CN216123064U - 一种采用电镀塞孔的智能功率模块 - Google Patents
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Abstract
一种采用电镀塞孔的智能功率模块，包括电路板方框，电路板方框的顶层线路层和底层线路层都布设有一组焊盘，顶层线路层的一组焊盘和底层线路层的一组焊盘通过通孔分别两两对应相连接，对通孔进行电镀塞孔；还包括陶瓷基电路板，在陶瓷基电路板的线路层上，布设有一组焊盘，该一组焊盘与电路板方框的顶层线路层的一组焊盘对应焊接；还包括两个或多于两个的一组MOS管，焊接于陶瓷基电路板的线路层上，输入输出管脚与陶瓷基电路板的线路层上的一组焊盘对应连接。通过在焊盘上装置两个或两个或者多于两个的通孔，为功率模块装置了所需的对外管脚；通过电镀塞孔，提高了模块输入输出电流的能力；简单而可靠地实现了更大功率的智能模块。
Description
技术领域
本实用新型涉及用于功率产品或者电机产品的智能功率器件模块。采用散热效果好的陶瓷基电路板；采用电镀塞孔工艺对通孔进行金属填充。
背景技术
随着科技的进步，电子产品中大量使用了功率管。其中常用的有MOS管和IGBT；MOS管又叫场效应晶体管；它有多种用途，主要用作开关元器件。IGBT是另外一种功率管，又叫绝缘栅双极晶闸管，也是主要用作开关元器件。
管和IGBT被大量用于变频家电、电源、电机控制和逆变器等电子产品中。
陶瓷基电路板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面上的特殊工艺板。所制成的复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性。包括陶瓷基层和线路层。
采用陶瓷基电路板制作采用MOS管或者IGBT的功率模块是新的方向；但传统的功率模块的封装成本高；并且制备不灵活。
电镀塞孔是通过镀铜将电路板通孔填满；能够增加通孔的载流能力。
在简化工艺制作功率模块的过程中，如何增加输入输出电流的能力，增加模块功率是难点。
发明内容
针对上述问题，本实用新型旨在提供一种采用电镀塞孔的智能功率模块，采用成熟工艺，同时，增加生产的一致性；并且增加生产效率。
为实现该技术目的，本实用新型的方案是：一种采用电镀塞孔的智能功率模块，包括电路板方框，电路板方框的顶层线路层和底层线路层都布设有一组焊盘，顶层线路层的一组焊盘和底层线路层的一组焊盘分别两两对应，每对焊盘通过两个或者多于两个的通孔相连接，两个或者多于两个的通孔，采用电镀塞孔工艺进行金属填充；还包括陶瓷基电路板，陶瓷基电路板由线路层和陶瓷基层组成，在陶瓷基电路板的线路层上，布设有一组焊盘，该一组焊盘与电路板方框的顶层线路层的一组焊盘对应焊接，将陶瓷基电路板和电路板方框焊接成一体；还包括两个或多于两个的一组MOS管，两个或多于两个的一组MOS管焊接于陶瓷基电路板的线路层上，输入输出管脚与陶瓷基电路板的线路层上的一组焊盘对应连接，居于电路板方框所围的空间内。对电路板方框所围空间，进行滴胶填充，可以加固模块且进一步提高模块的散热能力。
作为优选，两个或多于两个的一组MOS管可以替换为两个或多于两个的一组IGBT。
本技术方案的有益效果是：可以用成熟且低成本的工艺，大幅增加模块输入输出电流的能力；方便了功率模块的制备，降低了成本。
附图说明
图1为本实用新型具体实施例一的功率模块底面示意图。
图2为本实用新型具体实施例一的功率模块顶面示意图。
图3为具体实施例一电路板方框的顶层示意图。
图4为具体实施例一陶瓷基电路板线路层面的示意图。
图5为具体实施例一功率模块通孔处的截面示意图。
图6为模块中两个或多于两个的一组MOS管在三相电机驱动电路应用时的参考电路图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。
如图1所示，为本实用新型具体实施例一的功率模块底面示意图，包括电路板方框1，电路板方框1的顶层线路层11和底层线路层12都布设有一组焊盘，顶层线路层11的一组焊盘111和底层线路层12的一组焊盘121分别两两对应，每对焊盘通过两个或者多于两个的通孔相连接，两个或者多于两个的通孔，采用电镀塞孔工艺进行金属填充；还包括陶瓷基电路板2，陶瓷基电路板2由线路层21和陶瓷基层22组成，在陶瓷基电路板2的线路层21上，布设有一组焊盘211，该一组焊盘211与电路板方框1的顶层线路层11的一组焊盘111对应焊接，将陶瓷基电路板2和电路板方框1焊接成一体；还包括两个或多于两个的一组MOS管3，两个或多于两个的一组MOS管3焊接于陶瓷基电路板2的线路层21上，输入输出管脚与陶瓷基电路板2的线路层21上的一组焊盘211对应连接，居于电路板方框1所围的空间内。
如图2所示，为本实用新型具体实施例一的功率模块顶面示意图。陶瓷基电路板2通过其线路层21上布设的一组焊盘211，与电路板方框1的顶层线路层11上布设的一组焊盘111对应焊接；顶层线路层11的一组焊盘111分别通过两个或者多于两个的通孔与底层线路层12的一组焊盘121相连接，两个或者多于两个的通孔，采用电镀塞孔工艺进行金属填充，增加通孔载流能力，从而增大整个功率模块的功率。
如图3所示，为具体实施例一电路板方框1的顶层示意图。顶层线路层11布设有一组焊盘111，一组焊盘111和底层线路层12的对应焊盘通过两个或者多于两个的通孔相连接。
如图4所示，为具体实施例一陶瓷基电路板线路层面的示意图。在陶瓷基电路板2的线路层21上，布设有一组焊盘211，两个或多于两个的一组MOS管3焊接于陶瓷基电路板2的线路层21上，输入输出管脚与陶瓷基电路板2的线路层21上的一组焊盘211对应连接。
如图5所示,为具体实施例一功率模块通孔处的截面示意图。陶瓷基电路板2和电路板方框1焊接成一体；电路板方框1中的通孔形成了功率模块对接外部电路的管脚；通过对其中通孔进行电镀塞孔，加大了功率模块工作功率。
图6为模块中两个或多于两个的一组MOS管在三相电机驱动电路应用时的参考电路图。总共有六个MOS管，组成三相驱动电路。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种采用电镀塞孔的智能功率模块，其特征在于：包括电路板方框，电路板方框的顶层线路层和底层线路层都布设有一组焊盘，顶层线路层的一组焊盘和底层线路层的一组焊盘分别两两对应，每对焊盘通过两个或者多于两个的通孔相连接，两个或者多于两个的通孔，采用电镀塞孔工艺进行金属填充；还包括陶瓷基电路板，陶瓷基电路板由线路层和陶瓷基层组成，在陶瓷基电路板的线路层上，布设有一组焊盘，该一组焊盘与电路板方框的顶层线路层的一组焊盘对应焊接，将陶瓷基电路板和电路板方框焊接成一体；还包括两个或多于两个的一组MOS管，两个或多于两个的一组MOS管焊接于陶瓷基电路板的线路层上，输入输出管脚与陶瓷基电路板的线路层上的一组焊盘对应连接，居于电路板方框所围的空间内。
2.根据权利要求1所述的一种采用电镀塞孔的智能功率模块，其特征在于：两个或多于两个的一组MOS管可以替换为两个或多于两个的一组IGBT。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122485940.2U CN216123064U (zh) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | 一种采用电镀塞孔的智能功率模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122485940.2U CN216123064U (zh) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | 一种采用电镀塞孔的智能功率模块 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN216123064U true CN216123064U (zh) | 2022-03-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122485940.2U Active CN216123064U (zh) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | 一种采用电镀塞孔的智能功率模块 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216123064U (zh) |
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2021
- 2021-10-15 CN CN202122485940.2U patent/CN216123064U/zh active Active
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