CN216880804U - 一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室，吹净装置包括：若干根连通管，若干吹气孔，开设于所述连通管上且与所述晶圆的高度相对应；以及气体控制组件，安装于若干根所述连通管的底部，且将若干根所述连通管相连通。本实用新型可维持腔体环境的洁净与干燥，可以降低微尘污染、气体分子污染、氧气污染和水气污染。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工设备技术领域，具体公开了一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室。
背景技术
现行无尘室机台皆由自动化系统来完成各机台之间产品的运送，确保生产效率、产品的安全及洁净，产品传送至机台后，需要有一传送机构将产品送入反应腔室内执行制程工艺，但是，当机台腔体外门打开之时，因为康达效应以及白努力定律的作用，气流会沿着墙壁流入腔体，使得腔体内水气增加，水分子与产品上的微尘粒子结合，容易产生制程缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，本实用新型的目的之一是提供一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室，用于解决现有技术中机台腔体外门打开之时，气流会沿着墙壁流入腔体，使得腔体内水气增加，水分子与产品上的微尘粒子结合，容易产生制程缺陷的问题。
为了实现以上目的及其他目的，本实用新型是通过包括以下技术方案实现的：
一种用于吹净晶圆的吹净装置，包括：
若干根连通管；
若干吹气孔，开设于所述连通管上且与所述晶圆的高度相对应；以及
气体控制组件，安装于若干根所述连通管的底部，且将若干根所述连通管相连通。
本实用新型的一个实施例中，所述吹气孔为扁平状。
本实用新型的一个实施例中，所述吹气孔吹出的气体呈扇形片状且每两个相邻的所述扇形片状之间形成了交叉区域。
本实用新型的一个实施例中，所述气体控制组件包括：
进气管，与若干根所述连通管相连通；
流量调节器、进气阀以及流量计，均安装于所述进气管上。
本实用新型的一个实施例中，所述进气阀由控制器控制阀门开关。
一种包含如上述所述的吹净装置的半导体设备腔室，包括：
腔室本体，用于安装所述连通管，且所述连通管由所述腔室本体的内部延伸至所述腔室本体的外部；
腔体外门，安装于所述腔室本体上且位于所述腔室本体的出料口处；
真空计，安装于所述腔室本体上；以及
泄压组件，安装于所述腔室本体外部的底部且与所述腔室本体相连通。
本实用新型的一个实施例中，所述泄压组件包括：
泄压管，安装于所述腔室本体的底部且与所述腔室本体相连通；以及
泄压阀，安装于所述泄压管上。
本实用新型的一个实施例中，所述腔室本体可为真空转换腔、制程反应室、或大气状态下之腔体中的一种。
本实用新型的一个实施例中，所述制程反应室的内部位于其底部处设有晶圆放置平台。
综上所述，本实用新型提供了一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室，该吹净装置向腔室内吹入氮气或超洁净干燥空气，可维持腔体环境的洁净与干燥，可以降低微尘污染、气体分子污染、氧气污染和水气污染。其他的特征、益处和优势将通过本文详述的包括说明书和权利要求书在内的文本公开而显而易见。
附图说明
图1是本实用新型吹净装置的结构示意图；
图2是本实用新型吹净装置工作状态下的结构示意图；
图3是本实用新型真空转换腔的腔室外门关闭状态下的结构示意图；
图4是本实用新型真空转换腔的腔室外门打开状态下的结构示意图；
图5是本实用新型制程反应室的腔室外门关闭状态下的结构示意图；
图6是本实用新型制程反应室的腔室外门打开状态下的结构示意图。
其中，1-流量调节器、2-进气阀、3-流量计、4-连通管、5-吹气孔、6-进气管、7-交叉区域、8-腔室本体、9-腔体外门、10-泄压阀、11-泄压管、12-真空计、13-晶圆放置平台。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐述本实用新型，应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的保护范围。
以下通过特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1和图2所示，一种用于吹净晶圆的吹净装置，包括若干根连通管4，对连通管4的根数不加以限制，在一实施例中，连通管4可以例如为两根连通管4，且对连通管4的形状也不加以限制，在一实施例中，连通管可以为圆管，可为方管，也可为三棱柱管，在连通管4上且与晶圆的高度相对应的位置开设有吹气孔5，以便于气体由此处吹出进入腔室内。
如图1和图2所示，在一实施例中，对吹气孔4的形状不加以限制，可以为圆形孔，可以为方形孔，也可以为扁平状的孔，优选地，当吹气孔4为扁平状时，吹出的气体成为扇形片状，并且同一高度的两个扁平状的吹气孔5吹出的气体呈扇形片状且每两个相邻的扇形片状之间形成了交叉区域7，交叉区域4的形成，可达到尽可能的把所有的粉尘吹出的目的。
如图1和图2所示，本实用新型的的吹净装置还包括气体控制组件，气体控制组件安装于若干根连通管4底部，气体控制组件将若干根连通管4相连通，在一实施例中，气体控制组件还包括进气管6，与若干根连通管4相连通，进气管6的形状不加以限制，可以为圆管，可以为方管，也可以为三棱柱管，且进气管6的材质也不加以限制，在一实施例中，进气管6可以为PVC管，也可以为钢管，进气管6上还安装有流量调节器1、进气阀2以及流量计3，流量调节器1可以控制气体进入连通管4的流速，进气阀1可以由控制器控制阀门的开关，流量计3可以清楚地显示气体进入连通管4的流量。
如图3至图6所示，本实用新型的另一个方面，也提供了一种包含如上述所述的吹净装置的半导体设备腔室，包括但不限于以下结构，包括用于安装连通管4的腔室本体8，腔体本体8的具体种类不加以限制，在一实施例中，可以为真空转换腔，可以为制程反应室，也可以为大气状态下之腔体，使得连通管4穿过腔室本体8且位于腔室本体8内部的一端处，所述腔室本体8上且位于所述腔室本体8的出料口处安装有腔体外门9，腔体外门9的安装方式不加以限定，在一实施例中，可以为与腔室本体8铰接，也可以为与腔室本体8轴接，所述腔室本体8安装有真空计12，用于测量腔室本体8内的真空度。真空计12安装在腔室本体8上的位置不加以限定，可以安装在腔室本体8上除了出料口和腔室本体8底部以外的任何位置。
如图3至图6所示，本实用新型的腔室还包括安装于腔室本体8的底部且与腔室本体8相连通的泄压组件，泄压组件还包括安装于腔室本体8的底部且与腔室本体8相连通的泄压管11，泄压管11的具体形状不加以限制，在一实施例中，泄压管可以为圆管，也可以为方管，泄压管11与腔室本体8之间的连接方式也不加以限制，可以是可拆卸的螺纹连接，也可以是固定连接，泄压管11上安装有泄压阀10。
如图3和图4所示，在本实施例中，腔室本体8可例如为真空转换腔，其可通过吹净装置对真空转换腔通入氮气或超净干燥空气来让真空转换腔由真空状态慢慢回复到大气状态，氮气或超净干燥空气并不是本实施例中所能使用的唯一气体，还可以为任何一种可供回到大气状态和/或具有吹净功能的气体，并维持真空转换腔内环境的洁净与干燥，所述真空转换腔由真空转换至大气状态时，可通过吹净装置对真空转换腔通入氮气或超洁净干燥空气，使得真空转换腔平稳的回到大气状态，此时腔体外门9打开。在腔体外门9打开后，氮气或超洁净干燥空气会将微尘、空气分子、水分子由真空转换腔向出料口处吹出并维持腔体干燥；当真空转换腔处于大气状态而腔体外门9尚未打开时，泄压阀10会打开，泄压阀10的打开方式不加以限制，在一实施例中，可由真空转换腔内的压力自动释放，也可由控制器根据真空计12的压力来控制开关，防止真空转换腔的压力过大及保持气流稳定。
如图5和图6所示，在本实施例中，腔室本体8可以为在真空环境下运行的制程反应室，制程反应室的内部位于其底部处还可以设有晶圆片放置平台13，通过吹净装置对制程反应室通入氮气或超净干燥空气来让制程反应室由真空状态慢慢回复到大气状态，氮气或超净干燥空气并不是本实施例中所能使用的唯一气体，还可以为任何一种可供回到大气状态和/或具有吹净功能的气体，并维持制程反应室内环境的洁净与干燥。当制程反应室不处于大气状态时，由真空泵将制程反应室空气抽至真空状态，再通入气体使制程反应室回到大气状态。制程反应室由真空转换至大气状态时，可通过吹净装置对制程反应室通入氮气或超洁净干燥空气，使得真空转换腔平稳的回到大气状态，此时腔体外门9打开。腔体外门9打开后，氮气或超洁净干燥空气会将微尘、空气分子、水分子由制程反应室向出料口处吹出并维持腔体干燥；当制程反应室处于大气状态而腔体外门9尚未打开时，泄压阀10会打开，对泄压阀10的打开方式不加以限定，在一实施例中，可由制程反应室内的压力自动释放，也可由控制器根据真空计12的压力来控制开关，防止制程反应室的压力过大及保持气流稳定。
在一实施例中，腔室本体8为大气状态下之腔体，可通过吹净装置对腔体通入氮气或超洁净干燥空气来维持腔体环境的洁净与干燥，然不限于此，氮气或超净干燥空气并不是本实施例中所能使用的唯一气体，还可以为任何一种可供回到大气状态和/或具有吹净功能的气体。
综上所述，本实用新型提供了一种用于吹净晶圆的吹净装置及其半导体设备腔室，该吹净装置向腔室内吹入氮气或超洁净干燥空气，可维持腔体环境的洁净与干燥，可以降低微尘污染、气体分子污染、氧气污染和水气污染。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种用于吹净晶圆的吹净装置，其特征在于，包括：
若干根连通管；
若干吹气孔，开设于所述连通管上且与所述晶圆的高度相对应；以及
气体控制组件，安装于若干根所述连通管的底部，且将若干根所述连通管相连通。
2.根据权利要求1所述的吹净装置，其特征在于，所述吹气孔为扁平状。
3.根据权利要求2所述的吹净装置，其特征在于，所述吹气孔吹出的气体呈扇形片状且每两个相邻的所述扇形片状之间形成了交叉区域。
4.根据权利要求1所述的吹净装置，其特征在于，所述气体控制组件包括：
进气管，与若干根所述连通管相连通；
流量调节器、进气阀以及流量计，均安装于所述进气管上。
5.根据权利要求4所述的吹净装置，其特征在于，所述进气阀由控制器控制阀门开关。
6.一种半导体设备腔室，包括权利要求1-4任一所述的吹净装置。
7.根据权利要求6所述的半导体设备腔室，其特征在于，还包括：
腔室本体，用于安装所述连通管，且所述连通管由所述腔室本体的内部延伸至所述腔室本体的外部；
腔体外门，安装于所述腔室本体上且位于所述腔室本体的出料口处；
真空计，安装于所述腔室本体上；以及
泄压组件，安装于所述腔室本体外部的底部且与所述腔室本体相连通。
8.根据权利要求7所述的半导体设备腔室，其特征在于，所述泄压组件包括：
泄压管，安装于所述腔室本体的底部且与所述腔室本体相连通；以及
泄压阀，安装于所述泄压管上。
9.根据权利要求7所述的具有半导体设备腔室，其特征在于：所述腔室本体为真空转换腔、制程反应室、或大气状态下之腔体。
10.根据权利要求9所述的半导体设备腔室，其特征在于：所述制程反应室的内部位于其底部处设有晶圆放置平台。
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