CN216550674U - 一种新型靶材 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种新型靶材，包括靶材本体和用于固定该靶材本体的支撑座，所述靶材本体设于真空腔体内部的冷却辊旁侧，所述靶材本体为弧形结构，该弧形结构的所述靶材本体的内凹面朝向所述冷却辊。本实用新型的靶材本体采用弧形结构，内凹弧面朝向冷却辊，在磁控溅射的过程中，靶材本体上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止溅射到薄膜以外的地方，造成靶材浪费，增加额外成本。

Description

一种新型靶材

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射工艺领域，具体的说，是涉及一种新型靶材。

背景技术

物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分离子，在基体表面沉积具有某种功能的薄膜技术。物理气相沉积的主要方法有磁控溅射、真空蒸镀、离子镀膜等等，且物理气相沉积技术不仅可以沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体等。

其中，磁控溅射镀膜是指在真空条件下，利用获得功能的粒子轰击靶材表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸，溅射到薄膜上，成膜均匀，结合力良好，得到广泛的应用。

现有磁控溅射设备所使用的靶材，在实际工作过程中容易溅射到薄膜以外的地方，导致设备的真空腔体表面经常出线靶材上的材料，造成靶材浪费，增加了额外的成本。

以上问题，值得解决。

发明内容

为了克服现有技术的问题，本实用新型提供一种新型靶材。

本实用新型技术方案如下所述：

一种新型靶材，其特征在于，包括靶材本体和用于固定该靶材本体的支撑座，所述靶材本体设于真空腔体内部的冷却辊旁侧，所述靶材本体为弧形结构，该弧形结构的所述靶材本体的内凹面朝向所述冷却辊，且与所述冷却辊的辊面弧度一致。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材本体的弧度范围为0至π/2。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材本体的材质为金属或非金属。

进一步的，若所述靶材本体的材质为金属，所述靶材本体为铜或铝。

进一步的，若所述靶材本体的材质为非金属，所述靶材本体为氧化铝。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述冷却辊的长度不小于所述靶材本体的长度。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述靶材本体的长度为1m至2m。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述支撑座的长度为1m至2m。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述支撑座的材质为高熔点的硅材料。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，绕着所述冷却辊设有多个所述靶材本体。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于：

本实用新型的靶材本体采用弧形结构，内凹弧面朝向冷却辊，在磁控溅射的过程中，靶材本体上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊上的薄膜膜面处，防止溅射到薄膜以外的地方，造成靶材浪费，增加额外成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型在真空腔体中的连接结构参考图。

在图中，1、靶材本体；2、冷却辊；3、支撑座；4、收放卷辊；5、转向辊；6、薄膜。

具体实施方式

为了更好地理解本实用新型的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本实用新型进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。

如图1所示，一种新型靶材，包括靶材本体1和用于固定该靶材本体1的支撑座3，靶材本体1设于真空腔体内部的冷却辊2旁侧，靶材本体1为弧形结构，该弧形结构的所述靶材本体1的内凹面朝向冷却辊2，且与冷却辊2的辊面弧度一致。在磁控溅射的时候，靶材本体1上面的物质在氩气离子的轰击下，能够垂直地层积到冷却辊2上的薄膜6膜面处，从而防止溅射到薄膜6以外的地方，造成靶材浪费，增加额外成本。

在本实用新型中，靶材本体1的弧度范围为0至π/2，靶材本体1的弧度保持与冷却辊2的辊面弧度一致，确保靶材表面原子逃逸出靶材本体1后向薄膜6的方向溅射。

在一个可选实施例中，靶材本体1的材质为金属，优选地，靶材本体1为铜或铝。

在一个可选实施例中，靶材本体1的材质为非金属，优选地，靶材本体1为氧化铝。

在本实用新型中，冷却辊2的长度具体长度根据真空腔体的大小而定，且冷却辊2的长度不小于靶材本体1的长度，保证靶材的最高利用率。

在一个可选实施例中，靶材本体1的长度为1m至2m，支撑座3的长度为1m至2m，用于牢牢地将靶材本体1固定在真空腔体内；靶材本体1的厚度为1cm至10cm，靶材本体1的长度及厚度的选取根据所需要的镀量决定。

在本实用新型中，支撑座3的材质为高熔点材料，例如硅，支撑座3采用高熔点材料，为靶材本体1在真空腔体内提供稳定的固定支撑，避免工作过程中因高温而熔化，影响靶材本体1朝向，从而影响镀膜质量。

在本实用新型中，绕着冷却辊2设有多个靶材本体1，一个冷却辊2尽可能采用多个弧形结构的靶材本体1围绕设置，提升镀膜效率与质量。

如图2所示，本实用新型的新型靶材在磁控溅射镀膜设备的真空腔体中的连接结构，首末两端设有收放卷辊4，用于放出或卷收薄膜6，实现薄膜6的走膜功能；在相邻两个冷却辊2之间设有转向辊5，用于对薄膜的转向，每转一次方向，对薄膜的另一面进行镀膜。

综上所述，本实用新型弧形结构的靶材本可以防止靶材本体1上面的物质受到溅射后，溅射到非目标区域，导致靶材浪费。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种新型靶材，其特征在于，包括靶材本体和用于固定该靶材本体的支撑座，所述靶材本体设于真空腔体内部的冷却辊旁侧，所述靶材本体为弧形结构，该弧形结构的所述靶材本体的内凹面朝向所述冷却辊。

2.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，所述靶材本体的弧度范围为0至π/2。

3.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，所述靶材本体的材质为金属或非金属。

4.根据权利要求3所述的一种新型靶材，其特征在于，若所述靶材本体的材质为金属，所述靶材本体为铜或铝。

5.根据权利要求3所述的一种新型靶材，其特征在于，若所述靶材本体的材质为非金属，所述靶材本体为氧化铝。

6.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，所述靶材本体的长度为1m至2m。

7.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，所述支撑座的长度为1m至2m。

8.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，所述支撑座的材质为硅材料。

9.根据权利要求1所述的一种新型靶材，其特征在于，绕着所述冷却辊设有多个所述靶材本体。

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