CN216818281U - 一种半导体晶片清洗系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体晶片清洗系统，旨在提高晶片的清洗效果，保证晶片的生产质量，其技术方案：一种半导体晶片清洗系统，包括用于放置待清洗晶片的清洗机、用于提供清洗晶片用药液的药液供应单元，还包括一扩散单元，用于将药液供应单元供应的药液扩散输入到清洗机内；所述扩散单元与所述药液供应单元通过第一管道连接，与所述清洗机通过第二管道连接，属于半导体材料制造技术领域。

Description

一种半导体晶片清洗系统

技术领域

本实用新型属于半导体材料制造技术领域，更具体而言，涉及一种半导体晶片清洗系统。

背景技术

随着光电子器件的飞速发展，以砷化镓、磷化铟等为代表的第二代半导体材料产线逐渐趋于成熟化，被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、等领域。以砷化镓为例，在砷化镓的产线中，清洗工序是非常重要的一个工序，晶片经过抛光后，表面会残留许多譬如抛光液的化学物质，如果不及时进行清洗，这些化学物质就会污染整个晶片，甚至会导致晶片作废，这样会导致材料的浪费以及成本的增加。

现有的清洗方式为机洗和人工清洗，目前机洗过程中的送液方法是直接从药液桶中抽出药液对晶片进行清洗，也就是直接使用液体药液清洗晶片，这种方式虽然能够保证晶片的可以被及时清洗，但是其可能会出现晶片的每个地方的清洗程度不同的情况，无法保证清洗的均匀性，从而导致出现晶片清洗不干净的现象。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种半导体晶片清洗系统，旨在提高晶片的清洗效果，保证晶片的生产质量。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种半导体晶片清洗系统，包括用于放置待清洗晶片的清洗机、用于提供清洗晶片用药液的药液供应单元，还包括一扩散单元，用于将药液供应单元供应的药液扩散输入到清洗机内；所述扩散单元与所述药液供应单元通过第一管道连接，与所述清洗机通过第二管道连接。

本实用新型一个特定的实施例中，所述扩散单元包括仓体、用于加热所述仓体的加热模块，所述加热模块对仓体进行加热使仓体内的药液汽化；所述扩散单元还包括一输气管，所述输气管向仓体输入用于带动汽化药液进入到清洗机内的气体；所述第一管道、第二管道均与所述仓体连接。

本实用新型一个特定的实施例中，所述加热模块包括设置在所述仓体底部的发热盘。

本实用新型一个特定的实施例中，所述仓体的上部为锥状结构；所述第二管道与所述锥状结构的顶部连接。

本实用新型一个特定的实施例中，所述输气管设置在所述仓体的下部。

本实用新型一个特定的实施例中，所述输气管向仓体输入的气体为氮气。

本实用新型一个特定的实施例中，所述仓体为玻璃材质。

本实用新型一个特定的实施例中，所述药液供应单元包括储液罐、泵体，所述第一管道与所述储液罐连接，所述泵体设置在第一管道上。

本实用新型上述技术方案中的一个技术方案至少具有如下优点或有益效果之一：

在本实用新型中，药液供应单元输出的药液经过扩散单元进入到清洗机内清洗晶片；扩散单元将药液扩散后再将其输入到清洗机内，扩散后的药液可更加均匀地附着在待清洗晶片上，使得晶片清洗得更加均匀，提高晶片的清洁效果；同时也使得药液以柔和、无冲击的状态输入到清洗机内清洗晶片，减少了晶片破损的现象的发生，保证了晶片的生产质量。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步地说明；

图1是本实用新型的实施例1的结构图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

实施例1

参照图1所示，一种半导体晶片清洗系统，包括用于放置待清洗晶片的清洗机1、用于提供清洗晶片用药液的药液供应单元2，还包括一扩散单元3，用于将药液供应单元2供应的药液扩散输入到清洗机1内；所述扩散单元3与所述药液供应单元2通过第一管道A连接，与所述清洗机1通过第二管道B连接。

在实际应用中，药液供应单元2输出的药液经过扩散单元3进入到清洗机1内清洗晶片；扩散单元3将药液扩散后再输入到清洗机1内，扩散后的药液可更加均匀地附着在待清洗晶片上，使得晶片清洗得更加均匀，提高了晶片的清洗效果；同时也使得药液以柔和、无冲击的状态输入到清洗机1内清洗晶片，减少了晶片破损的现象的发生，保证了晶片的生产质量。

在本实施例中，所述扩散单元3可以为雾化装置，也可以为汽化装置，其均可以起到将药液扩散的作用，如通过高速气体将药液雾化形成雾状的小颗粒药液实现药液扩散输入到清洗机1内，或通过使药液汽化成蒸汽药液实现药液扩散输入到清洗机1内，本实施例对此不作限制；

作为本实施例的具体实现，所述扩散单元3包括仓体31、用于加热所述仓体31的加热模块32，所述加热模块32对仓体31进行加热使仓体31内的药液汽化；所述扩散单元3还包括一输气管C，所述输气管C向仓体31输入用于带动汽化药液进入到清洗机1内的气体；所述第一管道A、第二管道B均与所述仓体31连接；

其工作原理为：药液供应单元2通过第一管道A向仓体31输入药液，输气管C向仓体31输入气体，加热模块32对仓体31进行加热，使得仓体31内的药液汽化成蒸汽，气体带动蒸汽经第二管道B输入到清洗机1内，由蒸汽清洗晶片。

具体来说，所述输气管C向仓体31输入的气体为氮气，当然其也可以为其它惰性气体，本实施例对此不作限制；

所述加热模块32可以为围绕所述仓体31布置的通入加热蒸汽的加热管道、或内设电加热管的加热件，本实施例对此不作限制；

作为本实施例的具体实现，所述加热模块32包括设置在所述仓体31底部的发热盘，所述发热盘内设有电加热管，所述发热盘为陶瓷材质，传热性能好，加热效果好。

作为本实施例的优选，所述仓体31的上部为锥状结构；所述第二管道B与所述锥状结构的顶部连接，锥状结构可以起到聚流的作用，将药液蒸汽导向输入到第二管道B内，保证其工作的正常进行；

锥状结构即为空间从下而上逐渐减少的结构，其可以为锥台状结构、棱台状结构等，本实施例对此不作限制。

更为优选地，所述输气管C设置在所述仓体31的下部；在实际使用时，输气管C位于仓体31上的气体输入口低于药液的液面布置，即气体需要穿过药液，可增加气体的湿度，同时也可以使得气体在输入后可以带走更多的药液蒸汽；

在实际使用中，所述输气管C上设有控制阀门，用于控制气体的输送，控制阀门的设置可在停止输气的时候避免药液逆流；也可以在输气管C靠近仓体31的一端上设置单向阀以避免药液逆流，本实施例对此不作限制。

优选地，所述仓体31为玻璃材质，玻璃传热性能好，且可抵御药液的腐蚀，保证仓体31的使用寿命；玻璃材质的仓体31也便于工作人员观察仓体31内的药液的液位；

所述仓体31也可以为陶瓷材质等，本实施例对此不作限制。

在本实施例中，所述药液供应单元2包括储液罐21、泵体22，所述第一管道A与所述储液罐21连接，所述泵体22设置在第一管道A上；

其中，储液罐21用于储存清洗晶片用的药液；泵体22工作将储液罐21内的药液经第一管道A输送到仓体31内。

在本实施例中，清洗机1为现有技术，是用于清洗晶片的设备，其结构可参考发明专利公开号CN111834249A公开的晶片清洗设备所示，也可以参考实用新型专利公告号CN2650897Y公开的晶片清洗机所示，本实施例所述的清洗机1包括用于固定待清洗晶片的晶片固定部，所述第二管道B的输出端延伸至晶片固定部处向待清洗晶片输出药液。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种半导体晶片清洗系统，包括用于放置待清洗晶片的清洗机(1)、用于提供清洗晶片用药液的药液供应单元(2)，其特征在于，还包括一扩散单元(3)，用于将药液供应单元(2)供应的药液扩散输入到清洗机(1)内；所述扩散单元(3)与所述药液供应单元(2)通过第一管道(A)连接，与所述清洗机(1)通过第二管道(B)连接。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述扩散单元(3)包括仓体(31)、用于加热所述仓体(31)的加热模块(32)，所述加热模块(32)对仓体(31)进行加热使仓体(31)内的药液汽化；所述扩散单元(3)还包括一输气管(C)，所述输气管(C)向仓体(31)输入用于带动汽化药液进入到清洗机(1)内的气体；所述第一管道(A)、第二管道(B)均与所述仓体(31)连接。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述加热模块(32)包括设置在所述仓体(31)底部的发热盘。

4.根据权利要求2所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述仓体(31)的上部为锥状结构；所述第二管道(B)与所述锥状结构的顶部连接。

5.根据权利要求2所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述输气管(C)设置在所述仓体(31)的下部。

6.根据权利要求2所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述输气管(C)向仓体(31)输入的气体为氮气。

7.根据权利要求2所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述仓体(31)为玻璃材质。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片清洗系统，其特征在于，所述药液供应单元(2)包括储液罐(21)、泵体(22)，所述第一管道(A)与所述储液罐(21)连接，所述泵体(22)设置在第一管道(A)上。

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