CN217094114U - 一种链式双面沉积设备 - Google Patents
一种链式双面沉积设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217094114U CN217094114U CN202220542062.5U CN202220542062U CN217094114U CN 217094114 U CN217094114 U CN 217094114U CN 202220542062 U CN202220542062 U CN 202220542062U CN 217094114 U CN217094114 U CN 217094114U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- doping source
- liquid
- silicon wafer
- storage tank
- chain type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本实用新型公开了一种链式双面沉积设备,用于在硅片正面和背面涂覆一层掺杂源,其特征在于:包括硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、储液槽和超声波雾化器;所述沉积腔室的顶部和底部分别设置有喷嘴,所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口;所述喷嘴通过导管连接所述储液槽;所述储液槽下方设置有超声波雾化器。本实用新型链式双面沉积设备避免了液态掺杂源的污染,同时提高了液态掺杂源在硅片正面和背面沉积的均匀性,且工艺简单,无环境污染,掺杂源涂覆过程中不与硅片接触,降低了硅片的碎片率,可连续化生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏领域,具体涉及一种链式双面沉积设备。
背景技术
太阳能电池制作过程中,采用管式扩散或链式扩散完成硅片的磷掺杂或硼掺杂。其中链式扩散具备两个优势,一是链式扩散设备容易和其他链式机台集成在一起,提高生产效率,例如链式扩散设备同链式清洗设备集成在一起,减少了人为周转硅片的时间,实现了连续化生产,生产效率高;二是链式扩散设备内部使用红外灯管对硅片进行加热扩散,加热效率较高,相比管式扩散炉使用电阻丝加热的方式大大节省了电力成本,生产成本低。
链式扩散前需要先对硅片涂覆一层液态掺杂源,故需要设计一种掺杂源沉积设备。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种链式双面沉积设备,其可将液态掺杂源均匀沉积在硅片表面,且可连续化生产。
为实现上述目的,本实用新型设计的一种链式双面沉积设备,用于在硅片正面和背面涂覆一层液态掺杂源,包括:硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、储液槽和超声波雾化器;所述沉积腔室的顶部和底部分别设置有喷嘴,所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口;
所述喷嘴通过导管连接所述储液槽;所述储液槽下方设置有超声波雾化器;所述储液槽用于盛放液态掺杂源,所述超声波雾化器将储液槽内的液态掺杂源雾化成雾状气体掺杂源后通过喷嘴喷涂在硅片正面和背面。
优选的,所述液态掺杂源为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源;最优选的,含磷液态掺杂源可以为磷酸,含硼液态掺杂源可以为硼酸。
优选的,所述沉积腔室两侧的开口处设置有风幕机。
优选的,所述喷嘴的尺寸和数量可以调整,保证液态掺杂源涂覆的均匀性。
优选的,所述沉积腔室底部设置有排液管,用于排放冷凝后的雾状气体。
优选的,所述硅片传送装置采用传动辊轴或O型皮带进行传送。
优选的,所述储液槽、导管、喷嘴都采用耐酸耐碱材料。
优选的,所述耐酸耐碱材料可以是PP、PVC、PVDF或者特氟龙。
与现有技术相比,本实用新型具有以下显著的优点:提供一种链式双面沉积设备,其避免了液态掺杂源的污染,同时提高了液态掺杂源在硅片正面和背面沉积的均匀性,且工艺简单,无环境污染,掺杂源涂覆过程中不与硅片接触,降低了硅片的碎片率,可连续化生产。
附图说明
图1 是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例,对本实用新型做进一步说明。
实施例1
如图1所示,本实用新型的链式双面沉积设备,用于在硅片正面和背面涂覆一层液态掺杂源,包括硅片传送装置1、贯穿硅片传送装置的沉积腔室2、储液槽3和超声波雾化器4;沉积腔室2的顶部和底部分别设置有喷嘴21,喷嘴21通过导管5连接到储液槽3;储液槽3的下方设置超声波雾化器4,超声波雾化器4不与液态掺杂源直接接触,避免污染液态掺杂源;沉积腔室2的两侧沿硅片行进方向设置有开口23,开口23处设置有风幕机22,沉积腔室2的底部设置有排液管24。其中,硅片传送装置1采用传动辊轴或是O型皮带进行传送;储液槽3、导管5、喷嘴21采用耐酸耐碱材料,可以是PP、PVC、PVDF或者特氟龙材质。
本实施例中,液态掺杂源为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源。其中,含磷液态掺杂源和含硼液态掺杂源可用于硅片吸杂处理;磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源以及磷铝复合液态掺杂源可用于在硅片表面形成掩膜层。本实施例含磷液态掺杂源优选磷酸,含硼液态掺杂源优选硼酸。
如图1所示,喷嘴21的尺寸和数量可以调整,如依据液态掺杂源的表面张力、黏度等特性,以确保硅片6的正面和背面均匀地涂覆掺杂源。
如图1所示,储液槽3用于盛放液态掺杂源,超声波雾化器4将储液槽3内的液态掺杂源雾化成雾状气体后通过喷嘴21喷涂在硅片6的正面和背面。
如图1所示,本实用新型的链式双面沉积设备工作时,储液槽3中装入适量的液态掺杂源,提前开启超声波雾化器4工作,将储液槽3中的液态掺杂源转化成雾状气体掺杂源,雾状气体掺杂源通过导管5输送至喷嘴21,硅片6通过硅片传送装置1向前传送至沉积腔室2,沉积腔室2内顶部和底部的喷嘴21同时均匀的向硅片正面和背面涂覆雾状气体掺杂源,喷涂后多余的雾状气体掺杂源冷凝后通过沉积腔室2底部的排液管24排出。沉积腔室2两侧用于硅片6行进的开口23处设置有风幕机22,用于防止沉积腔室2的雾状气体掺杂源向外蔓延,提高喷涂的均匀性,同时防止污染环境。正面和背面沉积完成的硅片6,通过硅片传送装置1传送至后续工序。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本实用新型的限制,本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (7)
1.一种链式双面沉积设备,用于在硅片正面和背面涂覆一层液态掺杂源,其特征在于:包括硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、储液槽和超声波雾化器;所述沉积腔室的顶部和底部分别设置有喷嘴,所述沉积腔室的两侧沿硅片行进方向设置有开口;所述喷嘴通过导管连接所述储液槽;所述储液槽下方设置有超声波雾化器;所述储液槽用于盛放液态掺杂源,所述超声波雾化器将储液槽内的液态掺杂源雾化成雾状气体掺杂源后通过喷嘴喷涂在硅片正面和背面。
2.根据权利要求1所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述液态掺杂源为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源。
3.根据权利要求1所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述沉积腔室两侧的开口处设置有风幕机。
4.根据权利要求1所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述沉积腔室底部设置有排液管,用于排放冷凝后的雾状气体。
5.根据权利要求1所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述硅片传送装置采用传动辊轴或O型皮带进行传送。
6.根据权利要求1所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述储液槽、导管、喷嘴都采用耐酸耐碱材料。
7.根据权利要求6所述的一种链式双面沉积设备,其特征在于:所述耐酸耐碱材料是PP、PVC、PVDF或者特氟龙。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202220542062.5U CN217094114U (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 一种链式双面沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202220542062.5U CN217094114U (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 一种链式双面沉积设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217094114U true CN217094114U (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=82602219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202220542062.5U Active CN217094114U (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 一种链式双面沉积设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN217094114U (zh) |
-
2022
- 2022-03-10 CN CN202220542062.5U patent/CN217094114U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI523252B (zh) | 摻雜劑塗佈系統以及塗佈蒸氣化摻雜化合物於光伏太陽能晶圓的方法 | |
JP5243550B2 (ja) | シリコンウエハを処理するための方法及びデバイス | |
CN101970133A (zh) | 制造太阳能电池可用的氮化硅钝化层的方法 | |
TWI544537B (zh) | 處理矽基板之方法及裝置 | |
EP3355365A1 (en) | Silicon wafer surface passivation method and n-type bifacial cell preparation method | |
CN101636522A (zh) | 真空涂覆装置 | |
CN101583233A (zh) | 一种常压等离子体装置 | |
CN103058530A (zh) | 一种浮法在线制备tco玻璃的镀膜装置及方法 | |
CN113363334A (zh) | 一种硼掺杂选择性发射极的制备方法 | |
CN102157602A (zh) | 对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液 | |
CN217094114U (zh) | 一种链式双面沉积设备 | |
US9559221B2 (en) | Solar cell production method, and solar cell produced by same production method | |
CN108666392A (zh) | 铜铟镓硒化学水浴沉积csd整体设备 | |
CN217094044U (zh) | 一种链式沉积设备 | |
CN104883806B (zh) | 一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法 | |
CN103489932A (zh) | 一种纳米硅磷浆及其制备方法和应用 | |
CN105289214A (zh) | 一种氨气和硅烷混合废气综合处理装置 | |
US9954135B2 (en) | Solar cell manufacturing method | |
CN101942661A (zh) | 用雾状化学剂进行单面连续化学湿处理的系统及方法 | |
CN205092226U (zh) | 用于硅片的湿法刻蚀设备 | |
CN102549776A (zh) | 具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法 | |
CN218160285U (zh) | 电池片背面和侧面硼硅玻璃去除装置及链式设备 | |
CN1869284A (zh) | 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置 | |
CN205628424U (zh) | 密炼机下辅机系统 | |
CN111020527A (zh) | 镀膜设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |