CN217265985U - 一种磁控溅射装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，所述真空腔体内设有第一收放卷辊、若干冷却辊和第二收放卷辊，薄膜依次经过所述第一收放卷辊、若干所述冷却辊和所述第二收放卷辊，在所述冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材，且弧形靶材的内凹面朝向所述冷却辊。本实用新型的磁控溅射设备通过少量的冷却辊配合弧形的靶材，即可完成对薄膜的磁控溅射镀膜工艺，结构简单，相比现有设备，辊系数量大大减少，节约了设备成本；且采用弧形结构的靶材使得上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止磁控溅射镀膜过程中靶材上的材料溅射到真空腔体表面等非目标区域，避免造成靶材的浪费。

Description

一种磁控溅射装置

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射工艺领域，具体的说，是涉及一种磁控溅射装置。

背景技术

物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分离子，在基体表面沉积具有某种功能的薄膜技术。物理气相沉积的主要方法有磁控溅射、真空蒸镀、离子镀膜等等，且物理气相沉积技术不仅可以沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体等。

其中，磁控溅射镀膜是指在真空条件下，利用获得功能的粒子轰击靶材表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸，溅射到薄膜上，成膜均匀，结合力良好，得到广泛的应用。

现有磁控溅射设备设备辊系比较多，成本高，并且所使用的靶材，在实际工作过程中容易溅射到薄膜以外的地方，导致设备的真空腔体表面经常出线靶材上的材料，造成靶材浪费，增加了额外的成本。

以上问题，值得解决。

发明内容

为了克服现有技术的问题，本实用新型提供一种磁控溅射装置。

本实用新型技术方案如下所述：

一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，其特征在于，所述真空腔体内设有第一收放卷辊、若干冷却辊和第二收放卷辊，薄膜依次经过所述第一收放卷辊、若干所述冷却辊和所述第二收放卷辊，在所述冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材，且弧形靶材的内凹面朝向所述冷却辊。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材包括第一靶材和第二靶材，所述第一靶材和所述第二靶材不重叠地设于所述冷却辊旁侧。

进一步的，所述第一靶材和所述第二靶材覆盖所述冷却辊的辊面的三分之一至三分之二。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，若干所述冷却辊包括第一冷却辊和第二冷却辊，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊的旁侧均设有两个弧形靶材。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊之间设有转向辊。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材通过一可调的支撑座设置在所述真空腔体内，使得所述靶材与所述冷却辊之间的距离可调。

进一步的，所述支撑座的材质为高熔点材料。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一收放卷辊和所述第二收放卷辊设置在所述真空腔体的壁面上，或者通过固定座设置在所述真空腔体的内腔中。

进一步的，所述固定座的材质为高熔点材料。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于：

本实用新型的磁控溅射设备通过少量的冷却辊配合弧形的靶材，即可完成对薄膜的磁控溅射镀膜工艺，结构简单，相比现有设备，辊系数量大大减少，节约了设备成本；

另一方面，采用弧形结构的靶材使得上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止磁控溅射镀膜过程中靶材上的材料溅射到真空腔体表面等非目标区域，避免造成靶材的浪费。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

在图中，1、第一收放卷辊；2、第一冷却辊；3、第二冷却辊；4、转向辊；5、第二收放卷辊；6、支撑座；7、弧形靶材；8、薄膜。

具体实施方式

为了更好地理解本实用新型的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本实用新型进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。

如图1所示，一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，真空腔体内设有第一收放卷辊1、若干冷却辊和第二收放卷辊5，薄膜8依次经过第一收放卷辊1、若干冷却辊和第二收放卷辊5，第一收放卷辊1和第二收放卷辊5完成磁控溅射镀膜过程中对薄膜8的走膜；冷却辊主要用于对薄膜8的膜面进行冷却，在冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材7，且弧形靶材7的内凹面朝向冷却辊，所述的外侧面指的是冷却辊与薄膜8接触的一面。

本实用新型的磁控溅射设备结构简单，相比现有设备，辊系数量大大减少；另一方面，采用弧形结构的靶材使得上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜8膜面处，防止磁控溅射镀膜过程中靶材上的材料溅射到真空腔体表面等非目标区域，避免造成靶材的浪费。

在本实用新型中，靶材包括第一靶材和第二靶材，第一靶材和第二靶材不重叠地设于冷却辊旁侧，在本实施例中，第一靶材和第二靶材覆盖冷却辊的辊面的三分之一至三分之二，尽可能覆盖住冷却辊的外侧，以提升镀膜效率与质量。

在本实用新型中，冷却辊的长度为0.5m至2m，其具体长度根据真空腔体的大小而定，且冷却辊的长度不小于靶材的长度，保证靶材的最高利用率。

在本实用新型中，若干冷却辊包括第一冷却辊2和第二冷却辊3，第一冷却辊2和第二冷却辊3的旁侧均设有两个弧形靶，第一冷却辊2和第二冷却辊3之间设有转向辊4。转向辊4的设置能够实现对薄膜8进行转向，且每次转向即对薄膜8的另一面进行镀膜，从而实现对薄膜8双面均匀镀膜。

在本实用新型中，靶材通过一可调的支撑座6设置在真空腔体内，使得靶材与冷却辊之间的距离可调，从而调试出最合适的靶材、冷却辊间距，提升镀膜质量。支撑座6的材质为高熔点材料，例如硅，支撑座6采用高熔点材料，为靶材在真空腔体内提供稳定的固定支撑，避免工作过程中因高温而熔化，从而影响镀膜质量。

在本实用新型中，第一收放卷辊1和第二收放卷辊5设置在真空腔体的壁面上，或者通过固定座设置在真空腔体的内腔中，固定座的材质也为高熔点材料。

综上所述，本实用新型的磁控溅射设备通过少量的冷却辊配合弧形的靶材，即可完成对薄膜8的磁控溅射镀膜工艺，结构简单，辊系数量少，极大地节约了设备成本。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种磁控溅射装置，包括一真空腔体，其特征在于，所述真空腔体内设有第一收放卷辊、若干冷却辊和第二收放卷辊，薄膜依次经过所述第一收放卷辊、若干所述冷却辊和所述第二收放卷辊，在所述冷却辊的外侧面设有靶材，该靶材为弧形靶材，且弧形靶材的内凹面朝向所述冷却辊。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材包括第一靶材和第二靶材，所述第一靶材和所述第二靶材不重叠地设于所述冷却辊旁侧。

3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材覆盖所述冷却辊的辊面的三分之一至三分之二。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，若干所述冷却辊包括第一冷却辊和第二冷却辊，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊的旁侧均设有两个弧形靶材。

5.根据权利要求4所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述第一冷却辊和所述第二冷却辊之间设有转向辊。

6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材通过一可调的支撑座设置在所述真空腔体内，使得所述靶材与所述冷却辊之间的距离可调。

7.根据权利要求6所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述支撑座的材质为高熔点材料。

8.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述第一收放卷辊和所述第二收放卷辊设置在所述真空腔体的壁面上，或者通过固定座设置在所述真空腔体的内腔中。

9.根据权利要求8所述的一种磁控溅射装置，其特征在于，所述固定座的材质为高熔点材料。

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