CN114242834A - 一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，包括光注入模块和磁控溅射镀膜设备；其中磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的样品预热；制程室对预热后的待镀膜的样品镀膜；制程后室将镀膜后的样品冷却；光注入模块设置在制程前室内用于对待镀膜的样品进行光注入处理。本发明的实施例将光注入模块集成到磁控溅射设备的某些非镀膜腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属薄膜前完成光注入处理，有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，特别涉及到一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备及方法。
背景技术
太阳电池制备完成后再进行光注入处理，即在一定温度下，使用一定波长的高强度光照射电池表面一段时间后，电池效率将获得明显提升，主要表现在开路电压和填充因子的提升。其作用机理在于光照激活了钝化膜中的氢原子，使其与缺陷结合，降低了电池内的复合中心密度，获得钝化效果的改善，最终达到提升开路电压和填充因子的目的。光注入处理因具有效果显著、方法简单、适合产业化应用等优点，逐渐成为电池生产中的重要工序。
现有技术对银电极异质结太阳电池的光注入工序设在电极印刷烧结后，所以相当一部分光注入炉都是集成在固化烧结与测试分选工序之间。其光注入处理的工艺流程通常为：电池片上料→基片台加热升温→光照→降温→电池片下料，加热步骤的工艺温度在150℃以上，以200℃左右为最佳。
但是对铜栅线异质结太阳电池，若在包覆有金属锡的铜电极制备完成后，再对电池进行光注入处理，则光热作用下由于金属锡流动性的变化，其对铜电极均匀、完整的包覆结构将受到破坏，导致后续形成组件时出现焊接不良甚至焊接失效的问题。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一，提出了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，将光注入工序与太阳电池磁控溅射镀膜工序融合，解决铜栅线异质结太阳电池，由于光注入工序设在电极制备完成后，光注入处理使铜电极结构发生变化进而严重影响电池串焊，铜栅线异质结太阳电池光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一，提出了一种铜栅线异质结太阳电池的生产方法，解决了铜栅线异质结太阳电池光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾。
有鉴于此，本发明提出了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，包括光注入模块和磁控溅射镀膜设备；所述光注入模块用于对待镀膜的样品进行光注入；所述磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的所述样品预热；制程室对预热后待镀膜的所述样品镀膜；制程后室将镀膜后的所述样品冷却；所述光注入模块设置在所述制程前室内。
在一些实施例中，所述制程前室包括上下游依次设置的进片室、预热室和第一缓冲室；所述光注入模块设置在所述进片室、所述预热室和所述第一缓冲室至少其中之一的腔室内。
在一些实施例中，所述光注入模块为多个点光源阵列和/或多个带状光源。
在一些实施例中，所述点光源及带状光源为卤素灯或LED灯，其发光强度是太阳光强的2-80倍，发光波长为300-1100nm。
在一些实施例中，所述光注入模块位于或靠近所述腔室的顶部，向下辐照样品；和/或位于或靠近所述腔室的底部，向上辐照样品。
在一些实施例中，待镀膜的所述样品为所述铜栅线异质结太阳电池中形成p-n结且包含氢钝化层的结构，但不包括TCO薄膜及金属薄膜。
在一些实施例中，所述铜栅线异质结太阳电池为硅异质结电池，待镀膜的所述样品包括：第一晶硅衬底、第一非晶硅薄膜和第一掺杂硅基薄膜；其中所述第一非晶硅薄膜设置在所述第一晶硅衬底相对设置的两个表面上；所述第一掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜，所述p型掺杂硅基薄膜和所述n型掺杂硅基薄膜分别设置在两个所述第一非晶硅薄膜远离所述第一晶硅衬底的表面上。
在一些实施例中，所述铜栅线异质结太阳电池为背接触异质结电池，待镀膜的所述样品包括：第二晶硅衬底，氢钝化薄膜，第二非晶硅薄膜和第二掺杂硅基薄膜；其中所述第二晶硅衬底具有相对设置的正面和背面；所述氢钝化薄膜设置在所述第二晶硅衬底的正面上；所述第二非晶硅薄膜设置在所述第二晶硅衬底的背面上；所述第二掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜；所述p型掺杂硅基薄膜和所述n型掺杂硅基薄膜呈叉指状排列，设置在所述第二非晶硅薄膜远离所述第二晶硅衬底的表面上。
在一些实施例中，提出了一种铜栅线异质结太阳电池的生产方法，利用上述任一实施例中的生产集成设备生产所述铜栅线异质结太阳电池的步骤包括：提供待镀膜的所述样品；在所述制程前室进行光注入处理，并在制程室依次进行TCO薄膜和金属薄膜沉积；在制程后室将镀膜后的所述样品冷却并输出。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为相关技术中磁控溅射镀膜设备的模块示意图。
图2为本发明一个实施例提供的生产集成设备的模块示意图。
图3为与图2中光注入模块辐照方向相反的生产集成设备的模块示意图。
图4为本发明另一个实施例提供的生产集成设备的模块示意图。
图5为本发明又一个实施例提供的生产集成设备的模块示意图。
图6为本发明一个实施例提供的多个光注入模块集成的生产集成设备的模块示意图。
图7为本发明另一个实施例提供的多个光注入模块集成的生产集成设备的模块示意图。
附图标记
进片室1；预热室2；第一缓冲室3；第一制程室4；第二制程室5；冷却室6；第二缓冲室7；出片室8；
生产集成设备100；
光注入模块10；
磁控溅射镀膜设备20；
制程前室21；进片室211；预热室212；第一缓冲室213；
制程室22；第一制程室221；第二制程室222；镀膜靶位202；
制程后室23；冷却室231；第二缓冲室232；出片室233。
具体实施方式
本发明是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识做出的：
相关技术中利用磁控溅射镀膜设备对待镀膜样品制备成异质结太阳电池，下面参考图1描述相关技术中磁控溅射镀膜设备的模块。其中磁控溅射镀膜设备的主要组成腔室如图1所示，包括上下游依次设置的进片室1，预热室2，第一缓冲室3，第一制程室4，第二制程室5，冷却室6，第二缓冲室7和出片室8，待镀膜的样品放置于根据样品尺寸和镀膜要求而定制的载板上，通过上下游依次设置各腔室，载板在上述各腔室之间的传输通过履带来完成。
其中进片室1是磁控溅射镀膜设备最前端的真空腔室，接收外部自动化上料端传来的待镀膜的样品并传送至预热室2；预热室2对待镀膜的样品进行预加热后传送至第一缓冲室3；第一缓冲室3调节待镀膜的样品的传送速度以匹配第一制程室4和第二制程室5设定的传送速度；第一制程室4和第二制程室5是待镀膜的样品沉积TCO薄膜及金属薄膜(Cu、Ni等)的主要场所，每台磁控溅射镀膜设备可包含多个第一制程室4和多个第二制程室5，每个第一制程室4和第二制程室5内可设置多个镀膜靶位，每个镀膜靶位可位于第一制程室4和第二制程室5的顶部或底部，进行自上而下的镀膜或自下而上的镀膜。冷却室6对已镀膜的样品进行降温处理使其在一定程度上冷却下来；第二缓冲室7调节已镀膜的样品的传送速度以匹配出片室8；出片室8为磁控溅射镀膜设备最末端的真空腔室，将已镀膜的样品送到外部自动化下料端。
相关技术中，对银电极异质结太阳电池的光注入工序设在电极印刷烧结的工序之后，所以相当一部分光注入工序都是集成在固化烧结与测试分选工序之间，但是对铜栅线异质结太阳电池若光注入工序设在电极制备的工序之后，将严重影响铜栅线异质结太阳电池的串焊，因此，如何解决铜栅线异质结太阳电池光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例
本发明实施例提供了一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备100，包括光注入模块10和磁控溅射镀膜设备20；其中磁控溅射镀膜设备20包括上下游依次设置的制程前室21、制程室22和制程后室23；其中制程前室21对待镀膜的样品预热；制程室22对预热后的待镀膜的样品镀膜；制程后室23将镀膜后的样品冷却；光注入模块10设置在制程前室21内用于对待镀膜的样品进行光注入。
相比光注入工序设在电极制备的工序之后，本实施例在常规直列式磁控溅射设备的基础上，将光注入模块10集成到磁控溅射设备的某些非镀膜腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属铜薄膜前完成光注入处理，不仅有效改善铜栅线异质结太阳电池内薄膜及界面质量，最终提高电池开路电压和填充因子，同时有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾，使铜电极电池的光处理增效与可靠焊接兼而得之。另一方面，光注入与镀膜工序之间采用无需破真空的方式实现紧凑衔接，避免了采用单体独立的光注入和磁控溅射设备时，不同工序之间上下料周转对电池表面/薄膜界面的可能污染，保证产品质量；最后，该集成方案中光注入模块10充分利用了常规直列式磁控溅射设备中已有的上下料、传输、预热及恒温控制机构，仅需增加基本的光源及控制模块，即可满足光注入工艺条件的需求，达到将两道工序整合在一起的目的，大大降低了设备投入，同时上下料周转次数的减少，也有利于缩短工艺周期、降低人工成本、提高生产效率和产品良率。
在一些实施例中，制程前室21包括上下游依次设置的进片室211、预热室212和第一缓冲室213；光注入模块10设置在进片室211、预热室212和第一缓冲室213至少其中之一的腔室内。
具体的如图2所示，制程室22是待镀膜的样品沉积TCO薄膜及金属薄膜(Cu、Ni等)的主要场所，包括多个第一制程室221和多个第二制程室222；每一个第一制程室221和第二制程室222内可设置多个镀膜靶位202，每个镀膜靶位202可位于第一制程室221和第二制程室222的顶部或底部，进行自上而下的镀膜或自下而上的镀膜。制程后室23包括冷却室231，第二缓冲室232和出片室233；冷却室231对已镀膜的样品进行降温处理使其在一定程度上冷却下来；第二缓冲室232调节已镀膜的样品的传送速度以匹配出片室233；出片室233为磁控溅射镀膜设备20最末端的真空腔室，将已镀膜的样品送到外部自动化下料端。
在一些实施例中，光注入模块位于或靠近腔室的顶部，向下辐照样品；和/或位于或靠近腔室的底部，向上辐照样品
可理解的，光注入模块10设置在进片室211、预热室212和第一缓冲室213至少其中之一的腔室内。可理解为，光注入模块10为一个设置在进片室211、预热室212或第一缓冲室213的腔室内；
光注入模块10为两个，设置在进片室211和预热室212的腔室内；或者设置在进片室211和第一缓冲室213的腔室内；再或者设置在第一缓冲室213和预热室212的腔室内；
光注入模块10为三个，设置在进片室211、预热室212和第一缓冲室213的腔室内。其中光注入模块10在腔室内可位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品；也可位于/靠近腔室的底部，向上辐照待镀膜的样品。
示例性的，在一些实施例中光注入模块10的设置如图2所示，光注入模块10为一个设置在进片室211的腔室内，位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中光注入模块10的设置如图3所示，光注入模块10为一个设置在进片室211的腔室内位于或靠近腔体的底部，向上辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中光注入模块10的设置如图4所示，光注入模块10为一个设置在预热室212的腔室内位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中光注入模块10的设置如图5所示，光注入模块10为一个设置在第一缓冲室213的腔室内位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中光注入模块10的设置如图6所示，光注入模块10为三个分别设置在进片室211、预热室212和第一缓冲室213的腔室内，其中进片室211腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品；其中预热室212腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品；其中第一缓冲室213腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中光注入模块10的设置如图7所示，光注入模块10为三个分别设置在进片室211、预热室212和第一缓冲室213的腔室内，其中进片室211腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品；其中预热室212腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品；其中第一缓冲室213腔室内的光注入模块10位于或靠近腔体的底部，向上辐照待镀膜的样品。
在一些实施例中，光注入模块10为多个点光源阵列和/或多个带状光源。
具体的，光注入模块10可以为多个点光源阵列；或者光注入模块10可以为多个带状光源；又或者光注入模块10为多个带状光源和多个点光源阵列组合而成。其中点光源阵列可理解为平面内按一定形式排布的若干点光源阵列；带状光源可理解为按一定间距排列的若干带状光源，例如，点光源及带状光源为卤素灯或LED灯，其发光强度是太阳光强的2-80倍，发光波长为300-1100nm。
在一些实施例中，待镀膜的样品为铜栅线异质结太阳电池中形成p-n结且包含氢钝化层的结构，但不包括TCO薄膜及金属薄膜。
可理解的，待镀膜的样品为铜栅线异质结太阳电池中包含形成p-n结和氢钝化层的结构，其中待镀膜的样品尚未形成铜栅线异质结太阳电池中的TCO薄膜及金属薄膜。
示例性的，铜栅线异质结太阳电池为硅异质结电池，待镀膜的样品包括：第一晶硅衬底、第一非晶硅薄膜和第一掺杂硅基薄膜；其中第一非晶硅薄膜设置在第一晶硅衬底相对设置的两个表面上；第一掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜，p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜分别设置在两个第一非晶硅薄膜远离第一晶硅衬底的表面上。
其中，第一晶硅衬底相对设置的两个表面为正面和背面，其导电类型没有特殊要求，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可，比如，第一晶硅衬底为N型单晶硅片；更进一步的，第一晶硅衬底可以为形成有金字塔绒面结构的N型单晶硅片。如此，可以更进一步的提升硅异质结太阳电池的使用性能。
其中，第一掺杂硅基薄膜包括n型掺杂非晶硅薄膜和p型掺杂非晶硅薄膜，本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置。在一些实施例中，p型掺杂非晶硅薄膜为p型掺杂硅基发射极层，位于第一晶硅衬底正面的第一非晶硅薄膜的表面上；n型掺杂非晶硅薄膜为n型掺杂硅基背场层，位于第一晶硅衬底背面的第一非晶硅薄膜的表面上。可选的，n型掺杂非晶硅薄膜和p型掺杂非晶硅薄膜均可选自非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、硅氧薄膜或硅碳薄膜中的一种。
示例性的，铜栅线异质结太阳电池为背接触异质结电池，待镀膜的样品包括：第二晶硅衬底，氢钝化薄膜，第二非晶硅薄膜和第二掺杂硅基薄膜；其中第二晶硅衬底具有相对设置的正面和背面；氢钝化薄膜设置在第二晶硅衬底的正面上；第二非晶硅薄膜设置在第二晶硅衬底的背面上；第二掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜；p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜呈叉指状排列，设置在第二非晶硅薄膜远离第二晶硅衬底的表面上。
其中，第二晶硅衬底其导电类型没有特殊要求，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可，比如，第一晶硅衬底为n型单晶硅片；更进一步的，第二晶硅衬底可以为形成有金字塔绒面结构的n型单晶硅片。如此，可以更进一步的提升硅异质结太阳电池的使用性能。
其中，氢钝化薄膜为非晶硅薄膜或氮化硅等含氢钝化层，本领域技术人员根据实际需求灵活选择即可。
其中，第二掺杂硅基薄膜包括n型掺杂非晶硅薄膜和p型掺杂非晶硅薄膜，两者呈叉指状排列，设置在第二非晶硅薄膜远离第二晶硅衬底的表面上。在一些实施例中，p型掺杂非晶硅薄膜为p型掺杂硅基发射极层，n型掺杂非晶硅薄膜为n型掺杂硅基背场层。可选的，n型掺杂非晶硅薄膜和p型掺杂非晶硅薄膜均可选自非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、硅氧薄膜或硅碳薄膜中的一种。
本发明的另一个方面提出了铜栅线异质结太阳电池的生产方法，利用上述任一实施例中的生产集成设备100制备铜栅线异质结太阳电池的方法包括：
S100：提供待镀膜的样品；其中待镀膜的样品为铜栅线异质结太阳电池中形成p-n结且包含氢钝化层的结构，但不包括TCO薄膜及金属薄膜。
S110：待镀膜的样品放置于根据待镀膜的样品尺寸和镀膜要求而定制的载板上，载板依次进入进片室211，预热室212，第一缓冲室213，第一制程室221，第二制程室222，冷却室231，第二缓冲室232和出片室233；其中载板在各腔室之间的传输通过履带来完成。
具体如图2所示，外部自动化上料端传来的待镀膜的样品进入进片室211，光注入模块10设置在进片室211的腔室内位于或靠近腔体的顶部，向下辐照待镀膜的样品，光注入模块10的光源的发光波长在300-1100nm范围(比如300nm、350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm、750nm、800nm、850nm、900nm、950nm、1000nm、1050nm、1100nm)，发光强度是太阳光强的2-80倍(比如2倍、4倍、10倍、12倍、16倍、20倍、25倍、30倍、36倍、40倍、48倍、56倍、60倍、64倍、70倍、75倍、80倍)，具体的光注入工艺条件没有其他特殊要求，本领域根据现有技术中的光注入工序进行即可。
完成光注入工序的待镀膜的样品传送至预热室212，预热室212对待镀膜的样品进行预热后传送至第一缓冲室213；第一缓冲室213调节待镀膜的样品的传送速度以匹配第一制程室221和第二制程室222设定的传送速度，在第一制程室221和第二制程室222进行沉积TCO薄膜及金属薄膜镀膜。其中TCO薄膜的材料没有特殊要求，本领域技术人员也可以根据实际需求灵活选择，可通过PVD(物理气相沉积)工艺进行制备，上述工艺方法的工艺成熟，便于工业化生产，而且制备的薄膜性能较佳。并且金属薄膜可通过电镀沉积得到，上述工艺方法的工艺成熟，便于工业化生产，在此不再赘述。
需要说明的是，根据如图3到图7中光注入模块10的设置，可参考上述S110步骤中的方法进行光注入处理，在此不再一一赘述。
S120：冷却室231对已镀膜的样品进行降温处理使其在一定程度上冷却下来，并传送到第二缓冲室232调节已镀膜的样品的传送速度以匹配出片室233；出片室233将已镀膜的样品送到外部自动化下料端。
本发明中的一些实施例，在常规直列式磁控溅射设备的基础上，将光注入模块10集成到磁控溅射设备的某些腔室中，在铜栅线异质结太阳电池进行磁控溅射沉积TCO薄膜及金属薄膜前完成光注入处理，有效解决了铜栅线异质结太阳电池的光注入增效与焊接可靠性之间的矛盾，有效改善铜栅线异质结太阳电池内薄膜及界面质量，最终提高铜栅线异质结太阳电池开路电压和填充因子，使铜栅线异质结太阳电池的光处理增效与可靠焊接兼而得之。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”
“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“实施例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (9)
1.一种铜栅线异质结太阳电池的生产集成设备，其特征在于，包括光注入模块，所述光注入模块用于对待镀膜的样品进行光注入；和
磁控溅射镀膜设备；其中所述磁控溅射镀膜设备包括上下游依次设置的制程前室、制程室和制程后室；其中制程前室对待镀膜的所述样品预热；制程室对预热后待镀膜的所述样品镀膜；制程后室将镀膜后的所述样品冷却；所述光注入模块设置在所述制程前室内。
2.根据权利要求1所述的生产集成设备，其特征在于，所述制程前室包括上下游依次设置的进片室、预热室和第一缓冲室；所述光注入模块设置在所述进片室、所述预热室和所述第一缓冲室至少其中之一的腔室内。
3.根据权利要求1所述的生产集成设备，其特征在于，所述光注入模块为多个点光源阵列和/或多个带状光源。
4.根据权利要求3所述的生产集成设备，其特征在于，所述点光源及带状光源为卤素灯或LED灯，其发光强度是太阳光强的2-80倍，发光波长为300-1100nm。
5.根据权利要求1所述的生产集成设备，其特征在于，所述光注入模块位于或靠近所述腔室的顶部，向下辐照样品；和/或位于或靠近所述腔室的底部，向上辐照样品。
6.根据权利要求1-5任一所述的生产集成设备，其特征在于，待镀膜的所述样品为所述铜栅线异质结太阳电池中形成p-n结且包含氢钝化层的结构，但不包括TCO薄膜及金属薄膜。
7.根据权利要求6所述的生产集成设备，其特征在于，所述铜栅线异质结太阳电池为硅异质结电池，待镀膜的所述样品包括：
第一晶硅衬底；
第一非晶硅薄膜，所述第一非晶硅薄膜设置在所述第一晶硅衬底相对设置的两个表面上；和
第一掺杂硅基薄膜，所述第一掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜，所述p型掺杂硅基薄膜和所述n型掺杂硅基薄膜分别设置在两个所述第一非晶硅薄膜远离所述第一晶硅衬底的表面上。
8.根据权利要求6所述的生产集成设备，其特征在于，所述铜栅线异质结太阳电池为背接触异质结电池，待镀膜的所述样品包括：
第二晶硅衬底，所述第二晶硅衬底具有相对设置的正面和背面；
氢钝化薄膜，所述氢钝化薄膜设置在所述第二晶硅衬底的正面上；
第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜设置在所述第二晶硅衬底的背面上；和
第二掺杂硅基薄膜，所述第二掺杂硅基薄膜包括p型掺杂硅基薄膜和n型掺杂硅基薄膜；所述p型掺杂硅基薄膜和所述n型掺杂硅基薄膜呈叉指状排列，设置在所述第二非晶硅薄膜远离所述第二晶硅衬底的表面上。
9.一种铜栅线异质结太阳电池的生产方法，其特征在于，利用权利要求1-8任一所述的生产集成设备生产所述铜栅线异质结太阳电池的步骤包括：
提供待镀膜的所述样品；
在所述制程前室进行光注入处理，并在制程室依次进行TCO薄膜和金属薄膜沉积；
在制程后室将镀膜后的所述样品冷却并输出。
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