CN217306454U - 一种蚀刻装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种蚀刻装置,包括底板及提篮,所述底板上设置支撑机构,所述支撑机构上设置嵌合部,所述提篮通过所述嵌合部连接所述支撑机构,所述支撑机构用于垫高所述提篮,以使所述提篮与所述底板之间形成锐角。通过所述底板上设置的所述支撑机构,在所述提篮置于所述底板上时,所述支撑机构垫高所述提篮,使所述提篮发生倾斜,在重力的作用下,所述提篮内放置的所述晶圆片同步发生倾斜,使所述晶圆片的正面保持全露出,可避免所述晶圆片的正面因晃动抵接所述提篮的内壁,进而导致所述晶圆片蚀刻不净的情况发生,同时,因所述晶圆片的倾斜方向一致,可保证所述提篮内晶圆片蚀刻的均匀性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种蚀刻装置。
背景技术
蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。蚀刻工艺被广泛地被应用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工中,尤其在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。
在半导体行业中,蚀刻工序决定了芯片图形能不能顺利形成,如果在此工序出现异常,如过刻蚀,刻蚀不净,晶圆就不能续流,必须返工回到上一步骤重新在做一遍,浪费了生产资源。
在生产过程中,只需将Cassette(提篮)放置在上料区,机械手臂就会自动取料,在机械手臂夹取Cassette放置到蚀刻槽的过程中,Cassette内的晶圆片随着机械手臂左右晃动,使部分晶圆片的正面贴住Cassette的内壁,导致放置在蚀刻槽中的此部分晶圆与蚀刻槽内的蚀刻液反应不够充分,同时Cassette内有一部分晶圆片正面没有贴在Cassette内壁上,导致同批次晶圆出现蚀刻不均匀的现象发生。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种蚀刻装置,旨在解决现有技术中提篮内的晶圆在机械臂夹取移动过程中,部分晶圆因晃动而贴合提篮内壁,未与蚀刻液充分接触,导致蚀刻不净,且提篮内的晶圆整体蚀刻不均匀的技术问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下技术方案来实现的:
一种蚀刻装置,包括底板及提篮,所述底板用于承载所述提篮,所述提篮用于放置晶圆片,所述底板上设置支撑机构,所述支撑机构上设置嵌合部,所述提篮通过所述嵌合部连接所述支撑机构,所述支撑机构用于垫高所述提篮,以使所述提篮与所述底板之间形成锐角。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:通过所述底板上设置的所述支撑机构,在所述提篮置于所述底板上时,所述支撑机构垫高所述提篮,使所述提篮发生倾斜,在重力的作用下,所述提篮内放置的所述晶圆片同步发生倾斜,使所述晶圆片的正面保持全露出,可避免所述晶圆片的正面因晃动抵接所述提篮的内壁,进而导致所述晶圆片蚀刻不净的情况发生,同时,可保证所述提篮内晶圆片蚀刻的均匀性,通过设置所述嵌合部,使所述提篮与所述支撑机构之间的连接更为稳定,避免因移动过程中发生晃动,导致所述提篮脱离所述支撑机构,进而导致晶圆片发生位移,影响蚀刻效果。
进一步,所述支撑机构包括第一限位块及第二限位块,所述底板的一面连接所述第一限位块及所述第二限位块,所述第一限位块平行于所述第二限位块,且所述第一限位块的高度高于所述第二限位块的高度。
更进一步,所述支撑机构还包括第三限位块,所述第三限位块平行于所述第一限位块,且所述第三限位块及所述第二限位块沿所述第一限位块对称设置,所述第一限位块的高度高于所述第三限位块的高度。
更进一步,所述嵌合部包括第一嵌合槽及第二嵌合槽,所述第一限位块朝向所述第二限位块的一面内凹形成所述第一嵌合槽,所述第一嵌合槽贯穿所述第一限位块背向所述底板的一面,所述第二限位块朝向所述第一限位块的一面内凹形成所述第二嵌合槽,所述第二嵌合槽贯穿所述第二限位块背向所述底板的一面。
更进一步,所述嵌合部还包括第三嵌合槽及第四嵌合槽,所述第一限位块朝向所述第三限位块的一面内凹形成所述第三嵌合槽,所述第三嵌合槽贯穿所述第一限位块背向所述底板的一面,所述第三限位块朝向所述第一限位块的一面内凹形成所述第四嵌合槽,所述第四嵌合槽贯穿所述第三限位块背向所述底板的一面。
更进一步,所述提篮包括第一支撑部及第二支撑部,所述第一支撑部及所述第二支撑部相对设置,所述第一支撑部的底部形成卡接部,所述卡接部包括第一卡柱及第二卡柱,所述第一卡柱及所述第二卡柱位于所述第一支撑部相对的两端,所述第一卡柱与所述第一嵌合槽相对应,所述第二卡柱与所述第二嵌合槽相对应。
更进一步,所述提篮还包括U型连接板及H型连接板,所述第一支撑部朝向所述第一限位块的一端通过所述U型连接板连接所述第二支撑部朝向所述第一限位块的一端,所述第一支撑部远离所述第一限位块的一端通过所述H型连接板连接所述第二支撑部远离所述第一限位块的一端。
更进一步,所述第一支撑部朝向所述第二支撑部的一面内凹形成第一放置槽,所述第二支撑部朝向所述第一支撑部的一面内凹形成第二放置槽,所述第一放置槽的底部向所述第二放置槽方向凸起形成第一间隔板,所述第二放置槽的底部向所述第一放置槽方向凸起形成第二间隔板,所述第一间隔板与所述第二间隔板相对设置。
更进一步,所述第一放置槽内设置若干个均匀分布的所述第一间隔板,若干个所述第一间隔板将所述第一放置槽分隔为若干个第一置物槽,所述第一置物槽朝向所述底板的一端沿背向所述第二支撑部的方向贯穿所述第一支撑部。
再进一步,所述底板上开设若干个镂空孔,若干个所述楼空孔均匀间隔排布。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的蚀刻装置的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中的蚀刻装置的部分拆解结构示意图;
图3为图1中提篮在第一视角下的结构示意图;
图4为图1中提篮在第二视角下的结构示意图;
主要元件符号说明:
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的若干实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1至图4,本实用新型实施例中的蚀刻装置,包括底板10及提篮20,所述底板10用于承载所述提篮20,所述提篮20用于放置晶圆片。可以理解地,所述底板10呈平板状,所述底板10上开设若干个镂空孔110,若干个所述镂空孔110均匀间隔排布,通过设置所述镂空孔110,在机械臂夹取所述蚀刻装置,并置于蚀刻槽内后,蚀刻液可通过所述镂空孔110循环流动,使所述提篮20内的所述晶圆片与蚀刻液的接触更为充分,达到预期的蚀刻效果。
所述底板10上设置支撑机构30,所述支撑机构30用于垫高所述提篮20,以使所述提篮20与所述底板10之间形成锐角。具体地,所述支撑机构30包括第一限位块310及第二限位块320,所述底板10的一面连接所述第一限位块310及所述第二限位块320,所述第一限位块310平行于所述第二限位块320,且所述第一限位块310的高度高于所述第二限位块320的高度,可以理解地,通过设置所述第一限位块310及所述第二限位块320,将所述提篮20置于所述第一限位块310及所述第二限位块320上后,所述提篮20因两者之间的高度差发生倾斜,在重力的作用下,所述提篮20内放置的所述晶圆片同步发生倾斜,使所述晶圆片的正面保持全露出,避免在机械臂夹取移动的过程中,所述晶圆片的正面因晃动而抵接所述提篮20的内壁,进而导致所述晶圆片蚀刻不净的情况发生,同时,所述提篮20内的所述晶圆片因重力向同一方向倾斜,可使所述提篮20内的所述晶圆片的正面与蚀刻液充分接触,保证晶圆片蚀刻的均匀性。
优选地,所述支撑机构30还包括第三限位块330,所述第三限位块330平行于所述第一限位块310,且所述第三限位块330与所述第二限位块320沿所述第一限位块310对称设置,所述第一限位块310的高度高于所述第三限位块330的高度,可以理解地,所述第三限位块330与所述第二限位块320的高度一致通过设置所述第三限位块330,可在所述支撑机构30上放置两个相对设置的所述提篮20,充分利用所述底板10的使用面积,可一次性对两个所述提篮20内的晶圆片进行蚀刻工序,加快了生产速度,提升了生产效率。
所述支撑部上设置嵌合部40,所述提篮20通过所述嵌合部40连接所述支撑机构30,所述嵌合部40用于限制所述提篮20于水平方向的位置,避免所述提篮20脱离所述支撑机构30,进而脱离所述底板10。具体地,所述嵌合部40包括第一嵌合槽410及第二嵌合槽420,所述第一限位块310朝向所述第二限位块320的一面内凹形成所述第一嵌合槽410,所述第一嵌合槽410贯穿所述第一限位块310背向所述底板10的一面,所述第二限位块320朝向所述第一限位块310的一面内凹形成所述第二嵌合槽420,所述第二嵌合槽420贯穿所述第二限位块320背向所述底板10的一面。优选地,所述第一限位块310上开设若干个所述第一嵌合槽410,所述第二限位块320上开设若干个所述第二嵌合槽420,若干个所述第一嵌合槽410均匀间隔排布,且若干个所述第一嵌合槽410与若干个所述第二嵌合槽420相对设置。通过设置若干个所述第一嵌合槽410及若干个所述第二嵌合槽420,可便于调整所述提篮20于所述底板10上的放置位置,可以理解地,所述第一限位块310与所述第二限位块320之间可并列放置多个所述提篮20,进一步提升所述底板10的空间利用率,提升生产效能。
可以理解地,所述嵌合部40还包括第三嵌合槽430及第四嵌合槽440,所述第一限位块310朝向所述第三限位块330的一面内凹形成所述第三嵌合槽430,所述第三嵌合槽430贯穿所述第一限位块310背向所述底板10的一面,所述第三限位块330朝向所述第一限位块310的一面内凹形成所述第四嵌合槽440,所述第四嵌合槽440贯穿所述第三限位块330背向所述底板10的一面,所述第三嵌合槽430与所述第四嵌合槽440相对设置,以实现两个所述提篮20的限位固定。
所述提篮20包括U型连接板240、H型连接板250、第一支撑部210及第二支撑部220,所述第一支撑部210及所述第二支撑部220相对设置,所述第一支撑部210朝向所述第一限位块310的一端通过所述U型连接板240连接所述第二支撑部220朝向所述第一限位块310的一端,所述第一支撑部210远离所述第一限位块310的一端通过所述H型连接板250连接所述第二支撑部220远离所述第一限位块310的一端,在所述晶圆片置于所述提篮20内时,通过设置的所述U型连接板240及所述H型连接板250,可辨别放置方向,避免所述晶圆片放置过程中方向错乱,导致部分所述晶圆片的正面因朝向有误抵接所述提篮20的内壁,进而影响蚀刻效果。可以理解地,所述提篮20的底部为镂空设计,蚀刻液通过所述底板10上的镂空孔110可直接接触所述提篮20内的晶圆片,使所述晶圆片与蚀刻液的接触更为充分。
所述第一支撑部210的底部形成卡接部230,所述卡接部230包括第一卡柱231及第二卡柱232,所述第一卡柱231及所述第二卡柱232位于所述第一支撑部210相对的两端,可以理解地,所述第一卡柱231与所述第一嵌合槽410相对应,所述第二卡柱232与所述第二嵌合槽420相对应,当所述提篮20置于所述支撑机构30上时,所述第一卡柱231卡入所述第一嵌合槽410内,所述第二卡柱232卡入所述第二嵌合槽420内,通过所述第一卡柱231及所述第二卡柱232,在机械臂夹取所述蚀刻装置置于蚀刻槽时,所述第一卡柱231抵接所述第一嵌合槽410的内壁,所述第二卡柱232抵接所述第二嵌合槽420的内壁,进而使所述提篮20固定于所述支撑机构30上,避免因晃动导致所述提篮20因所述支撑机构30之间的高度差,沿倾斜方向脱离所述支撑机构30及所述底板10,影响所述晶圆片的蚀刻效果及蚀刻均匀性。可以理解地,所述第二支撑部220的底部同样设置所述卡接部230,以使所述提篮20于所述支撑机构30上的连接更为稳定。
所述第一支撑部210朝向所述第二支撑部220的一面内凹形成第一放置槽260,所述第二支撑部220朝向所述第一支撑部210的一面内凹形成第二放置槽270,所述第一放置槽260与所述第二放置槽270相对设置,所述第一放置槽260的底部向所述第二放置槽270方向凸起形成第一间隔板261,所述第二放置槽270的底部向所述第一放置槽260方向凸起形成第二间隔板271,所述第一间隔板261与所述第二间隔板271相对设置。相对设置的所述第一放置槽260及所述第二放置槽270之间形成容纳空间,所述晶圆片置于所述容纳空间内,且所述晶圆片相对的两端置于所述第一放置槽260及所述第二放置槽270内,可实现所述晶圆片于所述提篮20内的放置。
优选地,所述第一放置槽260内设置若干个均匀分布的所述第一间隔板261,若干个所述第一间隔板261将所述第一放置槽260分隔为若干个第一置物槽262,所述第二放置槽270内设置若干个均匀分布的所述第二间隔板271,若干个所述第二间隔板271将所述第二放置槽270分隔为若干个第二置物槽272,通过所述第一间隔板261及所述第二间隔板271,可使所述提篮20内的所述晶圆片之间的分布更为均匀、更为合理。且所述第一间隔板261及所述第二间隔板271可形成支撑点,在所述提篮20倾斜时,用于支撑所述晶圆片的背面,进而使所述晶圆片的正面完全露出,与蚀刻液充分接触。
所述第一置物槽262朝向所述底板10的一端沿背向所述第二支撑部220的方向贯穿所述第一支撑部210,所述第二置物槽272朝向所述底板10的一端沿背向所述第一支撑部210的方向贯穿所述第二支撑部220,通过采用上述结构,在所述蚀刻装置置于蚀刻槽内与蚀刻液接触时,蚀刻液可通过贯穿结构接触所述晶圆片相对的两端,避免所述晶圆片因相对的两端分别置于所述第一置物槽262及所述第二置物槽272内,结构封闭导致所述晶圆片两端的蚀刻液接触率与所述晶圆片中间的蚀刻液接触率不一致,进而导致所述晶圆片的表面蚀刻不均的情况发生。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种蚀刻装置,包括底板及提篮,所述底板用于承载所述提篮,所述提篮用于放置晶圆片,其特征在于,所述底板上设置支撑机构,所述支撑机构上设置嵌合部,所述提篮通过所述嵌合部连接所述支撑机构,所述支撑机构用于垫高所述提篮,以使所述提篮与所述底板之间形成锐角。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,所述支撑机构包括第一限位块及第二限位块,所述底板的一面连接所述第一限位块及所述第二限位块,所述第一限位块平行于所述第二限位块,且所述第一限位块的高度高于所述第二限位块的高度。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述支撑机构还包括第三限位块,所述第三限位块平行于所述第一限位块,且所述第三限位块及所述第二限位块沿所述第一限位块对称设置,所述第一限位块的高度高于所述第三限位块的高度。
4.根据权利要求2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述嵌合部包括第一嵌合槽及第二嵌合槽,所述第一限位块朝向所述第二限位块的一面内凹形成所述第一嵌合槽,所述第一嵌合槽贯穿所述第一限位块背向所述底板的一面,所述第二限位块朝向所述第一限位块的一面内凹形成所述第二嵌合槽,所述第二嵌合槽贯穿所述第二限位块背向所述底板的一面。
5.根据权利要求3所述的蚀刻装置,其特征在于,所述嵌合部还包括第三嵌合槽及第四嵌合槽,所述第一限位块朝向所述第三限位块的一面内凹形成所述第三嵌合槽,所述第三嵌合槽贯穿所述第一限位块背向所述底板的一面,所述第三限位块朝向所述第一限位块的一面内凹形成所述第四嵌合槽,所述第四嵌合槽贯穿所述第三限位块背向所述底板的一面。
6.根据权利要求4所述的蚀刻装置,其特征在于,所述提篮包括第一支撑部及第二支撑部,所述第一支撑部及所述第二支撑部相对设置,所述第一支撑部的底部形成卡接部,所述卡接部包括第一卡柱及第二卡柱,所述第一卡柱及所述第二卡柱位于所述第一支撑部相对的两端,所述第一卡柱与所述第一嵌合槽相对应,所述第二卡柱与所述第二嵌合槽相对应。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置,其特征在于,所述提篮还包括U型连接板及H型连接板,所述第一支撑部朝向所述第一限位块的一端通过所述U型连接板连接所述第二支撑部朝向所述第一限位块的一端,所述第一支撑部远离所述第一限位块的一端通过所述H型连接板连接所述第二支撑部远离所述第一限位块的一端。
8.根据权利要求6所述的蚀刻装置,其特征在于,所述第一支撑部朝向所述第二支撑部的一面内凹形成第一放置槽,所述第二支撑部朝向所述第一支撑部的一面内凹形成第二放置槽,所述第一放置槽的底部向所述第二放置槽方向凸起形成第一间隔板,所述第二放置槽的底部向所述第一放置槽方向凸起形成第二间隔板,所述第一间隔板与所述第二间隔板相对设置。
9.根据权利要求8所述的蚀刻装置,其特征在于,所述第一放置槽内设置若干个均匀分布的所述第一间隔板,若干个所述第一间隔板将所述第一放置槽分隔为若干个第一置物槽,所述第一置物槽朝向所述底板的一端沿背向所述第二支撑部的方向贯穿所述第一支撑部。
10.根据权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,所述底板上开设若干个镂空孔,若干个所述镂空孔均匀间隔排布。
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