CN215103676U - 一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于晶体生长应用技术领域，具体公开了一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体、上保温屏、下保温屏、外保温屏、内保温屏、水冷坩埚杆、坩埚护套、坩埚、发热体、温度辅助调节部和若干个温度调节部。本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
Description
技术领域
本实用新型属于单晶生长应用技术领域，具体涉及一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，特别适用于大尺寸低温氟化物单晶的生长。
背景技术
现有的温度梯度法温场调节方式主要依靠加热器的热源供应，水冷坩埚杆的导热，底部保温内屏的升降，方法单一，针对不同的晶体温度梯度基本一致，难以实现一台晶体炉对不同晶体的生长需求，而这是当前所亟待解决的。
因此，基于上述问题，本实用新型提供一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉。
实用新型内容
实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
技术方案：本实用新型提供的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体，及设置在炉体内且相配合使用的上保温屏、下保温屏、外保温屏和内保温屏，及设置在炉体内且贯穿下保温屏的水冷坩埚杆，及设置在水冷坩埚杆上且相配合使用的坩埚护套、坩埚，及设置在坩埚、内保温屏之间的发热体，及设置在坩埚、发热体之间的温度辅助调节部，及设置在温度辅助调节部上的若干个温度调节部。
本技术方案的，所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括贯穿上保温屏且位于坩埚内的顶部热偶。
本技术方案的，所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括依次贯穿炉体、外保温屏、内保温屏且位于发热体一侧的测温仪。
本技术方案的，所述坩埚为石墨坩埚或钨钼坩埚，发热体为钨丝网加热器或石墨加热器，温度辅助调节部、若干个温度调节部为一体成型的石墨制得。
本技术方案的，所述温度辅助调节部设置为长方形板状结构或圆形结构，所述若干个温度调节部设置为圆孔结构或条形通槽结构。
本技术方案的，所述若干个温度调节部的尺寸由上至下依次递减。
与现有技术相比，本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
附图说明
图1是本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的结构示意图；
图2是本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的温度辅助调节部、若干个温度调节部的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型。
如图1和图2所示的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体1，及设置在炉体1内且相配合使用的上保温屏3、下保温屏13、外保温屏2和内保温屏12，及设置在炉体1内且贯穿下保温屏13的水冷坩埚杆8，及设置在水冷坩埚杆8上且相配合使用的坩埚护套7、坩埚6，及设置在坩埚6、内保温屏12之间的发热体4，及设置在坩埚6、发热体4之间的温度辅助调节部10，及设置在温度辅助调节部10上的若干个温度调节部11。
进一步优选的，所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括贯穿上保温屏3且位于坩埚6内的顶部热偶5；及所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括依次贯穿炉体1、外保温屏2、内保温屏12且位于发热体4一侧的测温仪9；及所述坩埚6为石墨坩埚或钨钼坩埚，发热体4为钨丝网加热器或石墨加热器，温度辅助调节部10、若干个温度调节部11为一体成型的石墨制得。
本结构的温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，所述温度辅助调节部10设置为长方形板状结构或圆形结构，所述若干个温度调节部11设置为圆孔结构或条形通槽结构；及所述若干个温度调节部11的尺寸由上至下依次递减。
本结构的温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
本结构的温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，具体调节方式如下：1、安装顶部测温热偶，顶部测温热偶再升温过程中可以上下移动，顶部测温热偶移动过程中可以测得温场的上下分布；2、根据温场的上下分布可以设计调节板的具体开孔方式以达到需要的温度梯度，其中，温度调节板的是以一种间接隔热的方式来实现加热器与坩埚之间的热交换，调节板的厚度以及开孔方式能实现晶体所需要的温度梯度的上下均匀分配，同时在底部水冷坩埚杆的配合下，根据不同的设计结构，晶体生长的梯度可以实现10℃-30℃/cm的一个梯度分布。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：包括炉体（1），及设置在炉体（1）内且相配合使用的上保温屏（3）、下保温屏（13）、外保温屏（2）和内保温屏（12），及设置在炉体（1）内且贯穿下保温屏（13）的水冷坩埚杆（8），及设置在水冷坩埚杆（8）上且相配合使用的坩埚护套（7）、坩埚（6），及设置在坩埚（6）、内保温屏（12）之间的发热体（4），及设置在坩埚（6）、发热体（4）之间的温度辅助调节部（10），及设置在温度辅助调节部（10）上的若干个温度调节部（11）。
2.根据权利要求1所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括贯穿上保温屏（3）且位于坩埚（6）内的顶部热偶（5）。
3.根据权利要求1或2所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，还包括依次贯穿炉体（1）、外保温屏（2）、内保温屏（12）且位于发热体（4）一侧的测温仪（9）。
4.根据权利要求1所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述坩埚（6）为石墨坩埚或钨钼坩埚，发热体（4）为钨丝网加热器或石墨加热器，温度辅助调节部（10）、若干个温度调节部（11）为一体成型的石墨制得。
5.根据权利要求4所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述温度辅助调节部（10）设置为长方形板状结构或圆形结构，所述若干个温度调节部（11）为且不仅限于圆孔结构或条形通槽结构。
6.根据权利要求4所述的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，其特征在于：所述若干个温度调节部（11）的尺寸由上至下依次递减。
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| CN202023208098.XU CN215103676U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114752999A (zh) * | 2022-03-30 | 2022-07-15 | 深圳大学 | 一种制备晶体的设备及方法 |
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2020
- 2020-12-28 CN CN202023208098.XU patent/CN215103676U/zh active Active
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| CN114752999B (zh) * | 2022-03-30 | 2023-08-11 | 深圳大学 | 一种制备晶体的设备及方法 |
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