CN214477465U

CN214477465U - 一种显示面板及显示装置

Info

Publication number: CN214477465U
Application number: CN202120891669.XU
Authority: CN
Inventors: 李曼曼; 许传志; 张露; 胡思明
Original assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2021-04-27
Filing date: 2021-04-27
Publication date: 2021-10-22
Anticipated expiration: 2031-04-27

Abstract

本实用新型实施例公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：驱动电路层，包括多个像素驱动电路；每一像素驱动电路包括驱动晶体管，驱动晶体管的第一极与第一开关管的第二极连接，第一开关管的第一极通过第一半导体结构与数据线连接；驱动晶体管的栅极与第二半导体结构连接；驱动电路层包括多个导电柱体，导电柱体设置于同一像素驱动电路内的第一半导体结构和第二半导体结构之间，导电柱体邻近衬底的表面与衬底的距离小于或等于第一半导体结构和第二半导体结构邻近衬底的表面与衬底的距离；导电柱体远离衬底的表面与第一金属结构电连接，第一金属结构位于第一半导体结构和第二半导体结构远离衬底的一侧。本实用新型降低了串扰。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置由于具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、高反应速率以及全彩化等优点被广泛应用。

然而，现有的OLED显示装置的显示区容易存在串扰问题，影响显示效果。

实用新型内容

本实用新型提供一种显示面板及显示装置，以降低串扰，提升显示效果。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种显示面板包括：

衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个阵列排布的像素驱动电路；

每一所述像素驱动电路包括驱动晶体管和第一开关管，所述驱动晶体管的第一极与所述第一开关管的第二极电连接，所述第一开关管的第一极通过第一半导体结构与数据线电连接；所述驱动晶体管的栅极与第二半导体结构电连接；

所述驱动电路层还包括多个导电柱体，所述导电柱体设置于同一像素驱动电路内的所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间，所述导电柱体邻近所述衬底的表面与所述衬底的距离小于或等于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构邻近所述衬底的表面与所述衬底的距离；所述导电柱体远离所述衬底的表面与第一金属结构电连接，所述第一金属结构位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构远离所述衬底的一侧，且所述第一金属结构用于接收固定电位信号。

可选的，所述导电柱体包括至少两个子导电柱体，至少两个子导电柱体沿所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的延伸方向依次排列。

可选的，所述第一金属结构在所述衬底的第一垂直投影覆盖所述导电柱体在所述衬底的第二垂直投影，且沿所述第一半导体结构指向所述第二半导体结构的方向，所述第一垂直投影的尺寸大于所述第二垂直投影的尺寸。

可选的，所述导电柱体的平行于所述衬底表面的截面的形状为椭圆形或多边形。

可选的，显示面板还包括：

第二金属结构，所述第二金属结构位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构邻近所述衬底的一侧，所述第二金属结构与所述导电柱体电连接。

可选的，所述第一半导体结构在所述衬底的第三垂直投影位于所述第二金属结构在所述衬底的第四垂直投影内，所述第四垂直投影邻近所述第二半导体结构的边界与所述第三垂直投影邻近所述第二半导体结构的边界之间的距离大于或等于第一预设距离；

和/或，所述第二半导体结构在所述衬底的第五垂直投影位于所述第二金属结构在所述衬底的第四垂直投影内，所述第四垂直投影邻近所述第一半导体结构的边界与所述第五垂直投影邻近所述第一半导体结构的边界之间的距离大于或等于第一预设距离。

可选的，沿平行于所述衬底的表面的方向，所述导电柱体与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的距离均大于或等于第二预设距离。

可选的，所述第一金属结构为电源信号线。

可选的，所述第一预设距离大于或等于1.5微米。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任意实施例所述的显示面板。

本实用新型实施例通过在第一半导体结构与第二半导体结构之间设置导电柱体，导电柱体邻近衬底的表面低于第一半导体结构与第二半导体结构的下表面或与第一半导体结构与第二半导体结构的下表面平齐，导电柱体远离衬底的表面高于第一半导体结构与第二半导体结构的上表面，导电柱体可以对第一半导体结构和第二半导体结构之间的耦合电场起到截断作用，降低第一半导体结构与第二半导体结构之间的耦合电容，从而减小数据线上的电信号对驱动晶体管的栅极电位的影响，从而降低显示面板的串扰，提升显示面板的显示效果。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的显示示意图；

图2是本实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一个像素驱动电路的示意图；

图4是像素驱动电路的局部放大示意图；

图5是图4中显示面板的沿剖面线AA的剖面示意图；

图6是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图；

图7是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图；

图8是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图；

图9是图8中显示面板沿剖面线BB的剖面示意图；

图10是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图；

图11是本实用新型实施例提供的一种显示装置的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

正如背景技术中提到的现有的显示面板容易存在串扰问题，图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的显示示意图，参考图1，第一区域1和第二区域2显示相同的灰阶，第一区域1两侧的第三区域3和第四区域4显示0灰阶时，第一区域1相对于第二区域2的显示偏暗，即第三区域3和第四区域4对第一区域1产生纵向串扰，并且0灰阶电压越高串扰越严重。发明人通过研究发现出现这种问题的原因在于，第一区域1的子像素与第三区域3和第四区域4的子像素共用数据线5，0灰阶时数据电压为较高电压，因此数据线5较多时间处于高电位，数据线5上的电压对第一区域1的子像素的驱动晶体管的栅极产生耦合作用，导致第一区域1的子像素的驱动晶体管的栅极电位较高，从而导致第一区域1相对于第二区域2的显示偏暗。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种显示面板，图2是本实施例提供的一种显示面板的俯视示意图，图3是本实用新型实施例提供的一个像素驱动电路的示意图，图4是像素驱动电路的局部放大示意图，图5是图4中显示面板的沿剖面线AA的剖面示意图，参考图2-图5，显示面板包括：

衬底10以及设置于衬底10上的驱动电路层20，驱动电路层20包括多个阵列排布的像素驱动电路21；

每一像素驱动电路21包括驱动晶体管T1和第一开关管T2，驱动晶体管T1的第一极与第一开关管T2的第二极电连接，第一开关管T2的第一极通过第一半导体结构201与数据线30电连接；驱动晶体管T1的栅极与第二半导体结构202电连接；

驱动电路层20还包括多个导电柱体22，导电柱体22设置于同一像素驱动电路21内的第一半导体结构201和第二半导体结构202之间，导电柱体22邻近衬底10的表面与衬底10的距离小于或等于第一半导体结构201和第二半导体结构202邻近衬底10的表面与衬底10的距离；导电柱体22远离衬底10的表面与第一金属结构23电连接，第一金属结构23位于第一半导体结构201和第二半导体结构202远离衬底10的一侧，且第一金属结构23用于接收固定电位信号。

其中，显示面板还包括发光功能层，发光功能层设置于驱动电路层20远离衬底10的一侧，发光功能层包括多个有机发光二极管OLED，每一像素驱动电路21与一有机发光二极管OLED连接，像素驱动电路21用于驱动有机发光二极管OLED发光。参考图3，像素驱动电路21还包括第二开关管T3、第三开关管T4、第四开关管T5、第五开关管T6和第六开关管T7。其中，第三开关管T4的第一极以及第四开关管T5的第一极均与驱动晶体管T1的栅极电连接，第三开关管T4的第二极与驱动晶体管T1的第二极电连接，第三开关管T4的栅极与第一开关管T2的栅极连接，用于接收第二扫描信号SACN2，第四开关管T5的第二极用于接收复位信号Vref，第四开关管T5的栅极用于接收第一扫描信号SACN1。第三开关管T4的第一极和第四开关管T5的第一极之间的连接线包括第二半导体结构202。导电柱体22邻近衬底10的表面与衬底10的距离小于或等于第一半导体结构201和第二半导体结构202邻近衬底10的表面与衬底10的距离，即导电柱体22与第一半导体结构201和第二半导体结构202位于同一膜层，或者导电柱体22延伸至第一半导体结构201和第二半导体结构202下方的膜层内。

参考图4和图5，由于第一半导体结构201与第二半导体结构202之间具有较小的距离，使得第一半导体结构201容易与第二半导体结构202形成耦合电容，从而第一半导体结构201上的电信号耦合到第二半导体结构202上，影响驱动晶体管T1的栅极电位，从而影响驱动晶体管T1的驱动电流，影响有机发光二极管OLED发光。

本实施例通过在第一半导体结构201与第二半导体结构202之间设置导电柱体22，导电柱体22邻近衬底10的表面低于第一半导体结构201与第二半导体结构202的下表面或与第一半导体结构201与第二半导体结构202的下表面平齐，导电柱体22远离衬底10的表面高于第一半导体结构201与第二半导体结构202的上表面，导电柱体22可以对第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的耦合电场起到截断作用，降低第一半导体结构201与第二半导体结构202之间的耦合电容，从而减小数据线30上的电信号对驱动晶体管T1的栅极电位的影响，从而降低显示面板的串扰，提升显示面板的显示效果。

需要说明的是，第一半导体结构201与第二半导体结构202可以与第一金属结构23采用相同的材料，可以通过在第一半导体结构201与第二半导体结构202之间形成盲孔，在形成第一金属结构23时，金属材料落入盲孔中形成第一半导体结构201与第二半导体结构202。

此外，参考图3，第二开关管T3的第一极用于接收第一电源信号PVDD。第六开关管T7的栅极以及第二开关管T3的栅极用于接收发光信号EMIT。有机发光二极管OLED的阴极用于接收第二电源信号PVEE。本实施例仅示例性的示出了像素驱动电路21的形式，并非对本发明的限定。

可选的，参考图5，第一金属结构23在衬底10的第一垂直投影覆盖导电柱体22在衬底10的第二垂直投影，且沿第一半导体结构201指向第二半导体结构202的方向，第一垂直投影的尺寸大于第二垂直投影的尺寸。

这样设置，第一金属结构23可以对第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的向远离衬底10的方向传输的电场起到截断作用，进一步降低第一半导体结构201与第二半导体结构202之间的耦合电容，从而进一步减小数据线30上的电信号对驱动晶体管T1的栅极电位的影响，降低显示面板的串扰，提升显示面板的显示效果。

发明人通过实验发现，采用本实施例的方案第一半导体结构和第二半导体结构之间的耦合电容在所有子像素中的最大值C_{gate_dat}与存储电容Cst的最小值Ctotal的比值降低29.4％。由此可知本实施的方案较大程度的减小了耦合电容。

可选的，导电柱体22的平行于衬底10表面的截面的较大的尺寸可以沿第一半导体结构201和第二半导体结构202的延伸方向放置，使得导电柱体22可以更好的对第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的耦合电场进行屏蔽。图6是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图，可选的，参考图4和图6，导电柱体22的平行于衬底10表面的截面的形状为椭圆形或多边形。示例性的，导电柱体22的平行于衬底10表面的截面的形状可以为长条形。

可选的，图7是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图，参考图7，导电柱体22包括至少两个子导电柱体221，至少两个子导电柱体221沿第一半导体结构201和第二半导体结构202的延伸方向依次排列。

具体的，第一半导体结构201和第二半导体结构202的延伸方向指和第一半导体结构201和第二半导体结构202的长度方向呈一定夹角的方向，该夹角小于90度。至少两个子导电柱体221可以对第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的耦合电场起到屏蔽作用，且设置导电柱体22包括至少两个子导电柱体221，在制作时可以分别形成至少两个子盲孔，每一个子盲孔对应形成一个子导电柱体221，相对于通过一个大的盲孔形成一个尺寸较大的导电柱体22，由于大孔的制作工艺时间更长，工艺更不易控制，通过至少两个尺寸较小的子盲孔形成子导电柱体221，其制作工艺更简单，降低了显示面板的制作工艺难度，减少了工艺时间。

图8是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的局部放大图，图9是图8中显示面板沿剖面线BB的剖面示意图，参考图8-图9，显示面板还包括：

第二金属结构24，第二金属结构24位于第一半导体结构201和第二半导体结构202邻近衬底10的一侧，第二金属结构24与导电柱体22电连接。

具体的，第二金属结构24可以对第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的向邻近衬底10的方向传输的电场起到截断作用，进一步降低第一半导体结构201与第二半导体结构202之间的耦合电容，从而进一步减小数据线30上的电信号对驱动晶体管T1的栅极电位的影响，从而降低显示面板的串扰，提升显示面板的显示效果。

可选的，第一半导体结构201在衬底10的第三垂直投影位于第二金属结构24在衬底10的第四垂直投影内，第四垂直投影邻近第二半导体结构202的边界与第三垂直投影邻近第二半导体结构202的边界之间的距离D1大于或等于第一预设距离。

这样设置，使得第二金属结构24和导电柱体22对第二半导体结构202的下半部分最大程度的进行屏蔽，使得第一半导体结构201上的耦合电场被屏蔽，进一步降低第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的耦合电容，降低串扰。

可选的，第一预设距离大于或等于1.5微米。

具体的，第一预设距离太小对制作精度要求太高，通过设置第一预设距离大于或等于1.5微米，可以在保证第二金属结构24和导电柱体22将第二半导体结构202的下半部分最大程度的进行屏蔽的同时，降低制作工艺难度。

发明人通过实验发现，采用本实施例的方案，第一半导体结构和第二半导体结构之间的耦合电容在所有子像素中的最大值Cgate_data与存储电容Cst的最小值Ctotal的比值降低31％。由此可知本实施的方案较大程度的减小了耦合电容。

图10是本实用新型实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图，参考图10，第二半导体结构202在衬底10的第五垂直投影位于第二金属结构24在衬底24的第四垂直投影内，第四垂直投影邻近第一半导体结构201的边界与第五垂直投影邻近第一半导体结构201的边界之间的距离D2大于或等于第一预设距离。

具体的，使得第二金属结构24和导电柱体22对第一半导体结构201的下半部分最大程度的进行屏蔽，使得第二半导体结构202上的耦合电场被屏蔽，进一步降低第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的耦合电容，降低串扰。

可选的，沿平行于衬底10的表面的方向，导电柱体22与第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的距离均大于或等于第二预设距离。

具体的，导电柱体22与第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的距离过近时，在制作时容易导致第一半导体结构201和第二半导体结构202与导电柱体22之间发生短路等，增大了制作工艺难度。通过设置导电柱体22与第一半导体结构201和第二半导体结构202之间的距离均大于或等于第二预设距离，降低了导电柱体22的制作难度。示例性的，第二预设距离可以大于或等于1.5微米。

可选的，第一金属结构23为电源信号线。无需单独制作第一金属结构23，减少了工艺复杂度。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，图11是本实用新型实施例提供的一种显示装置的示意图，参考图11，显示装置100包括本实用新型任意实施例提供的显示面板200。显示装置100可以为手机、平板等电子设备。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述导电柱体包括至少两个子导电柱体，至少两个子导电柱体沿所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的延伸方向依次排列。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述第一金属结构在所述衬底的第一垂直投影覆盖所述导电柱体在所述衬底的第二垂直投影，且沿所述第一半导体结构指向所述第二半导体结构的方向，所述第一垂直投影的尺寸大于所述第二垂直投影的尺寸。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述导电柱体的平行于所述衬底表面的截面的形状为椭圆形或多边形。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于：

所述第一半导体结构在所述衬底的第三垂直投影位于所述第二金属结构在所述衬底的第四垂直投影内，所述第四垂直投影邻近所述第二半导体结构的边界与所述第三垂直投影邻近所述第二半导体结构的边界之间的距离大于或等于第一预设距离；

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

沿平行于所述衬底的表面的方向，所述导电柱体与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的距离均大于或等于第二预设距离。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述第一金属结构为电源信号线。

9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：

所述第一预设距离大于或等于1.5微米。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。