CN217345016U - 一种用于双面研磨装置的静压板和双面研磨装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于双面研磨装置的静压板和双面研磨装置,所述静压板包括:板体,所述板体用于通过向硅片的主表面提供流体的静压而以非接触的方式支撑所述硅片;以凸出所述板体的表面的方式设置在所述板体上的多个缓冲衬垫,所述多个缓冲衬垫用于当所述硅片受到朝向所述板体的作用力时与所述硅片的主表面接触以防止所述硅片的主表面直接接触所述板体。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体硅片研磨装置,尤其涉及一种用于双面研磨装置的静压板和双面研磨装置。
背景技术
从晶棒切割到硅片出货,通常使用研磨工艺来提高它们的某些特征、例如平整度和平行度,其中需要经过多道研磨工序,存在生产成本高、危废处理困难、环境污染等因素,因此立式双圆盘表面研磨装置应运而生。由于立式双圆盘表面研磨装置只需要进行物理研磨,耗材仅为纯净水,对环境无污染并且生产成本低,所以越来越多企业选择使用立式双圆盘表面研磨装置。
在使用立式双圆盘表面研磨装置时,通过晶片夹持装置以沿垂直方向将晶片保持在一对静压板之间。然而,当研磨工艺完成后对硅片进行下料时,用于硅片下料的取片装置把硅片推动至抵靠静压板,从静压板获得支撑力后通过取片装置的吸盘进行对硅片的吸附。由于立式双圆盘表面研磨装置主要利用物理摩擦的方式进行硅片研磨,并且同步喷水进行清洗,因此在工艺过程中会有部分硅片碎屑黏附至静压板表面,尤其是静压板的气孔容易黏附硅片碎屑。所以当硅片背面和静压板进行接触并承受一定压力时,由于静压板材质一般为硬度很高的石英或陶瓷以保证设备形态,直接接触会对硅片的背面造成一定程度的物理损伤,导致在后续工艺过程中形成不良品。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型实施例期望提供一种于用于双面研磨装置的静压板和双面研磨装置,所述静压板具有多个用于承接硅片的缓冲衬垫。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种用于双面研磨装置的静压板,所述静压板包括:板体,所述板体用于通过向硅片的主表面提供流体的静压而以非接触的方式支撑所述硅片;以凸出所述板体的表面的方式设置在所述板体上的多个缓冲衬垫,所述多个缓冲衬垫用于当所述硅片受到朝向所述板体的作用力时与所述硅片的主表面接触以防止所述硅片的主表面直接接触所述板体。
本实用新型实施例提供了一种静压板,所述静压板具有多个用于接收硅片的缓冲衬垫,当对研磨完成的硅片进行下料时,用于硅片下料的部件沿朝向所述静压板的方向推动硅片,所述缓冲衬垫凸出所述静压板的表面以支承所述硅片,避免了所述硅片的背面与所述静压板直接接触,可以有效防止研磨碎屑或废渣划伤所述硅片的表面,从而提高产品品质。进一步地,所述缓冲衬垫还能够在伸出所述静压板的位置与缩回至所述静压板的位置之间切换,以防止由于所述缓冲衬垫影响静压板用于对硅片进行位置固定的气流的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种用于双面研磨装置的静压板的示意图;
图2为图1的缓冲衬垫处于伸出位置的示意图;
图3为图1的缓冲衬垫处于缩回位置的示意图;
图4为本实用新型实施例的驱动单元的示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参见附图1,在使用中,用于双面研磨装置的静压板10左右设置在待研磨硅晶片W的两侧,所述静压板10包括板体,所述静压板10的板体朝向所述待研磨硅晶片W的一侧具有用于研磨的砂轮20,在位于砂轮20安装部位的周围均匀地分布有气孔12和水孔,所述静压板10的板体还设置有用于连通气孔12 的气路通道13,通过气孔12供给至硅晶片W的两表面的气流体的静压,向硅晶片W以两表面作非接触支持。所述静压板10可以是如附图所示的尺寸与所加工的硅晶片接近的圆形,也可以是尺寸略小的半圆形或扇形等。本实用新型实施例所提供的用于双面研磨装置的静压板10还包括三个由柔性材质制成的缓冲衬垫11,三个所述缓冲衬垫11以位于三角形的三个顶点的形式布置在所述静压板10的板体上。所述缓冲衬垫11凸出所述静压板10的板体表面,优选地,缓冲衬垫11从所述静压板10的板体表面凸出1至2毫米。当硅晶片W研磨结束后,取片装置30推动所述硅晶片W移动,直至硅晶片W抵靠在静压板 10上,取片装置30上的吸盘31吸附硅晶片W,由于所述缓冲衬垫11凸出所述静压板10的板体表面,所述缓冲衬垫11先于所述静压板10的板体与硅晶片 W背面直接接触,并提供用于吸盘31吸附硅晶片W的支撑力。通过上述缓冲衬垫11能够防止硅晶片W背面直接与所述静压板10表面接触,从而避免硅晶片W的背面被静压板10划伤,造成硅晶片品质问题。
优选地,缓冲衬垫对应硅晶片的受力点布置在所述静压板的板体上。
优选地,所述缓冲衬垫的直径大于所述硅片的受力面半径2厘米以上。
参见附图2至3,在另一实施例中,缓冲衬垫11经构造成以能够在伸出位置和缩回位置之间切换的方式设置在所述静压板10的板体上。其中,当所述缓冲衬垫11位于所述伸出位置时,所述缓冲衬垫11凸出所述静压板10的板体表面与硅晶片W的背面直接接触;当所述缓冲衬垫11位于所述缩回位置时,所述缓冲衬垫11位于所述静压板10的板体内部而不从所述静压板10的板体表面伸出。通过上述结构,当所述静压板10在通过气流支承固定所述硅晶片W时,气流的稳定性不会因缓冲衬垫11凸出静压板10的板体表面而受到影响。参见附图4,所述静压板10还包括驱动单元,所述驱动单元包括致动器和伸缩杆14,所述缓冲衬垫11可拆卸地连接至所述伸缩杆14以方便地更换新的缓冲衬垫11,所述伸缩杆14在所述致动器的驱动下能够沿着垂直于所述静压板10的板体表面的方向伸缩,以使得所述缓冲衬垫11能够在所述伸出位置和所述缩回位置之间切换。所述静压板10还包括监控器,所述监控器经配置为根据用于硅片下料的部件所处的位置向所述驱动单元发送控制信号,也就是说,所述监控器能够根据取片装置30的位置控制所述缓冲衬垫11伸出或缩回所述静压板10的板体表面。当所述取片装置30在垂直于所述静压板10的板体表面的方向上面对所述静压板10的板体表面时,所述监控器向所述驱动单元发出第一信号,所述驱动单元驱动所述缓冲衬垫11凸出所述静压板10的板体表面,即从缩回位置切换至伸出位置;当所述取片装置30不在垂直于所述静压板10的板体表面的方向上面对所述静压板10的板体表面时,所述监控器向所述驱动单元发出第二信号,所述驱动单元驱动所述缓冲衬垫11缩回所述静压板10的板体表面,即从伸出位置切换至缩回位置。
本实用新型实施例还提供了一种双面研磨装置,所述双面研磨装置包括所述用于双面研磨装置的静压板,当对硅片进行下料时,缓冲衬垫伸出静压板的板体表面,以支承硅片的方式向用于硅片下料的部件提供支承力,防止硅片背面直接与静压板的板体接触而造成损伤。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施例,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于双面研磨装置的静压板,其特征在于,所述静压板包括:
板体,所述板体用于通过向硅片的主表面提供流体的静压而以非接触的方式支撑所述硅片;
以凸出所述板体的表面的方式设置在所述板体上的多个缓冲衬垫,所述多个缓冲衬垫用于当所述硅片受到朝向所述板体的作用力时与所述硅片的主表面接触以防止所述硅片的主表面直接接触所述板体。
2.根据权利要求1所述的静压板,其特征在于,所述多个缓冲衬垫设置成能够在伸出位置与缩回位置之间切换,在所述伸出位置中,所述多个缓冲衬垫从所述板体的板面伸出以与所述硅片的所述主表面接触,在所述缩回位置中,所述多个缓冲衬垫不从所述板面伸出。
3.根据权利要求2所述的静压板,其特征在于,所述静压板还包括驱动单元,所述驱动单元包括致动器以及被所述致动器致动而沿垂直于所述板体的方向伸缩的伸缩杆,所述缓冲衬垫连接至所述伸缩杆。
4.根据权利要求3所述的静压板,其特征在于,所述静压板还包括监控器,所述监控器经配置为当监控到用于硅片下料的部件处于面对位置时向所述驱动单元发送第一信号并且当监控到所述部件不处于所述面对位置时向所述驱动单元发送第二信号,在所述面对位置中,所述部件在垂直于所述板体的方向上面对所述板面,所述第一信号用于使所述驱动单元驱动所述多个缓冲衬垫从所述缩回位置切换至所述伸出位置,所述第二信号用于使所述驱动单元驱动所述多个缓冲衬垫从所述伸出位置切换至所述缩回位置。
5.根据权利要求1所述的静压板,其特征在于,每个缓冲衬垫从所述板体的表面伸出1mm至2mm。
6.根据权利要求1所述的静压板,其特征在于,所述缓冲衬垫对应所述硅片的受力点布置在所述板体上。
7.根据权利要求6所述的静压板,其特征在于,所述缓冲衬垫为圆盘状,所述缓冲衬垫的直径大于所述硅片的受力面半径2厘米以上。
8.根据权利要求1所述的静压板,其特征在于,所述缓冲衬垫的数量为三个,三个所述缓冲衬垫以位于三角形的三个顶点的形式布置在所述板体上。
9.根据权利要求1所述的静压板,其特征在于,所述缓冲衬垫采用柔性材质制成。
10.一种双面研磨装置,其特征在于,所述双面研磨装置包括根据权利要求1-9中任一项所述的静压板。
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