CN214736083U - 一种优化沉积腔的线式pecvd设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种优化沉积腔的线式PECVD设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。本实用新型的目的在于提供一种优化沉积腔的线式PECVD设备，对各沉积反应进行分段，以调整各沉积反应间的工作节拍，提高整线的产能。

Description

一种优化沉积腔的线式PECVD设备

技术领域

本实用新型涉及一种优化沉积腔的线式PECVD设备。

背景技术

太阳能电池片的生产中，通常采用PECVD设备在硅片的正反面进行非晶硅本征层(I层)和N型薄膜硅层(N层)或P型薄膜硅层(P层)的沉积，目前存在以下问题：1、因I层、N层、P层各层所需的沉积工艺时间长短不一，特别是进行I层沉积所需时间较长，后续工序等待时间长，影响沉积效率，严重影响整线的产能节拍；2、相邻反应室沉积不同膜层时，容易出现残留气体相互之间交叉污染，影响产品的质量及电性转换效率。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种优化沉积腔的线式PECVD设备，对各沉积反应进行分段，以调整各沉积反应间的工作节拍，提高整线的产能。

本实用新型的目的通过如下技术方案实现：

一种优化沉积腔的线式PECVD设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。

较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：对各沉积反应进行分段，在满足工艺需求的前提下，提升整线运行节拍，即节约沉积时间，又保证了工艺的可灵活调整性。

附图说明

图1是本实用新型一种优化沉积腔的线式PECVD设备的实施例的结构简图。

图2是图1中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。

图3是图1中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。

图4是图1中的第三沉积装置及关联设备的局部放大图。

图5是图1的侧视简图。

图6是反应腔一种实施例的剖视简图，图中反映加热板与载板相分离的状态。

图7是图6的另一状态简图，图中反映加热板与载板相接触的状态。

图8是图6中载板一种实施例的俯视结构简图。

图9是本实用新型一种优化沉积腔的线式PECVD设备的另一实施例的结构简图。

图10是图9中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。

图11是图9中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。

图12是本实用新型一种优化沉积腔的线式PECVD设备的另一实施例的结构简图。

图13是图12中的第一沉积装置及关联设备的局部放大图。

图14是图12中的第二沉积装置及关联设备的局部放大图。

图15是图12中的第三沉积装置及关联设备的局部放大图。

标号说明：

A101-第一载板升降机构 A102-第一装载组件

A104-第一花篮传输机构 A105-第一花篮出片机构

A106-第一基片上料机构

B101-第一预热腔I B110-第一预热腔II

B102-第一反应腔I B103-第一反应腔II

B114-第一反应腔III B104-第一冷却腔I

B111-第一冷却腔II B105-第一预热室第一密封隔断组件

B112-第一预热室第二密封隔断组件 B106-第一反应室第一密封隔断组件

B107、B115-第一反应室第二密封隔断组件

B108-第一冷却室第一密封隔断组件 B109-第一冷却室第二密封隔断组件

B113-第一冷却室第三密封隔断组件

C101-第一出片组件 C103-第一载板回转机构

C106-第一基片收集机构 C107-第一装片机构

C108-第一花篮输送机构 C109-第一卸片机构

C110-第一基片分装机构 C104-第二装载组件

D101-第二预热腔I D102-第二反应腔I

D112-第二缓冲室 D103-第二反应腔II

D104-第二反应腔III D115-第二反应腔IV

D105-第二冷却腔I D106-第二预热室第一密封隔断组件

D107-第二反应室第一密封隔断组件 D108、D109、D116-第二反应室第二密封隔断组件

D110-第二冷却室第一密封隔断组件 D111-第二冷却室第二密封隔断组件

D113-第二缓冲室第一密封隔断组件 D114-第二缓冲室第二密封隔断组件

E101-第二出片组件 E103-第二载板回转机构

E106-第二基片收集机构 E107-第二装片机构

E108-第二花篮输送机构 E109-第二卸片机构

E110-第二基片分装机构 E104-第三装载组件

F102-第三预热腔I F103-第三反应腔I

F109-第三反应腔II F104-第三冷却腔I

F105-第三预热室第一密封隔断组件 F106-第三反应室第一密封隔断组件

F110-第三反应室第二密封隔断组件 F107-第三冷却室第一密封隔断组件

F108-第三冷却室第二密封隔断组件

G101-第三出片组件 G103-第三载板升降机构

G104-第三基片收集机构 G105-第三装片机构

G106-第三花篮传输机构

S101-第一载板回流组件 S102-第二载板回流组件

S103-第三载板回流组件

H01-反应气体分布器 J01-载板传动辊轮

K01-加热板 M01-载板

N01-子载板

具体实施方式

下面结合说明书附图和实施例对本实用新型内容进行详细说明：

实施例1：

如图1至图8所示为本实用新型提供的一种优化沉积腔的线式PECVD设备的实施例示意图。

一种优化沉积腔的线式PECVD设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。

所述第一反应室由完成第一沉积层分次沉积的两个以上第一反应腔构成；所述第二反应室，由完成第二沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔以及完成第三沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔构成，或者由完成第二沉积层分次沉积的两个以上第二反应腔以及完成第三沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔构成；所述第三反应室由完成第四沉积层一次性或分次沉积的一个以上第三反应腔。

所述第一反应室由依次连接的第一反应腔I B102、第一反应腔II B103构成；所述第一反应腔I B102为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第一反应腔II B103为沉积硅片一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；

所述第二反应室由依次连接的第二反应腔I D102、第二反应腔II D103、第二反应腔III D104构成；所述第二反应腔I D102为沉积硅片另一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第二反应腔II D103为沉积硅片另一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第二反应腔III D104为沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层完整厚度的第二薄膜硅层反应腔室III；

所述第三反应室由第三反应腔I F103构成；所述第三反应腔I F103为沉积P型薄膜硅层或N型薄膜硅层完整厚度的第三薄膜硅层反应腔室I。

在一优选方案中，所述第一反应腔I B102沉积硅片一面的非晶硅本征层部分的厚度，所述第一反应腔II B103沉积硅片一面的非晶硅本征层余下厚度；所述第二反应腔ID102为沉积硅片另一面的非晶硅本征层部分的厚度；所述第二反应腔II D103沉积硅片另一面的非晶硅本征层余下的厚度；所述第二反应腔III D104沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层全部的厚度；所述第三反应腔I F103沉积P型薄膜硅层完整的厚度。

相邻第一反应腔之间设有第一反应室第二密封隔断组件B107；相邻第二反应腔之间设有第二反应室第二密封隔断组件D108、D109。

所述第一沉积装置与第二沉积装置之间设有用于基片翻面、转运的第一基片翻面移转装置，所述第二沉积装置与第三沉积装置之间设有用于基片翻面、转运的第二基片翻面移转装置；所述第一沉积装置与第二沉积装置之间设有用于基片载板升降回转的第一载板回转机构C103，所述第二沉积装置与第三沉积装置之间设有用于基片载板升降回转的第二载板回转机构E103。

所述第一沉积设备还包括第一载板升降机构A101、与第一载板升降机构A101出料端连接的第一装载组件A102、进料端与第一装载组件A102出料端相连且出料端与第一反应室进料端相连的第一预热室、与第一反应室出料端相连的第一冷却室、与第一冷却室出料端相连的第一出片组件C101；第一出片组件C101的出料端与第一载板回转机构C103的进料端相连；所述第一预热室进料端设有第一预热室第一密封隔断组件B105；所述第一预热室与第一反应室之间设有第一反应室第一密封隔断组件B106；所述第一反应室与第一冷却室之间设有第一冷却室第一密封隔断组件B108；所述第一冷却室出料端设有第一冷却室第二密封隔断组件B109。所述第一装载组件包括依次连接的第一布片平台和第一进片过渡平台。所述第一预热室包括第一预热腔I B101，所述第一冷却室包括第一冷却腔I B104。所述第一出片组件包括依次连接的第一出片平台和第一卸片平台。

所述第二沉积设备包括第二装载组件C104、进料端与第二装载组件C104出料端相连且出料端与第二反应室进料端相连的第二预热室、与第二反应室出料端相连的第二冷却室、与第二冷却室出料端相连的第二出片组件E101；第二出片组件E101的出料端与第二载板回转机构E103的进料端相连；所述第二预热室进料端设有第二预热室第一密封隔断组件D106；所述第二预热室与第二反应室之间设有第二反应室第二密封隔断组件D108、D109；所述第二反应室与第二冷却室之间设有第二冷却室第一密封隔断组件D110；所述第二冷却室出料端设有第二冷却室第二密封隔断组件D111。所述第二装载组件包括依次连接的第二布片平台和第二进片过渡平台。所述第二预热室包括第二预热腔I D101，所述第二冷却室包括第二冷却腔I D105。所述第二出片组件包括依次连接的第二出片平台和第二卸片平台。

所述第三沉积设备包括第三装载组件E104、进料端与第三装载组件E104出料端相连且出料端与第三反应室出料端相连的第三预热室、与第三反应室出料端相连的第三冷却室、与第三冷却室出料端相连的第三出片组件G101、与第三出片组件G101相连的用于基片载板下降回转的第三载板升降机构G103；所述第三预热室进料端设有第三预热室第一密封隔断组件F105；所述第三预热室与第三反应室之间设有第三反应室第一密封隔断组件F106；所述第三反应室与第三冷却室之间设有第三冷却室第一密封隔断组件F107；所述第三冷却室出料端设有第三冷却室第二密封隔断组件F108。所述第三装载组件包括依次连接的第三布片平台和第三进片过渡平台。所述第三预热室包括第三预热腔I F102，所述第三冷却室包括第三冷却腔I F104。所述第三出片组件包括依次连接的第三出片平台和第三卸片平台。

所述第一沉积装置下方设有与第一载板升降机构A101和第一载板回转机构C103相配合回流第一沉积装置载板的第一载板回流组件S101；所述第二沉积装置下方设有与第一载板回转机构C10和第二载板回转机构E103相配合回流第二沉积装置载板的第二载板回流组件S102；所述第三沉积装置下方设有与第二载板回转机构E103和第三载板升降机构G103相配合回流第三沉积装置载板的第三载板回流组件S103。

所述第一基片翻面移转装置包括翻转收集基片的第一基片收集机构C106、与第一基片收集机构C106配合的的第一装片机构C107、与第一装片机构C107配合的第一花篮输送机构C108、与第一花篮输送机构C108输出端连接的第一卸片机构C109、与第一卸片机构C109配合对基片进行分装的第一基片分装机构C110；所述第二基片翻面移转装置包括翻转收集基片的第二基片收集机构E106、与第二基片收集机构E106配合的的第二装片机构E107、与第二装片机构E107配合的第二花篮输送机构E108、与第二花篮输送机构E108输出端连接的第二卸片机构E109、与第二卸片机构E109配合对基片进行分装的第二基片分装机构E110。

上述各腔室设置的密封隔断组件通常为密封隔断阀门。

本实施例制备太阳能电池片的工作流程如下：

花篮通过第一花篮传输机构A104输送到第一花篮出片机构A105，从花篮中将硅片掏出并由第一基片上料机构A106将硅片按一定间距排列，此时载板M01从第一载板升降机构A101传到第一装载组件A102，硅片在第一装载组件A102处放入载板M01的子载板N01中(其中子载板有多种形式)；载板M01继续传送到第一装载组件A102出料端，然后第一预热室第一密封隔断组件B105打开，载板进入第一预热腔I B101，第一预热室第一密封隔断组件B105关闭，第一预热腔I B101开始抽空并给硅片加热；硅片加热到一定温度，第一反应室第一密封隔断组件B106打开，载板M01传入第一反应腔I B102，载板到位后第一反应室第一密封隔断组件B106关闭；第一反应腔I B102的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01持续加热，上方的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方开始沉积非晶硅本征层(I层)，沉积完后加热板K01下降，第一反应室第二密封隔断组件B107打开，载板M01传到第一反应腔II B103，载板M01到位后第一反应室第二密封隔断组件B107关闭，第一反应腔II B103的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01继续加热，第一反应腔II B103上方的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方继续沉积非晶硅本征层(I层)，沉积完后加热板K01下降，第一冷却室第一密封隔断组件B108打开，载板M01传到CVD1冷却腔B04，载板M01到位后CVD1腔室阀门四B08关闭，载板M01上的硅片在第一冷却腔I B104冷却到一定温度后，第一冷却腔IB104破空，当破空完成后第一冷却室第二密封隔断组件B109打开，载板M01传出到第一出片组件C101，载板M01到位后第一冷却室第二密封隔断组件B109关闭，载板M01继续传输到第一出片组件C101出料端，并将载板M01上的子载板N01上的硅片取出放在第一基片收集机构C106上，硅片传进第一装片机构C107进入花篮，花篮装满后利用第一花篮输送机构C108将花篮翻转180度后并传输到第一卸片机构C109；载板M01上的子载板N01上的硅片取完后，载板M01传到第一载板回转机构C103，载板M01经第一载板回流组件S101载板传输到第一载板升降机构A101重复第一沉积阶段的生产流程。

花篮到第一卸片机构C109，从花篮中将硅片掏出并由第一基片分装机构C110将硅片按一定间距排列，此时载板M01从第一载板回转机构C103传到第二装载组件C104，第一基片分装机构C110将硅片放在第二装载组件C104处的载板M01的子载板N01中；载板M01继续传送到第二装载组件C104出料端，然后第二预热室第一密封隔断组件D106打开，载板进入第二预热腔I D101，载板到位后第二预热室第一密封隔断组件D106关闭，第二预热腔ID101开始抽空并给硅片加热；硅片加热到到一定温度，第二反应室第一密封隔断组件D107打开，载板M01传入第二反应腔I D102，载板到位后第二反应室第一密封隔断组件D107关闭；第二反应腔I D102的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01持续加热，上方的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方开始沉积非晶硅本征层(I层)，沉积完后加热板K01下降，第二反应室第二密封隔断组件D108打开，载板M01传到第二反应腔II D103，载板M01到位后第二反应室第二密封隔断组件D108关闭，第二反应腔II D103的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01继续加热，第二反应腔II D103的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方继续沉积非晶硅本征层(I层)，沉积完后加热板K01下降，第二反应室第二密封隔断组件D109打开，载板M01传到第二反应腔III D104，载板到位后第二反应室第二密封隔断组件D109关闭，第二反应腔III D104的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01持续加热，上方的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方开始沉积N型薄膜硅层(N层)或P型薄膜硅层(P层)，沉积完后加热板K01下降，第二冷却室第一密封隔断组件D110打开，载板M01传到第二冷却腔I D105，载板M01到位后第二冷却室第一密封隔断组件D110关闭，载板M01上的硅片在第二冷却腔I D105冷却到一定温度后，第二冷却腔I D105破空，当破空完成后第二冷却室第二密封隔断组件D111打开，载板M01传出到第二出片组件E101，载板M01到位后第二冷却室第二密封隔断组件D111关闭，载板M01继续传输到第二冷却室第二密封隔断组件D111出料端,并将载板M01上的子载板N01上的硅片取出放在第二基片收集机构E106上，硅片传进第二装片机构E107进入花篮，花篮装满后从第二花篮输送机构E108将花篮翻转180度后并传输到第二卸片机构E109；载板M01上的子载板N01上的硅片取完后，载板M01传到第二载板回转机构E103，载板M01经第二载板回流组件S102载板传输到第一载板回转机构C103重复第二沉积阶段的生产流程。

花篮到第二卸片机构E109，从花篮中将硅片掏出并由第二基片分装机构E110将硅片按一定间距排列，此时载板M01从第二载板回转机构E103传到第三装载组件E104，第二基片分装机构E110将硅片放在第三装载组件E104处的载板M01的子载板N01中；载板M01继续传送到第三装载组件E104出料端，然后第三预热室第一密封隔断组件F105打开，载板进入第三预热腔I F102，载板到位后第三预热室第一密封隔断组件F105关闭，第三预热腔IF102开始抽空并给硅片加热；硅片加热到到一定温度，第三反应室第一密封隔断组件F106打开，载板M01传入第三反应腔I F103，载板到位后第三反应室第一密封隔断组件F106关闭；第三反应腔I F103的加热板K01上升并接触到载板M01上的子载板N01持续加热，上方的反应气体分布器H01进入GAS，GAS经过反应气体分布器H01均匀的扩散到硅片上方开始沉积P型薄膜硅层(P层)或N型薄膜硅层(N层)，沉积完后加热板K01下降，第三冷却室第一密封隔断组件F107打开，载板M01传到第三冷却腔I F104，载板M01到位后第三冷却室第一密封隔断组件F107关闭，载板M01上的硅片在第三冷却腔I F104冷却到一定温度后，第三冷却腔IF104破空，当破空完成后第三冷却室第二密封隔断组件F108打开，载板M01传出到第三出片组件G101，载板M01到位后第三冷却室第二密封隔断组件F108关闭，载板M01继续传输到第三出片组件G101出料端,并将载板M01上的子载板N01上的硅片取出放在第三基片收集机构G104上，硅片传进后第三装片机构G105进入花篮，花篮装满后从第三花篮传输机构G106传出；载板M01上的子载板N01上的硅片取完后，载板M01传到第三载板升降机构G103，载板M01经第三载板回流组件S103载板传输到第二载板回转机构E103重复第三沉积阶段的生产流程。

实施例2：

如图9至图11所示，本实施例与实施例1相比，结构上的差别在于：

所述第一预热室由依次连接的第一预热腔I B101、第二预热腔II B110构成；第一预热腔I B101和第二预热腔II B110之间设有第一预热室第二密封隔断组件B112；所述第一冷却室由依次连接的第一冷却腔I B104、第一冷却腔IIB111构成；第一冷却腔I B104和第一冷却腔II B111之间设有第一冷却室第三密封隔断组件B113。预热室和冷却室分别设计有两个独立腔室，在提升预热和冷却效果的同时，缩短反应室等待预热和冷却时间，对整线运行节拍提升，产线运行也更加顺畅和合理，满足工艺需求，提高了产品的性能质量；并且提高设备的利用率，降低能耗，节约成本。

所述第二反应腔II D103与第二反应腔III D104之间的第二反应室第二密封隔断组件由第二缓冲室D112以及分设于第二缓冲室进料端和出料端的第二缓冲室第一密封隔断组件D113、第二缓冲室第二密封隔断组件D114所替代。不同沉积反应的反应腔之间设置缓冲室，起到隔离缓冲作用，避免等离子及副产物相互交叉污染，提高产品的质量和性能。

实施例3：

如图12至图15所示，本实施例与实施例1相比，结构上的差别在于：

所述第一反应室由依次连接的第一反应腔I B102、第一反应腔II B103、第一反应腔III B114构成；所述第一反应腔I B102为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第一反应腔II B103为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第一反应腔III B114为沉积硅片一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室III；

所述第二反应室由依次连接的第二反应腔I D102、第二反应腔II D103、第二反应腔III D104、第二反应腔IV D115构成；所述第二反应腔I D102为沉积硅片另一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第二反应腔II D103为沉积硅片另一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第二反应腔III D104为N型薄膜硅层或P型薄膜硅层部分厚度的第二薄膜硅层反应腔室III；所述第二反应腔IV D115为沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层余下厚度的第二薄膜硅层反应腔室IV；

所述第三反应室由第三反应腔I F103、第三反应腔II F109构成；所述第三反应腔I F103为沉积P型薄膜硅层或N型薄膜硅层部分厚度的第三薄膜硅层反应腔室I；所述第三反应腔II F109为沉积P型薄膜硅层或N型薄膜硅层余下厚度的第三薄膜硅层反应腔室II。

相邻第一反应腔之间设有第一反应室第二密封隔断组件B107、B115；相邻第二反应腔之间设有第一反应室第二密封隔断组件D108、D109、D116；相邻第三反应腔之间设有第三反应室第二密封隔断组件F110。

Claims (8)

1.一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第一反应室；所述第一反应室主要由依次连接的二个以上第一反应腔构成；所述第二沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第二反应室；所述第二反应室主要由依次连接的三个以上第二反应腔构成；所述第三沉积装置包括两端分设有密封隔断组件的第三反应室；所述第三反应室主要由依次连接的一个以上第三反应腔构成。

2.根据权利要求1所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一反应室由完成第一沉积层分次沉积的两个以上第一反应腔构成；所述第二反应室，由完成第二沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔以及完成第三沉积层分次沉积的二个以上第二反应腔构成，或者由完成第二沉积层分次沉积的两个以上第二反应腔以及完成第三沉积层一次性或分次沉积的一个以上第二反应腔构成；所述第三反应室由完成第四沉积层一次性或分次沉积的一个以上第三反应腔。

3.根据权利要求2所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：当相邻两第二反应腔进行不同的沉积反应时，该两个第二反应腔之间设有第二缓冲室；所述第二缓冲室进料端设有第二缓冲室第一密封隔断组件；所述第二缓冲室出料端设有第二缓冲室第二密封隔断组件。

4.根据权利要求3所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一沉积装置还包括出料端与第一反应室进料端相连的第一预热室以及进料端与第一反应室出料端相连的第一冷却室；所述第一预热室由依次连接的一个以上预热腔构成；

所述第二沉积装置还包括出料端与第二反应室进料端相连的第二预热室以及进料端与第二反应室出料端相连的第二冷却室；

所述第三沉积装置还包括出料端与第三反应室进料端相连的第三预热室以及进料端与第三反应室出料端相连的第三冷却室；所述第二预热室由依次连接的一个以上预热腔构成。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：所述第一反应室由依次连接的第一反应腔I、第一反应腔II构成；所述第一反应腔I为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室A；所述第一反应腔II为沉积硅片一面非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；

所述第二反应室由依次连接的第二反应腔I、第二反应腔II、第二反应腔III构成；所述第二反应腔I为沉积硅片另一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第二反应腔II为沉积硅片另一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第二反应腔III为沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层完整厚度的第二薄膜硅层反应腔室III；

所述第三反应室由第三反应腔I构成；所述第三反应腔I为沉积硅片一面的P型薄膜硅层或N型薄膜硅层完整厚度的第三薄膜硅层反应腔室I。

6.根据权利要求5所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：相邻第一反应腔之间设有第一反应室第二密封隔断组件；相邻第二反应腔之间设有第二反应室第二密封隔断组件；当第三反应室由依次连接的两个以上第三反应腔构成时，相邻第三反应腔之间设有第三反应室第二密封隔断组件。

7.根据权利要求2-4任意一项所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：

所述第一反应室由依次连接的第一反应腔I、第一反应腔II、第一反应腔III构成；所述第一反应腔I为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第一反应腔II为沉积硅片一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第一反应腔III为沉积硅片一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室III；

所述第二反应室由依次连接的第二反应腔I、第二反应腔II、第二反应腔III、第二反应腔IV构成；所述第二反应腔I为沉积硅片另一面的非晶硅本征层部分厚度的非晶硅本征层反应腔室I；所述第二反应腔II为沉积硅片另一面的非晶硅本征层余下厚度的非晶硅本征层反应腔室II；所述第二反应腔III为沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层部分厚度的第二薄膜硅层反应腔室III；所述第二反应腔IV为沉积N型薄膜硅层或P型薄膜硅层余下厚度的第二薄膜硅层反应腔室IV；

所述第三反应室由依次连接的第三反应腔I、第三反应腔II构成；所述第三反应腔I为沉积P型薄膜硅层或N型薄膜硅层部分厚度的第三薄膜硅层反应腔室I；所述第三反应腔II为沉积P型薄膜硅层或N型薄膜硅层余下厚度的第三薄膜硅层反应腔室II。

8.根据权利要求7所述的一种优化沉积腔的线式PECVD设备，其特征在于：相邻第一反应腔之间设有反应室第二密封隔断组件；相邻第二反应腔之间设有第二反应室第二密封隔断组件；相邻第三反应腔之间设有第三反应室第二密封隔断组件。

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