CN216413022U - 加热承载盘及基板处理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请涉及一种加热承载盘，用于承载至少一个基板，所述加热承载盘包括至少一个承载单元，至少一个所述承载单元用于承载所述基板，每个所述承载单元包括一承载面，所述基板具有一贴合面，所述承载面的翘曲度与加热后的所述基板的贴合面的翘曲度相同使得所述贴合面与所述承载面完全贴合。本申请的加热承载盘通过每个所述承载单元的所述承载面承载基板，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀。本申请还提供了一种基板处理装置。
Description
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种加热承载盘及基板处理装置。
背景技术
在基板的加工过程中，通常需要经过不同的工艺，最为常见的工艺为：氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)蒸镀、ITO溅镀、电子枪蒸镀、热蒸镀等物理气相沉积，或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)等化学气相沉积，又或者原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)等薄膜工艺。基板在经过这些加工工艺之后会在基板上生成各种不同热膨胀系数的材料，当基板再经过升温加热工艺时，由于基板上各种材料之间的热膨胀系数不同，会使得基板在受热后会产生形变，导致基板跟下方的加热承载盘之间无法完全贴合，从而造成基板在加热过程中会受热不均，影响产品特性(例如外观、电性等)的不均匀。
因此，如何解决基板上各种材料之间的热膨胀系数不同使得基板在受热后会产生形变进而导致基板在加热过程中会受热不均是技术人员亟需解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种加热承载盘以及具有该加热承载盘的基板处理装置，其旨在解决现有技术中存在的由于基板上各种材料之间的热膨胀系数不同使得基板在受热后会产生形变导致基板在加热过程中会受热不均的问题。
一种加热承载盘，用于承载至少一个基板，所述加热承载盘包括至少一个承载单元，至少一个所述承载单元用于承载所述基板，每个所述承载单元包括一承载面，所述基板具有一贴合面，所述承载面的翘曲度与加热后的所述基板的贴合面的翘曲度相同使得所述贴合面与所述承载面完全贴合。
综上所述，本申请的加热承载盘通过每个所述承载单元的所述承载面承载基板，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
可选地，所述加热承载盘包括多个承载单元，多个所述承载单元呈阵列状排列设置。
可选地，所述加热承载盘为矩形板状结构。
可选地，所述承载单元为矩形、圆形或菱形板状结构。
可选地，所述基板为晶圆。
可选地，所述加热承载盘的翘曲度值为0-5mm。
综上所述，本申请的加热承载盘通过每个所述承载单元的所述承载面承载基板，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
基于同样的实用新型构思，本申请还提供一种基板处理装置，其包括反应腔体、加热装置以及上述的加热承载盘，其中，所述加热承载盘将所述基板承载于所述反应腔体内，所述加热装置设置于所述反应腔体上，用于提供所述反应腔体内部加热时的热源，以将位于所述加热承载盘上的所述基板进行加热。
综上所述，本申请的基板处理装置通过设置于所述反应腔体的上端的所述加热装置对放入所述反应腔体中的承载所述基板的所述加热承载盘进行加热，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
可选地，所述反应腔体包括上端以及与所述上端相对设置的底端，所述反应腔体的一个侧壁设置有气体输入端，另外三个侧壁为封闭端，所述加热装置设置于所述反应腔体的上端。
可选地，所述加热装置为加热线圈或加热灯管。
可选地，所述基板处理装置还包括机械手臂，所述机械手臂设置于所述加热承载盘的一端，所述机械手臂用于将承载所述基板的所述加热承载盘传送至所述反应腔体内进行加热。
综上所述，本申请的基板处理装置通过设置于所述反应腔体的上端的所述加热装置对放入所述反应腔体中的承载所述基板的所述加热承载盘进行加热，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
附图说明
图1为本申请实施例公开的一种加热承载盘的结构示意图；
图2为本申请实施例公开的一种承载单元的结构示意图；
图3为本申请实施例公开的一种基板处理装置的结构示意图。
附图标记说明：
100-加热承载盘；
110-承载单元；
111-承载面；
200-基板；
211-贴合面；
10-基板处理装置；
20-反应腔体；
30-加热装置；
40-机械手臂。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
在基板的加工过程中，通常需要经过不同的工艺，最为常见的工艺为：氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)蒸镀、ITO溅镀、电子枪蒸镀、热蒸镀等物理气相沉积，或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)等化学气相沉积，又或者原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)等薄膜工艺。基板在经过这些加工工艺之后会在基板上生成各种不同热膨胀系数的材料，当基板再经过升温加热工艺时，由于基板上各种材料之间的热膨胀系数不同，会使得基板在受热后会产生形变，导致基板跟下方的加热承载盘之间无法完全贴合，从而造成基板在加热过程中会受热不均，影响产品特性(例如外观、电性等)的不均匀。因此，如何解决基板上各种材料之间的热膨胀系数不同使得基板在受热后会产生形变进而导致基板在加热过程中会受热不均是技术人员亟需解决的问题。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的承载板方案，其可以解决由于基板上各种材料之间的热膨胀系数不同使得基板在受热后会产生形变导致基板在加热过程中会受热不均是技术人员亟需解决的问题，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本申请方案的详细阐述一种加热承载盘及一种基板处理装置。
请参阅图1和图2，图1为本申请实施例公开的一种加热承载盘的结构示意图，图2为本申请实施例公开的一种承载单元的结构示意图。如图1和图2所示，本申请实施例提供一种加热承载盘100，其用于承载基板200，可以改善所述基板200受热均一性差问题。本申请用于基板的加热承载盘100可用于炉管、烤箱等升温加热设备，多个基板放置于加热承载盘100后，整体一并放置于升温加热设备的密闭的加热腔室中，经过预设的加热温度及时间后，整体退出加热腔室，即可取出完成加热工艺的基板。
在本申请实施例中，所述加热承载盘100包括至少一个承载单元110，至少一个所述承载单元110用于承载基板200，每个所述承载单元110包括一承载面111，所述基板200具有一贴合面211，所述承载面111的翘曲度与加热后的所述基板200的贴合面211的翘曲度相同，使得所述贴合面211完全贴合与所述承载面111上。
在本申请示例性实施方式中，所述加热承载盘100包括多个承载单元110，多个所述承载单元110呈阵列状排列设置。为了便于描述所述加热承载盘100，本申请以多个承载单元100呈3x3阵列状排列设置为例进行说明。
在本申请实施方式中，将待加热的所述基板200放置于所述承载单元110的所述承载面111上对待加热的所述基板200以及所述承载单元110进行加热，由于所述承载面111的翘曲度与加热形变后的所述基板200的贴合面211的翘曲度相同，所述贴合面211完全贴合与所述承载面111上，使得所述承载单元110与加热后的基板200之间可达成全面性接触。因此，本申请的加热承载盘100的承载单元110与所述基板200在加热过程中可完全贴合，提升了所述基板200的受热均匀性，从而改善所述基板200中各个位置的电性均匀性。
在本申请实施方式中，所述加热承载盘100可由碳化硅(SiC)或石英(Quartz)制成，所述加热承载盘100可为矩形板状结构。
在本申请实施方式中，所述承载单元110可为矩形、圆形或菱形等板状结构。
在本申请实施方式中，所述加热承载盘100的翘曲度(bow)值可以为0-5mm，例如0mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm、或其他数值。其中，翘曲度(warpage or warp)用于表述平面在空间中的弯曲程度，在数值上被定义为翘曲平面在高度方向上距离最远的两点间的距离。
在本申请实施方式中，所述基板200可为晶圆。
综上所述，本申请的加热承载盘100通过每个所述承载单元110的所述承载面111承载基板200，所述承载面111的翘曲度与加热形变后的所述基板200的贴合面211的翘曲度相同，使得所述基板200能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
请参阅图3，其为本申请实施例公开的一种基板处理装置的结构示意图。如图3所示，本申请实施例还提供一种基板处理装置10，其包括上述实施例中所示的加热承载盘100、反应腔体20以及加热装置30。其中，所述反应腔体20具有上端及底端，且于所述反应腔体20的侧壁具有气体输入端，另外三个侧壁为封闭端；所述加热装置30设置于所述反应腔体20的上端，由所述反应腔体20的上端朝下提供所述反应腔体20内部进行加热时所须的热源，并由所述加热装置30提供的所述热源控制所述反应腔体20的所述内部的温度，使得所述加热承载盘100吸收所述加热装置30提供的所述热源而维持所述基板200的加热温度。
在本申请实施方式中，所述加热装置30为加热线圈或加热灯管。
在本申请一个实施方式中，所述基板处理装置10还包括机械手臂40，所述机械手臂40设置于所述加热承载盘100的一端，所述机械手臂40用于将承载所述基板200的所述加热承载盘100传送至所述反应腔体20内进行加热。
综上所述，本申请的基板处理装置通过设置于所述反应腔体20的上端的所述加热装置30对放入所述反应腔体20中的承载所述基板200的所述加热承载盘100进行加热，所述承载面111的翘曲度与加热形变后的所述基板200的贴合面211的翘曲度相同，使得所述基板200能够在加热过程中受热均匀，从而提高了产品特性的均匀性，增加了产品的竞争力。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种加热承载盘，用于承载至少一个基板，其特征在于，所述加热承载盘包括至少一个承载单元，至少一个所述承载单元用于承载所述基板，每个所述承载单元包括一承载面，所述基板具有一贴合面，所述承载面的翘曲度与加热后的所述基板的贴合面的翘曲度相同使得所述贴合面与所述承载面完全贴合。
2.根据权利要求1所述的加热承载盘，其特征在于，所述加热承载盘包括多个承载单元，多个所述承载单元呈阵列状排列设置。
3.根据权利要求1所述的加热承载盘，其特征在于，所述加热承载盘为矩形板状结构。
4.根据权利要求1所述的加热承载盘，其特征在于，所述承载单元为矩形、圆形或菱形板状结构。
5.根据权利要求1所述的加热承载盘，其特征在于，所述基板为晶圆。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的加热承载盘，其特征在于，所述加热承载盘的翘曲度值为0-5mm。
7.一种基板处理装置，其特征在于，包括反应腔体、加热装置以及如权利要求1-6任意一项所述的加热承载盘，其中，所述加热承载盘将所述基板承载于所述反应腔体内，所述加热装置设置于所述反应腔体上，用于提供所述反应腔体内部加热时的热源，以将位于所述加热承载盘上的所述基板进行加热。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述反应腔体包括上端以及与所述上端相对设置的底端，所述反应腔体的一个侧壁设置有气体输入端，另外三个侧壁为封闭端，所述加热装置设置于所述反应腔体的上端。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热装置为加热线圈或加热灯管。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括机械手臂，所述机械手臂设置于所述加热承载盘的一端，所述机械手臂用于将承载所述基板的所述加热承载盘传送至所述反应腔体内进行加热。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202123073172.6U CN216413022U (zh) | 2021-12-08 | 2021-12-08 | 加热承载盘及基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202123073172.6U CN216413022U (zh) | 2021-12-08 | 2021-12-08 | 加热承载盘及基板处理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216413022U true CN216413022U (zh) | 2022-04-29 |
Family
ID=81282793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202123073172.6U Active CN216413022U (zh) | 2021-12-08 | 2021-12-08 | 加热承载盘及基板处理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216413022U (zh) |
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2021
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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