CN214481456U - 集成电路基板 - Google Patents

Abstract

一种集成电路基板，包括：多层图案化导电板以及钻孔偏移侦测结构。所述钻孔偏移侦测结构由所述多层图案化导电板的至少一部分组成，其中位于所述多层图案化导电板的最上方的顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的部分包括第一连接垫与第二连接垫；其中所述钻孔偏移侦测结构用于通过所述第一连接垫与所述第二连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

Description

集成电路基板

技术领域

本申请是有关一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路基板。

背景技术

传统上，当电路板，尤其是多层板的钻孔位置偏移时，会造成导孔与连接垫错位形成断路或者导孔与电路板其他部分连接形成短路的缺陷。然而，目前缺乏有效的手段来判断电路板中的钻孔位置是否偏移。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的之一在于提供一种集成电路基板来解决上述问题。

依据本申请的一实施例，提供一种集成电路基板，包括：多层图案化导电板以及钻孔偏移侦测结构。所述钻孔偏移侦测结构由所述多层图案化导电板的至少一部分组成，其中位于所述多层图案化导电板的最上方的顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的部分包括第一连接垫与第二连接垫；其中所述钻孔偏移侦测结构用于通过所述第一连接垫与所述第二连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

依据本申请的一实施例，设置在所述顶层图案化导电板下方的中间图案化导电板于所述钻孔偏移侦测结构中的部分环绕所述第一连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影，并且环绕所述第二连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影。

依据本申请的一实施例，设置在所述中间图案化导电板下方的底层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的部分包括第三连接垫与第四连接垫，所述第一连接垫的位置与所述第三连接垫的位置对应并形成第一对连接垫，所述第二连接垫的位置与所述第四连接垫的位置对应并形成第二对连接垫；其中，所述第一对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第一导孔，所述第二对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第二导孔。

依据本申请的一实施例，所述顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的所述部分还包括第五连接垫，所述中间图案化导电板于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分环绕所述第五连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影，所述底层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的所述部分还包括第六连接垫，所述第五连接垫的位置与所述第六连接垫的位置相对应并形成第三对连接垫，且所述第三对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第三导孔，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫间隔所述第三对连接垫。

依据本申请的一实施例，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫通过所述第三对连接垫连接；其中当所述第一连接垫或所述第三连接垫与所述第一导孔没有连接，或者，当所述第五连接垫或所述第六连接垫与所述第三导孔没有连接时，所述第一连接垫和所述第二连接垫之间的所述电性特征指示所述第一连接垫和所述第二连接垫之间形成断路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

依据本申请的一实施例，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫相邻。

依据本申请的一实施例，所述第三连接垫与所述第四连接垫连接；其中当所述第一连接垫或所述第三连接垫与所述第一导孔没有连接时，所述电性特征指示所述第一连接垫和所述第二连接垫之间形成断路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

依据本申请的一实施例，所述顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分还包括第七连接垫，并且所述中间图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分与所述第七连接垫通过第四导孔连接；其中所述钻孔偏移侦测结构另用于通过所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

依据本申请的一实施例，当所述第一导孔连通所述第一对连接垫以及所述中间图案化导电板或者所述第三导孔连通所述第三对连接垫以及所述中间图案化导电板时，所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的所述电性特征指示所述第一连接垫与所述第七连接垫之间形成短路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

依据本申请的一实施例，所述电性特征包括电阻、电压或电流。

依据本申请的一实施例，所述钻孔偏移侦测结构为长方体。

依据本申请的一实施例，所述长方体的长在8至9毫米的范围，所述长方体的宽在2至3毫米的范围。

依据本申请的一实施例，所述长方体的长是8.5毫米，所述长方体的宽是2.7毫米。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1是依据本申请一实施例之集成电路基板的示意图。

图2是依据本申请一实施例之钻孔偏移侦测结构的示意图。

图3至图9是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构的示意图。

图10是依据本申请一实施例之集成电路基板的俯视示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。

再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。

虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。

传统的多层电路板(如四层电路板)包括位于中间的基板(如BT板)、形成于基板上下两侧的导电层(如铜层)、形成于导电层上下两侧的绝缘层(如树脂)以及形成于绝缘层上下两侧的导电层(如铜层)。一般来说，会依据电路设计对各导电层(如铜层)进行蚀刻工艺以形成多层图案化导电板，还会对多层电路板进行钻孔作业，并且在通孔中进行沉铜作业以在通孔位置形成导孔。然而，若是钻孔位置有偏移，在沉铜后将有可能在电路板上产生断路问题或短路等缺陷。因此，本申请提出一种集成电路基板可以方便使用者能判断集成电路基板上的钻孔位置是否有偏移。

图1是依据本申请一实施例之集成电路基板1的示意图。在某些实施例中，集成电路基板1是四层电路板。在某些实施例中，集成电路基板1可以是六层电路板。在以下的实施例中以四层电路板为例来进行说明，然而，本领域技术人员在阅读完本申请所示的实施例后应能轻易地推广至六层电路板。

集成电路基板1包括多层图案化导电板10。在某些实施例中，多层图案化导电板10由上而下依序为顶层图案化导电板101、中间图案化导电板102和103以及底层图案化导电板104。在某些实施例中，顶层图案化导电板101、中间图案化导电板102和103以及底层图案化导电板104可以分别以铜或其他导电材料制成。当需注意的是，为求图示简洁，图1仅描绘出多层图案化导电板10，本领域技术人员应能理解集成电路基板1还应该包括其他形成在两相邻导电板之间的基板以及绝缘层。

集成电路基板1还包括钻孔偏移侦测结构110。在某些实施例中，钻孔偏移侦测结构110由多层图案化导电板10的至少一部分组成。在某些实施例中，钻孔偏移侦测结构110为长方体。在某些实施例中，所述长方体的长L在8至9毫米的范围，所述长方体的宽W在2至3毫米的范围。在某些实施例中，所述长方体的长L是8.5毫米，所述长方体的宽W是2.7毫米。

图2是依据本申请一实施例之钻孔偏移侦测结构110的示意图。在某些实施例中，顶层图案化导电板101位于钻孔偏移侦测结构110的部分包括第一连接垫201、第二连接垫202、多个(如图示中的两个)第五连接垫205以及多个(如图示中的两个)第七连接垫2071和2072。在某些实施例中，第一连接垫201、第二连接垫202、第五连接垫205以及第七连接垫207包括导电材料，用以进行信号连接。在某些实施例中，钻孔偏移侦测结构110用于通过第一连接垫201与第二连接垫202之间的电性特征判断集成电路基板1中的钻孔是否有偏移。在某些实施例中，钻孔偏移侦测结构110还用于通过第一连接垫201与第七连接垫2071和2072之间的电性特征判断集成电路基板1中的钻孔是否有偏移。在某些实施例中，电性特征包括电阻、电压或电流。

在某些实施例中，中间图案化导电板102位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1021环绕第一连接垫201在中间图案化导电板102上的正投影P2011，中间图案化导电板103位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1031环绕第一连接垫201在中间图案化导电板103上的正投影P2012。

在某些实施例中，中间图案化导电板102位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1021环绕第二连接垫202在中间图案化导电板102上的正投影P2021，中间图案化导电板103位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1031环绕第二连接垫202在中间图案化导电板103上的正投影P2022。

在某些实施例中，中间图案化导电板102位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1021环绕第五连接垫205在中间图案化导电板102上的正投影P2051，中间图案化导电板103位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1031环绕第五连接垫205在中间图案化导电板103上的正投影P2052。

在某些实施例中，中间图案化导电板102位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1021与第七连接垫207在中间图案化导电板102上的正投影P2071交会。在某些实施例中，中间图案化导电板103位于钻孔偏移侦测结构110中的部分1031与第七连接垫2072在中间图案化导电板103上的正投影P2072交会。

在某些实施例中，底层图案化导电板104位于钻孔偏移侦测结构110的部分包括第三连接垫203、第四连接垫204以及多个(如图示中的2个)第六连接垫206。在某些实施例中，第三连接垫203、第四连接垫204以及第六连接垫206包括导电材料，用以进行信号连接。在某些实施例中，第一连接垫201的位置和尺寸与第三连接垫203的位置和尺寸对应并形成第一对连接垫301。在某些实施例中，第二连接垫202的位置和尺寸与第四连接垫204的位置和尺寸对应并形成第二对连接垫302。在某些实施例中，第五连接垫205和第六连接垫206的位置及尺寸相对应，并形成多组(如图示中的两组)第三对连接垫303。在某些实施例中，第一对连接垫301与第二对连接垫302间隔两组第三对连接垫303。在某些实施例中，第三连接垫203与相邻的第六连接垫206连接。在某些实施例中，相邻的两个第五连接垫205连接。在某些实施例中，第四连接垫204与相邻的第六连接垫206连接。

在正常作业下，通过对集成电路基板1进行钻孔作业产生通孔，以及并对通孔进行沉铜工艺后产生导孔，使得第一连接垫201和第三连接垫203通过导孔电性连接、第五连接垫205和第六连接垫206通过导孔电性连接，并且，第二连接垫202和第四连接垫204通过导孔电性连接。本领域技术人员应能理解，在实际的工艺流程中可以先对中间图案化导电板102和103、中间图案化导电板102上方的绝缘层以及中间图案化导电板103下方的绝缘层进行钻孔作业以及沉铜工艺后，再形成顶层图案化导电板101与底层导电板104。

图3是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图3的实施例描绘钻孔没有产生偏移的情况。在某些实施例中，第一对连接垫301对应贯穿多层图案化导电板10的第一导孔Via1、第二对连接垫302对应贯穿多层图案化导电板10的第二导孔Via2，并且，第三对连接垫303对应贯穿多层图案化导电板10的第三导孔Via3。详细来说，第一对连接垫301的第一连接垫201与第三连接垫203通过第一导孔Via1连通、第二对连接垫302的第二连接垫202与第四连接垫204通过第二导孔Via2连通，并且，第三对连接垫303的第五连接垫205与第六连接垫206通过第三导孔Via3连通。在如此设置下，第一对连接垫301与第二对连接垫302通过第三对连接垫303连接。

在某些实施例中，第七连接垫2071与中间图案化导电板102在钻孔偏移侦测结构110的部分1021通过第四导孔Via41连接。在某些实施例中，第七连接垫2072与中间图案化导电板103在钻孔偏移侦测结构110的部分1031通过第四导孔Via42连接。

需说明的是，由于中间图案化导电板102或103在钻孔偏移侦测结构110的部分1021或1031环绕第一连接垫201在中间图案化导电板102或103的正投影，使得在钻孔没有产生偏移的情况下，即使将第一导孔Via1的孔径设计成与第一连接垫201的直径相同，第一导孔Via1将不会与中间图案化导电板102或103在钻孔偏移侦测结构110的部分1021或1031连接。同样地，第二导孔Via2和第三导孔Via3将不会与中间图案化导电板102或103在钻孔偏移侦测结构110的部分1021或1031连接。

在钻孔没有产生偏移的情况下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成短路。另外，在钻孔没有产生偏移的情况下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第七连接垫2071或2072之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第七连接垫2071或2072之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。

图4是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图4的实施例描绘钻孔产生偏移使得第一导孔Via不在预设位置的情况。在图4实施例所描绘的情况下，第一对连接垫301的第一连接垫201与第三连接垫203和第一导孔Via1并没有连接，因此，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。本领域技术人员应能理解，集成电路基板1的钻孔作业是全板一同作业，因此，当第一导孔Via不在预设位置，进而使得第一对连接垫301的第一连接垫201与第三连接垫203和第一导孔Via1没有连接造成第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路时，集成电路基板1的使用者便能推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

图5是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图5的实施例描绘钻孔产生偏移使得第一导孔Via倾斜的情况。在图5实施例所描绘的情况下，第一连接垫201和第一导孔Via1并没有连接，因此，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。同样地，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

图6是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图6的实施例描绘钻孔产生偏移使得第一导孔Via1倾斜的情况。在图6实施例所描绘的情况下，第三连接垫203和第一导孔Via1并没有连接，因此，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。同样地，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

本领域技术人员应能理解，图4至图6的实施例可推广至第二导孔Via2发生偏移和倾斜导致第二连接垫202或第四连接垫204与第二导孔Via2没有连接，使得集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。另外，图4至图6的实施例还可推广至第三导孔Via3发生偏移和倾斜导致第五连接垫205或第六连接垫206与第三导孔Via3没有连接，使得集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路。

需注意的是，本领域技术人员应能理解由于钻孔偏移造成第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路的可能情况并不限于图4至图6实施例所描绘的状况。只要是因为钻孔偏移造成第一连接垫201和第二连接垫202之间的电性特征(如电阻)显示第一连接垫201和第二连接垫202之间形成断路皆应隶属于本申请的范畴。详细说明在此省略以省篇幅。

图7是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图7的实施例描绘钻孔产生偏移使得第一导孔Via1偏离预设位置的情况。在图7的实施例中，钻孔产生偏移使得第一导孔Via1连通第一连接垫201和中间图案化导电板102。由于第七连接垫2071同样通过第四导孔Via41连通中间图案化导电板102，在如此设置下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第七连接垫2071之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第七连接垫2071之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第七连接垫2071之间形成短路。因此，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

另外，在图7的实施例中，钻孔产生偏移使得第一导孔Via1倾斜，使得第一导孔Via1连通第一连接垫201和中间图案化导电板103。由于第七连接垫2072同样通过第四导孔Via42连通中间图案化导电板103，在如此设置下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第七连接垫2072之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第七连接垫2072之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第七连接垫2072之间形成短路。因此，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

图8是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。需说明的是，图8的实施例描绘钻孔产生偏移使得第三导孔Via3偏离预设位置的情况。在图8的实施例中，钻孔产生偏移使得第三导孔Via3连通第五连接垫205和中间图案化导电板102。由于第七连接垫2071同样通过第四导孔Via41连通中间图案化导电板102，在如此设置下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第七连接垫2071之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第七连接垫2071之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第七连接垫2071之间形成短路。因此，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

另外，在图8的实施例中，钻孔产生偏移使得第三导孔Via3倾斜，使得第三导孔Via3连通第一连接垫201和中间图案化导电板103。由于第七连接垫2072同样通过第四导孔Via42连通中间图案化导电板103，在如此设置下，集成电路基板1的使用者通过检测第一连接垫201和第七连接垫2072之间的电性特征(如电阻)，第一连接垫201和第七连接垫2072之间的电性特征(如电阻)会显示第一连接垫201和第七连接垫2072之间形成短路。因此，集成电路基板1的使用者可以因此推断集成电路基板1中有钻孔偏移发生，以便对集成电路基板1进行检查。

本领域技术人员在阅读完图7和图8的实施例应能轻易地推广至钻孔产生偏移使得第二导孔Via2倾斜，使得第二导孔Via2连通第二连接垫202和中间图案化导电板102和103的情况。

需注意的是，本领域技术人员应能理解由于钻孔偏移造成第一连接垫201和第七连接垫2071(或2072)之间的电性特征(如电阻)显示第一连接垫201和第七连接垫2071(或2072)之间形成短路的可能情况并不限于图7或图8实施例所描绘的状况。只要是因为钻孔偏移造成第一连接垫201和第七连接垫2071(或2072)之间的电性特征(如电阻)显示第一连接垫201和第七连接垫2071(或2072)之间形成短路皆应隶属于本申请的范畴。详细说明在此省略以省篇幅。

需说明的是，在上述实施例中钻孔偏移侦测结果110中包括六个导孔，其中第一连接垫201与第二连接垫202之间通过四个导孔(即第一导孔Via1、两个第三导孔Via3以及第二导孔Via2)连接。集成电路基板1的使用者可以通过上述实施例所述方式检测四个导孔是否偏移，进而推测整块集成电路基板1的钻孔是否偏移。然而，此并非本申请的一限制，在其他实施例中，第一连接垫201与第二连接垫202可以相邻设置，也就是说，第一导孔Via1和第二导孔Via2可以相邻设置。

图9是依据本申请一实施例之钻孔作业后钻孔偏移侦测结构110的示意图。图9所示结构与图3大致相同，差异仅在于第一连接垫201与第二连接垫202相邻，并且第三连接垫203与第四连接垫204相连。在图9的实施例中，第一连接垫201与第二连接垫202之间通过两个导孔(即第一导孔Via1以及第二导孔Via2)连接。集成电路基板1的使用者可以通过上述实施例所述方式检测两个导孔是否偏移，进而推测整块集成电路基板1的钻孔是否偏移。在图9所述结构检测第一连接垫201与第二连接垫202之间的电性特征以及第一连接垫201与第七连接垫2071(或2072)之间的电性特征的方式与上述实施例相同，本领域技术人员在阅读完上述实施例后应能轻易推广至图9的实施例，详细说明在此省略以省篇幅。

图10是依据本申请一实施例之集成电路基板1的俯视示意图。在某些实施例中，钻孔偏移侦测结构110可以各别设置在集成电路基板1的四角，以便通过四个钻孔偏移侦测结构110来推测整块集成电路基板1的钻孔偏移状况。然而，此并非并申请的一限制。在其他实施例中，钻孔偏移侦测结构110的数量可以少于或多于四个，并且不限定钻孔偏移侦测结构110在集成电路基板1的位置。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的±10％、±5％、±1％或±0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的±10％、±5％、±1％或±0.5％内的值。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。

如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动为极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(S/m)。通常，导电材料是电导率大于近似地104S/m(例如，至少105S/m或至少106S/m)的一种材料。材料的电导率有时可以随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率是在室温下测量的。

如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。

如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。

前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。

Claims (15)

1.一种集成电路基板，其特征在于，包括：

多层图案化导电板；以及

钻孔偏移侦测结构，由所述多层图案化导电板的至少一部分组成，其中位于所述多层图案化导电板的最上方的顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的部分包括第一连接垫与第二连接垫；

其中所述钻孔偏移侦测结构用于通过所述第一连接垫与所述第二连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

2.根据权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，设置在所述顶层图案化导电板下方的中间图案化导电板于所述钻孔偏移侦测结构中的部分环绕所述第一连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影，并且环绕所述第二连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影。

3.根据权利要求2所述的集成电路基板，其特征在于，设置在所述中间图案化导电板下方的底层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的部分包括第三连接垫与第四连接垫，所述第一连接垫的位置与所述第三连接垫的位置对应并形成第一对连接垫，所述第二连接垫的位置与所述第四连接垫的位置对应并形成第二对连接垫；其中，所述第一对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第一导孔，所述第二对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第二导孔。

4.根据权利要求3所述的集成电路基板，其特征在于，所述顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的所述部分还包括第五连接垫，所述中间图案化导电板于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分环绕所述第五连接垫在所述中间图案化导电板上的正投影，所述底层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构的所述部分还包括第六连接垫，所述第五连接垫的位置与所述第六连接垫的位置相对应并形成第三对连接垫，且所述第三对连接垫对应贯穿所述多层图案化导电板的第三导孔，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫间隔所述第三对连接垫。

5.根据权利要求4所述的集成电路基板，其特征在于，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫通过所述第三对连接垫连接；其中当所述第一连接垫或所述第三连接垫与所述第一导孔没有连接，或者，当所述第五连接垫或所述第六连接垫与所述第三导孔没有连接时，所述第一连接垫和所述第二连接垫之间的所述电性特征指示所述第一连接垫和所述第二连接垫之间形成断路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

6.根据权利要求5所述的集成电路基板，其特征在于，所述顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分还包括第七连接垫，并且所述中间图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分与所述第七连接垫通过第四导孔连接；其中所述钻孔偏移侦测结构另用于通过所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

7.根据权利要求6所述的集成电路基板，其特征在于，当所述第一导孔连通所述第一连接垫以及所述中间图案化导电板或者所述第三导孔连通所述第五连接垫以及所述中间图案化导电板时，所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的所述电性特征指示所述第一连接垫与所述第七连接垫之间形成短路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

8.根据权利要求3所述的集成电路基板，其特征在于，所述第一对连接垫与所述第二对连接垫相邻。

9.根据权利要求8所述的集成电路基板，其特征在于，所述第三连接垫与所述第四连接垫连接；其中当所述第一连接垫或所述第三连接垫与所述第一导孔没有连接时，所述电性特征指示所述第一连接垫和所述第二连接垫之间形成断路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

10.根据权利要求9所述的集成电路基板，其特征在于，所述顶层图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分还包括第七连接垫，并且所述中间图案化导电板位于所述钻孔偏移侦测结构中的所述部分与所述第七连接垫通过第四导孔连接；其中所述钻孔偏移侦测结构另用于通过所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的电性特征判断所述集成电路基板中的钻孔是否有偏移。

11.根据权利要求10所述的集成电路基板，其特征在于，当所述第一导孔连通所述第一连接垫以及所述中间图案化导电板时，所述第一连接垫与所述第七连接垫之间的所述电性特征指示所述第一连接垫与所述第七连接垫之间形成短路以通知所述集成电路基板的使用者所述集成电路基板中存在钻孔偏移。

12.根据权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，所述电性特征包括电阻、电压或电流。

13.根据权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，所述钻孔偏移侦测结构为长方体。

14.根据权利要求13所述的集成电路基板，其特征在于，所述长方体的长在8至9毫米的范围，所述长方体的宽在2至3毫米的范围。

15.根据权利要求14所述的集成电路基板，其特征在于，所述长方体的长是8.5毫米，所述长方体的宽是2.7毫米。

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