的去往第2端面LS2的引出电极部而发挥功能的部分。第1端部间隔部LG1以及第2端部间隔部LG2也被称为L间隔。
<宽度方向W上的剖面构造>
基于图3,对层叠体10的宽度方向W上的剖面构造进行说明。
如图3所示,层叠体10在宽度方向W上具有内部电极30对置的电极对置部W30和配置为夹着电极对置部W30的第1侧方间隔部WG1以及第2侧方间隔部WG2。第1侧方间隔部WG1位于电极对置部W30与第1侧面WS1之间。另一方面,第2侧方间隔部WG2位于电极对置部W30与第2侧面WS2之间。
更具体地,第1侧方间隔部WG1位于内部电极30的第1侧面WS1侧的一端与第1侧面WS1之间。另一方面,第2侧方间隔部WG2位于内部电极30的第2侧面WS2侧的一端与第2侧面WS2之间。
第1侧方间隔部WG1以及第2侧方间隔部WG2不包含内部电极30,仅包含电介质层20。第1侧方间隔部WG1以及第2侧方间隔部WG2作为内部电极30的保护层而发挥功能。另外,第1侧方间隔部WG1以及第2侧方间隔部WG2也被称为W间隔。
<层叠体的尺寸>
上述的层叠体10的尺寸没有特别限定,但是例如优选长度方向L上的长度为1.55mm以上且1.65mm以下,宽度方向W上的宽度为0.75mm以上且0.85mm以下,层叠方向T上的厚度为0.75mm以上且0.85mm以下。
以下,按照内部电极、电介质层、外部电极的顺序进行说明。
<内部电极>
对内部电极30进行说明。
<第1内部电极、第2内部电极、第3内部电极>
如图2所示,内部电极30包含多个第1内部电极31、多个第2内部电极32、以及至少一个第3内部电极33。
如上所述,本实施方式的层叠陶瓷电容器1具有在层叠方向T上层叠的第1有效部121和第2有效部122这两个有效部120。
第1内部电极31是配置在第1有效部121的内部电极30。另一方面,第2内部电极32是配置在第2有效部122的内部电极30。此外,第3内部电极33是在层叠方向T上配置在第1有效部121与第2有效部122之间的内部电极30。
按照第1有效部121以及第2有效部122的配置,第1内部电极31在层叠方向T上位于比第2内部电极32靠第1主面TS1侧。相反,第2内部电极32在层叠方向T上位于比第1内部电极31靠第2主面TS2侧。
<第1外部侧内部电极和第2外部侧内部电极>
第1内部电极31包含从第1外部电极41朝向第2外部电极42延伸的内部电极30和与之相反地从第2外部电极42朝向第1外部电极41延伸的内部电极30。同样地,第2内部电极32也包含在两个不同的方向上延伸的内部电极30。
在此,在第1内部电极31之中,将从第1外部电极41朝向第2外部电极42延伸的内部电极30设为第1外部侧第1内部电极311,将从第2外部电极42朝向第1外部电极41延伸的内部电极30设为第2外部侧第1内部电极312。
同样地,在第2内部电极32之中,将从第1外部电极41朝向第2外部电极42延伸的内部电极30设为第1外部侧第2内部电极321,将从第2外部电极42朝向第1外部电极41延伸的内部电极30设为第2外部侧第2内部电极322。
<对置电极部和引出电极部>
内部电极30包含对置电极部和引出电极部。
对置电极部是如下的部分,即,隔着电介质层与其它对置电极部对置,由此使其中产生电容。另一方面,引出电极部是将对置电极部和外部电极连接的部分。
在图2中,将第1内部电极31的对置电极部表示为第1对置电极部31F,将第1内部电极31的引出电极部表示为第1引出电极部31NF。同样地,将第2内部电极32的对置电极部表示为第2对置电极部32F,将第2内部电极32的引出电极部表示为第2引出电极部32NF。
<内部电极的材料>
内部电极30例如包含金属Cu作为主成分。此外,内部电极30例如也可以包含从Ni、Ag、Pd、或Au等金属、或Ag-Pd合金等包含这些金属中的至少一种的合金中选择的至少一者作为主成分,还可以包含上述成分作为主成分以外的成分。进而,内部电极30也可以包含与电介质层20包含的陶瓷相同组成系的电介质的粒子作为主成分以外的成分。另外,在本说明书中,所谓主成分的金属,规定为质量%最高的金属成分。
<内部电极的厚度和片数>
内部电极30的厚度没有特别限定,但是例如能够设为0.8μm以上且1.2μm以下。此外,内部电极30的片数没有特别限定,但是例如优选为20片以上且300片以下。
<电介质层的材料>
作为电介质层20的材料,例如,能够使用含有陶瓷材料作为主成分的介电陶瓷,该陶瓷材料包含Ca、Zr、Ti中的至少任一者。使用了该介电陶瓷的层叠陶瓷电容器成为更适合高频电路的层叠陶瓷电容器。
具体地,例如,介电陶瓷能够将如下的陶瓷材料作为主成分,该陶瓷材料包含Ca以及Zr,并具有可用通式ABO3表示的钙钛矿构造。作为这样的具有钙钛矿构造的陶瓷材料,例如,可列举CaZrO3(锆酸钙)、TiO2(氧化钛),但是并不限定于这些。此外,作为形成介电陶瓷层的陶瓷材料的主成分,也可以包含Ca、Zr、Ti的全部。此外,也可以使用在CaZrO3中用Ti置换了ZrO3或Zr的一部分的Ca(Zr0.9Ti0.1)O3等。
此外,作为形成介电陶瓷层的陶瓷材料,也可以使用(Cai-x-y,Srx,Bay)m(Zr1-z-α,Tiz,Hfα)O3(其中,x为0以上且1以下,y为0以上且0.4以下,m为1.0以上且1.1以下,z为0以上且0.2以下,以及α为0以上且0.3以下)等。
此外,除了上述的主成分以外,还能够根据目的而添加添加物。作为这样的添加物,例如,可列举Mn、Mg、Dy、Cr、或者V、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb、Y等稀土类元素的氧化物、或者Co、Ni、Li、B、Na、K以及Si的氧化物、或者玻璃等。
<电介质层的厚度和材料>
电介质层20的厚度没有特别限定,但是例如优选为1.1μm以上且3.0μm以下。
此外,电介质层20的片数没有特别限定,但是例如优选为20片以上且300片以下。另外,该电介质层20的片数是内层部100的电介质层20的片数和外层部110的电介质层20的片数的总数。
<第1有效部和第2有效部的电容>
在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,能够在第1有效部121和第2有效部122中使其电容不同。由此,能够容易地调整层叠陶瓷电容器1的总电容。
作为在第1有效部121和第2有效部122中使电容不同的方法,例如,有如下方法,即,使在第1有效部121中在层叠方向T上相邻的内部电极30的层叠方向T上的距离D1与在第2有效部122中在层叠方向T上相邻的内部电极30的层叠方向T上的距离D2不同。具体地,有在第1有效部121和第2有效部122中使所层叠的电介质层以及内部电极的层数不同的方法、使电介质层的厚度不同的方法等。
在此,将包含于第1有效部121的电介质层20设为第1电介质层21,将包含于第2有效部122的电介质层20设为第2电介质层22。作为上述的方法,例如,有如下的方法,即,将第1电介质层21的厚度设为1.5μm,并将第2电介质层22的厚度设为2.5μm。由此,能够使第1有效部121的电容大于第2有效部122的电容。
<第3内部电极的配置>
如图2所示,在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,在层叠方向T上,在第1有效部121与第2有效部122之间配置有第3内部电极33。
第3内部电极33与第2外部电极42连接。
另一方面,在第1有效部121中,配置在最靠第2有效部122侧的第1内部电极31与第1外部电极41连接。即,该第1内部电极31是第1外部侧第1内部电极311。
同样地,在第2有效部122中,配置在最靠第1有效部121侧的第2内部电极32与第1外部电极41连接。即,该第2内部电极32是第1外部侧第2内部电极321。
像这样,第3内部电极33在层叠方向T上被连接于与自身不同的外部电极的内部电极30夹着。
<效果>
通过上述的结构,能够使第3内部电极33与在第1有效部121中配置在最靠第2有效部122侧的第1内部电极31之间产生电容。
此外,同样地,能够使第3内部电极与在第2有效部122中配置在最靠第1有效部121侧的第2内部电极32之间产生电容。
由此,能够增加层叠陶瓷电容器1的电容。
<电极间的间隔>
对内部电极30的间隔进行说明。
如图2所示,将在第1有效部121中在层叠方向T上相邻的第1内部电极31之间的层叠方向T上的距离设为第1电极间隔D1。此外,将在第2有效部122中在层叠方向T上相邻的第2内部电极32之间的层叠方向T上的距离设为第2电极间隔D2。
此外,将第3内部电极和在第1有效部121中配置在最靠第2有效部122侧的第1内部电极31的层叠方向T上的距离设为第1侧第3电极间隔D31。此外,将第3内部电极和在第2有效部122中配置在最靠第1有效部121侧的第2内部电极32的层叠方向T上的距离设为第2侧第3电极间隔D32。
<有效部和第3电极的关系>
在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,第1电极间隔D1比第1侧第3电极间隔D31以及第2侧第3电极间隔D32都短。此外,第2电极间隔D2比第1侧第3电极间隔D31以及第2侧第3电极间隔D32都短。
<效果>
通过上述的结构,能够增加在有效部120层叠的内部电极30以及电介质层20的数量。
此外,能够扩大有效部120的层叠方向T上的范围。这是因为,由于第1电极间隔D1以及第2电极间隔D2窄,所以能够将内部电极30配置至第1主面TS1以及第2主面TS2的附近。换言之,能够使外层部110的层叠方向T上的范围变窄。
通过以上的结构,能够增加层叠陶瓷电容器1的电容。
另外,例如,D1能够设为D31或D32的98%以下,优选设为90%以下。同样地,D2能够设为D31或D32的98%以下,优选设为90%以下。
作为使第1侧第3电极间隔D31以及第2侧第3电极间隔D32比第1电极间隔D1以及第2电极间隔D2宽的方法,可列举如下的方法,即,增加电极间的电介质层的片数,或者使一片电介质层的厚度变厚等。
将第3内部电极33与第1有效部121之间的电介质层20、以及第3内部电极33与第2有效部122之间的电介质层20设为第3电介质层。
例如,通过使第3电介质层的厚度比第1电介质层21的厚度以及第2电介质层22的厚度厚,从而能够实现上述的结构。
<第1有效部与第2有效部之间的电介质层>
在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,第1电极间隔D1以及第2电极间隔D2比第1侧第3电极间隔D31以及第2侧第3电极间隔D32短。
反过来说,这意味着第1侧第3电极间隔D31以及第2侧第3电极间隔D32比第1电极间隔D1以及第2电极间隔D2宽。
<效果>
通过上述的结构,在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,能够在电学上对第1有效部121和第2有效部122更明确地进行区分。其结果是,能够更准确地调整层叠陶瓷电容器1的总电容。即,能够以小偏差调整电容。
<第1侧第3电极间隔和第2侧第3电极间隔>
此外,在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,第1侧第3电极间隔D31与第2侧第3电极间隔32之差在第1侧第3电极间隔D31的10%以内。
此外,同样地,第1侧第3电极间隔D31与第2侧第3电极间隔32之差能够设为第2侧第3电极间隔D32的10%以内。
<效果>
通过上述的结构,在本实施方式的层叠陶瓷电容器1中,能够更准确地调整层叠陶瓷电容器1的总电容。因此,能够以更小偏差调整电容。
<外部电极>
接着,对外部电极40进行说明。
外部电极40包含第1外部电极41和第2外部电极42。
第1外部电极41配置在层叠体10的第1端面LS1,并与第1内部电极31连接。第1外部电极41也可以从第1端面LS1延伸到第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分。此外,第1外部电极41也可以从第1端面LS1延伸到第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。
第2外部电极42配置在层叠体10的第2端面LS2,并与第2内部电极32连接。第2外部电极42也可以从第2端面LS2延伸到第1主面TS1的一部分以及第2主面TS2的一部分。此外,第2外部电极42也可以从第2端面LS2延伸到第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。
第1外部电极41具有第1基底电极415、第1内镀敷层416、以及第1表面镀敷层417,第2外部电极42具有第2基底电极425、第2内镀敷层426、以及第2表面镀敷层427。
<基底电极>
第1基底电极415配置在层叠体10的第1端面LS1上,覆盖层叠体10的第1端面LS1。第1基底电极415也可以从第1端面LS1延伸到第1主面TS1的一部分、第2主面TS2的一部分、第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。
第2基底电极425配置在层叠体10的第2端面LS2上,覆盖层叠体10的第2端面LS2。第2基底电极425也可以从第2端面LS2延伸到第1主面TS1的一部分、第2主面TS2的一部分、第1侧面WS1的一部分以及第2侧面WS2的一部分。
第1基底电极415以及第2基底电极425也可以是包含金属和玻璃的烧成层。作为玻璃,可列举包含从B、Si、Ba、Mg、Al、或Li等选择的至少一者的玻璃成分。作为具体例子,能够使用硼硅酸盐玻璃。作为金属,包含Cu作为主成分。此外,作为金属,例如也可以包含从Ni、Ag、Pd、或Au等金属、或Ag-Pd合金等合金中选择的至少一者作为主成分,还可以包含上述成分作为主成分以外的成分。
烧成层是将包含金属以及玻璃的导电性膏通过浸渍法涂敷于层叠体并进行了烧成的层。另外,既可以在内部电极的烧成后进行烧成,也可以与内部电极同时进行烧成。此外,烧成层也可以是多层。
或者,第1基底电极415以及第2基底电极425也可以是包含导电性粒子和热固化性树脂的树脂层。树脂层既可以形成在上述的烧成层上,也可以不形成烧成层而直接形成于层叠体。
树脂层是将包含导电性粒子和热固化性树脂的导电性膏通过涂敷法涂敷于层叠体并进行了烧成的层。另外,既可以在内部电极的烧成后进行烧成,也可以与内部电极同时进行烧成。此外,树脂层也可以是多层。
作为烧成层或树脂层的第1基底电极415以及第2基底电极425各自的每一层的厚度,没有特别限定,也可以为1μm以上且10μm以下。
或者,第1基底电极415以及第2基底电极425也可以是通过溅射法或蒸镀法等薄膜形成法形成且沉积了金属粒子的1μm以下的薄膜层。
<内镀敷层>
第1内镀敷层416配置在第1基底电极415上,覆盖第1基底电极415的至少一部分。第2内镀敷层426配置在第2基底电极425上,覆盖第2基底电极425的至少一部分。作为第1内镀敷层416以及第2内镀敷层426,例如,包含从Cu、Ni、Ag、Pd、或Au等金属、或Ag-Pd合金等合金中选择的至少一者。
<表面镀敷层>
第1表面镀敷层417配置在第1内镀敷层416上,覆盖第1内镀敷层416的至少一部分。第2表面镀敷层427配置在第2内镀敷层426上,覆盖第2内镀敷层426的至少一部分。作为第1表面镀敷层417以及第2表面镀敷层427,例如,包含Sn等金属。
<内镀敷层和表面镀敷层的作用>
优选地,第1内镀敷层416以及第2内镀敷层426为Ni镀敷层,第1表面镀敷层417以及第2表面镀敷层427为Sn镀敷层。Ni镀敷层能够防止基底电极被安装陶瓷电子部件时的焊料所侵蚀,Sn镀敷层使安装陶瓷电子部件时的焊料的润湿性提高,能够容易地进行安装。
换言之,第1内镀敷层416以及第2内镀敷层426与第1表面镀敷层417以及第2表面镀敷层427相比,具有焊料润湿性低的特性。
<镀敷层的厚度>
作为包含第1内镀敷层416以及第1表面镀敷层417的第1镀敷层的厚度,没有特别限定,也可以为1μm以上且10μm以下。作为包含第2内镀敷层426以及第2表面镀敷层427的第2镀敷层的厚度,没有特别限定,也可以为1μm以上且10μm以下。
由此,层叠体10和两个外部电极41以及42的长度方向L上的总长度的最大值也可以为1.75mm以上且1.85mm以下。
<测定方法>
接着,对测定方法依次进行说明。
作为电介质层20以及内部电极30的厚度的测定方法,例如,可列举用扫描型电子显微镜对通过研磨而露出的层叠体的宽度方向中央附近的LT剖面进行观察的方法。此外,各值既可以是长度方向上的多个部位的测定值的平均值,进而也可以是层叠方向上的多个部位的测定值的平均值。
同样地,作为层叠体10的厚度的测定方法,例如可列举用扫描型电子显微镜对通过研磨而露出的层叠体的宽度方向中央附近的LT剖面或通过研磨而露出的层叠体的长度方向中央附近的WT剖面进行观察的方法。此外,各值也可以是长度方向或宽度方向上的多个部位的测定值的平均值。
同样地,作为层叠体10的长度的测定方法,例如可列举用扫描型电子显微镜对通过研磨而露出的层叠体的宽度方向中央附近的LT剖面进行观察的方法。此外,各值也可以是层叠方向上的多个部位的测定值的平均值。
同样地,作为层叠体10的宽度的测定方法,例如可列举用扫描型电子显微镜对通过研磨而露出的层叠体的长度方向中央附近的WT剖面进行观察的方法。此外,各值也可以是层叠方向上的多个部位的测定值的平均值。
<制造方法>
接着,对上述的层叠陶瓷电容器1的一般的制造方法的一个例子进行说明。首先,准备电介质层20用的电介质片以及内部电极30用的导电性膏。在电介质片以及导电性膏中包含粘合剂以及溶剂。作为粘合剂以及溶剂能够使用公知的材料。
接着,通过在电介质片上例如以给定的图案印刷导电性膏,从而在电介质片上形成内部电极图案。作为内部电极图案的形成方法,能够使用丝网印刷或凹版印刷等。
接着,层叠给定片数的未印刷内部电极图案的第2外层部112用的电介质片。
在其上依次层叠印刷了内部电极图案的内层部100用的电介质片。该电介质片包含与第1电介质层21对应的电介质片、与第3电介质层23对应的电介质片、以及与第2电介质层22对应的电介质片。
在其上,层叠给定片数的未印刷内部电极图案的第1外层部111用的电介质片。由此,制作层叠片。
接着,通过等静压压制等方法,在层叠方向上对层叠片进行压制,制作层叠块。接着,将层叠块切割为给定的尺寸,切出层叠小片。此时,通过滚筒研磨等使层叠小片的角部以及棱线部带有圆角。接着,对层叠小片进行烧成,制作层叠体10。虽然烧成温度还取决于电介质层、内部电极的材料,但是优选为900℃以上且1400℃以下。
接着,使用浸渍法,将层叠体10的第1端面LS1浸渍于作为基底电极用的电极材料的导电性膏,由此在第1端面LS1涂敷第1基底电极415用的导电性膏。同样地,使用浸渍法,将层叠体10的第2端面LS2浸渍于作为基底电极用的电极材料的导电性膏,由此在第2端面LS2涂敷第2基底电极425用的导电性膏。然后,通过对这些导电性膏进行烧成,从而形成作为烧成层的第1基底电极415以及第2基底电极425。烧成温度优选为600℃以上且900℃以下。
另外,如上所述,可以是,使用涂敷法来涂敷包含导电性粒子和热固化性树脂的导电性膏并进行烧成,由此形成作为树脂层的第1基底电极415以及第2基底电极425,也可以是,通过溅射法或蒸镀法等薄膜形成法来形成作为薄膜的第1基底电极415以及第2基底电极425。
然后,在第1基底电极415的表面形成第1内镀敷层416,并在第2基底电极425的表面形成第2内镀敷层426。然后,在第1内镀敷层416的表面形成第1表面镀敷层417,并在第2内镀敷层426的表面形成第2表面镀敷层427。
然后,在第1外部电极41的中央部,除去第1表面镀敷层417,露出第1内镀敷层416,形成第1外部电极41。此外,在第2外部电极42的中央部,除去第2表面镀敷层427,露出第2内镀敷层426,形成第2外部电极42。
通过以上的工序,可得到上述的层叠陶瓷电容器1。
以上,对本实用新型的实施方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于上述的实施方式,能够进行各种变更以及变形。
Claims (5)
1.一种层叠陶瓷电容器,其特征在于,
具备:层叠体,交替地层叠了包含陶瓷材料的电介质层和内部电极,
所述层叠体具备对置的第1外部电极和第2外部电极,
所述层叠体具备在所述层叠的方向上依次配置的第1有效部和第2有效部,
所述第1有效部将第1电介质层和第1内部电极层叠多层而成,
所述第2有效部将第2电介质层和第2内部电极层叠多层而成,
在所述第1有效部中,配置在最靠第2有效部侧的所述第1内部电极与所述第1外部电极连接,
在所述第2有效部中,配置在最靠第1有效部侧的所述第2内部电极与所述第1外部电极连接,
在所述层叠的方向上的所述第1有效部与所述第2有效部之间,配置有第3内部电极,
所述第3内部电极与所述第2外部电极连接,
将所述第3内部电极和在所述第1有效部中配置在最靠第2有效部侧的所述第1内部电极的间隔设为第1侧第3电极间隔,
将所述第3内部电极和在所述第2有效部中配置在最靠第1有效部侧的所述第2内部电极的间隔设为第2侧第3电极间隔,
所述第1内部电极间的间隔以及所述第2内部电极间的间隔均比所述第1侧第3电极间隔以及所述第2侧第3电极间隔中的任一者都窄。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器,其特征在于,
所述第1侧第3电极间隔与所述第2侧第3电极间隔之差在所述第1侧第3电极间隔的10%以内。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器,其特征在于,
在所述第1有效部中在所述层叠的方向上相邻的所述第1内部电极之间的所述层叠的方向上的距离与在所述第2有效部中在所述层叠的方向上相邻的所述第2内部电极之间的所述层叠的方向上的距离不同。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其特征在于,
所述第1电介质层的厚度以及所述第2电介质层的厚度均为1.1μm以上且3.0μm以下。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的层叠陶瓷电容器,其特征在于,
所述第1内部电极的厚度以及所述第2内部电极的厚度均为0.8μm以上且1.2μm以下。
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