CN214672513U - 一种浸泡蚀刻设定架算盘珠 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种浸泡蚀刻设定架算盘珠，具有：珠体，其横截面的两侧为平面；承载部，设置在珠体的前端上，承载部的两侧与珠体的两侧平齐，承载部的前端为弧形；珠体的后端为平面，降低基板的制损，减小基板板厚差，提高HF的使用效率，降低生产成本。

Description

一种浸泡蚀刻设定架算盘珠

技术领域

本实用新型属于液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种浸泡蚀刻设定架算盘珠。

背景技术

近年来随着显示屏行业的高速发展，对现实生活中各类液晶显示屏要求越来越高，液晶显示屏逐渐趋向尺寸愈大、板厚愈薄的方向发展。目前减薄行业的减薄方式主要是物理研磨和化学蚀刻，其中化学蚀刻是最主要、最重要的减薄方式。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

化学蚀刻方式主要分为喷淋蚀刻和浸泡蚀刻，现有的G5及以上尺寸液晶面板1.0mm薄化至0.3mm的加工工艺难度较高。喷淋蚀刻受流量影响较大，局部易出现较大板厚差的问题；现有浸泡蚀刻所用的治具之一是算盘珠，其作用是对一定数量的基板进行限位，避免基板在酸液槽内出现大幅摆动和叠片等引起的制损。

现有的算盘珠存在一定的缺陷，基板在蚀刻过程中易出现由算盘珠引起的卡空卡裂制损、基板厚度相差较大的问题。

缺点1：小/中型号算盘珠的最大限位长度分别为6mm/11.5mm，对G5及以上尺寸基板限位效果差，易造成基板齿位位置出现卡空卡裂制损(制损率＞13％)；

缺点2：大型号算盘珠最大限位长度为14mm，G5尺寸基板蚀刻后，齿位位置的板厚差非常大(100um以上/片)，经常导致基板板厚超内控范围，无法满足量产要求；

缺点3：各型号算盘珠与基板的可接触面积较大，对HF溶液的使用废液面积要求较高，增加了生产成本；而且易造成基板齿位位置出现较大板厚差和蚀刻不均，影响基板表观良率；

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种降低基板制损，减小基板板厚差的浸泡蚀刻设定架算盘珠。

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种浸泡蚀刻设定架算盘珠，具有：

珠体，其横截面的两侧为平面；

承载部，设置在所述珠体的前端上，所述承载部的两侧与珠体的两侧平齐，所述承载部的前端为弧形；所述珠体的后端为平面。

所述珠体和承载部为一体式结构。

算盘珠包括一系列的珠体，一系列的珠体中心相互连接成一个杆体。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，降低基板的制损，减小基板板厚差，提高HF的使用效率，降低生产成本，同时实现浸泡蚀刻G5及以上尺寸液晶面板1.0mm薄化至0.3mm量产的目标。

附图说明

图1为现有技术算盘珠的结构示意图；

图2为现有技术算盘珠承载原理图；

图3为现有技术算盘珠计算原理图；

图4为本实用新型实施例中提供的浸泡蚀刻设定架算盘珠的结构示意图；

图5为图4的浸泡蚀刻设定架算盘珠的承载原理图；

图6为图4的浸泡蚀刻设定架算盘珠的计算原理图；

上述图中的标记均为：1、珠体，2、承载部。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

参见图1-3，目前使用的算盘珠型号有小型号(外径27mm)、中型号(外径38mm)、大型号(外径47mm)图1，其中阴影部分为算盘珠与基板的最大可接触面积S图2。现有算盘珠最大可接触面积计算方式如下，图3：

b＝√(c²-a²)

arcsinα＝b/c

S_扇1＝2πc²α/360

S_三1＝ab

S₁＝S_扇1-S_三1

通过计算，分别得到3种算盘珠与基板的最大可接触面积为：

S_小1＝93.85mm²，S_中1＝399.13mm²，S_大1＝472.71mm²

参见图4-6，一种浸泡蚀刻设定架算盘珠，具有：

珠体，其横截面的两侧为平面；

承载部，设置在珠体的前端上，承载部的两侧与珠体的两侧平齐，承载部的前端为弧形；珠体的后端为平面。

珠体和承载部为一体式结构。

算盘珠包括一系列的珠体，一系列的珠体中心相互连接成一个杆体。

在现有算盘珠基础上，沿内直柱的切边进行切割，保留其中1边，切掉另外3条边，如图4所示，阴影部分切掉后留下图5。

变更后的算盘珠最大可接触面积计算方式如下：

arc sinβ＝a/c

b＝√(c²-a²)

S_扇2＝2πc²β/360

S_三2＝ab

S_2阴＝S_扇2-S_三2

S_矩＝2a(b-a)

S₂＝S_2阴+S_矩＝ab-2a²+2πc²β/360

通过计算，分别得到3种算盘珠与基板的最大可接触面积为：

S_小2＝78.82mm²，S_中2＝168.38mm²，S_大2＝245.01mm²

算盘珠变更前后的最大可接触面积变量为：Δ＝S₁-S₂，优化率为：C＝Δ/S₂

C_小＝(93.85-78.82)/78.82＝19.07％

C_中＝(399.13-168.38)/168.38＝137％

C_大＝(472.71-245.01)/245.01＝92.93％

原有各种型号算盘珠耗材无需浪费，只需要经过简单加工，便可继续使用；改造后的算盘珠保留了原有算盘珠的优点，不仅保证了算盘珠对基板的限位效果，同时还减小了算盘珠对基板的接触面积；改造后的算盘珠对酸液废液面积要求相对较低，能够提高酸液的利用率，降低生产成本；改造后的算盘珠灵活性更高，能适应不同尺寸产品，可根据不同尺寸的产品进行切换。

1、保证各型号算盘珠对基板具有良好的限位效果，减少基板出现卡空卡裂等制损，提高各型号算盘珠可使用的范围，增加其灵活性；2、减小各型号算盘珠与基板的可接触面积，保证对基板限位效果的同时，避免算盘珠影响基板的板厚差和表观良率；3、提高HF溶液的可使用废液体积，提高HF溶液的利用率，降低生产成本；4、降低浸泡蚀刻生产G5及以上尺寸基板的制损率，减小基板齿位位置板厚差，避免基板齿位位置出现蚀刻不均，提升表观良率，实现浸泡蚀刻G5及以上尺寸基板量产。

采用上述的结构后，降低基板的制损，减小基板板厚差，提高HF的使用效率，降低生产成本，同时实现浸泡蚀刻G5及以上尺寸液晶面板1.0mm薄化至0.3mm量产的目标。

上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种浸泡蚀刻设定架算盘珠，其特征在于，具有：

珠体，其横截面的两侧为平面；

承载部，设置在所述珠体的前端上，所述承载部的两侧与珠体的两侧平齐，所述承载部的前端为弧形；所述珠体的后端为平面；

所述珠体和承载部为一体式结构；

算盘珠包括一系列的珠体，一系列的珠体中心相互连接成一个杆体。

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