CN216749141U - 一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构 - Google Patents
一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其包括五列以上依照指定顺序循环排布的子像素，每一子像素电性连接于该子像素所在行对应的扫描线和该子像素所在列对应的数据线；五列以上的子像素有中间向左右两侧竖直划分为五个以上区域，同一区域内的子像素的demux TFT器件具有相同的沟道宽度W和TFT尺寸，且根据所在区域由中间向两侧依次减少沟道宽度W和TFT尺寸。本实用新型通过分区域来改变TFT结构形状的沟道宽度W来提高开态电流，且分区域增加TFT尺寸以此来使TFT开态时参与导电的有源区面积变大，从而减轻异常竖纹的现象，提升面板显示效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及面板显示技术领域，尤其涉及一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构。
背景技术
由于人们生活日益改善，对于屏幕的清晰度的要求越来越高，所以高解析度的显示面板必将成为未来发展的一个趋势。随着TFT-LCD产品朝着高分辨率方向发展，高解析度面板上source线也越来越多， 因此所需 demux TFT数量越来越多，导致了demux线上的loading越来越重，以至于demux TFT开关控制信号从两端传输到中间越来越弱，这样中间source线上的画素充电时间不足，面板的中间区域就会存在竖纹现象。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构。
本实用新型采用的技术方案是：
一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其包括五列以上依照指定顺序循环排布的子像素，每一子像素电性连接于该子像素所在行对应的扫描线和该子像素所在列对应的数据线；五列以上的子像素有中间向左右两侧竖直划分为五个以上区域，同一区域内的子像素的demux TFT器件具有相同的沟道宽度W和TFT尺寸，且根据所在区域由中间向两侧依次减少沟道宽度W和TFT尺寸。
进一步地，每四列子像素对应一个多路复用模块，每个多路复用模块均包括依次设置的四个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一列子像素，每个薄膜晶体管的漏极与所在列对应的数据线连接，所有多路复用模块的第一个薄膜晶体管和第二个薄膜晶体管的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1)，所有多路复用模块的第三个薄膜晶体管和第四个薄膜晶体管的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2)。
进一步地，间隔一行的每两个薄膜晶体管的源极电性连接一个数据信号，相邻两条数据信号的极性相反。
进一步地，同一列子像素包括两行以上同一种类型的子像素。
进一步地，子像素包括：红色子像素( R )、绿色子像素( G )和蓝色子像素( B )；一红色子像素( R )、一绿色子像素(G )和一蓝色子像素( B)共同构成一显示像素。
进一步地，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素依次循环排布。
本实用新型采用以上技术方案，通过分区域来改变TFT结构形状的沟道宽度W来提高开态电流，且分区域增加TFT尺寸以此来使TFT开态时参与导电的有源区面积变大，都能有效弥补充电能力不足的情况，从而减轻异常竖纹的现象，提升面板显示效果。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细说明；
图1为现有面板驱动电路的架构示意图；
图2为面板上不同位置demux TFT信号的对比示意图；
图3为TFT器件沟道宽度W示意图；
图4为本实用新型一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图4所示，本实用新型公开了一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其包括五列以上依照指定顺序循环排布的子像素，每一子像素电性连接于该子像素所在行对应的扫描线和该子像素所在列对应的数据线；五列以上的子像素有中间向左右两侧竖直划分为五个以上区域，同一区域内的子像素的demux TFT器件具有相同的沟道宽度W和TFT尺寸，且根据所在区域由中间向两侧依次减少沟道宽度W和TFT尺寸。
进一步地，每四列子像素对应一个多路复用模块，每个多路复用模块均包括依次设置的四个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一列子像素，每个薄膜晶体管的漏极与所在列对应的数据线连接，所有多路复用模块的第一个薄膜晶体管和第二个薄膜晶体管的栅极电性连接于第一分路控制信号(Demux1)，所有多路复用模块的第三个薄膜晶体管和第四个薄膜晶体管的栅极电性连接于第二分路控制信号(Demux2)。
进一步地，间隔一行的每两个薄膜晶体管的源极电性连接一个数据信号，相邻两条数据信号的极性相反。
进一步地，同一列子像素包括两行以上同一种类型的子像素。
进一步地，子像素包括：红色子像素( R )、绿色子像素( G )和蓝色子像素( B )；一红色子像素( R )、一绿色子像素(G )和一蓝色子像素( B)共同构成一显示像素。
进一步地，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素依次循环排布。
下面就本实用新型的具体原理做详细说明：
在图1中，OE1，OE2是demux1与demux2的开关控制信号，开关管为demux TFT；在图2中，demux TFT开关控制信号从两侧往中间区域成逐渐衰减；在图3中，W是TFT器件沟道宽度；在图4中，作为一种实施方式，本实用新型将面板分为5个区域（也可划分更多区域，不局限于5个区域），面板上的demux TFT器件沟道宽度W及TFT尺寸由1,5区域往2,4区域，再到3区域逐渐增大。
在图1中，可以看到，一条demux线上负载着多条的source线，那么当demux1线上的控制开关信号OE1传输到第一条source线S1上的红画素，接着信号OE1给到第二条source线S2上的绿画素，而S1的蓝画素和S2的红画素是由demux2线的开关信号OE2来控制。两条demux线通过这种排列规律，控制着面板上所有source线上的像素。那本实用新型知道，由于demux TFT开关信号是从两侧往中间区域传输进去的，每经过一条source线所在的画素就会使得demux TFT loading加重，这样传输至中间的source线，其source线所在的充电时间大大缩短，如图2所示；那么所在source线的data电压就会达不到所需的目标电压，因此在同一阶调的画面下，两端的source线所在的画素充电比中间的source线上的画素要好，那么中间的source线所在的画素电压比正常低，画面就会出现竖纹的现象。
针对此现象，本实用新型在上面分析了竖纹现象产生的原因是由于两端与中间的source线的画素充电不一致，因此本实用新型要加大中间区域的source线的开态电流，加强中间区域source线的充电能力。在图4中，在本实用新型中将面板分别不同的区域，且将所在区域的TFT结构形状做了不同的设计。在每个区域增大TFT沟道宽度W，由开态电流跟沟道宽度W成正相关，故增大沟道宽度W能提高开态电流。且增大TFT尺寸大小，也会在开态时参与导电的有源区面积变大，这样也会提高开态电流，从而满足画素充电需求。故分区域来增大沟道宽度W和增大TFT大小尺寸，可以减轻竖纹现象的存在。
本实用新型采用以上技术方案，通过分区域来改变TFT结构形状的沟道宽度W来提高开态电流，且分区域增加TFT尺寸以此来使TFT开态时参与导电的有源区面积变大，都能有效弥补充电能力不足的情况，从而减轻异常竖纹的现象，提升面板显示效果。
显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本实用新型公开一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其包括五列以上依照指定顺序循环排布的子像素，每一子像素电性连接于该子像素所在行对应的扫描线和该子像素所在列对应的数据线；五列以上的子像素有中间向左右两侧竖直划分为五个以上区域，同一区域内的子像素的demux TFT器件具有相同的沟道宽度W和TFT尺寸，且根据所在区域由中间向两侧依次减少沟道宽度W和TFT尺寸。本实用新型通过分区域来改变TFT结构形状的沟道宽度W来提高开态电流，且分区域增加TFT尺寸以此来使TFT开态时参与导电的有源区面积变大，从而减轻异常竖纹的现象，提升面板显示效果。
Claims (6)
1. 一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：其包括五列以上依照指定顺序循环排布的子像素，每一子像素电性连接于该子像素所在行对应的扫描线和该子像素所在列对应的数据线；五列以上的子像素有中间向左右两侧竖直划分为五个以上区域，同一区域内的子像素的demux TFT器件具有相同的沟道宽度W和TFT尺寸，且根据所在区域由中间向两侧依次减少沟道宽度W和TFT尺寸。
2.根据权利要求1所述的一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：每四列子像素对应一个多路复用模块，每个多路复用模块均包括依次设置的四个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一列子像素，每个薄膜晶体管的漏极与所在列对应的数据线连接，所有多路复用模块的第一个薄膜晶体管和第二个薄膜晶体管的栅极电性连接于第一分路控制信号，所有多路复用模块的第三个薄膜晶体管和第四个薄膜晶体管的栅极电性连接于第二分路控制信号。
3.根据权利要求2所述的一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：间隔一行的每两个薄膜晶体管的源极电性连接一个数据信号，相邻两条数据信号的极性相反。
4.根据权利要求1所述的一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：同一列子像素包括两行以上同一种类型的子像素。
5.根据权利要求1所述的一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：子像素包括：红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)；一红色子像素(R)、一绿色子像素(G)和一蓝色子像素(B)共同构成一显示像素。
6.根据权利要求5所述的一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构，其特征在于：红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素依次循环排布。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202220155599.6U CN216749141U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202220155599.6U CN216749141U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构 |
Publications (1)
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| CN216749141U true CN216749141U (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=81914936
Family Applications (1)
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| CN202220155599.6U Active CN216749141U (zh) | 2022-01-20 | 2022-01-20 | 一种减轻demux电路竖纹现象的TFT结构 |
Country Status (1)
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2022
- 2022-01-20 CN CN202220155599.6U patent/CN216749141U/zh active Active
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