CN215955322U - 一种发光基板、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种发光基板、显示面板,涉及显示技术领域。该发光基板包括:衬底以及位于所述衬底之上依次层叠设置的第一极、发光功能层、第二极和增亮层;其中,所述第二极为出光侧电极;所述增亮层被配置为提高所述发光功能层的出光率,且所述增亮层包括多个子层,相邻两个所述增亮层的子层材料的折射率不同。本实用新型的发光基板中的发光功能层具有较高的出光率,且该发光基板的光学性能佳,由该发光基板制备的显示面板的显示效果好。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光基板、显示面板。
背景技术
随着显示技术的快速发展,OLED(Organic Light Emitting Device,有机发光二极管)显示产品由于其具有自发光、功耗小、响应快等特点,引起人们的广泛关注。然而,当前市场对OLED显示产品的光学性能有更高的要求,以进一步提高其显示效果。
目前,亟需提供一种新的发光基板,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供了一种发光基板、显示面板,该发光基板的光学性能佳,由该发光基板制备的显示面板显示效果好。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种发光基板,包括:衬底以及位于所述衬底之上依次层叠设置的第一极、发光功能层、第二极和增亮层;
其中,所述第二极为出光侧电极;所述增亮层被配置为提高所述发光功能层的出光率,且所述增亮层包括多个子层,所述增亮层的相邻两个子层材料的折射率不同。
可选的,所述增亮层至少包括层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层,所述第一增亮子层位于所述第二增亮子层和所述第二极之间;
其中,所述第一增亮子层、所述第二增亮子层和所述第三增亮子层的材料的折射率依次增大。
可选的,所述发光基板还包括覆盖层,所述覆盖层位于所述第二极和所述增亮层之间;
其中,所述增亮层的各子层的材料的折射率均小于所述覆盖层的材料的折射率。
可选的,所述增亮层的材料包括无机非金属氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、金属氧化物或无机氟氧化物中的至少两种。
可选的,所述发光基板还包括薄膜封装层,所述薄膜封装层位于所述增亮层远离所述第二极的一侧;
所述薄膜封装层包括层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第二封装层位于所述第一封装层远离所述增亮层的一侧;
其中,所述第二封装层被配置为提高所述发光功能层的出光率,且释放所述第一封装层和所述第三封装层中的内应力。
可选的,所述第二封装层为单层膜结构,且所述第二封装层的材料的折射率范围为1.5-1.7。
可选的,所述第二封装层的厚度范围为0.2-2um。
可选的,所述第二封装层的材料包括碳氮化物或碳氮氧化物。
可选的,所述第二封装层为包括至少两个子层的多层膜结构,且所述第二封装层的相邻两个子层的材料的折射率不同。
可选的,所述第二封装层的四个子层包括层叠设置的第一无机子层、第二无机子层、第一有机子层和第三无机子层;所述第三无机子层和所述第三封装层相接触;
或者,包括第二有机子层、第三有机子层、金属氧化物子层和第四无机子层,所述第四无机子层和所述第三封装层相接触。
可选的,所述发光基板还包括遮光层和开关管;所述开关管位于所述第一极和所述遮光层之间,且所述开关管的第一端和所述第一极电连接;
所述发光功能层在所述衬底上的正投影和所述开关管在所述衬底上的正投影均与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
可选的,所述发光基板还包括多个触控电容,所述触控电容位于所述增亮层远离所述第二极的一侧;每个所述触控电容包括第一电极层和第二电极层;所述第二电极层位于所述第一电极层远离所述增亮层的一侧;
所述第二电极层包括间隔设置第一子电极、第二子电极和第三子电极,所述第一子电极和所述第三子电极分别与所述第一电极层电连接;
其中,所述第一子电极和所述第二子电极形成第一子电容,所述第二子电极和所述第三子电极形成第二子电容,所述第二子电极和所述第一电极层形成第三子电容;所述第一子电容、所述第二子电容和所述第三子电容构成所述触控电容。
可选的,所述发光基板还包括像素定义层,所述像素定义层具有沿垂直于所述衬底方向上的多个开口,所述发光功能层至少位于所述开口内,且所述增亮层在所述衬底上的正投影与所述发光功能层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
又一方面,提供了一种显示面板,包括如上所述的发光基板。
本实用新型的实施例提供了一种发光基板、显示面板,该发光基板包括衬底以及位于衬底之上依次层叠设置的第一极、发光功能层、第二极和增亮层;其中,第二极为出光侧电极;增亮层被配置为提高发光功能层的出光率,且增亮层包括多个子层,相邻两个增亮层的子层材料的折射率不同。在本实用新型的实施例提供的发光基板中,通过设置具有多个子层结构的增亮层、且相邻的增亮层的子层的材料折射率不同,使得发光功能层发出的光依次经过第二极和增亮层之后,增亮层能够提高发光功能层的出光率,从而提高发光基板的透过率,进而提高发光基板制备的显示面板的光学特性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种相关技术中显示面板的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种发光基板的结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的四种增亮层的透光率模拟频谱图;
图6为本实用新型实施例提供的发光基板与相关技术中的发光基板的穿透频谱对比图;
图7为本实用新型实施例提供的一种发光基板的色域对比图;
图8为本实用新型实施例提供的一种发光基板的蓝光利用率对比图;
图9为本实用新型实施例提供的一种发光基板的穿透率实测频谱图;
图10a为本实用新型实施例提供的一种相关技术中光线折射时的横向偏移量示意图;
图10b为本实用新型实施例提供的一种相关技术中光线折射路径示意图;
图11a为本实用新型实施例提供的一种OLED发光基板在不同视角下的亮度分析图;
图11b为本实用新型实施例提供的一种色偏对比分析图;
图12为本实用新型实施例提供的一种发光基板的制备方法流程图;
图13为本实用新型实施例提供的一种第二封装层的SEM图像;
图14为本实用新型实施例提供的一种相关技术中的薄膜封装层剥落示意图;
图15为本实用新型实施例提供的一种相关技术中的发光基板的信赖性测试结果;其中,图15中(A)图示出了相关技术中未制作IJP层的显示面板的信赖性测试结果;图15中(B)图示出了相关技术中完整的显示面板的信赖性测试结果;
图16为本实用新型实施例提供的一种发光基板的信赖性测试结果。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的实施例中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
为了便于清楚描述本实用新型的实施例的技术方案,在本实用新型的实施例中,采用了“第一”、“第二”、“第三”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分,本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”、“第三”等字样并不对数量进行限定。
如图1所示为相关技术中的显示面板的结构示意图,参考图1,基底1上依次设置有阳极2、发光功能层3和复合阴极层6,其中,复合阴极层6包括层叠设置的阴极层(Ag或Mg)、覆盖层(CPL层)和LiF出光层;在LiF出光层远离基底1的一侧还依次设置有第一封装层7、第二有机封装层8(IJP层)和第三封装层9;第三封装层9上还设置有挡墙层4(Bank),以及位于相邻两个挡墙层4之间的红色量子点层16、绿色量子点层17和透光层10,另外,该显示面板还包括层间介质层11,层间介质层11覆盖挡墙层4、红色量子点层16、绿色量子点层17和透光层10;该显示面板还包括位于层间介质层11上的黑色矩阵层5、红色彩膜层(R)18、绿色彩膜层(G)19和蓝色彩膜层(B)12,平坦层13覆盖黑色矩阵层(BM)5和各彩膜层,粘结层14位于盖板15和平坦层13之间。需要说明的是,图1所示的显示面板采用OLED作为背光,采用QD作为滤光层,是OLED技术与QD技术结合的显示产品。
然而,由于市场上对于OLED显示产品和QD-OLED(Quantum Dot-Organic LightEmitting Device,量子点发光二极管)显示产品的光学特性有着更高的要求,上述显示面板已经不能满足用户的需求。
为此,本实用新型的实施例提供了一种发光基板,参考图2或图3所示,包括:衬底45以及位于衬底45之上依次层叠设置的第一极22、发光功能层23、第二极25和增亮层27;其中,第二极25为出光侧电极,增亮层(Luminous layer)27被配置为提高发光功能层23的出光率,且增亮层27包括多个子层,增亮层27的相邻两个子层材料的折射率不同。
上述衬底45可以为刚性衬底,例如玻璃;或者,也可以为柔性衬底,例如聚酰亚胺。本实用新型的实施例以上述衬底45为玻璃为例进行说明。
上述第一极22可以为阳极,第二极25可以为阴极;或者,上述第一极22可以为阴极,上述第二极25可以为阳极;具体可以根据实际情况确定,这里不做限制。需要说明的是,本实用新型的实施例以上述第一极22为阳极,上述第二极25为阴极为例进行说明。
上述第二极25为出光侧电极的含义为:发光功能层23发出的光线依次经过第二极25和增亮层27后射出发光基板,第二极25相对于第一极22来说更靠近发光基板的出光面,故而,将第二极25称为出光侧电极。
上述多个的含义为:至少两个,在实际应用中,具体的子层的个数可以根据实际产品型号确定。
上述发光功能层23可以包括多个膜层,例如包括:空穴注入层(HIL层)、空穴传输层(HTL层)、有机过渡缓冲层(Prime层)、发光层(EML层)、空穴阻挡层(HBL层)和电子注入层。
这里对于上述发光功能层23的具体发光颜色不做限定。示例的,上述发光功能层23的发光颜色可以为一种,如:发光颜色为蓝色的发光功能层;或者,其发光颜色为三种,如:同时包括发光颜色为红色的发光功能层、发光颜色为绿色的发光功能层和发光颜色为蓝色的发光功能层。
在上述发光功能层23为具有一种颜色的发光功能层的情况下,上述发光基板中的发光功能层23用作背光;在上述发光功能层23同时包括发光颜色为红色的发光功能层、发光颜色为绿色的发光功能层和发光颜色为蓝色的发光功能层的情况下,上述发光基板中的发光功能层23用作显示。需要说明的是,在上述发光基板中的发光功能层23用作背光时,通过在发光基板中设置滤光层之后,也能用作显示。
上述增亮层27的材料包括无机非金属氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、金属氧化物或无机氟氧化物中的至少两种,由于增亮层27中各子层选择的材料不同,上述增亮层27中相邻两个子层的折射率不同。
上述增亮层27的厚度范围为600-2500nm,示例的,增亮层27的厚度可以为850nm、1400nm或2075nm。
在本实用新型的实施例提供的增亮层27中,可以通过调整增亮层27中各子层的材料、厚度和膜层设置顺序,来实现增亮层27对发光功能层23中发出的光线的不同折射作用,进而实现对出光率的优化。
具体的,本实用新型的实施例提供了如下表1中四种不同增亮层27的结构、材料和厚度信息。
表1:四种增亮层的结构、材料和厚度示例
第一种增亮层(如表1中增亮层A)的具体情况为:包括位于第二极25之上且依次层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层;第一增亮子层的材料为SiO2,厚度为350nm,折射率为1.48;第二增亮子层的材料为SiNX,厚度为300nm,折射率为1.65-1.84,可以通过调节Si原子和N原子的比例来控制其折射率;第三增亮子层的材料为AL2O3,厚度为200nm,折射率为1.62。
第二种增亮层(如表1中增亮层B)也包括位于第二极25之上且依次层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层;第三种增亮层(如表1中增亮层C)也包括位于第二极25之上且依次层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层;第四种增亮层(如表1中增亮层D)包括位于第二极25之上且依次层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层、第三增亮子层、第四增亮子层和第五增亮子层,上述几种不同增亮层的具体情况如表1,这里不再赘述。
在本实用新型的实施例提供的发光基板中,通过设置具有多个子层结构的增亮层27、且增亮层27相邻两个子层的材料折射率不同,使得发光功能层23发出的光依次经过第二极25和增亮层27之后,增亮层27能够提高发光功能层23的出光率,从而提高发光基板的透过率,进而提高发光基板制备的显示面板的光学特性。
另外,在实际应用中,由于相关技术中位于阴极上的LiF出光层极易吸水,从而造成LiF出光层与其相接触的封装层之间的结合力较差,使得封装层极易发生如图14中所示的膜层剥落(Peeling),进而造成封装失效,在本实用新型的实施例提供的发光基板中,通过使用本申请中的增亮层27替代相关技术中的LiF出光层,一方面,增亮层27能够提高发光功能层23的出光率;另一方面,增亮层27与封装层有较好的结合力,不易使得封装层发生膜层剥落,进而保证了显示产品的可靠性,提高了产品的品质。又一方面,增亮层27的水氧透过率极低,有很强的水氧阻隔能力,还可以起到保护第二极的作用。
进一步的,除上述表1中的四种增亮层的结构之外,增亮层27还可以包括其它不同材料、不同厚度的更多的子层,具体根据实际情况确定。
图5为上述表1中四种增亮层在可见光范围下通过数据仿真(TFC仿真)得到的透光率频谱,在发光功能层的发光颜色为蓝色的情况下,即上述发光基板用作背光基板的情况下,由于蓝光的波长范围为400-450nm,参考图5所示,四种不同的增亮层在蓝光的波长范围的透光率大小顺序为:增亮层B>增亮层A>增亮层C>增亮层D,若需要提高发光颜色为蓝色的发光功能层的出光率,可以根据对出光率提升幅度的实际需求,选择上述四种增亮层中的一种,当然,根据频谱可知,增亮层B对发光颜色为蓝色的发光功能层出光率的提升效果最显著。
在发光功能层同时包括发光颜色为红色的发光功能层、发光颜色为绿色的发光功能层和发光颜色为蓝色的发光功能层的情况下,即上述发光基板用作显示基板的情况下,由于红光的波长范围为625-740nm,绿光的波长范围为490-580nm,蓝光的波长范围为400-450nm,若要提高上述三种颜色的发光功能层的出光率,根据仿真数据可知,增亮层B在这三段波长范围内的透光率最大。
其中,增亮层B的第一增亮子层的材料为SiO2,折射率为1.48;增亮层B的第二增亮子层的材料为AL2O3,折射率为1.62;增亮层B的第三增亮子层的材料为SiNX,折射率为1.65-1.84,可以通过调节Si原子和N原子的比例来控制其折射率;根据上述数据可得到,在增亮层27包括位于第二极25之上且依次层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层,且第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层的材料的折射率依次增大的情况下,增亮层在可见光下的透光率最大,从而,该增亮层对发光功能层的出光率的提升效果较佳。另外,通过TFC仿真结果可知,上述增亮层27较相关技术中的LiF出光层,其光效可提升10%。
图6所示为采用本实用新型的实施例提供的增亮层27制作的发光基板与相关技术中的发光基板的透光频谱实测曲线,参考图6,采用本实用新型的增亮层制作的发光基板的透光率高达95%,而相关技术中的发光基板的透光率为88%,可见,采用本实用新型的实施例提供的增亮层,使得发光基板的透光率提升了7%,由于透光率的提升,从而使得发光基板的光学性能(例如色域NTSC)也有了很大程度的提高。需要说明的是,上述图6中的用于测试的两组发光基板仅是增亮层与LiF出光层的区别,即本申请的发光基板的结构为采用增亮层替代了相关技术中的发光基板的LiF出光层得到的。
可选的,参考图2所示,发光基板还包括覆盖层26,覆盖层26位于第二极25和增亮层27之间;其中,增亮层27的各子层的材料的折射率均小于覆盖层26的材料的折射率。
上述覆盖层26又称作CPL层,上述CPL层的材料的折射率为1.85,需要说明的是,前述图5中多种增亮层27的透光率仿真频谱均是以CPL层为光入射层,使得光线依次经过CPL层和增亮层27之后的仿真结果,通过数据比对显示,在增亮层27的各子层的材料的折射率均小于CPL层的材料的折射率的情况下,增亮层27对发光功能层23的出光率的提升效果更显著。
上述增亮层的材料包括无机非金属氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、金属氧化物或无机氟氧化物中的至少两种。
具体的,上述无机非金属氧化物可以为氧化硅,上述无机氮化物可以为氮化硅,上述无机氮氧化物可以为氮氧化硅,上述金属氧化物可以为氧化铝、氧化镁、氧化钛或氧化锌,上述无机氟氧化物可以为氟氧化硅。
可选的,参考图2所示,发光基板还包括薄膜封装层(未标记),薄膜封装层位于增亮层27远离第二极25的一侧;薄膜封装层包括层叠设置的第一封装层28、第二封装层29和第三封装层30,第二封装层29位于第一封装层28远离增亮层26的一侧;其中,第二封装层29被配置为提高发光功能层23的出光率,且释放第一封装层28和第三封装层30中的内应力。
上述第一封装层和第三封装层均采用无机材料制作,且第一封装层的厚度为1um,第三封装层的厚度为0.6um。
上述第二封装层可以为单膜层结构或多膜层结构,示例的,可以为SiCxNy的单膜层结构,或SiOCxNy的单膜层结构;或还可以为由SiNX层、SiCN层、SiNX层和SiO2层构成的多膜层结构,或SiNX层、AL2O3层、Parylene层、有机层构成的多膜层结构。
在本实用新型提供的发光基板中设置第二封装层,一方面,相较于相关技术中厚度高达10um的IJP层,第二封装层能够很大程度上提高发光功能层的出光率。图8示出了在发光功能层的发光颜色为蓝色的情况下,相关技术中的发光基板、相关技术中的显示面板和本申请的实施例提供的薄膜封装层制备的发光基板的蓝光利用率对比分析图。参考图8所示,在发光功能层的发光颜色为蓝色的情况下,对于不同型号的产品1、产品2、产品3和产品4,采用本实用新型的实施例提供的第二封装层制备的发光基板的蓝光利用率均远远高于相关技术中采用IJP层制备的发光基板的蓝光利用率。另外,由于在发光基板上形成了盖板(Cover glass)或保护膜以构成显示面板,相关技术中的显示面板的蓝光利用率稍低于相关技术中发光基板的蓝光利用率,即使这样,由于本实用新型的实施例提供的发光基板的蓝光利用率远远高于相关技术中的发光基板,可以推测,由本实用新型的实施例提供的发光基板制作的显示面板的蓝光利用率也远远高于相关技术中的显示面板的蓝光利用率。
又一方面,图7示出了相关技术中的发光基板、相关技术中的显示面板和本申请的实施例提供的发光基板的色域对比分析图。参考图7所示,由于蓝光利用率的提高,大大提升了发光基板的蓝光亮度,进而提高了发光基板的色域(NTSC)。需要说明的是,这里的发光基板的发光功能层的发光颜色为蓝色,且该发光基板还包括位于发光功能层上的彩色滤光层,该发光基板用作显示。另外,上述结论对于不同型号的产品a、产品b、产品c和产品d均适用。上述色域其实也可以叫做色彩空间,NTSC色域是NTSC电视标准下的色彩空间,NTSC是美国国家电视标准委员会,他们所推出的NTSC电视标准是一套广播电视传输协议。
另一方面,本实用新型的实施例提供的发光基板中的第二封装层还能够替代相关技术中的IJP层,释放第一封装层和第三封装层中的内应力。再一方面,由于第二封装层覆盖在第一封装层上,通过含有有机材料的第二封装层能够包裹住未被第一封装层覆盖住的异物(Particle),避免异物对发光基板的结构造成侵蚀,进而提高发光基板的可靠性。
表2:三种第二封装层的结构、材料和厚度示例
表2中提供了三种第二封装层的结构、材料和厚度示例,具体的,第一种第二封装层的情况如下:
第一种第二封装层为单层膜结构,其材料包括碳氮化物或碳氮氧化物;例如SiCxNy或SiOCxNy,需要说明的是,SiOCxNy是通过对SiCxNy进行氧化处理得到的,其氧元素的含量可以通过控制氧化处理的时间控制;上述第一种第二封装层的材料的折射率范围为1.5-1.7,具体折射率可以通过控制各元素的占比调节;上述第一种第二封装层的厚度范围为0.2-2um。采用第一种第二封装层制备的发光基板的透光频谱如图9所示,其透过率(又称透光率)为95%,相较于相关技术中的发光基板的透光率提高了7%。图13中示出了单层膜结构的第二封装层29制备的发光基板的局部位置SEM图像,如图13所示,材料成分为SiCxNy的单层膜结构的第二封装层29位于第一封装层28和第三封装层30之间。
上述单层膜结构的第二封装层以C2H2,SiH4,NH3,H2作为气体源,采用CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)工艺成膜,从而形成材料成分为SiCxNy的第二封装层;或者再进一步对SiCxNy进行氧化处理,形成材料成分为SiOCxNy的第二封装层;通过控制成膜厚度范围为0.2-2um,使其远远小于相关技术中IJP层的厚度(10um)。该单膜层结构的第二封装层可以覆盖并包裹住第一封装层表面的颗粒和异物,消除针孔(针孔是指第一封装层表面粗糙不平的孔隙),让第一封装层表面更平滑;还能消除第一封装层和第二封装层中的内应力,以增强整个薄膜封装层的柔韧性和可靠性。
进一步的,由于本实用新型的实施例提供的第二封装层的厚度远远小于相关技术中IJP层的厚度,厚度的减薄对发光基板的色域及光利用率有非常积极的作用。另外,由于可以通过控制制备工艺参数调整上述单层膜结构的第二封装层材料中各元素的占比,进而调节其折射率,相对于相关技术中的IJP层的折射率不可调,本实用新型的实施例提供的该单层膜结构的第二封装层能够适用于不同类型的产品、并根据不同产品的实际情况优化视角。
图11a所示提供了一种OLED发光基板光线射出的模型示意图,下面结合图11a中的结构说明第二封装层如何优化视角。
参考图11a,相关技术中,随着视角的增大(指的是图11a中视角的绝对值增大),光线经过第一封装层28射入第二封装层29时会发生全反射,从而使得大视角的亮度逐渐降低,进而使得观看者在从侧面观看时,显示效果不佳。本实用新型的实施例通过使用上述具有单层膜结构的且材料成分为SiCxNy的第二封装层29,相较于相关技术中的IJP层,使得侧入光线发生全反射的角度增大,例如:相关技术中为射入的光线a发生全反射,而本申请中为射入的光线b发生全反射,其中,光线a的入射角小于光线b的入射角;从而提高侧入光线从第二封装层29射出出光面的概率,以提高从侧视角度射入人眼的光线,进而提高侧视角的亮度,达到优化视角的效果。
另外,结合对第二封装层的厚度进行调整,以达到调节光线,进一步增加侧视角亮度的目的。图10a为相关技术中膜层厚度对光线折射后横向偏移量的影响关系图。图10b为相关技术中光线折射时发生偏移的示意图,由图10b可知:X1=d1*tanθ1,X2=d2*tanθ2,其中,d1为膜层1的厚度,d2为膜层2的厚度,该光线从膜层1经过膜层2之后的偏移量为X1+X2。与图10b中的原理类似,图10a则是光线经过叠层设置的8个膜层之后的偏移量折线图,需要说明的是,在各膜层的材料和折射率确定的情况下,随着总膜层厚度的增加,光线的横向偏移量越大,横向偏移量即为光线折射后沿平行于衬底方向的偏移量,光线的横向偏移量越大,说明从侧视角度射出的光线越多,然而,随着膜厚的增加,光损耗也会增加,正视角度的亮度降低,在实际应用中,需要根据各显示产品的实际设计及正视角和侧视角的光学特性规格确定正视角与侧视角亮度的平衡点。需要说明的是,上述图10a与图10b均用于说明光线折射后,光线的射出位置发生偏移的现象,以辅助理解如何通过调节膜层结构优化视角,具体的光学相关知识可以参考相关技术,这里不再赘述。
可选的,第二封装层为包括至少两个子层的多层膜结构,且第二封装层中相邻两个子层的材料的折射率不同。
具体的,如上表2中所示,第二种第二封装层的具体情况如下:
第二种第二封装层包括位于第一封装层28上且依次第二有机子层、第三有机子层Parylene层、金属氧化物子层AL2O3层和第四无机子层SiNX层,第四无机子层SiNX层和第三封装层30相接触。采用第三种第二封装层制备的发光基板的透过率也为95%,相较于相关技术中的发光基板的透光率提高了7%。
具体的,如上表2中所示,第三种第二封装层的具体情况如下:
第三种第二封装层包括位于第一封装层28上且依次层叠设置的第一无机子层SiO2层、第二无机子层SiNX层、第一有机子层SiCN层和第三无机子层SiNX层;第三无机子层SiNX层和第三封装层30相接触;采用第二种第二封装层制备的发光基板的透过率也为91%,相较于相关技术中的发光基板的透光率提高了3%。
上述第二种第二封装层和第三种第二封装层的具体材料和厚度如上表2所示,这里不再赘述。需要说明的是,这里对于上述第二有机子层的具体材料不做限定;另外,上述Parylene又称作聚对二甲苯涂层。
进一步的,上述具有多层膜结构的第二种第二封装层和第三种第二封装层除能够提高透光率之外,还能够对侧视角的色偏问题有一定的改善作用。图11b示出了采用第二种第二封装层制备的显示面板(对应图11b中实验组1)、采用第三种第二封装层制备的显示面板(对应图11b中实验组2)和相关技术中的显示面板(对应图11b中对照组)的不同视角下的色偏曲线图。参考图11b所示,在0-58°的视角范围内,采用第二种第二封装层制备的显示面板和采用第三种第二封装层制备的显示面板的色偏均小于相关技术中的显示面板的色偏,且在视角为40°的情况下,采用第二种第二封装层制备的显示面板的色偏从相关技术中的色偏为0.11降低至色偏为0.01,显然,采用本实用新型的具有多层膜结构的第二封装层制备的显示面板,能够很大程度上改善相关技术中显示面板的色偏问题。
可选的,参考图3所示,发光基板还包括遮光层46和开关管44;开关管44位于第一极22和遮光层46之间,且开关管44的第一端和第一极22电连接;其中,发光功能层23在衬底45上的正投影和开关管44在衬底45上的正投影均与遮光层46在衬底46上的正投影至少部分交叠。
需要说明的是,图3所示的结构为在发光基板上再形成填充层(Filter)42,隔挡层(Dam)50以及盖板43之后得到的显示面板。本实用新型的实施例并未绘制上述发光基板的结构,由于图3中的显示面板中包括上述发光基板,故以图3的显示面板为例说明遮光层46和开关管44的位置。
上述开关管44为薄膜晶体管,上述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,上述有源层包括半导体区和位于半导体区两侧的导体区,上述有源层的材料可以包括多晶硅、单晶硅或铟镓锌氧化物(IGZO)中的任意一种。
另外,上述开关管的第一端可以为源极,或者也可以为漏极,具体根据实际产品而定。
本实用新型的实施例提供的发光基板,通过设置发光功能层23在衬底45上的正投影和开关管44在衬底45上的正投影均与遮光层46在衬底46上的正投影交叠,使得遮光层能够遮挡从外界摄入的光线对开关管的光电特性的影响,延长开光管的使用寿命;另外,还能够将发光功能层射向衬底方向的光线反射回出光侧,从而提高光线的利用率。
当然,参考图3所示,本实用新型的实施例提供的发光基板还可以包括第一缓冲层(Buffer)47、层间介质层(ILD)48、绝缘层(PVX&PLN)49、像素定义层24、黑色矩阵层33、彩膜层34和第一平坦层(OC)41。这里对于上述发光基板包括的第一缓冲层(Buffer)47、层间介质层(ILD)48、绝缘层(PVX&PLN)49、像素定义层24、黑色矩阵层33、彩膜层34和第一平坦层(OC)41的具体结构不做限定,具体可以根据实际情况确定。
可选的,参考图2所示,发光基板还包括多个触控电容35,触控电容35位于增亮层27远离第二极25的一侧;每个触控电容35包括第一电极层和第二电极层;第二电极层位于第一电极层远离增亮层27的一侧;
第二电极层包括间隔设置第一子电极、第二子电极和第三子电极,第一子电极和第三子电极分别与第一电极层电连接;
其中,第一子电极和第二子电极形成第一子电容,第二子电极和第三子电极形成第二子电容,第二子电极和第一电极层形成第三子电容;第一子电容、第二子电容和第三子电容构成触控电容35。
本实用新型的实施例提供的发光基板还可以包括位于第三封装层30上的第二缓冲层(未示出)、第二平坦层31和第三平坦层32,其中,第二平坦层31覆盖第一电极层,第三平坦层32覆盖第二电极层。同样的,这里对于上述发光基板包括的第二缓冲层(未示出)、第二平坦层31和第三平坦层32的具体结构不做限定,具体可以根据实际情况确定。
本实用新型的实施例提供的发光基板,通过在第三封装层上设置触控电容,将触控电容集成在发光基板中,在实现触控功能的同时,简化了膜层结构,降低成本。
需要说明的是,这里对于上述触控电容的尺寸和具体数量不做限定,具体可以根据实际情况确定。
可选的,参考图4所示,发光基板还包括像素定义层24,像素定义层24具有沿垂直于衬底45方向上的多个开口,发光功能层23至少位于开口内,且增亮层27在衬底45上的正投影与发光功能层23在衬底45上的正投影至少部分交叠。
需要说明的是,图4所示的结构为在发光基板上再形成粘结层(OCA)36和保护膜37之后得到的显示面板。本实用新型的实施例并未绘制上述发光基板的结构,由于图4中的显示面板中包括上述发光基板,故以图4的显示面板为例说明像素定义层的结构。
上述发光功能层23至少位于开口内的含义是:上述发光功能层23仅位于开口内;或者,上述发光功能层23位于开口内,还延伸至开口外的像素定义层的表面,覆盖部分像素定义层;或者,上述发光功能层23位于开口内,还延伸至开口外的像素定义层的表面,覆盖全部的像素定义层。
本实用新型的实施例还提供了一种显示面板,包括如上所述的发光基板。
图3和图4示出了本实用新型的实施例提供的两种显示面板的具体结构。图3所示的结构为在发光基板上再形成填充层(Filter)42,隔挡层(Dam)50以及盖板43之后形成的显示面板。图4所示的结构为在本实用新型的实施例提供的发光基板上再形成粘结层(OCA)36和保护膜37之后形成的显示面板。这里对于上述显示面板的结构不做限定,具体可以根据实际情况进行设置和调整。
图15中(B)图示出了相关技术中设置IJP层时,显示面板的信赖性测试结果,可以看出,其信赖性测试之后显示面板无异常,然而其透光率不能满足需求;图15中(A)图示出了相关技术中未制作IJP层的显示面板的信赖性测试结果,相关技术中不制作IJP层的显示面板,其透光率较设置IJP层的显示面板有一定程度提高,然而由于第一封装层和第二封装层中存在内应力,没有IJP层的缓冲作用,使得在信赖性测试之后,显示面板出现严重的异常。
图16示出了本实用新型的实施例提供的发光基板制作的显示面板在信赖性测试之前(RA 0小时)及信赖性测试之后(RA 240小时)的结果,可见,通过本申请中的第二封装层替换IJP层、增亮层替换LiF层之后,该显示面板的光学特性提高,且信赖性测试通过。
需要说明的是,上述信赖性测试(RA)为:将显示面板在不通电的情况下,在温度为85℃,湿度为85%的环境中放置240小时,取出之后放置在常温条件下,查看外观是否异常、查看点亮后画面是否出现亮点或暗点现象。
本实用新型的实施例提供的显示面板,由于显示面板中设置了具有多个子层结构的增亮层27、且增亮层27相邻的两个子层的材料折射率不同,使得发光功能层23发出的光依次经过第二极26和增亮层26之后,增亮层27能够提高发光功能层23的出光率,从而提高发光基板的透过率,进而提高发光基板制备的显示面板的光学特性。
本实用新型的实施例还提供了一种发光基板的制备方法,参考图12所示,该方法包括:
S01、提供衬底45;
S02、依次形成第一极22、发光功能层23、第二极25和增亮层27;其中,增亮层被配置为提高发光功能层的出光率,且增亮层包括多个子层,相邻两个增亮层的子层材料的折射率不同。
在本实用新型的实施例提供的制备方法制备的发光基板中,通过设置具有多个子层结构的增亮层27、且增亮层27相邻的子层的材料折射率不同,使得发光功能层23发出的光依次经过第二极25和增亮层之后,增亮层能够提高发光功能层的出光率,从而提高发光基板的透过率,进而提高发光基板制备的显示面板的光学特性。上述制备方法简单,制备效率高。
下面以图2所示的发光基板的结构为例,说明该发光基板的制备方法,具体如下:
S1、形成基底21;
其中,上述基底21至少可以包括如图3中所示的衬底45、遮光层46、第一缓冲层(Buffer)47、层间介质层(ILD)48、开关管44和绝缘层(PVX&PLN)49。当然,上述基底21还可以包括其它结构,这里不做限定,具体可以根据实际情况确定。
S2、在基底21上形成第一极22;
S3、在第一极22上形成像素定义层24;其中像素定义层具有沿垂直于基底方向上的多个开口;
S4、在像素定义层(PDL)24上形成发光功能层23;
S5、在发光功能层23上形成第二极25,其中第二极采用Ag和Mg为原料气相沉积形成。
S6、在第二极25上形成覆盖层26(CPL层);
S7、在覆盖层26上形成增亮层27;
S8采用CVD法在增亮层27形成第一封装层28;
S9、以C2H2,SiH4,NH3,H2作为气体源,采用CVD法在第一封装层28形成第二封装层29;
S10、在第二封装层29形成第三封装层30;
S11、形成第一电极层;
S12、在第一电极层上形成第二平坦层31;
S13、在第二平坦层31上形成第二电极层;其中,第二电极层包括间隔设置第一子电极、第二子电极和第三子电极,第一子电极和第三子电极分别与第一电极层电连接;第一子电极和第二子电极形成第一子电容,第二子电极和第三子电极形成第二子电容,第二子电极和第一电极层形成第三子电容;第一子电容、第二子电容和第三子电容构成触控电容35;
S14、在第二电极层上形成第三平坦层32;
S15、在第三平坦层32上形成黑色矩阵层33;
S16、在第三平坦层32上形成彩膜层34。
当然,上述发光基板的制备方法还包括其它步骤,这里仅介绍与发明点相关的步骤,除增量膜和第二封装层之外的其它结构及其制备步骤这里不做限定,具体可以参考相关技术中发光基板的结构和制备过程,这里不再赘述。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种发光基板,其特征在于,包括:衬底以及位于所述衬底之上依次层叠设置的第一极、发光功能层、第二极和增亮层;
其中,所述第二极为出光侧电极;所述增亮层被配置为提高所述发光功能层的出光率,且所述增亮层包括多个子层,所述增亮层的相邻两个子层材料的折射率不同。
2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述增亮层至少包括层叠设置的第一增亮子层、第二增亮子层和第三增亮子层,所述第一增亮子层位于所述第二增亮子层和所述第二极之间;
其中,所述第一增亮子层、所述第二增亮子层和所述第三增亮子层的材料的折射率依次增大。
3.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括覆盖层,所述覆盖层位于所述第二极和所述增亮层之间;
其中,所述增亮层的各子层的材料的折射率均小于所述覆盖层的材料的折射率。
4.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括薄膜封装层,所述薄膜封装层位于所述增亮层远离所述第二极的一侧;
所述薄膜封装层包括层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第二封装层位于所述第一封装层远离所述增亮层的一侧;
其中,所述第二封装层被配置为提高所述发光功能层的出光率,且释放所述第一封装层和所述第三封装层中的内应力。
5.根据权利要求4所述的发光基板,其特征在于,所述第二封装层为单层膜结构,且所述第二封装层的材料的折射率范围为1.5-1.7。
6.根据权利要求4所述的发光基板,其特征在于,所述第二封装层的厚度范围为0.2-2um。
7.根据权利要求4所述的发光基板,其特征在于,所述第二封装层为包括至少两个子层的多层膜结构,且所述第二封装层的相邻两个子层的材料的折射率不同。
8.根据权利要求7所述的发光基板,其特征在于,所述第二封装层的四个子层包括层叠设置的第一无机子层、第二无机子层、第一有机子层和第三无机子层;所述第三无机子层和所述第三封装层相接触;
或者,包括第二有机子层、第三有机子层、金属氧化物子层和第四无机子层,所述第四无机子层和所述第三封装层相接触。
9.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括遮光层和开关管;所述开关管位于所述第一极和所述遮光层之间,且所述开关管的第一端和所述第一极电连接;
所述发光功能层在所述衬底上的正投影和所述开关管在所述衬底上的正投影均与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
10.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括多个触控电容,所述触控电容位于所述增亮层远离所述第二极的一侧;每个所述触控电容包括第一电极层和第二电极层;所述第二电极层位于所述第一电极层远离所述增亮层的一侧;
所述第二电极层包括间隔设置第一子电极、第二子电极和第三子电极,所述第一子电极和所述第三子电极分别与所述第一电极层电连接;
其中,所述第一子电极和所述第二子电极形成第一子电容,所述第二子电极和所述第三子电极形成第二子电容,所述第二子电极和所述第一电极层形成第三子电容;所述第一子电容、所述第二子电容和所述第三子电容构成所述触控电容。
11.根据权利要求1-10任一项所述的发光基板,其特征在于,所述发光基板还包括像素定义层,所述像素定义层具有沿垂直于所述衬底方向上的多个开口,所述发光功能层至少位于所述开口内,且所述增亮层在所述衬底上的正投影与所述发光功能层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
12.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-11中任一项所述的发光基板。
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