CN217094044U - 一种链式沉积设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种链式沉积设备，用于在硅片表面涂覆一层掺杂源，其特征在于：包括硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、用于盛放液态掺杂源的储液槽、第一管路及第二管路；所述沉积腔室的顶部设置有喷涂装置；所述喷涂装置设置有高度调节支架和喷嘴；所述第一管路一端连接储液槽，另一端连接喷嘴；所述第二管路一端通入压缩气体，另一端连接喷嘴。本实用新型的链式沉积设备提高了硅片表面沉积掺杂源的均匀性，且工艺简单，掺杂源涂覆过程中不与硅片接触，降低了硅片的碎片率，同时适用于大规模连续化生产。

Description

一种链式沉积设备

技术领域

本实用新型涉及光伏领域，具体涉及一种链式沉积设备。

背景技术

太阳能电池制作过程中，需要对硅片进行掺杂扩散处理。掺杂扩散可分为源沉积、源推进两个步骤。源沉积是将掺杂源沉积在硅片表面。源推进是对沉积有掺杂源的硅片进行热处理，使掺杂元素扩散进硅片内部。因此需要设计一种掺杂源沉积设备以便在源推进前先对硅片进行液态掺杂源涂覆。

中国专利公开号为CN101275283A，名称为“扩散工艺中用于涂覆扩散源的装置”，利用高速流动的压缩气体将容器内的液态掺杂源通过喷状口吸出喷成雾状涂覆于旋转状态的硅片表面，然而这种喷涂方式因为喷状口结构简单，喷出溶液量差异较大，易造成掺杂源涂覆不均匀，且喷涂时硅片需要固定旋转，很难实现工业化生产。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种链式沉积设备，其可将液态掺杂源均匀沉积在硅片表面，且能够实现大规模的产业化连续生产。

为实现上述目的，本实用新型设计的一种链式沉积设备，用于在硅片表面涂覆一层液态掺杂源，包括：硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、用于盛放液态掺杂源的储液槽、第一管路及第二管路；所述沉积腔室的顶部设置有喷涂装置；所述喷涂装置设置有高度调节支架和喷嘴；所述第一管路一端连接储液槽，另一端连接喷嘴；所述第二管路一端通入压缩气体，另一端连接喷嘴。

优选的，所述液态掺杂源为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源；最优选的，含磷液态掺杂源可以为磷酸，含硼液态掺杂源可以为硼酸。

优选的，所述喷嘴包括圆柱体和扁平体，且圆柱体和扁平体连通设置，喷嘴出口处为扁平状。

优选的，所述压缩气体为氮气、氩气或其他惰性气体，压力范围为0-0.8Mpa。

优选的，所述沉积腔室底部设置有排液口，用于排放多余的液态掺杂源。

优选的，所述排液口接有负压，负压范围为0-800Pa。

优选的，所述硅片传送装置采用传动辊轴或皮带进行传送。

优选的，所述第二管路上设置有调压阀，用于调节吸液量大小。

优选的，所述喷涂装置可以根据硅片数量并排设置有多个。

优选的，所述沉积腔室采用耐腐蚀材质；所述传送装置采用耐腐蚀非金属材质；所述喷嘴采用耐腐蚀耐摩擦非金属材质。

与现有技术相比，本实用新型具有以下显著的优点：提供一种链式沉积设备，提高了液态掺杂源在硅片表面沉积的均匀性，且工艺简单，掺杂源涂覆过程中不与硅片接触，降低了硅片的碎片率，同时适用于大规模连续化生产。

附图说明

图1 是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的侧视图；

图3是图1中喷嘴的仰视图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。

实施例1

如图1、图2和图3所示，本实用新型的链式沉积设备，包括硅片传送装置1、贯穿硅片传送装置的沉积腔室2、用于盛放液态掺杂源的储液槽3、第一管路4及第二管路5。沉积腔室2的顶部设置有喷涂装置6，喷涂装置6设置有高度调节支架61和喷嘴62；沉积腔室2的底部设置有排液口22，用于排放多余的液态掺杂源，排液口22设置有负压装置，负压范围为0-800Pa；沉积腔室2沿硅片8行进方向的两侧设置有开口21。第一管路4一端连接储液槽3，另一端连接喷嘴62 ；第二管路5一端通入压缩气体，另一端连接喷嘴62。其中，传送装置1采用耐腐蚀非金属材质；沉积腔室2采用耐腐蚀材质；喷嘴62采用耐腐蚀耐摩擦非金属材质。

本实例中，液态掺杂源可以为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源。其中，含磷液态掺杂源和含硼液态掺杂源可用于硅片吸杂处理；磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源以及磷铝复合液态掺杂源可用于在硅片表面形成掩膜层。本实施例含磷液态掺杂源优选磷酸，含硼液态掺杂源优选硼酸。

如图1、图2和图3所示，喷嘴62包括圆柱体和扁平体，且圆柱体和扁平体连通设置，喷嘴62的出口处为扁平状，以确保液态掺杂源喷涂均匀。进一步的，喷涂装置6可以根据硅片数量并排设置有多个，以确保硅片8表面均匀地喷涂掺杂源。根据硅片8所需的掺杂源量，通过高度调节支架61调节喷嘴62与硅片8之间的距离，控制掺杂源喷涂的厚度及喷涂面积。

如图1和图2所示，第二管路5一端通入的压缩气体为氮气、氩气或其他惰性气体，压力范围为0-0.8Mpa。进一步地，在第二管路5上设置有调压阀7，从而可以通过调节气压的大小实现对喷嘴62吸液量大小的调节，可以保证喷嘴62能吸取适量的液态掺杂源，确保液态掺杂源涂覆的均匀性。

如图1和图2所示，本实用新型的链式沉积设备工作时，硅片传送装置1采用传动辊轴或皮带传送硅片8，储液槽3中装入适量的液态掺杂源或通过管路将液态掺杂源输送至储液槽3中，第一管路4的一端伸入液态掺杂源中，第一管路4的另一端连接喷嘴62。在第二管路5中通入压缩气体，所述压缩气体为氮气、氩气或其他惰性气体，压力范围为0-0.8Mpa。第二管路5的另一端连接喷嘴62。压缩空气从第二管路5流到喷嘴62中，在喷嘴62中形成负压，从而产生虹吸现象，所形成的负压将储液槽3中的液态掺杂源通过第一管路4吸入到喷嘴62中，当液态掺杂源从喷嘴62出口处流出时，第二管路5流入喷嘴62的压缩气体将液态掺杂源喷成雾状掺杂源，与此同时硅片8以均匀的速度传输到沉积腔室2内部，雾状掺杂源均匀地喷涂在硅片8上。喷涂时，沉积腔室2底部的排液口22连接负压装置，使沉积腔室2内部呈负压状态，负压为0-800Pa，此时雾状掺杂源沿着风向向下运行，多余的雾状掺杂源通过沉积腔室2底部的排液扣22排出。表面喷涂过掺杂源的硅片8通过传送装置1传输至下一工序。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种链式沉积设备，用于在硅片表面涂覆一层液态掺杂源，其特征在于：包括硅片传送装置、贯穿硅片传送装置的沉积腔室、用于盛放液态掺杂源的储液槽、第一管路及第二管路；所述沉积腔室的顶部设置有喷涂装置；所述喷涂装置设置有高度调节支架和喷嘴；所述第一管路一端连接储液槽，另一端连接喷嘴；所述第二管路一端通入压缩气体，另一端连接喷嘴。

2.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述喷嘴包括圆柱体和扁平体，且圆柱体和扁平体连通设置，喷嘴出口处为扁平状。

3.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述液态掺杂源为含磷液态掺杂源、含硼液态掺杂源、磷硼复合液态掺杂源、含铝液态掺杂源或者磷铝复合液态掺杂源。

4.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述压缩气体为氮气、氩气或其他惰性气体，压力范围为0-0.8Mpa。

5.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述沉积腔室底部设置有排液口，用于排放多余的液态掺杂源。

6.根据权利要求5所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述排液口设置有负压装置，负压范围为0-800Pa。

7.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述硅片传送装置采用传动辊轴或皮带进行传送。

8.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述第二管路上设置有调压阀，用于调节吸液量大小。

9.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述喷涂装置根据硅片数量并排设置有多个。

10.根据权利要求1所述的一种链式沉积设备，其特征在于：所述沉积腔室采用耐腐蚀材质；所述传送装置采用耐腐蚀非金属材质；所述喷嘴采用耐腐蚀耐摩擦非金属材质。

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